Биполярный транзистор D471A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D471A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора:
D471A
Datasheet (PDF)
..1. Size:145K sunroc d471a.pdf
SUNROCKSD471A TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. COLLECTOR VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 30 V3. BASE Emitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1.0 ACollector Power Dissipation PC 800 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150
0.1. Size:42K fairchild semi ksd471a.pdf
KSD471AAudio Frequency Power Amplifier Complement to KSB564A Collector Current : IC=1A Collector Power Dissipation : PC=800mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Co
0.2. Size:293K mcc ksd471a-g-o-y.pdf
KSD471A-OMCCTMMicro Commercial ComponentsKSD471A-YMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthCA 91311KSD471A-GPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates NPN SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Collector Dissipation : IC = 1ATransistors Collector Current : PC = 800mW
0.3. Size:261K onsemi ksd471a.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
0.4. Size:196K secos ksd471a.pdf
KSD471ANPN Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose Transistor RoHS Compliant ProductA suffix of «-C» specifies halogen & lead-freeTO-924.550.23.50.2FEATURES Complement to KSB564A Collector Current : IC = 1A Collector Dissipation : PC = 800mW 0.070.43+0.080.460.1MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsCo
0.5. Size:249K cdil csd471a.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD471ATO-92 BCEBCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSB564AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 40 VCollector Emitter Voltage BVCEO 30 VEmitter Base Voltage BVEBO 5.0 V
0.6. Size:452K jiangsu ksd471a.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN)1.EMITTER 2.BASE Complement To KSB564A3.COLLECTOR Low VCE(sat) Equivalent Circuit 1
Другие транзисторы… D3DD9D
, D44H11G
, D44H8G
, D44VH10G
, D45H11G
, D45H1B
, D45H8G
, D45VH10G
, S8550
, D596
, D882H
, D882M
, D965ASS
, D965-R
, D965SS
, D965-T
, D965V
.
Search Stock
Renesas Electronics Corporation
|
|||||||||||
Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
Avnet Americas |
2SD471-AZ |
Bulk | 4 Weeks | 1,396 |
|
Buy Now |
|||||
TAIYO YUDEN
|
|||||||||||
Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
Avnet Americas |
QMK212SD471KD-T |
Reel | 16 Weeks | 4,000 |
|
Buy Now |
|||||
Samtec Inc
|
|||||||||||
Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
Avnet Americas |
ZSS-120-02-S-D-471 |
Bulk | 2 Weeks | 1 |
|
Get Quote |
|||||
Sager |
ZSS-120-02-S-D-471 |
|
Buy Now |
||||||||
Samtec Inc
|
|||||||||||
Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
Avnet Americas |
ESQT-120-02-S-D-471 |
Tube | 6 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
|||||
Sager |
ESQT-120-02-S-D-471 |
1 |
|
Buy Now |
|||||||
Samtec Inc
|
|||||||||||
Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
Avnet Americas |
ESQT-108-02-S-D-471 |
Bulk | 6 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
|||||
Sager |
ESQT-108-02-S-D-471 |
1 |
|
Buy Now |
Характеристики
К основным и важным параметрам биполярного транзистора 2SD5072 относятся следующие показатели:
- Сила коллекторного тока (IC), которая на порядок превышает ток базы (IB) и является основным параметром – коэффициентом усиления по току. Определить этот параметр можно при соблюдении двух условий. Во-первых, при работе транзистора нагрузка на коллекторе должна отсутствовать. Во – вторых, должно присутствовать постоянное напряжение на коллекторе и эмиттере. Такое соотношение Iко / Iбаз дает нужный показатель. При уменьшении IКО снижается значение коэффициента.
- Входное сопротивление вычисляется путём соотношения Uбэ (напряжение база — эмиттер) к Iбаз (тока базы).
- Коэффициент усиления по напряжению – соотношение величин входного и выходного напряжений (по каналу база – эмиттер). При настройке работы транзистора нужно помнить, что управляющие базовые напряжения отличаются друг от друга по коэффициенту усиления.
- Граничная частота коэффициента передачи тока этот параметр важен, так как при увеличении частоты величина коэффициента усиления значительно уменьшается.
Кроме выше перечисленных существует ещё целый ряд параметров, влияющих на окончательное решение при выборе транзистора для конкретной схемы.
Максимально допустимые параметры
- Напряжение на эмиттер-база (UEBO) – 6V
- Напряжение на база-коллектор (UCBO ) – 1500V
- Макс. напряжение на эмиттер- коллектор (UCEO) – 800V
- Постоянный ток коллектора (ICO) – 5A
- Импульсный ток коллектора (ICM) – 16A
- Макс. допустимая температура кристалла (TJ) – 150 C
- Диапазон температур при эксплуатации (TSTG) – от -55 до 150 C
- Мощность рассеивания на коллекторе (PC) – 60W
Электрические параметры транзистора
Параметр |
Обозначение |
Тип измерения |
Допустимое отклонение |
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер | UCE (SAT) | IC = 4A, IB = 0,8A |
± 5,0 V |
Напряжение насыщения база-эмиттер | UBE (SAT) | IC = 4A, IB = 0,8A | ± 1,5 V |
Ток отключения коллектора | ICBO | UCB=800V,IE=0 | ± 10 µA |
Ток отключения эмиттера | IEBO | UEB=800V, IC=0 | от 40 до 200 mA |
Коэффициент усиления по постоянному току | hFE | UCE=5V, IC=1A | ± 8 |
Прямое падение напряжения на защитном диоде | UECF | IF=5A | ± 2,0 V |
Частота перехода | fT | UCE=10V, IC=1A | = 3 MHz |
Время спада | TF | IC = 1A,IB1=0,8A, IB2=1,6A,RL=50Ω, UCC=200V | ± 0,4 µS |
D471A Datasheet (PDF)
..1. Size:145K sunroc d471a.pdf
SUNROCKSD471A TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. COLLECTOR VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 30 V3. BASE Emitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1.0 ACollector Power Dissipation PC 800 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150
0.1. Size:42K fairchild semi ksd471a.pdf
KSD471AAudio Frequency Power Amplifier Complement to KSB564A Collector Current : IC=1A Collector Power Dissipation : PC=800mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Co
0.2. Size:293K mcc ksd471a-g-o-y.pdf
KSD471A-OMCCTMMicro Commercial ComponentsKSD471A-YMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthCA 91311KSD471A-GPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates NPN SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Collector Dissipation : IC = 1ATransistors Collector Current : PC = 800mW
0.3. Size:261K onsemi ksd471a.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
0.4. Size:196K secos ksd471a.pdf
KSD471ANPN Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose Transistor RoHS Compliant ProductA suffix of «-C» specifies halogen & lead-freeTO-924.550.23.50.2FEATURES Complement to KSB564A Collector Current : IC = 1A Collector Dissipation : PC = 800mW 0.070.43+0.080.460.1MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsCo
0.5. Size:249K cdil csd471a.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD471ATO-92 BCEBCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSB564AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 40 VCollector Emitter Voltage BVCEO 30 VEmitter Base Voltage BVEBO 5.0 V
0.6. Size:452K jiangsu ksd471a.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN)1.EMITTER 2.BASE Complement To KSB564A3.COLLECTOR Low VCE(sat) Equivalent Circuit 1
2sd471 datasheet (25)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Type | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2SD471 |
NEC |
Semiconductor Selection Guide 1995 | Original |
|
||
2SD471 |
NEC |
Semiconductor Selection Guide | Original |
|
||
2SD471 |
Various Russian Datasheets |
Transistor | Original |
|
||
2SD471 |
Fuji-SVEA |
Japanese 2S Transistor Cross Reference Datasheet | Scan |
|
||
2SD471 |
Micro Electronics |
Medium Power Amplifiers and Switches | Scan |
|
||
2SD471 |
Micro Electronics |
Semiconductor Device Data Book | Scan |
|
||
2SD471 |
Micro Electronics |
Silicon Transistors | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Scan |
