2n5551 чем заменить

Основные параметры транзистора 2n5551

Корпус транзистора 2n5551 имеет трехэлементную структуру и выполнен в пластмассовом корпусе TO-92. В корпусе содержатся три вывода: база (B), эмиттер (E) и коллектор (C). Корпус обеспечивает защиту внутренних элементов от воздействия окружающей среды и облегчает монтаж и подключение.

Основные параметры транзистора 2n5551 включают в себя:

1. Максимальное значение коллекторного тока (Ic_max) — это максимально допустимый постоянный ток, который может протекать через коллекторный вывод транзистора без его повреждения. Значение этого параметра составляет от 150 мА до 600 мА.
2. Коэффициент усиления тока (hfe) — это отношение изменения коллекторного тока к изменению базового тока при заданном значении коллекторно-эмиттерного напряжения и рабочей частоте. Значение этого параметра составляет от 150 до 600.
3. Напряжение коллектор-эмиттер насыщения (Vce_sat) — это минимальное значение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора при максимальном допустимом коллекторном токе и базовом токе. Значение этого параметра составляет около 0.25 В.
4. Максимальное значение напряжения эмиттер-база (Veb_max) — это максимально допустимое обратное напряжение между эмиттером и базой транзистора, которое не должно быть превышено для избежания повреждения. Значение этого параметра составляет от 5 В до 6 В.

Транзистор 2n5551 является важным компонентом в различных электронных схемах и находит применение в усилительных устройствах, импульсных источниках питания, генераторах сигналов, аудиоусилителях и других электронных устройствах.

Транзисторы PNP

Транзисторы PNP могут использоваться для усиления сигнала, коммутации, стабилизации напряжения и других задач в различных электронных системах и устройствах. Часто они применяются в электронике, включая радио, аудио и видео устройства, а также в источниках питания и источниках света.

Для работы с транзисторами PNP необходимо учитывать их параметры, такие как максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), максимальный ток коллектора (IC), коэффициент усиления тока (hFE) и другие

Важно также выбрать подходящий аналог или альтернативу для конкретной модели транзистора PNP, например, для замены транзистора 2N5551

Существуют различные аналоги и альтернативы для транзистора 2N5551, включая следующие модели:

Модель	Производитель	Описание
BC557	ON Semiconductor	Планарный PNP транзистор общего назначения.
BC558	ON Semiconductor	Полупроводниковый PNP транзистор для общих электронных цепей.
2SA1015	Toshiba	Маломощный PNP транзистор для общего назначения.
2SC1815	Toshiba	Маломощный PNP транзистор общего назначения.

При выборе аналога или альтернативы транзистора 2N5551 необходимо учитывать параметры требуемого приложения и сравнивать их с параметрами доступных моделей

Также следует обратить внимание на наличие и совместимость пакета транзистора

Транзисторы PNP являются важными элементами в электронике и имеют широкое применение в различных областях техники. Их передовые аналоги и альтернативы помогают заменить транзистор 2N5551 и реализовать электронные схемы с требуемыми характеристиками и функциональностью.

Почему важно найти аналоги

Найти аналоги для транзистора 2n5551 имеет несколько ключевых преимуществ:

1. Замена вышедшего из производства компонента. Время от времени производители перестают выпускать определенные компоненты, как, например, транзистор 2n5551. В таком случае, поиск и использование аналогов позволяет продолжить производство и/или ремонт электронных устройств, не меняя всей схемы и переходя на другие компоненты.
2. Доступность аналогов на рынке. Поиск аналогов позволяет найти более широкий выбор компонентов, которые могут быть доступны в нужное время и месте. Это особенно полезно для проектов, требующих срочной замены транзистора.
3. Снижение стоимости проекта или ремонта. Аналоги зачастую могут быть более доступными и более дешевыми по сравнению с оригинальным компонентом. Это позволяет снизить общую стоимость проекта или ремонта без ущерба для качества и производительности.
4. Расширение функциональных возможностей. При поиске аналогов можно найти компоненты с аналогичными характеристиками, но, возможно, и с некоторыми дополнительными функциями или параметрами. Это дает возможность улучшить производительность или функциональность системы, используя аналог с более подходящими характеристиками.

