A1319 pdf даташит

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

SS9013 Схема контактов транзистора, аналог, использование, характеристики и применение

В этой статье описывается распиновка SS9013, эквиваленты, использование, функции, приложения и другие сведения о том, где и как его использовать в электронной схеме.

Объявления

Объявления

Особенности/технические характеристики:

• Тип упаковки: TO-92

  6

  6

• Тип транзистора: NPN
• Макс. ток коллектора (I _C ): 5 А или 500 мА
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 20 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ): 40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В

Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 625 Милливатт

Максимальная частота перехода (fT): 150 МГц

Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ): 64–202

Макс. температура хранения и рабочая температура Должно быть: от -55 до +150  по Цельсию

PNP. другой, пожалуйста, смотрите информацию о распиновке транзистора, который вы хотите заменить.

Транзистор SS9013 Объяснение/описание:

SS9013 — транзистор BJT NPN, изготовленный в корпусе TO-92. Он в основном используется для коммутации и усиления общего назначения в коммерческих устройствах. Кроме того, это также идеальный транзистор для использования в хобби и образовательных проектах по электронике. Транзистор обладает некоторыми очень хорошими характеристиками в своем небольшом корпусе TO-92, благодаря чему его можно использовать в различных электронных приложениях. Напряжение коллектор-эмиттер транзистора составляет 20 В, поэтому его можно легко использовать в электронных приложениях, требующих менее 20 В. Типичное напряжение насыщения этого транзистора составляет 0,16 В, что также подходит для универсального применения. Для полного выходного тока, то есть 500 мА, транзистору требуется 50 мА на его базе. Прирост или ч _FE имеет номера от 64 до 202, но этот транзистор имеет разные номера деталей, которые определяют его коэффициент усиления, например коэффициент усиления SS9013D составляет 64–91, коэффициент усиления SS9013E составляет 78–112, коэффициент усиления SS9013F составляет 96–135, коэффициент усиления SS901G составляет 112–166, а коэффициент усиления SS9013H 144~202.

Где мы можем его использовать и как использовать:

SS9013 можно использовать во многих электронных приложениях, и в вашей электронной лаборатории обязательно должен быть транзистор. Этот транзистор в основном разработан для целей усиления звука, поэтому его можно использовать в схемах, где требуется небольшое усиление звука около 1 Вт, например, электронные звонки, небольшие радиоприемники и схемы приемников, усиление аудиосигнала любого электронного приложения, электронный зуммер и т. д. Более того. его также можно использовать для переключения, например, ток коллектора транзистора составляет 500 мА, что достаточно хорошо для рабочих нагрузок, таких как реле, мощные светодиоды, ИС, электронные приложения, другая часть схемы и т. д. Кроме того, он также может использоваться в качестве альтернативного или эквивалентного транзистора для других транзисторов общего назначения в общих приложениях, таких как 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т.

A1319 Datasheet PDF — Sanyo Semicon Device

Share Link :

Electronic Components Distributor