|
|||
2SD471 |
Unknown |
The Transistor Manual (Japanese) 1993 | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Shortform Transistor Datasheet Guide | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Transistor Substitution Data Book 1993 | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
The Japanese Transistor Manual 1981 | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Shortform Transistor PDF Datasheet | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Japanese Transistor Cross References (2S) | Scan |
|
||
2SD471 |
Unknown |
Cross Reference Datasheet | Scan |
|
||
2SD471 |
NEC |
NPN SILICON TRANSISTOR | Scan |
|
||
2SD471A |
Various Russian Datasheets |
Transistor | Original |
|
||
2SD471A |
USHA |
Transistor. Audio frequency power amplifier. Collector-base voltage Vcbo = 40V. Collector-emitter voltage Vceo = 30V. Emitter-base voltage Vebo = 5V. Collector dissipation Pc(max) = 800mW. Collector current Ic = 1A. | Scan |
|
2SD1047 Datasheet (PDF)
Ordering number : ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit : mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P / 2S
Ordering number : ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit : mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P / 2S
1.3. 2sd1047.pdf Size:125K _sanyo
Ordering number:680F PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB817/2SD1047 140V/12A AF 60W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit:mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817/2SD1047] � Wide ASO because of on-chip ballast resista
1.4. 2sd1047.pdf Size:174K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1047 DESCRIPTION Ў¤ Complement to type 2SB817 Ў¤ With TO-3PN package APPLICATIONS Ў¤ Power amplification Ў¤ Low frequency and audio band PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25Ўж )
Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Когда благодарность многих к одному отбрасывает всякий стыд, возникает слава. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 2SD1047 транзистором 2N5631; транзистором 2SB817; транзистором BD745F; транзистором КТ879А; транзистором 2SC2581; транзистором 2SC3182; транзистором 2SC2580; транзистором 2SD1148; транзистором 2SD751; дата записи: 2016-12-07 14:18:11 2SB817 — комплементарная пара; дата записи: 2017-02-12 19:48:01 Добавить аналог транзистора 2SD1047.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SD1047? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Конденсатор 0 039 мкф
Главная » Электричество
К73-11 250 в 0.39 мкф
К73-11 250 в 0.39 мкф Конденсаторы К73-11 металлопленочные полиэтилентерефталатные. Выпускаются в цилиндрических корпусах обернутых липкой лентой и залитых по торцам эпоксидным компаундом с однонаправленными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах.
Основные технические параметры конденсаторов К73-11: — Диапазон номинальных ёмкостей . 0,001. 100 мкФ; — Номинальное напряжение . 50; 63; 100; 160; 250; 400; 630; 1000; 1600 В; — Допускаемые отклонения ёмкости . ±5; ±10; ±20 %; — Тангенс угла потерь, не более . 0,012; — Сопротивление изоляции вывод-вывод, не менее . 12000 МОм; — Постоянная времени в нормальных климатических условиях, не менее . 4000 МОм х мкФ; — Относительная влажность воздуха при температуре +35 °C . 98 %; — Диапазон температур . -60. +125 °С; — Минимальная наработка, не менее . 15000 часов; — Срок сохраняемости, не менее . 20 лет.
Пример обозначения при заказе: — Конденсатор К73-11 — 250В — 1,5мкФ — ±10% — АЖЯР.673633.002ТУ.
Источник
Таблица маркировки конденсаторов
Емкость конденсаторов может измеряться в микрофарадах (uF), нанофарадах (nF), пикофарадах (pF) и обозначаеться специальным кодом.
