Справочная таблица по SMD транзисторам
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B / BSS80B | — |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1323L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | — |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Если вдруг в таблице не оказалось нужных Вам данных, то у нас на сайте есть программа по SMD элементам, скачать которую можно совершенно на этой странице. Вообще у нас все программы бесплатные, без регистраций, без файлообменников и без СМС!Вы также можете задать любой интересующий вопрос и на нашем ФОРУМЕ!
↑ Возможная модернизация
1. Транзисторы типа КТ814, вставленные в панельки «смотрят» надписями от пользователя. Для устранения надо зеркально поменять справа налево рисунок печатной платы.
2. Если пробит переход К-Б, на стабилитрон TL431 поступит напряжение без ограничительного резистора. Поэтому сомнительные транзисторы надо предварительно проверять на замыкание омметром тестера. Для защиты TL431 можно вместо резистора 100 кОм (он предотвращает режим с оторванной базой, я поставил его для перестраховки) поставить резистор 100 Ом и включить его последовательно с миллиамперметром.
3. При длительной подаче повышенного напряжения питания, мощность на балластном резисторе TL431 превышает номинальную. Резистор надо умудриться сжечь, но если есть такие таланты, можно поставить его мощностью 0,5 Вт сопротивлением 200 Ом.
Я не стал вносить эти изменения — делать «защиту от дурака» для себя в схеме из одного стабилитрона и нескольких резисторов считаю ненужным. Плата просто приклеена к кусочку пенопласта с жесткой пленкой. Выглядит неэстетично, но работает, меня это устраивает, как говорится: «дёшево, надёжно и практично».
Преимущества схемы Дарлингтона
Транзисторы Дарлингтона используются так же, как одинарные биполярные. Их можно рассматривать как один транзистор с измененными параметрами
Наиболее важной особенностью такого изменения является умножение текущих коэффициентов усиления
Вернемся к примеру, приведенному в начале: объединив мощный транзистор с β = 40 с меньшим значением β, мы получим коэффициент усиления 1600. Для включения нагрузки, потребляющей 5 А, потребуется всего 3 мА — это ток, который успешно обеспечивает большинство микроконтроллеров.
Однако необходимо помнить, что транзисторы в этом соединении загружены неравномерно: большая часть тока проходит через T2. Это означает, что они не обязательно должны быть одного типа. Например, T1 может быть транзистором малой мощности с большим β, что делает результирующее усиление еще выше!
Виды транзисторов
В первых транзисторах применялся германий, который работал не совсем стабильно. Со временем от него отказалось в пользу других материалов: кремния (самый распространённый) и арсенида галлия. Но все это традиционные полупроводники.
В настоящее время начинают набирать популярность триоды на основе органических материалов и даже веществ биологического происхождения: протеинов, пептидов, молекул хлорофилла и целых вирусов. Биотранзисторы используются в медицине и биотехнике.
Другие классификации транзисторов:
- По мощности подразделяются на маломощные (до 0,1 Вт), средней мощности (от 0,1 до 1 Вт) и просто мощные (свыше 1 Вт).
- Также разделяются по материалу корпуса (металл или пластмасса), типу исполнения (в корпусе, бескорпусные, в составе интегральных схем).
- Нередко их объединяют друг с другом для улучшения характеристик. Такие транзисторы называются составными или комбинированными и могут состоять из двух и более полупроводниковых приборов. Строение и у них простое: эмиттер первого является базой для второго и так далее до необходимого количества триодов. Бывает нескольких типов: Дарлинга (все составляющие с одинаковым типом проводимости), Шиклаи (тип проводимости разный), каскодный усилитель (два прибора, работающие как один с подключением по схеме с общим эмиттером).
- К составным относится также и IGBT-транзистор, представляющий собой биполярный, который управляется при помощи полярного триода с изолированным затвором. Такой тип полупроводниковых приборов применяется в основном там, где нужно управлять большим током (сварочные аппараты, городские электросети) или электромеханическими приводами (электротранспорт).
- В качестве управления может применяться не ток, а другое электромагнитное воздействие. К примеру, в фототранзисторах в качестве базы используется чувствительный фотоэлемент, а в магнитотранзисторах – материал, индуцирующий ток при воздействии на него магнитного поля.
Технологический предел для транзисторов еще не достигнут. Их размеры уменьшаются с каждым голом, а различные научно-исследовательские институты ведут поиск новых материалов для использования в качестве полупроводника. Можно сказать, что эти полупроводниковые приборы еще не сказали миру своего последнего слова.
Немного подробнее о модуле и принципе его работы
Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.
Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.
Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.
Маркировка SOT-23
Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.
Корпуса бывают:
- sot23-3.
- sot23-5.
- sot23-6.
Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:
- DC/DC.
- AC/DC.
- ШИМ(pwm).
Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.
Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.
Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.
SOT-23: аналоги
Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.
С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.
В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.
Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.
ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:
При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.
Создание устройства
Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.
Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.
Более современные варианты
Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
- был добавлен 5-контактный вариант;
- появилась бессвинцовая версия;
- был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.
Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.
Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.
Маркировка SMD-компонентов
Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.
Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.
Технология изготовления биполярных транзисторов.
Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.
Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.
На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.
Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.
В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.
С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.
Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.
Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.
Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.
При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.
Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.
Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.
↑ Техническое задание
Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п.
Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.
Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.
Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.
Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.
Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.