Характеристики транзистора 2n5401

2N5401 transistor explanation for electrical specification and application

In this section, we try to explain the electrical specification of the 2N5401 transistor and also a short description of the applications.

Voltage specs

The terminal voltage specs of the 2N5401 transistor are collector to base voltage is -160V, collector to emitter voltage is -150V, and emitter to base voltage is -5V, the voltage specs of this transistor show that they are capable to handle the higher voltage.

The collector to emitter saturation voltage is -200 to -500mV, it is the voltage value that indicates a specific condition.

Current specs

The collector current value is -300mA, it is the total load capacity of the 2N5401 transistor.

The pulsed collector current value is -600mA, the value is exactly double that of the current specs, this value is calculated at the condition when the temperature is not reached at the maximum.

The current value shows that the 2N5401 transistor is capable of switching applications.

Transition frequency

The bandwidth transition frequency value of the 2N5401 transistor is 100 to 300MHz, it is the frequency range of the transistor.

Советы по использованию заменителей

Когда выбираете заменитель для транзистора 2N5401, обратите внимание на следующие моменты:

1. Параметры заменителя: убедитесь, что заменитель имеет аналогичные или близкие параметры, такие как максимальное рабочее напряжение, максимальный ток коллектора и коэффициент усиления.

2. Положение выводов: проверьте, соответствует ли расположение выводов заменителя расположению выводов транзистора 2N5401. Если нет, возможно, вам понадобится внести некоторые изменения в вашу схему.

3. Технология производства: имейте в виду, что разные заменители могут быть изготовлены с использованием различных технологий. Учитывайте этот фактор, особенно при использовании заменителей в критических приложениях.

4. Советы от производителей: обратитесь к документации производителя заменителя, чтобы узнать рекомендации и советы по его использованию. Производители обычно предоставляют информацию о схемах подключения, режимах работы и других важных свойствах заменителя.

5. Тестирование и отладка: после замены транзистора 2N5401 на заменитель, проведите тщательное тестирование вашей схемы. Убедитесь, что заменитель работает стабильно и соответствует требованиям вашего проекта.

Помните, что заменители могут иметь отличия по производительности и характеристикам от оригинальных компонентов. Поэтому всегда рекомендуется проводить тщательное изучение документации и тестирование перед использованием заменителей в вашей схеме.

2N5401 transistor characteristics

collector saturation region characteristics of the 2N5401 transistor

The figure shows the collector saturation region characteristics of the 2N5401 transistor, the graph is plotted by the collector to emitter voltage vs base current.

The curve is plotted at different collector current values, the voltage value increases like a parabolic shape with respect to the base current.

DC current gain characteristics of the 2N5401 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the 2N5401 transistor, the graph is plotted with current gain vs collector current.

The characteristics are plots with two different collector to emitter voltage values, the lower voltage value had a constant gain value with respect to collector current.

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право:  база,  коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

253.

Состояние:

Новый

Код товара:

234495373657

До окончания осталось:

17ч 56m 44c

Примерный вес вещей

Предварительный расчет доставки в Украину

Вес посылки (1 кг = 2.2 lb) :

Вид отправки	USD	Сроки

Продавец:
185115

Товар находится в
SZ

Рейтинг продаж:
81970

Положительных отзывов:
99.

Гарантия доставки

Страховка посылок

Служба поддержки

Трекинг посылок

Бесплатное хранение на складе

Удобные способы оплаты

Mounting Style

Surface Mount

Minimum DC Amplifier Gain

dB

Configuration

Common Basis

Number of Elements per Chip

1

Package/Case

SOT-23

MPN

Does Not Apply

Transistor Category

Power Transistor

Minimum Operating Temperature

-40 °C (-40 °F)

Марка

CX

Series

MMBT5401 2L

Тип

PNP

Number of Pins

3

Packaging

Tape & Reel

Maximum Operating Temperature

105 °C (221 °F)