uF (мкФ) | nF (нФ) | pF (пФ) | Code (Код) |
---|---|---|---|
1uF | 1000nF | 1000000pF | 105 |
0.82uF | 820nF | 820000pF | 824 |
0.8uF | 800nF | 800000pF | 804 |
0.7uF | 700nF | 700000pF | 704 |
0.68uF | 680nF | 680000pF | 624 |
0. 6uF | 600nF | 600000pF | 604 |
0.56uF | 560nF | 560000pF | 564 |
0.5uF | 500nF | 500000pF | 504 |
0.47uF | 470nF | 470000pF | 474 |
0.4uF | 400nF | 400000pF | 404 |
0.39uF | 390nF | 390000pF | 394 |
0.33uF | 330nF | 330000pF | 334 |
0.3uF | 300nF | 300000pF | 304 |
0.27uF | 270nF | 270000pF | 274 |
0.25uF | 250nF | 250000pF | 254 |
0.22uF | 220nF | 220000pF | 224 |
0.2uF | 200nF | 200000pF | 204 |
0.18uF | 180nF | 180000pF | 184 |
0.15uF | 150nF | 150000pF | 154 |
0.12uF | 120nF | 120000pF | 124 |
0. 1uF | 100nF | 100000pF | 104 |
0.082uF | 82nF | 82000pF | 823 |
0.08uF | 80nF | 80000pF | 803 |
0.07uF | 70nF | 70000pF | 703 |
0.068uF | 68nF | 68000pF | 683 |
0.06uF | 60nF | 60000pF | 603 |
0.056uF | 56nF | 56000pF | 563 |
0.05uF | 50nF | 50000pF | 503 |
0.047uF | 47nF | 47000pF | 473 |
0.04uF | 40nF | 40000pF | 403 |
0.039uF | 39nF | 39000pF | 393 |
0.033uF | 33nF | 33000pF | 333 |
0.03uF | 30nF | 30000pF | 303 |
0.027uF | 27nF | 27000pF | 273 |
0.025uF | 25nF | 25000pF | 253 |
0. 022uF | 22nF | 22000pF | 223 |
0.02uF | 20nF | 20000pF | 203 |
0.018uF | 18nF | 18000pF | 183 |
0.015uF | 15nF | 15000pF | 153 |
0.012uF | 12nF | 12000pF | 123 |
0.01uF | 10nF | 10000pF | 103 |
0.0082uF | 8.2nF | 8200pF | 822 |
0.008uF | 8nF | 8000pF | 802 |
0.007uF | 7nF | 7000pF | 702 |
0.0068uF | 6.8nF | 6800pF | 682 |
0.006uF | 6nF | 6000pF | 602 |
0.0056uF | 5.6nF | 5600pF | 562 |
0.005uF | 5nF | 5000pF | 502 |
0.0047uF | 4.7nF | 4700pF | 472 |
0.004uF | 4nF | 4000pF | 402 |
0. 0039uF | 3.9nF | 3900pF | 392 |
0.0033uF | 3.3nF | 3300pF | 332 |
0.003uF | 3nF | 3000pF | 302 |
0.0027uF | 2.7nF | 2700pF | 272 |
0.0025uF | 2.5nF | 2500pF | 252 |
0.0022uF | 2.2nF | 2200pF | 222 |
0.002uF | 2nF | 2000pF | 202 |
0.0018uF | 1.8nF | 1800pF | 182 |
0.0015uF | 1.5nF | 1500pF | 152 |
0.0012uF | 1.2nF | 1200pF | 122 |
0.001uF | 1nF | 1000pF | 102 |
0.00082uF | 0.82nF | 820pF | 821 |
0.0008uF | 0.8nF | 800pF | 801 |
0.0007uF | 0.7nF | 700pF | 701 |
0.00068uF | 0. 68nF | 680pF | 681 |
0.0006uF | 0.6nF | 600pF | 621 |
0.00056uF | 0.56nF | 560pF | 561 |
0.0005uF | 0.5nF | 500pF | 52 |
0.00047uF | 0.47nF | 470pF | 471 |
0.0004uF | 0.4nF | 400pF | 401 |
0.00039uF | 0.39nF | 390pF | 391 |
0.00033uF | 0.33nF | 330pF | 331 |
0.0003uF | 0.3nF | 300pF | 301 |
0.00027uF | 0.27nF | 270pF | 271 |
0.00025uF | 0.25nF | 250pF | 251 |
0.00022uF | 0.22nF | 220pF | 221 |
0.0002uF | 0.2nF | 200pF | 201 |
0.00018uF | 0.18nF | 180pF | 181 |
0.00015uF | 0.15nF | 150pF | 151 |
0. 00012uF | 0.12nF | 120pF | 121 |
0.0001uF | 0.1nF | 100pF | 101 |
0.000082uF | 0.082nF | 82pF | 820 |
0.00008uF | 0.08nF | 80pF | 800 |
0.00007uF | 0.07nF | 70pF | 700 |
0.000068uF | 0.068nF | 68pF | 680 |
