Характеристики транзистора d1047

D471a
 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора - справочник транзисторов

Биполярный транзистор D471A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D471A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

D471A
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  sunroc d471a.pdf

SUNROCKSD471A TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. COLLECTOR VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 30 V3. BASE Emitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1.0 ACollector Power Dissipation PC 800 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150

 0.1. Size:42K  fairchild semi ksd471a.pdf

KSD471AAudio Frequency Power Amplifier Complement to KSB564A Collector Current : IC=1A Collector Power Dissipation : PC=800mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Co

 0.2. Size:293K  mcc ksd471a-g-o-y.pdf

KSD471A-OMCCTMMicro Commercial ComponentsKSD471A-YMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthCA 91311KSD471A-GPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates NPN SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Collector Dissipation : IC = 1ATransistors Collector Current : PC = 800mW

 0.3. Size:261K  onsemi ksd471a.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 0.4. Size:196K  secos ksd471a.pdf

KSD471ANPN Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose Transistor RoHS Compliant ProductA suffix of «-C» specifies halogen & lead-freeTO-924.550.23.50.2FEATURES Complement to KSB564A Collector Current : IC = 1A Collector Dissipation : PC = 800mW 0.070.43+0.080.460.1MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsCo

 0.5. Size:249K  cdil csd471a.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD471ATO-92 BCEBCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSB564AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 40 VCollector Emitter Voltage BVCEO 30 VEmitter Base Voltage BVEBO 5.0 V

 0.6. Size:452K  jiangsu ksd471a.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN)1.EMITTER 2.BASE Complement To KSB564A3.COLLECTOR Low VCE(sat) Equivalent Circuit 1

Другие транзисторы… D3DD9D
, D44H11G
, D44H8G
, D44VH10G
, D45H11G
, D45H1B
, D45H8G
, D45VH10G
, S8550
, D596
, D882H
, D882M
, D965ASS
, D965-R
, D965SS
, D965-T
, D965V
.

Search Stock

Renesas Electronics Corporation
2SD471-AZ

Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy

Avnet Americas

2SD471-AZ

Bulk 4 Weeks 1,396
  • 1
  • 10
  • 100
  • 1000
  • 10000
    $0.24371

Buy Now

TAIYO YUDEN
QMK212SD471KD-T

Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy

Avnet Americas

QMK212SD471KD-T

Reel 16 Weeks 4,000
  • 1
  • 10
  • 100
  • 1000
  • 10000
    $0.05411

Buy Now

Samtec Inc
ZSS-120-02-S-D-471

Conn Elevated Shrouded Header HDR 40 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole — Bulk (Alt: ZSS-120-02-S-D-471)

Free Sample

Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy

Avnet Americas

ZSS-120-02-S-D-471

Bulk 2 Weeks 1
  • 1
  • 10
  • 100
  • 1000
  • 10000

Get Quote

Sager

ZSS-120-02-S-D-471

  • 1
  • 10
  • 100
  • 1000
  • 10000

Buy Now

Samtec Inc
ESQT-120-02-S-D-471

Connector Board Stacker Receptacle 40 Position 11.96mm Stack Height 2mm Solder Straight Through Hole — Rail/Tube (Alt: ESQT-120-02-S-D-471)

Free Sample

Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy

Avnet Americas

ESQT-120-02-S-D-471

Tube 6 Weeks 1
  • 1
    $12.38
  • 10
    $11.72
  • 100
    $8.12
  • 1000
    $8.12
  • 10000
    $8.12

Buy Now

Sager

ESQT-120-02-S-D-471

1
  • 1
    $12.38
  • 10
    $11.72
  • 100
    $8.12
  • 1000
    $7.16
  • 10000
    $7.16

Buy Now

Samtec Inc
ESQT-108-02-S-D-471

Connector Board Stacker Receptacle 16 Position 11.96mm Stack Height 2mm Solder Straight Through Hole — Bulk (Alt: ESQT-108-02-S-D-471)

Free Sample

Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy

Avnet Americas

ESQT-108-02-S-D-471

Bulk 6 Weeks 1
  • 1
    $5.78
  • 10
    $5.78
  • 100
    $4.62
  • 1000
    $3.41
  • 10000
    $3.41

