Характеристики транзистора кт361

Распиновка

Цоколевка современного КТ315Б, выпускаемого в наши дни преимущественно выполнена в корпусе ТО-92 (отечественный КТ-26), имеет следующий вид. Эта стандартная пластиковая упаковка для подобных транзисторов имеющая три гибких металлических вывода. Если смотреть на её маркировку, то первая левая ножка — это эмиттер (Э), следующая – коллектор (К) и последняя – база (Б). Такое назначение контактов характерно для всех групп устройств серии КТ315, независимо от их корпусного исполняя – Э.К.Б.

Вместе с тем, первые КТ315Б были изготовлены в другом, достаточно специфичном, но очень известном пластмассовом корпусе  КТ-13. Он был преимущественно оранжевый, однако может быть и в других цветах: красного, тёмно-зелёного, черного, желтого. В таком устаревшем корпусном исполнении, его выпуск продолжается по настоящее время . Например, на российском предприятии по производству электронных компонентов — ОАО СКБ «Элькор» (г.Нальчик).

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска. Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

• КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
• КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
• К209 – ромб (серая точка).
• К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
• КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
• КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
• КТ342 – четверть круга (синяя точка).
• КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
• КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
• КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
• К366 – буква Т (цвета нет).
• КТ6127 – перевернутая буква П.
• КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
• КТ638 – без символа (оранжевая точка).
• КТ680 – буква Г.
• КТ681 – вертикальная палочка.
• КТ698 – буква П.

Параметры транзистора КТ817

Hantek 2000 – осциллограф 3 в 1

Портативный USB осциллограф, 2 канала, 40 МГц….

Uкбо	— max напряжение коллектор-база
Uкбои	— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо	— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax	— max постоянный ток коллектора
Iкmax и	— max импульсный ток коллектора
Pкmax	— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т	— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э	— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо	— ток коллектора (обратный)
fгр	— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн	— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 760)

Блок питания 0…30 В / 3A

Набор для сборки регулируемого блока питания…

Характеристики

Группа транзисторов КТ3107 делиться на подвиды, не сильно отличающихся друг от друга характеристиками. В частности по напряжению насыщения, статическому коэффициенту усиления по току. Также может отличаться и коэффициент шума.

Общие данные для всей серии КТ3107:

• материал кристалла — кремний (Si);
• технические условия — аА0.336.170 ТУ/04;
• корпус — пластик КТ-26. Зарубежного производства ТО-92;
• структура – PNP.

Показатель	Транзистор
КТ3107А	КТ3107Б	КТ3107В	КТ3107Г	КТ3107Д	КТ3107Е	КТ3107Ж	КТ3107И	КТ3107К	КТ3107Л
Uкбо(и),В	50	50	30	30	30	25	25	50	30	25
Uкэо(и), В	45	45	25	25	25	20	20	45	25	20
Iкmax(и), мА	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)
Pкmax(т), мВт	300	300	300	300	300	300	300	300	300	300
h21э	70- 140	120- 220	70- 140	120- 220	180- 460	120- 220	180- 460	180- 460	380- 800	380- 800
fгр., МГц	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200

Расшифровка обозначений:

• IК max — верхний уровень постоянного тока;
• IК. И. max — верхний уровень импульсных токов коллектора;
• UКЭR max — высший уровень напряжения между эмиттером и коллектором при определённом значении тока на коллекторе и сопротивления в соединении база эмиттер;
• UКЭ0 max — допустимое напряжение между эмиттером и коллектором при определённом значении тока коллектора и токе на базе = 0;
• UЭБ0 max — верхний уровень постоянного напряжения в цепи эмиттер-база, при условии, что ток на коллекторе будет  равен 0;
• РК max — верхняя планка постоянной мощности, рассеивающейся на коллекторе устройства;
• РК. И. max — высший уровень импульсной мощности, которая рассеивается на коллекторе;
• h21Э — постоянный коэффициент передачи тока;
• h21Э — коэффициент передачи тока при низком токе в схеме с общим эмиттером;
• UКБ — уровень стабильного напряжения в сцепке коллектор-база;
• UКЭ — постоянное напряжение в цепочке коллектор-эмиттер;
• IЭ — стабильный ток на эмиттере;
• IК — стабильный ток на коллекторе;
• UКЭ нас. — напряжение обеспечивающее насыщение в цепи коллектор-эмиттер;
• IКБ0 — обратные токи коллектора;
• fгр — допустимый уровень частоты коэффициента передачи токов;
• fh21 – допустимая частота коэффициента передачи токов
• КШ- коэффициент шума;
• Т — допустимый уровень температуры.