0.00006uF | 0.06nF | 60pF | 600 |
0.000056uF | 0.056nF | 56pF | 560 |
0.00005uF | 0.05nF | 50pF | 500 |
0.000047uF | 0.047nF | 47pF | 470 |
0.00004uF | 0.04nF | 40pF | 400 |
0.000039uF | 0.039nF | 39pF | 390 |
0.000033uF | 0.033nF | 33pF | 330 |
0.00003uF | 0.03nF | 30pF | 300 |
0. 000027uF | 0.027nF | 27pF | 270 |
0.000025uF | 0.025nF | 25pF | 250 |
0.000022uF | 0.022nF | 22pF | 220 |
0.00002uF | 0.02nF | 20pF | 200 |
0.000018uF | 0.018nF | 18pF | 180 |
0.000015uF | 0.015nF | 15pF | 150 |
0.000012uF | 0.012nF | 12pF | 120 |
0.00001uF | 0.01nF | 10pF | 100 |
0.000008uF | 0.008nF | 8pF | 080 |
0.000007uF | 0.007nF | 7pF | 070 |
0.000006uF | 0.006nF | 6pF | 060 |
0.000005uF | 0.005nF | 5pF | 050 |
0.000004uF | 0.004nF | 4pF | 040 |
0.000003uF | 0.003nF | 3pF | 030 |
0. 000002uF | 0.002nF | 2pF | 020 |
0.000001uF | 0.001nF | 1pF | 010 |
Очень часто для проведения ремонтных работ в электронных устройствах, необходимо иметь в запасе конденсаторы различных номиналов. Так как в магазине зачастую на все случаи жизни приобрести нет возможности, поэтому в большинстве случаев заказываю у китайских товарищей на площадке Aliexpress. В продаже имеются также в большем асортименте электролитические конденсаторы. Можно приобрести набором по 10-20 различных номиналов.
Источник
D5703 Техническое описание в формате PDF — 800 В, 10 А, транзистор NPN, KSD5703
Опубликовано 3 января 2022 г. 24 октября 2022 г. от Pinout
Номер детали: D5703, KSD5703
Функция: 800V, NPN Transistor
Пакет: TO-3PF Тип
Производители: Fairchild Semiconductor
Изображение:
Планарный кремниевый транзистор.
Особенности :
1. Высокий Коллектор
-Базовое напряжение: VCBO=1500 В
2. Высокая скорость переключения tF= 0,3 мкс (макс.)
3. Для цветного телевизора
Изображение и разводка контактов:
Абсолютные максимальные номинальные значения
7 0 0 9 V 0 0 0 9 Напряжение коллектор-база 1: 0 0 0 0 VC 2. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = 800 В
3. Напряжение эмиттер-база: VEBO = 6 В
4. Ток коллектора (DC): IC = 10 A
5. Ток коллектора (импульсный): ICP = 30 A
6. Рассеивание коллектора (TC=25°C): PC = 70 Вт — Ic 10 А. -70 Вт. BU2520A = CTV-HA, высокое разрешение, 1500/800 В, 10 А, 125 Вт BU2522A = ЭЛТ-HA, высокое разрешение, 1500/800 В, 10 А, 125 Вт HA, высокое разрешение, 1500/800 В, 12 А, 125 Вт
Применение:
1.
Другие спецификации в файле: KSD5703, 2SD5703
Избранные сообщения
- YX8018 — Драйвер солнечного светодиода — Shiningic
-
LTK5128 — Микросхема усилителя звука
- 4558D — двойной операционный усилитель
- 17HS4401 – 40 мм, шаговый двигатель
- 30F124 – GT30F124, 300 В, 200 А, БТИЗ
- 78L05 — 5 В, регулятор положительного напряжения
Последние сообщения
- Техническое описание 17HS2408 PDF — 2-фазный гибридный шаговый двигатель
- Техническое описание 1N5223B в формате PDF — 2,7 В, 500 мВт, стабилитрон
- Техническое описание транзистора TT2246 — 800 В, 10 А, NPN — Sanyo