Maximum Operating Frequency

MHz

UPC

Does not apply

Аналоги

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
2N5401	150	0,6	0,31	60	100
Отечественное производство
КТ6116А	160	0,6	0,625	60	100
КТ502Е	80	0,15	0,35	40	5
Импорт
2N5400	120	0,6	0,31	40	100
ECG288	300	0,5	0,625	40	50
MPSA92	300	0,5	0,625	25	50
MPSA93	200	0,5	0,625	30	50
MPSL51	100	0,6	0,31	40	60
BF491	200	0,5	0,625	25	50
ECG288	300	0,5	0,625	40	50
2SB646	80	0,5	0,9	60	70
2SB646A	100	0,5	0,9	60	70
2SB647	150	0,5	0,3	30	40
2SB647A	80	1	0,9	60	70
2SA638	100	1	0,9	60	70
BC526A	50	0,2	0,625	100	200
BC404VI	60	0,15	0,35	50	150
2SA1015	50	0,15	0,4	70	80

Таблица отображает аналоги с наиболее близкими техническими характеристиками, взятыми из даташип производителя.

Типы транзисторов, которые заменяют 2n5401

Номер модели	Описание
2N5551	Этот транзистор имеет схожие характеристики с 2n5401 и может быть использован вместо него в большинстве приложений.
BC557	BC557 является другим аналогом 2n5401 и может использоваться в различных электронных устройствах.
2N3906	2N3906 — это PNP транзистор и может быть альтернативой 2n5401 для определенных приложений.
BC559	BC559 — еще один аналог 2n5401, который может использоваться вместо него.

Это лишь некоторые из множества транзисторов, которые могут быть заменены 2n5401

Важно учитывать требования вашего проекта и характеристики каждого аналога, чтобы выбрать наиболее подходящую замену для 2n5401

Чем можно заменить транзистор 2n5401?

Если вам нужно заменить транзистор 2n5401, у вас есть несколько альтернативных вариантов. В таблице ниже представлен список некоторых аналогов и заменителей для этого транзистора:

Аналог/заменитель	Тип транзистора	Описание
2N3904	NPN	Универсальный NPN транзистор
BC549	NPN	Низкочастотный NPN транзистор
BC557	PNP	Низкочастотный PNP транзистор
2N2222	NPN	Высокочастотный NPN транзистор
2N3906	PNP	Универсальный PNP транзистор

Обратите внимание, что выбор аналога или заменителя зависит от конкретных требований вашей схемы и условий эксплуатации. Рекомендуется проверить даташиты и характеристики этих транзисторов перед заменой

Как выбрать замену для транзистора 2n5401

Если вам необходимо заменить транзистор 2n5401, вы можете выбрать аналог или альтернативу, которая будет обладать схожими характеристиками и функциональностью. Правильный выбор замены важен для обеспечения нормальной работы электронного устройства, в котором используется транзистор.

Перед выбором замены для транзистора 2n5401, вам необходимо учитывать следующие факторы:

1. Электрические характеристики: Сравните параметры транзистора 2n5401 с параметрами доступных аналогов и альтернатив. Основные характеристики, которые нужно учитывать, — это максимальные значения тока и напряжения, коэффициент усиления и скорость переключения.

2. Тип корпуса: Убедитесь, что выбранный аналог или альтернатива имеют совместимый тип корпуса с транзистором 2n5401. Для эффективной замены они должны иметь одинаковую конструкцию и размеры.

3. Использование: Проанализируйте, для каких целей используется транзистор 2n5401 в вашем устройстве. Если он используется в критических аппликациях, необходимо выбирать замену с максимально близкими параметрами и надежной репутацией производителя.

4. Доступность: Проверьте наличие и доступность выбранного аналога или альтернативы в вашем регионе или у поставщиков компонентов. Убедитесь, что можно легко получить выбранный транзистор для замены 2n5401.

Важно помнить, что перед заменой любого компонента необходимо произвести анализ схемы и консультацию с профессионалами, чтобы убедиться в совместимости и безопасности замены. Также рекомендуется провести тестирование и проверку работы после замены компонента

Аналоги и альтернативы транзистору 2n5401: варианты замены и подбор

Для замены транзистора 2n5401 можно выбрать следующие аналоги:

Аналог	Описание
2n5551	Низкочастотный NPN транзистор с малыми токами утечки.
BC307	Универсальный NPN транзистор средней мощности.
BC557	Универсальный PNP транзистор средней мощности.

Варианты замены транзистора 2n5401 стоит выбирать на основе сопоставления его параметров с параметрами аналогов

Важно учитывать, что замена транзистора может повлиять на работу схемы, поэтому в некоторых случаях может потребоваться дополнительная настройка или пересмотр выбора аналога

При подборе аналога транзистора также следует учитывать его доступность на рынке и стоимость, особенно при работе с массовым производством или проектами с ограниченным бюджетом.

Важно помнить, что замена транзистора является компромиссом, и для достижения наилучших результатов рекомендуется использовать именно оригинальные компоненты или аналоги, подобранные профессионалами с учетом требований конкретной схемы и задачи

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

• напряжение К – Б U_{кб max} (V_CBO) = -160 В;
• напряжение К – Э U_{кэ max} (V_CЕO) = -150 В;
• напряжение Э – Б U_{эб max} (V_ЕBO) = -5 В;
• ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 600 мА;
• максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
  • для корпуса ТО-92 P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
  • для корпуса SOT-89 P_{к max} (P_D) = 0,5 Вт
  • для корпуса SOT-23 P_{к max} (P_D) = 0,35 Вт.

• максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) P_{к max} (P_D) = 1,5 Вт;
• температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
• предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора

При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозн.	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э	Uкэ(проб.)	IК=-1,0мA, IБ=0	-150		В
Напряжение пробоя К – Б	Uкб(проб.)	IК=-100мкA, IЭ=0	-160		В
Напряжение пробоя Э – Б	Uэб(проб.)	IЭ=-10мкA, IК=0	-5		В
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкб=-120В, IЭ=0		-50	нА
Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С		-50	мкА
Обратный ток эмиттера	Iэбо	Uэб= — 3 В, IК=0		-50	нА
Статический к-т передачи тока	h21э	IК=-1 мA, Uкэ=-5В	50	240
IК=-10мA, Uкэ=-5В	60
IК=-50мA, Uкэ=-5В	50
Напряжение насыщения К — Э	Uкэ(нас.)	IК=-10мA, IБ=-1мA		-0,2	В
IК=-50мA, IБ=-5мA		-0,5
Напряжение насыщения Б — Э	Uбэ(нас.)	IК=-10мA, IБ=-1мA		-1	В
IК=-50мA, IБ=-5мA		-1
Граничная частота к-та передачи тока	fгр	Uкэ=-10B,IК=-10мA	100	300	МГц
Ёмкость коллекторного перехода	Cк	Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц		6	пФ
К-т шума	Кш	IК=-250мкA, Uкэ=-5В, RS =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц		8	дБ

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Модификации

Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
2N5401	0.31 W	160 V	150 V	5 V	135 °C	6 pf	0.6 A	60	100 MHz	TO-92
2N5401AI	0.625 W		150 V				0.6 A	50	100 MHz	TO-92
2N5401C	0.625 W	160 V	150 V	5 V	150 °C	6 pf	0.6 A	60	300 MHz	TO-92
2N5401CSM	0.31 W		150 V				0.6 A	40	100 MHz	LCC1
2N5401DCSM	0.31 W		150 V				0.6 A	40	100 MHz	LCC2
2N5401G	0.625 W	160 V	150 V	5 V	150 °C	6 pf	0.6 A	60	100 MHz	TO-92
2N5401HR	0.36 W	160 V	150 V	5 V	200 °C	6 pf	0.6 A	60		TO-18
2N5401N	0.4 W	160 V	160 V	5 V	150 °C	6 pf	0.6 A	60	100 MHz	TO-92N
2N5401RLRAG	0.625 W	160 V	150 V	5 V	150 °C	6 pf	0.6 A	60	100 MHz	TO-92
2N5401S	0.35 W	160 V	150 V	5 V	150 °C	6 pf	0.6 A	60	300 MHz	SOT23
2N5401SAM	0.625 W		150 V				0.6 A	50	100 MHz	TO-92
H2N5401	0.625 W	160 V	150 V	5 V	150 °C	6 pf	0.6 A	80	100 MHz	TO-92

Критерии выбора заменителя

При выборе заменителя для транзистора 2N5401 следует учитывать несколько критериев:

1. Тип транзистора: заменитель должен иметь аналогичный тип (NPN) для обеспечения правильного функционирования схемы.
2. Максимальное значение коллекторного тока (IC): заменитель должен обладать таким же или большим значением IC, чтобы не превышать допустимые пределы.
3. Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (VCEO): заменитель должен иметь такое же или большее значение VCEO, чтобы обеспечить требуемое напряжение на выходе.
4. Максимальная мощность (Pd): заменитель должен иметь такое же или большее значение Pd для надежной работы в рамках заданной схемы.
5. Коэффициент усиления тока (hFE): заменитель должен обладать схожим или сопоставимым значением hFE для сохранения переходных характеристик.
6. Ток утечки базы (IB): заменитель должен иметь низкое значение IB, чтобы минимизировать потребление энергии.
7. Форм-фактор и ноги корпуса: заменитель должен иметь совместимый форм-фактор и ноги для легкой замены без необходимости модификации печатной платы.
8. Наличие дополнительных функций: если требуется использование дополнительных функций, например, встроенных защитных диодов, заменитель должен обладать таким же или аналогичным набором функций.

Учитывая эти критерии, можно выбрать оптимальный заменитель для транзистора 2N5401, который будет соответствовать требованиям и спецификации конкретной схемы.

2N5401 vs A733 vs 2SA709

In the table, we listed the electrical specifications of 2N5401, A733, and 2SA709 transistors, this comparison will help us to know about these three transistors and it is useful for the replacement process.

Characteristics	2N5401	A733	2SA709
Collector to base voltage (VCB)	-160V	-60V	-160V
Collector to emitter voltage (VCE)	-150V	-50V	-150V
Emitter to base voltage (VEB)	-5V	-5V	-8V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	-200V to -500mV	-0.18 to 0.3V	-0.3 to -0.4V
Collector current (IC)	-300mA	-150mA	-150mA
Power dissipation	630mW	250mW	800mW
Junction temperature (TJ)	-65 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	100 to 300MHZ	50 to 180MHZ	50MHZ
Gain (hFE)	50 to 240hFE	90 to 600hFE	40 to 400hFE
Noise figure	8pF	—	—
Package	TO-92	TO-92	TO-92

Описание транзистора 2N5401

Транзистор 2N5401 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE288, SK3867A, PMBT5401, THC5401, TMPT5401, A5T5401*, A5T5400*.

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N5401
150/160
600
350

100
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Digitron Electronic Corp
Digitron

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Fairchild Semiconductor Corp
FairchildSC

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
Indust Mexi

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Korea Electronics Со Ltd
Korea Elecs

Loras Industries Inc
Loras Ind

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

New Jersey Semi-Conductor Products Inc
New Jersey

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Solid State Systems
Sld St Syst

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer

Transistor Со
Transistor

Taiwan Liton Electronic Со Ltd
TwLitonEIec

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
C
B
E

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Производители

Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:

• Diotec Semiconductor;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• ON Semiconductor;
• Samsung semiconductor;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• Fairchild Semiconductor;
• UNISONIC TECHNOLOGIES;
• Micro Electronics;
• Micro Commercial Components.

В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.