Buy Now

Sager

ESQT-108-02-S-D-471

1
  • 1
    $5.78
  • 10
    $5.78
  • 100
    $4.62
  • 1000
    $3.01
  • 10000
    $3.01

Buy Now

Характеристики

К основным и важным параметрам биполярного транзистора 2SD5072 относятся следующие показатели:

  • Сила коллекторного тока (IC), которая на порядок превышает ток базы (IB) и является основным параметром – коэффициентом усиления по току. Определить этот параметр можно при соблюдении двух условий. Во-первых, при работе транзистора нагрузка на коллекторе должна отсутствовать. Во – вторых, должно присутствовать постоянное напряжение на коллекторе и эмиттере. Такое соотношение Iко / Iбаз дает нужный показатель. При уменьшении IКО снижается значение коэффициента.
  • Входное сопротивление вычисляется путём соотношения Uбэ (напряжение база — эмиттер) к Iбаз (тока базы).
  • Коэффициент усиления по напряжению – соотношение величин входного и выходного напряжений (по каналу база – эмиттер). При настройке работы транзистора нужно помнить, что управляющие базовые напряжения отличаются друг от друга по коэффициенту усиления.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока этот параметр важен, так как при увеличении частоты величина коэффициента усиления значительно уменьшается.

Кроме выше перечисленных существует ещё целый ряд параметров, влияющих на окончательное решение при выборе транзистора для конкретной схемы.

Максимально допустимые параметры

  • Напряжение на эмиттер-база (UEBO) – 6V
  • Напряжение на база-коллектор (UCBO ) – 1500V
  • Макс. напряжение на эмиттер- коллектор (UCEO) – 800V
  • Постоянный ток коллектора (ICO) – 5A
  • Импульсный ток коллектора (ICM) – 16A
  • Макс. допустимая температура кристалла (TJ) – 150 C
  • Диапазон температур при эксплуатации (TSTG) – от -55 до 150 C
  • Мощность рассеивания на коллекторе (PC) – 60W

Электрические параметры транзистора

Параметр

Обозначение

Тип измерения

Допустимое отклонение

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер UCE (SAT) IC = 4A, IB = 0,8A

± 5,0 V

Напряжение насыщения база-эмиттер UBE (SAT) IC = 4A, IB = 0,8A ± 1,5 V
Ток отключения коллектора ICBO UCB=800V,IE=0 ± 10 µA
Ток отключения эмиттера IEBO UEB=800V, IC=0 от 40 до 200 mA
Коэффициент усиления по постоянному току hFE UCE=5V, IC=1A ± 8
Прямое падение напряжения на защитном диоде UECF IF=5A ± 2,0 V
Частота перехода fT UCE=10V, IC=1A = 3 MHz
Время спада TF IC = 1A,IB1=0,8A, IB2=1,6A,RL=50Ω, UCC=200V ± 0,4 µS

D471A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  sunroc d471a.pdf

SUNROCKSD471A TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. COLLECTOR VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 30 V3. BASE Emitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1.0 ACollector Power Dissipation PC 800 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150

 0.1. Size:42K  fairchild semi ksd471a.pdf

KSD471AAudio Frequency Power Amplifier Complement to KSB564A Collector Current : IC=1A Collector Power Dissipation : PC=800mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Co

 0.2. Size:293K  mcc ksd471a-g-o-y.pdf

KSD471A-OMCCTMMicro Commercial ComponentsKSD471A-YMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthCA 91311KSD471A-GPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates NPN SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Collector Dissipation : IC = 1ATransistors Collector Current : PC = 800mW

 0.3. Size:261K  onsemi ksd471a.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 0.4. Size:196K  secos ksd471a.pdf

KSD471ANPN Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose Transistor RoHS Compliant ProductA suffix of «-C» specifies halogen & lead-freeTO-924.550.23.50.2FEATURES Complement to KSB564A Collector Current : IC = 1A Collector Dissipation : PC = 800mW 0.070.43+0.080.460.1MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsCo

 0.5. Size:249K  cdil csd471a.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD471ATO-92 BCEBCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSB564AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 40 VCollector Emitter Voltage BVCEO 30 VEmitter Base Voltage BVEBO 5.0 V