Таким образом, поиск аналогов имеет большое значение при проектировании, ремонте или обслуживании электронных устройств, позволяя найти альтернативу вышедшему из производства или недоступному компоненту, повысить доступность и снизить стоимость проекта, а также расширить его функциональные возможности.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Описание и назначение

Транзистор 2N5551 представляет собой универсальное полупроводниковое устройство, которое широко используется в схемах электроники. Он относится к типу NPN и обладает следующими характеристиками:

— Номинальное напряжение коллектора-эмиттер: 160 В

— Номинальный коллекторный ток: 0.6 А

— Номинальная мощность: 0.5 Вт

— Коэффициент усиления тока: 100-400

Транзистор 2N5551 применяется в различных устройствах, таких как усилители, генераторы сигналов, коммутационные схемы и других электронных устройствах. Он часто используется как усилитель сигнала в различных ступенях усиления. Благодаря своим характеристикам и надежности, транзистор 2N5551 пользуется популярностью среди электронных разработчиков и инженеров.

Характеристика	Значение
Тип транзистора	NPN
Номинальное напряжение коллектора-эмиттер	160 В
Номинальный коллекторный ток	0.6 А
Номинальная мощность	0.5 Вт
Коэффициент усиления тока	100-400

Применение в электронике

Одним из основных применений транзистора 2N5551 является его использование в усилительных схемах. Благодаря высокому коэффициенту усиления, данный транзистор обеспечивает высокую усиливающую способность, что позволяет получить мощный и качественный звук. В частности, он часто используется в усилителях звука в аудиоаппаратуре.

Также транзистор 2N5551 применяется в схемах управления электронными ключами. В этом случае он работает как ключевой элемент, который открывает или закрывает цепь электрического тока. Благодаря высокой скорости коммутации, этот транзистор идеально подходит для управления малыми и средними мощностями, например, в контроллерных схемах и системах зажигания автомобилей.

Транзистор 2N5551 также используется в схемах генерации высокочастотного сигнала. Он позволяет создать стабильный и мощный сигнал, который может использоваться в радиопередатчиках, радиоприемниках, телевизионных аппаратах и других коммуникационных устройствах. Благодаря низкому уровню шума и высокому коэффициенту усиления, данный транзистор обеспечивает высокое качество передачи сигнала.

Транзистор 2N5551 также применяется в различных схемах фильтрации сигнала. Он позволяет создавать фильтры с высокой точностью и низким уровнем искажений. Благодаря высокой частотной характеристике и низкому уровню потерь, данный транзистор позволяет получить чистый и качественный сигнал.

Кроме того, транзистор 2N5551 может использоваться во множестве других электронных устройств, таких как блоки питания, импульсные источники тока, вольтметры, амперметры и т.д. В целом, благодаря своим рабочим характеристикам, этот транзистор является незаменимым элементом многих электронных схем и устройств.

Что такое транзистор 2n5551?

Транзистор 2n5551 имеет параметры, которые определяют его характеристики и позволяют его эффективно использовать в различных электронных устройствах. Например, его коллекторный ток составляет 600 мА, а коллекторное напряжение — 160 В. Входной и выходной емкости транзистора составляют 35 пФ и 4 пФ соответственно.

Цоколевка транзистора 2n5551 имеет три вывода, которые обозначаются как эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Обычно она представлена в виде металлического корпуса TO-92 с выходными выводами в форме ножек. Нога эмиттера обычно является самой длинной, а нога коллектора — самой короткой.

Транзистор 2n5551 обладает широким спектром применений, включая использование в аудиоусилителях, источниках тока, инверторах и других электронных устройствах. Его высокие характеристики и надежность делают его популярным среди радиолюбителей и профессиональных разработчиков.

Распространенные применения для заменяемых транзисторов

При использовании электронных устройств неизбежно возникает ситуация, когда нужный транзистор недоступен или непригоден для использования. В таких случаях можно применить альтернативные транзисторы, которые имеют схожие характеристики и могут успешно заменить исходный.

Одним из распространенных применений заменяемых транзисторов является ремонт и модификация электронных устройств. Если искомый транзистор старый или вышел из производства, его можно успешно заменить современным аналогом с близкими параметрами. Но необходимо учитывать, что при замене транзистора могут быть изменены некоторые характеристики устройства или потребуется внести дополнительные модификации.

Также заменяемые транзисторы могут использоваться в различных электронных проектах или экспериментах. Часто вместо исходного транзистора с определенными характеристиками можно применить другие транзисторы схожего типа, которые удовлетворяют требуемым параметрам. Это позволяет не только продолжить работу над проектом, но и экспериментировать с разными транзисторами для достижения оптимальных результатов.

Таким образом, заменяемые транзисторы имеют широкий спектр применения и являются полезными инструментами для электронщиков и электротехников

Важно помнить, что при замене транзистора необходимо учитывать его параметры и характеристики, чтобы не повредить устройство или получить неожиданный результат

In Stock: 45758

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551C	0,625	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551CN	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551CSM	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	LCC1 ٭
2N5551DCSM	0,35	—	160	—	0,6	—	80	100	—	—	—	LCC2 ٭	Тот же MO-041BB
2N5551G	0,625	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551G	0,5	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	SOT-89	Группы по hFE: A/B/C
2N5551HR	0,36	180	160	6	0,6	200	20-250	—	6	—	1-50	TO-18
2N5551HR	0,58	180	160	6	0,5	200	20-250	—	6	—	1-50	LCC3, UB ٭
2N5551K	0,625	180	160	6	0,6	150	50-300	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551N	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551S	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: ZF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150-250	100-300	—	—	—	SOT-23(1)	Маркировка: ZFC
BTN5551K3	0,9	180	160	6	0,6	150	≥ 50	≥ 100	6	—	—	TO-92L
H2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	50-400	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по hFE: A/N/C
H5551	0,625	180	160	6	0,6	150	30-280	100-300	—	—	—	TO-92
2N5551SQ	0,5	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	—	—	SOT-89	Маркировка: BG1
MMBT5551	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: 3S

٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.

Примечание: параметр h_FE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. h_fe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).

Полезные аналоги транзистора 2n5551

Если у вас нет транзистора 2n5551 или вы хотите найти его более доступную замену, существуют несколько полезных аналогов, которые могут использоваться вместо него:

• BC547: Это один из самых распространенных аналогов транзистора 2n5551. Он имеет схожие параметры и характеристики, поэтому может быть хорошей заменой.
• 2N3904: Еще один популярный аналог, который часто используется вместо 2n5551. Он имеет аналогичные характеристики и может быть легко найден.
• BC337: Это также распространенная замена транзистора 2n5551. Он имеет схожие параметры и может быть использован во многих приложениях.
• BC548: Это еще один аналог, который использовать вместо 2n5551. Он имеет похожие характеристики и широко доступен на рынке.

Важно отметить, что при замене транзистора всегда рекомендуется проверить его параметры, особенно максимальные значения напряжения и тока, чтобы убедиться, что новый аналог подходит для вашего конкретного приложения

Функциональные возможности

Транзистор 2N5551 обладает следующими функциональными возможностями:

• Осуществление усиления и коммутации электрического сигнала;
• Высокий коэффициент усиления по току (hFE), что позволяет использовать транзистор в усилительных схемах;
• Высокая коммутационная способность, позволяющая использовать транзистор в цепях с высокими токами;
• Низкое смещение базы-эмиттер (VBE), что обеспечивает низкое напряжение насыщения и малую мощность потери;
• Надежная работа в широком диапазоне рабочих температур.

2N5551 является универсальным PNP транзистором общего назначения, который может быть использован в различных электронных схемах и устройствах. Он широко применяется в усилительных и коммутационных схемах, а также в микроэлектронике и радиоэлектронике.

Как найти аналоги транзистора

При замене транзистора часто возникает необходимость найти его аналоги, особенно если оригинальная модель не доступна или снята с производства. Поиск аналогов позволяет найти замену, которая совместима по электрическим характеристикам и может выполнять те же функции.

Существует несколько способов найти аналоги транзистора:

1. Каталоги производителей

Многие производители электронных компонентов предлагают каталоги, в которых можно найти информацию о параметрах транзисторов и их аналогах. Например, такими каталогами являются «Технический справочник по электронным компонентам» или «Каталог полупроводников». В них можно найти список аналогов для каждой модели транзистора.

2. Интернет

Интернет является отличным источником информации о транзисторах и их аналогах. Существуют специализированные веб-сайты, где можно найти подробные характеристики транзисторов и их аналогов. Также можно воспользоваться поисковиками и найти форумы и обсуждения, где можно получить советы и рекомендации по замене транзистора.

3. Электронные журналы и книги

Многие электронные журналы и книги по электронике содержат информацию о транзисторах и их аналогах. Часто в таких изданиях можно найти схемы и примеры применения транзисторов, а также информацию о возможных аналогах.

При замене транзистора необходимо учитывать следующие параметры: тип транзистора (например, биполярный или полевой), максимальное рабочее напряжение и ток, коэффициент передачи тока и частотные характеристики. Также стоит учитывать эквивалентность подключений (например, эмиттер-база-коллектор) и физические размеры корпуса.

Найдя подходящий аналог, необходимо также проверить его наличие на складе или возможность его приобретения

Кроме того, стоит обратить внимание на стоимость аналога, так как это может влиять на бюджет проекта

Параметры для поиска аналогов

При замене транзистора 2N5551 полезно знать основные параметры, которые следует учитывать при поиске аналогов. Это поможет выбрать подходящую замену:

Тип транзистора: обратите внимание на тип транзистора, чтобы найти аналог с аналогичной структурой и полярностью.

Входной/выходной параметр тока (IC, IB): учитывайте диапазон значений тока, которые может обрабатывать заменяемый транзистор, и выбирайте аналог схожего диапазона.

Входное/выходное напряжение (VCEO, VCBO, VEBO): обратите внимание на максимальные напряжения, которые может выдерживать транзистор, и выбирайте аналог с аналогичными характеристиками.

Мощность (PD): учтите мощность, которую может выдерживать заменяемый транзистор, и выбирайте аналог с близкими значениями.

Частота переключения (fT): если вам необходима высокая частота переключения, выберите аналог с аналогичной или более высокой характеристикой.

Учитывая эти параметры, вы сможете найти подходящие аналоги для замены транзистора 2N5551 и обеспечить правильную работу вашей схемы или устройства.

Datasheets

Просмотр и загрузка
Datasheet 2N5551 / MMBT5551

PDF, 417 Кб, Язык: анг., Версия: 2, Файл закачен: 30 апр 2019, Страниц: 11NPN General Purpose Amplifier

Выписка из документа

2N5551 / MMBT5551
NPN General-Purpose Amplifier
Description
This device is designed for general-purpose high-voltage
amplifiers and gas discharge display drivers. 2N5551 MMBT5551
3 2 TO-92
1 SOT-23
Marking: 3S
1. Base 2. Emitter 3. Collector Ordering Information
Part Number Package Top Mark Packing Method 2N5551TA 5551 TO-92 3L Ammo 2N5551TFR 5551 TO-92 3L Tape and Reel 2N5551TF 5551 TO-92 3L Tape and Reel 2N5551BU 5551 TO-92 3L Bulk MMBT5551 3S SOT-23 3L Tape and Reel 2009 Semiconductor Components Industries, LLC
2N5551 / MMBT5551 Rev. 2 www.onsemi.com
1 2N5551 / MMBT5551 — NPN General-Purpose Amplifier August 2018 Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 600 mA -55 to +150 °C Collector current -Continuous IC
TJ, Tstg (2) Junction and Storage Temperature Notes:
2. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
3. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 °C.
These are steady-state limits. Fairchild Semiconductor should be consulted on applications involving pulsed
or low-duty cycle operations. Thermal Characteristics
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Maximum Parameter Units 2N5551 MMBT5551 Total Device Dissipation 625 350 mW Derate above 25°C 5.0 2.8 mW/°C RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 83.3 RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 200 PD 2009 Semiconductor Components Industries, LLC
2N5551 / MMBT5551 Rev. 2 °C/W
357 °C/W www.onsemi.com
2 2N5551 / MMBT5551 — NPN General-Purpose Amplifier Absolute Maximum Ratings(2) Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units Off Characteristics
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 1.0 mA, IB = 0 160 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC = 100 μA, IE = 0 180 V IE = 10 μA, IC = 0 6.0 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage ICBO Collector Cut-Off Current IEBO Emitter Cut-Off Current VCB = 120 V, IE = 0 50 nA VCB = 120 V, IE = 0, TA = 100°C 50 μA VEB = 4.0 V, IC = 0 50 nA On Characteristics
…

Транзистор 2n5551: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
• Корпус транзистора: TO92

Наиболее важные параметры.

• Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
• Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
• Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
• Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
• Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
• Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
• Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
• Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
• Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
• Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

Комплементарная пара

Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.

Маркировка

Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Что такое транзистор 2n5551

2n5551 имеет три вывода — коллектор (C), базу (B) и эмиттер (E). Он способен усиливать электрический сигнал и управлять током, проходящим через свои выводы.

Этот транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 160 В и постоянный ток коллектора — 600 мА. Он широко используется в радиолюбительских проектах, усилителях низкой частоты, стабилизаторах и других схемах, где требуется управление током.

Транзистор 2n5551 является стандартным компонентом и доступен для приобретения во многих электронных магазинах и интернет-ресурсах. Если 2n5551 недоступен, можно использовать некоторые аналоги, которые могут иметь схожие характеристики и выполнять аналогичные функции.