Тепловые характеристики

Они влияют на работу устройства и представляют собой граничные значения.

№ п/п	Параметр	Показатель
1.	Общее тепловое сопротивление	420 К/Вт
2.	Температура перехода	423 К
3.	Температура окружающей среды	от 213 до 398 К

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Как проверить мультиметром

Для проверки КТ361 на работоспособность можно воспользоваться мультиметром. Для этого надо диагностировать его одностороннюю проводимость p-n-переходов. Включаем прибор измерений в режим прозвонки диодов. Затем, при подключении черного щупа «-» к базе, а красного «+» к эмиттеру, на экране тестера должно отобразиться прямое падение напряжения — в районе 790…830 мВ. Примерно такое же значение получится при подсоединении плюса на эмиттер.

При подключении щупов в обратном порядке, т.е. черного щупа на эмиттер и красного на базу, на экране тестера должна отображаться цифра «1». Она указывает на бесконечное падение напряжения на переходе транзистора. В этом случае можно сказать, что транзистор работоспособен. Если мультиметр при таком подключении показывает, какие либо другие величины – изделие не исправно.

Аналогичным способом можно проверить любой биполярник, в том числе КТ315. При этом не забывайте о его n-p-n-структуре. Поэтому полярность подключения щупов мультиметра будет другая.

Разновидности порядка действия биполярных транзисторов

Нормальный активный режим

Характеристика:

1. Открытая эмиттерно-базовая область (смещение по прямому направлению);
2. Закрытая коллекторно-базовая область (смещение по обратному направлению);
3. Положительный уровень напряжения в эмиттерно-базовой области;
4. Отрицательный уровень напряжения в коллекторно-базовой области.

Пункты 3 и 4 приведены для  p-n-p транзисторов. Для моделей с n-p-n структурой характеристика будет обратной данной.

Инверсный активный режим

Характеристика:

1. Обратное смещение на эмиттерном переходе;
2. Прямое смещение на коллекторным переходе.

Остальные пункты как для нормального активного режима.

Режим насыщения

Характеристика:

1. Соединение Э-перехода и К-перехода с внешними источниками;
2. Прямое смещение эмиттерного и коллекторного перехода;
3. Ослабление диффузного электрического поля из-за электрического поля внешних источников;
4. Снижение уровня потенциального барьера, что приведёт к ослаблению контроля диффузии основных НЗ, а также смещению большого количества дырок из эмиттерных и коллекторных областей в область базы.

Вследствие последнего пункта происходит формирование эмиттерных и коллекторных токов насыщения (Iэ.нас. и Iк.нас.)

В этом же режиме фигурирует понятие «напряжение насыщения» на переходе К-Э. Благодаря ему можно определить степень падения напряжения для открытого транзистора. Подобным образом напряжение насыщения для перехода Б-Э  определяет степень падения напряжения для приведённого участка.

Режим отсечки

Характеристика:

• Смещение по обратному направлению в К-области;
• Смещение Э-перехода по любому направлению, при условии, что оно не превысит пороговый показатель, который отграничивает начало процесса испускания электронов эмиттером в базовый слой.

Уровень приведённого показателя в случае с кремниевым биполярным транзистором достигает 0,6-0,7 Вольт, значит режим отсечки возможен при нулевой силе тока на базе, либо при уровне напряжения менее 0,7 Вольт на Э-Б переходе.

Барьерный режим

Характеристика:

• Соединение базового сегмента и коллектора на коротко, либо с применением малогабаритного резистора;
• Производится подключение резистора к коллекторной или эмиттерной цепи, чтобы он мог задавать ток посредством транзисторного элемента.

Действие в представленном режиме преобразует полупроводниковый триод в аналог диода с последовательным подключением к токозадающему резистору. Каскад, построенный в соответствии с данной схемой,имеет небольшое количество составляющих и почти не зависит от характеристик используемого устройства.

Проверка мультиметром

С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.

Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп  установлен на базе,  на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.

На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.

Распиновка

Расположение ножек, то есть цоколевку кт361 можно определить если расположить его маркировкой к себе: сначала идёт эмиттер, посередине коллектор и крайняя справа база. Выпускается в пластмассовом корпусе КТ-26 имеющем гибкие выводы, который является аналогом зарубежного КТ-26. Но раньше этот транзистор производили в корпусе КТ-13. Вес транзистора не превышает 0,3 г.

Транзисторы КТ361 и КТ315 выпускаются в одинаковых корпусах, КТ-13 и отличить их не всегда просто. В редких случаях обозначение на корпусе указано полностью, тогда идентификация не вызывает трудностей. Если нет, нужно смотреть, как нанесена буква. У КТ361 она наносится по центру между двумя небольшими чёрточками. А на КТ315 располагается в левом углу сверху. Также определить тип устройства можно прозвонкой относительно вывода базы.

Историческая справка

Созданию первого транзистора по планарной технологии способствовали знания и опыт, полученные СССР при разработке интегральных микросхем. Их разработка в 60-е годы велась в НИИ «Пульсар», НИИ-35 и различных опытно-конструкторских бюро на предприятиях советской промышленности. В 1962 году в НИИ «Пульсар» перешли на планарную кремневую технологию, которая в последующем дала жизнь КТ315.

Небольшой временной период от разработки до серийного выпуска этого устройства, позволяет судить о высоком уровне развития электронной промышленности СССР в те времена. Судите сами, на сколько быстро и оперативно это было сделано. В 1966 г. министр энергетической промышленности Шокин А.И. узнал о появлении в США технологии промышленного изготовления транзисторов по планарной технологии. Уже в 1967 г. Фрязинский завод полупроводниковых приборов так же начинает выпускать первый в СССР высокочастотник в пластиковом корпусе, по аналогичной технологии – КТ315.

В 1968 г. начался выпуск первого электронного калькулятора — «Электроника-68», в котором насчитывалось около 400 транзисторов данного вида. А к 1973 он стал основой для разработки более 20 подобных полупроводниковых устройств. Примерно до начала 90-х годов КТ315 оснащалась почти вся отечественная электроника, так как, несмотря на свою дешевизну, он получился весьма надежным и технологичным. В настоящее время, в мире насчитывается более 7 миллиардов этих транзисторов. Они были выпущены не только в нашей стране, но и за рубежом по государственной лицензии от СССР.

Советуем Вам проверить информацию о содержании драгоценных металлов в КТ315, так как некоторые модели могут иметь ценность даже в нерабочем состоянии, особенно продукция старого образца.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Параметры полевых транзисторов n-канальных. Параметры полевых транзисторов p-канальных. Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp. Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке. Поиск биполярного транзистора по основным параметрам. Поиск полевого транзистора по основным параметрам. Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов. Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.

И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше!

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40 У транзисторов КТ814Г – 30

Граничная частота передачи тока. – 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в. У транзисторов КТ814Б – 40 в. У транзисторов КТ814В – 60 в. У транзисторов КТ814Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
КТ315, КТ315-1	0,15	15…60	15…60	6	0,1	120	250	7	20…350	КТ13, TO-92
КТ3151 A9/B9/D9/E9/G9/V9	0,2	20…80	20…80	5	0,1	175	100	15	20…80	SOT23 (КТ-46)
КТ3153 A9	0,15	60	50	5	0,4	150	250	4,5	100…300	SOT23 (КТ-46А)
КТ3102	0,25	20…50	20…50	5	0,2	125	—	6	100…1000	TO-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
КТ315А	0,15	25	25	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP719 ٭	0,15	25	25	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Б	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP720 ٭	0,15	20	20	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315В	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP721 ٭	0,15	40	40	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Г	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315Д	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
2SC641	0,1	40	15	5	0,1	150	400	6	45…160	TO-92
КТ315Е	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
2N3397	0,36	25	25	5	0,1	150	—	10	55…800	TO-92
КТ315Ж	0,1	15	15	6	0,05	120	250	7	30…250	КТ13
2SC545	0,12	20	20	4	0,03	125	175	—	60	TO-92
2SC546	0,12	30	30	4	0,03	125	300	—	40	TO-92
BFY37i	0,15	25	20	5	0,1	175	270	2,3	˃ 35	TO-18
2SC388	0,3	30	25	4	0,05	150	300	2	20…200	TO-92
КТ315И	0,1	60	60	6	0,05	120	250	—	˃ 30	КТ13
2SC634	0,18	40	40	—	0,1	125	140	4,5	—	TO-923
2SC9014	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60	TO-92
BC547	0,5	50	50	6	0,1	150	300	6	110	TO-92
2N3904	0,31	60	40	6	0,2	135	300	4	40	TO-92
КТ315Н1	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	TO-92
2SC633	0,3	26	26	6	0,2	125	112	7	45…660	TO-92
КТ315Р1	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	150…350	TO-92
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13

٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Электрические параметры

Параметр	Ток коллектора выключения	Ток эмиттера выключения	Статический коэффициент усиления	Напряжение насыщения	Напряжение насыщения	Частота среза	Емкость коллектора	Пост. времени коллектор-ной цепи
Обозначение	ICBO, мкА	IEBO, мкА	hFE	UCE(sat), В	UBE(sat), В	fT, МГц	пФ	пс
Режим/Тип	UCB = 10 В IE = 0	UBE = 6 В	UCB = 10 В IE = 1 мА	IC = 20 мА IB = 2 мА	IC = 20 мА IB = 2 мА	UCE = 10 В IE = 5 мА	UCB = 10В	UCB = 10 В IE = 5 мА f = 5 МГц
КТ315А	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 300
КТ315А1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Б	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Б1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315В	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315В1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Г	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Г1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Д	1	30	20…90	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Д1	0,6	30	20…90	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Е	1	30	50…350	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Е1	0,6	30	50…350	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Ж	1	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	˂ 1000
КТ315Ж1	0,6	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	300…1000
КТ315И	1	50	˃ 30	—	—	˃ 250	—	—
КТ315И1	0,6	50	˃ 30	0,9	1,35	˃ 250	10	300…1000
КТ315Н1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Р1	0,5	3	150…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Применение

Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах, и широко использовались в электронной аппаратуре бытового и промышленного назначения, а также радиолюбителями. В военной аппаратуре КТ315 не применялись, их функции в аналогичных схемах обычно выполняли транзисторы 2Т312 или 2Т316 в металло-стеклянных корпусах, а в некоторых устройствах — и германиевые транзисторы серии МП.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.

В начале 1990-х появилась тенденция вытеснения КТ315 более современным транзистором КТ3102, который также имел комплементарную пару p-n-p проводимости — КТ3107 — и отличался от КТ315 бо́льшим статическим коэффициентом передачи тока при малом коэффициенте шумов на низких частотах, что было важно для высококачественной аналоговой аудиоаппаратуры. Однако, в связи с начавшимся массовым переходом электронной аппаратуры на микросхемы, КТ3102 такого же широкого распространения не получил.