 0.6. Size:452K  jiangsu ksd471a.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN)1.EMITTER 2.BASE Complement To KSB564A3.COLLECTOR Low VCE(sat) Equivalent Circuit 1

2sd471 datasheet (25)

Part ECAD Model Manufacturer Description Type PDF
2SD471

NEC

Semiconductor Selection Guide 1995 Original

PDF

2SD471

NEC

Semiconductor Selection Guide Original

PDF

2SD471

Various Russian Datasheets

Transistor Original

PDF

2SD471

Fuji-SVEA

Japanese 2S Transistor Cross Reference Datasheet Scan

PDF

2SD471

Micro Electronics

Medium Power Amplifiers and Switches Scan

PDF

2SD471

Micro Electronics

Semiconductor Device Data Book Scan

PDF

2SD471

Micro Electronics

Silicon Transistors Scan

PDF

2SD471

Unknown

Scan

PDF

2SD471

Unknown

The Transistor Manual (Japanese) 1993 Scan

PDF

2SD471

Unknown

Shortform Transistor Datasheet Guide Scan

PDF

2SD471

Unknown

Transistor Substitution Data Book 1993 Scan

PDF

2SD471

Unknown

The Japanese Transistor Manual 1981 Scan

PDF

2SD471

Unknown

Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) Scan

PDF

2SD471

Unknown

Transistor Shortform Datasheet & Cross References Scan

PDF

2SD471

Unknown

Shortform Transistor PDF Datasheet Scan

PDF

2SD471

Unknown

Japanese Transistor Cross References (2S) Scan

PDF

2SD471

Unknown

Cross Reference Datasheet Scan

PDF

2SD471

NEC

NPN SILICON TRANSISTOR Scan

PDF

2SD471A

Various Russian Datasheets

Transistor Original

PDF

2SD471A

USHA

Transistor. Audio frequency power amplifier. Collector-base voltage Vcbo = 40V. Collector-emitter voltage Vceo = 30V. Emitter-base voltage Vebo = 5V. Collector dissipation Pc(max) = 800mW. Collector current Ic = 1A. Scan

PDF

2SD1047 Datasheet (PDF)

Ordering number : ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit : mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P / 2S

Ordering number : ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit : mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P / 2S

1.3. 2sd1047.pdf Size:125K _sanyo

Ordering number:680F PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB817/2SD1047 140V/12A AF 60W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit:mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817/2SD1047] � Wide ASO because of on-chip ballast resista

1.4. 2sd1047.pdf Size:174K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1047 DESCRIPTION Ў¤ Complement to type 2SB817 Ў¤ With TO-3PN package APPLICATIONS Ў¤ Power amplification Ў¤ Low frequency and audio band PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25Ўж )

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания: Когда благодарность многих к одному отбрасывает всякий стыд, возникает слава.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2SD1047 транзистором 2N5631; транзистором 2SB817; транзистором BD745F; транзистором КТ879А;

транзистором 2SC2581; транзистором 2SC3182; транзистором 2SC2580; транзистором 2SD1148; транзистором 2SD751;

дата записи: 2016-12-07 14:18:11

2SB817 — комплементарная пара; дата записи: 2017-02-12 19:48:01

Добавить аналог транзистора 2SD1047.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SD1047? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Конденсатор 0 039 мкф

Главная » Электричество

К73-11 250 в 0.39 мкф

К73-11 250 в 0.39 мкф Конденсаторы К73-11 металлопленочные полиэтилентерефталатные. Выпускаются в цилиндрических корпусах обернутых липкой лентой и залитых по торцам эпоксидным компаундом с однонаправленными выводами. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах.

Основные технические параметры конденсаторов К73-11: — Диапазон номинальных ёмкостей . 0,001. 100 мкФ; — Номинальное напряжение . 50; 63; 100; 160; 250; 400; 630; 1000; 1600 В; — Допускаемые отклонения ёмкости . ±5; ±10; ±20 %; — Тангенс угла потерь, не более . 0,012; — Сопротивление изоляции вывод-вывод, не менее . 12000 МОм; — Постоянная времени в нормальных климатических условиях, не менее . 4000 МОм х мкФ; — Относительная влажность воздуха при температуре +35 °C . 98 %; — Диапазон температур . -60. +125 °С; — Минимальная наработка, не менее . 15000 часов; — Срок сохраняемости, не менее . 20 лет.

