ТУТ ВИДЕО
Совсем не дурно, почти hi-end! На самом деле если ориентироваться только по КНИ, то этот усилитель полноценный HI-END, но для хай-энда этого не достаточно, поэтому его отнесли к старому и доброму разряду hi-fi. Несмотря на то, что усилитель развивает всего 100 ватт, он на порядок сложнее аналогичных схем, но сама сборка не составит труда при наличии всех компонентов. Отклонять номиналы схемы не советую — мой опыт это подтверждает.
Маломощные транзисторы в ходе работы могут перегреваться, но волноваться не стоит — это их нормальный режим работы. Выходной каскад, как уже сказал, работает в классе АВ, следовательно, выделятся огромное количество тепла, которое нужно отводить. В моем случае они укреплены на общий теплоотвод, которого более, чем достаточно, но на всякий случай, имеется также и активное охлаждение.
После сборки нас ждет первый запуск схемы. Для этого советую еще раз прочитать запуск и настройку Ланзара — тут все делается точно таким же образом. Первый запуск делаем с закороченной на землю входом, если все ОК, то размыкаем вход и подаем звуковой сигнал. К тому времени все силовые компоненты должны быть укреплены на теплоотвод, а то восхищаясь музыкой можете не заметить, как дымят ключи выходного каскада — каждый из них стоит очень и очень.
Мы наконец заставили достойно звучать наш усилитель домашней аудиосистемы, проверили его работоспособность, оценили качество звука основного канала. Самое время добавить в него модуль защиты от случайных замыканий, чтоб вся работа не пошла лесом, из-за неизбежных случайностей в процессе его эксплуатации. Также соберём остальные маломощные каналы УНЧ, для подключения тыловых колоночек.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.
Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.
Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.
Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.
Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.
Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.
FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.
REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.
Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.
Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.
При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.
Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.
Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.
Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.
Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.
Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.
Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.
Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.
Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.
Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.
Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.
В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.
Характеристики КТ815
Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815
| Наименование | U КБ , В | U КЭ , В | I K , мА | Р К , Вт | h21 э | I КБ , мА | f, МГц | U КЭ , В. |
| КТ815А | 40 | 30 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Б | 50 | 45 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815В | 70 | 65 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Г | 100 | 85 | 1500(3000) | 1(10) | 30-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
Обозначения из таблицы читаются следующим образом:
- U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
- U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
- I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
- Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
- h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
- I КБ — обратный ток вывода коллектора.
- f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
- U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.
Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:
- Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
- Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.
Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.
Устройство IRF3205
Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.
Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.
ОПЛЕУХА МИКРОСХЕМАМ
Оплеуха микрухам — не самый простой, но высококачественный усилитель мощности НЧ. Усилитель способен развивать максимальную выходную мощность в 130 ватт и работает в довольно широком диапазоне входного напряжения. Выходной каскад усилителя построен на паре 2sa1943 2sc5200 и работает в режиме АВ. Эта версия, автором была разработана в этом году, ниже ее основные параметры.
- Диапазон питающих напряжений = +/- 20В … +/- 60В
- Номинальное напряжение питания (100Вт, 4 Ом) = +/- 36В
- Номинальное напряжение питания (100Вт, 8 Ом) = +/- 48В
С мощностью все понятно, а что со стороны искажений?
- THD+N (при Pвых<=60Вт, 20кГц) <= 0,0009%
- THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 0,003%
- THD+N (при максимальной выходной мощности, 20кГц) = 0,008%
Детали, используемые в этом модуле — подстроечные резисторы, маломощные и среднемощные транзисторы:
Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13005 транзистором BU406D;
транзистором MJE13004; транзистором MJE53T; транзистором MJ4380; транзистором MJE53; транзистором MJ4401; транзистором TIP75C; транзистором TIP75; транзистором TIP75A; транзистором TIP75B; транзистором 2SC2126;
↑ Функция REM
уже сделана в преобразователе, но она мне не очень нравится. Её я перевел на постоянный плюс, а REM организовал при помощи 2-х релюшек (такие обычно идут с сигнализациями, центральными замками), каждая на свой преобразователь и приклеил их на суперклей к корпусу. Подключил так: там четыре контакта, два на питание и два силовых. На один силовой подключил постоянный плюс, на второй плюс к для питания преобразователя. На одну клему питания приходит постоянный минус, а на вторую клемму питания плюс берется с клеммы REM. Так, при включении магнитолы появляется плюс на релюшке, та включается, и на преобразователь приходит питание. Вот вобщем-то и все, осталось все спаять и скрутить.
Все разъемы и детали были куплены в магазине и на рынке. Итак, первое включение закончилось удачно, все работает, звук радует своей мощностью и четкостью. Я остался доволен.