Пример обозначения при заказе: — Конденсатор К73-11 — 250В — 1,5мкФ — ±10% — АЖЯР.673633.002ТУ.

Источник

Таблица маркировки конденсаторов

Емкость конденсаторов может измеряться в микрофарадах (uF), нанофарадах (nF), пикофарадах (pF) и обозначаеться специальным кодом.

uF (мкФ) nF (нФ) pF (пФ) Code (Код)
1uF 1000nF 1000000pF 105
0.82uF 820nF 820000pF 824
0.8uF 800nF 800000pF 804
0.7uF 700nF 700000pF 704
0.68uF 680nF 680000pF 624
0. 6uF 600nF 600000pF 604
0.56uF 560nF 560000pF 564
0.5uF 500nF 500000pF 504
0.47uF 470nF 470000pF 474
0.4uF 400nF 400000pF 404
0.39uF 390nF 390000pF 394
0.33uF 330nF 330000pF 334
0.3uF 300nF 300000pF 304
0.27uF 270nF 270000pF 274
0.25uF 250nF 250000pF 254
0.22uF 220nF 220000pF 224
0.2uF 200nF 200000pF 204
0.18uF 180nF 180000pF 184
0.15uF 150nF 150000pF 154
0.12uF 120nF 120000pF 124
0. 1uF 100nF 100000pF 104
0.082uF 82nF 82000pF 823
0.08uF 80nF 80000pF 803
0.07uF 70nF 70000pF 703
0.068uF 68nF 68000pF 683
0.06uF 60nF 60000pF 603
0.056uF 56nF 56000pF 563
0.05uF 50nF 50000pF 503
0.047uF 47nF 47000pF 473
0.04uF 40nF 40000pF 403
0.039uF 39nF 39000pF 393
0.033uF 33nF 33000pF 333
0.03uF 30nF 30000pF 303
0.027uF 27nF 27000pF 273
0.025uF 25nF 25000pF 253
0. 022uF 22nF 22000pF 223
0.02uF 20nF 20000pF 203
0.018uF 18nF 18000pF 183
0.015uF 15nF 15000pF 153
0.012uF 12nF 12000pF 123
0.01uF 10nF 10000pF 103
0.0082uF 8.2nF 8200pF 822
0.008uF 8nF 8000pF 802
0.007uF 7nF 7000pF 702
0.0068uF 6.8nF 6800pF 682
0.006uF 6nF 6000pF 602
0.0056uF 5.6nF 5600pF 562
0.005uF 5nF 5000pF 502
0.0047uF 4.7nF 4700pF 472
0.004uF 4nF 4000pF 402
0. 0039uF 3.9nF 3900pF 392
0.0033uF 3.3nF 3300pF 332
0.003uF 3nF 3000pF 302
0.0027uF 2.7nF 2700pF 272
0.0025uF 2.5nF 2500pF 252
0.0022uF 2.2nF 2200pF 222
0.002uF 2nF 2000pF 202
0.0018uF 1.8nF 1800pF 182
0.0015uF 1.5nF 1500pF 152
0.0012uF 1.2nF 1200pF 122
0.001uF 1nF 1000pF 102
0.00082uF 0.82nF 820pF 821
0.0008uF 0.8nF 800pF 801
0.0007uF 0.7nF 700pF 701
0.00068uF 0. 68nF 680pF 681
0.0006uF 0.6nF 600pF 621
0.00056uF 0.56nF 560pF 561
0.0005uF 0.5nF 500pF 52
0.00047uF 0.47nF 470pF 471
0.0004uF 0.4nF 400pF 401
0.00039uF 0.39nF 390pF 391
0.00033uF 0.33nF 330pF 331
0.0003uF 0.3nF 300pF 301
0.00027uF 0.27nF 270pF 271
0.00025uF 0.25nF 250pF 251
0.00022uF 0.22nF 220pF 221
0.0002uF 0.2nF 200pF 201
0.00018uF 0.18nF 180pF 181
0.00015uF 0.15nF 150pF 151
0. 00012uF 0.12nF 120pF 121
0.0001uF 0.1nF 100pF 101
0.000082uF 0.082nF 82pF 820
0.00008uF 0.08nF 80pF 800
0.00007uF 0.07nF 70pF 700
0.000068uF 0.068nF 68pF 680
0.00006uF 0.06nF 60pF 600
0.000056uF 0.056nF 56pF 560
0.00005uF 0.05nF 50pF 500
0.000047uF 0.047nF 47pF 470
0.00004uF 0.04nF 40pF 400
0.000039uF 0.039nF 39pF 390
0.000033uF 0.033nF 33pF 330
0.00003uF 0.03nF 30pF 300
0. 000027uF 0.027nF 27pF 270
0.000025uF 0.025nF 25pF 250
0.000022uF 0.022nF 22pF 220
0.00002uF 0.02nF 20pF 200
0.000018uF 0.018nF 18pF 180
0.000015uF 0.015nF 15pF 150
0.000012uF 0.012nF 12pF 120
0.00001uF 0.01nF 10pF 100
0.000008uF 0.008nF 8pF 080
0.000007uF 0.007nF 7pF 070
0.000006uF 0.006nF 6pF 060
0.000005uF 0.005nF 5pF 050
0.000004uF 0.004nF 4pF 040
0.000003uF 0.003nF 3pF 030
0. 000002uF 0.002nF 2pF 020
0.000001uF 0.001nF 1pF 010

Очень часто для проведения ремонтных работ в электронных устройствах, необходимо иметь в запасе конденсаторы различных номиналов. Так как в магазине зачастую на все случаи жизни приобрести нет возможности, поэтому в большинстве случаев заказываю у китайских товарищей на площадке Aliexpress. В продаже имеются также в большем асортименте электролитические конденсаторы. Можно приобрести набором по 10-20 различных номиналов.

Источник

D5703 Техническое описание в формате PDF — 800 В, 10 А, транзистор NPN, KSD5703

Опубликовано 3 января 2022 г. 24 октября 2022 г. от Pinout

Номер детали: D5703, KSD5703

Функция: 800V, NPN Transistor

Пакет: TO-3PF Тип

Производители: Fairchild Semiconductor

Изображение:

Планарный кремниевый транзистор.

Особенности :

1. Высокий Коллектор

-Базовое напряжение: VCBO=1500 В

2. Высокая скорость переключения tF= 0,3 мкс (макс.)

3. Для цветного телевизора

Изображение и разводка контактов:

Абсолютные максимальные номинальные значения

7 0 0 9 V 0 0 0 9 Напряжение коллектор-база 1: 0 0 0 0 VC 2. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = 800 В

3. Напряжение эмиттер-база: VEBO = 6 В

4. Ток коллектора (DC): IC = 10 A

5. Ток коллектора (импульсный): ICP = 30 A

6. Рассеивание коллектора (TC=25°C): PC = 70 Вт — Ic 10 А. -70 Вт. BU2520A = CTV-HA, высокое разрешение, 1500/800 В, 10 А, 125 Вт BU2522A = ЭЛТ-HA, высокое разрешение, 1500/800 В, 10 А, 125 Вт HA, высокое разрешение, 1500/800 В, 12 А, 125 Вт

Применение:

1.

Другие спецификации в файле: KSD5703, 2SD5703

Избранные сообщения

  • YX8018 — Драйвер солнечного светодиода — Shiningic
  • LTK5128 — Микросхема усилителя звука

  • 4558D — двойной операционный усилитель
  • 17HS4401 – 40 мм, шаговый двигатель
  • 30F124 – GT30F124, 300 В, 200 А, БТИЗ
  • 78L05 — 5 В, регулятор положительного напряжения

Последние сообщения

  • Техническое описание 17HS2408 PDF — 2-фазный гибридный шаговый двигатель
  • Техническое описание 1N5223B в формате PDF — 2,7 В, 500 мВт, стабилитрон
  • Техническое описание транзистора TT2246 — 800 В, 10 А, NPN — Sanyo
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: