B764 pdf ( даташит ) - pnp transistor

B764 Datasheet PDF — Sanyo Semicon Device

Part Number	B764
Description	PNP Transistor — 2SB764
Manufacturers	Sanyo Semicon Device
Logo
There is a preview and B764 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

Ordering number:575D
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB764/2SD863
Voltage Regulator, Relay Lamp Driver
Electrical Equipment Applications
Package Dimensions
unit:mm
2006A
[2SB764/2SD863]
( ) : 2SB764
Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Conditions
Parameter
Symbol
Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCB=(–)50V, IE=0
VEB=(–)4V, IC=0
VCE=(–)2V, IC=(–)50mA
VCE=(–)2V, IC=(–)1A
VCE=(–)10V, IC=(–)50mA
VCB=(–)10V, f=1MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC=(–)500mA, IB=(–)50mA
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) IC=(–)500mA, IB=(–)50mA
EIAJ : SC-51
SANYO : MP
B : Base
C : Collector
E : Emitter
Ratings
(–)60
(–)50
(–)5
(–)1
(–)2
0.9
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
Ratings
min typ
60*
30
150
(20)
12
(–0.2)
0.15
(–)0.85
max
(–)1
(–)1
320*
(–0.7)
0.5
(–)1.2
Unit
µA
µA
MHz
pF
pF
V
V
V
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
91098HA (KT)/4107KI/3085MW, TS No.575–1/4

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for B764 electronic component.

Information	Total 4 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. PNP Transistor ( 2SB764 )
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Безопасная эксплуатация IRF3205

У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.

Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.

Вторая по распространенности проблема — короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.

Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.

Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.

B772 transistor characteristics

DC current gain characteristics of B772 MOSFET

The figure shows the DC current gain characteristics of B772 MOSFET, the graph is plotted with dc current gain vs collector current.

The characteristics of B772 MOSFET are plotted with junction temperature and collector to emitter voltage.

At a fixed rate, the current gain increases from a fixed limit and the effect of temperature.

collector to emitter saturation voltage characteristics of IRF540 MOSFET

The figure shows the collector to emitter saturation voltage characteristics of IRF540 MOSFET, the graph is plotted with the collector to emitter saturation voltage vs collector current.

At a fixed DC current gain, the temperature value is varied at different saturation voltage ranges.

Как проверить IRF3205

Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.

Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).

Проверка диода

На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока

Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.

Проверка работы транзистора

Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.

Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.

В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.

После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.

Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.

Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.

Решено ERISSON 21F5 горит В764

Неисправности ТВ

Если у вас есть вопрос по неисправности телевизора и определении дефекта, Вы должны создать свою, новую тему в форуме. По этой теме в форуме уже рассмотрены следующее:

не включается
нет подсветки
уменьшить ток подсветки
перезагружается
замена прошивки
не светят лампы
не ловит каналы
отключить защиту

Где скачать прошивку телевизора ?

Многие прошивки размещены в каталоге обменника здесь — Прошивки телевизоров, либо непосредственно в темах созданных участниками. Часть прошивок отсортирована и размещена в отдельных разделах:

Где скачать схему телевизора ?

Начинающие мастера, и не только, часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, блоков питания, пользовательские и сервисные инструкции. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

(сообщения помощь из форума) (каталог сайта) (каталог) (каталог)

Service Manual — сервисная инструкция по ремонту и настройке
Schematic Diagram — принципиальная электрическая схема
Service Bulletin — сервисный бюллетень (дополнительная информация для ремонта)
Part List — список запчастей (элементов) устройства

Как определить компонент ?

В первую очередь по его маркировке и логотипу производителя. Marking (маркировка) — обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали)

Package (корпус) — вид корпуса электронного компонента

При создании вопросов по электронным компонентам используемых в телевизионной аппаратуре, указывайте точный тип корпуса, либо фотографию. Наиболее распространены:

SOT-89 — пластковый корпус для поверхностного монтажа
SOT-23 — миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
TO-220 — вид корпусов для монтажа (пайки) в отверстия
SOP (SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
DPAK (TO-252) — корпус для полупроводниковых устройств с поверхностным монтажом

Programmer (программатор)

Это устройство для записи (считывания) информации в память микросхем или другое устройство. При смене прошивки телемастера выбирают программаторы, недостатки и достоинства которых рассмотрены в отдельных темах:

Postal-2,3 — универсальный программатор по протоколам I2C, SPI, MW, IСSP и UART. Подробно — Программатор Postal — сборка, настройка
TL866 (TL866A, TL866CS) — универсальный программатор через USB интерфейс
CH341A — самый дешевый (не дорогой) универсальный программатор через USB интерфейс для FLASH и EEPROM микросхем
RT809H — универсальный программатор EMMC-Nand, FLASH, EEPROM памяти через интерфейсы ICSP, I2C, UART, JTAG
JTAG адаптеры — используются для программирования и для отлаживания прошивок

Желающим подключиться к обсуждениям

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Кто отвечает на вопросы ?

Ответ в тему ERISSON 21F5 горит В764 как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Как найти нужную информацию ?

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

По каким маркам можно спросить ?

По любым. Наиболее частые ответы по популярным брэндам — LG, Samsung, Philips, Toshiba, Sony, Panasonic, Xiaomi, Sharp, JVC, DEXP, TCL, Hisense, и многие другие в том числе китайские модели.

Что еще я смогу здесь скачать ?

При активном участии в форуме Вам будут доступны дополнительные файлы и разделы, которые не отображаются гостям — схемы, прошивки, справочники, методы и секреты ремонта, типовые неисправности, сервисная информация.

B772 vs BD132 vs 2SB743

In the table below we try to compare the electrical specs of B772 vs BD132 vs 2SB743, this is helpful for the replacement process.

Characteristics	2SB772	BD132	2SB743
Collector to base voltage (VCB)	60V	45V	40V
Collector to emitter voltage (VCE)	30V	45V	30V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	6V	5V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	-0.4 to –1.1V	300mV	2V
Collector current (IC)	3A	3A	3A
Power dissipation	12.5W	15W	1 to 10W
Junction temperature (TJ)	-65 to +150°C	-65 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	100MHZ	60MHZ	55MHZ
Gain (hFE)	30 to 300hFE	40hFE	30 to 320hFE
Package	TO-126	TO-126	TO-126

The voltage specs for every three transistors are the same, the values show that they are general purpose transistor devices.

The current gain and transition frequency values indicate that each of these transistors is mainly capable of amplifier applications.

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

Технические характеристики

Информация по всем эксплуатационным параметрам взята из datasheet на 2n60b компании Fairchild Semiconductor. Значения характеристик представлены для устройств обоих типов корпусного исполнения. Производитель, в своём технической документации, указал их с учётом возможной температуры кристалла (T_C) не превышающей +25°С.

Максимальные параметры

Максимальные характеристики для 2n60b (при Т_С=+25°С):

напряжение между стоком и истоком V_DSS= 600 В;
постоянный ток идущий через сток: при T_C=25°C I_D = 2.0 A; при T_C =100°C I_D = 1.3 A.
импульсный ток стока I_DM = 6.0 A;
напряжение между затвором и истоком V_GSS = ±30 В;
энергия одного импульса E_AS =120 мДж;
ток лавинного пробоя I_AR = 2.0 A;
энергия серии импульсов E_AR = 5,4 мДж;
скорость восстановления диода dv/dt = 5,5 В/нс;
мощность рассеивания: P_D = 3,13 Вт (T_A = 25°C); P_D = 54 Вт (T_C = 25°C);
диапазон рабочих температур T_stg 55°C … +150°C;
нагрев контактов при пайке T_L до 300°C.

Превышение максимальных параметров может привести к выходу устройства из строя или значительно сократить сроки его полезного использования.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические (номинальные) параметры MOSFET-транзистора 2N60B (на русском). Условия их измерений представлены в отдельном столбце. Все значения действительны для температуры Т_Сне более +25°С.

Аналоги

Полных аналогов 2N60B не существует. В настоящее время его можно поменять на более современные и лучшие по параметрам транзисторы. Например, такие: STP3NK60Z, STP3NK60ZFP, STB3NK60Z, STD3NK60Z, 2SK3767. Или более мощные: 4N60, 6N60, 10N60. При этом стоит учитывать, что расположение выводов и корпуса некоторых из указанных устройств могут быть другими. В любом случае перед заменой необходимо ознакомиться с их datasheet.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
Напряжение эмиттер – база 5 V;
Ток коллектора – 15 А;
Ток коллектора максимальный – 30 А;
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

B772 transistor electrical specification description/ application note

In this section, we try to explain the electrical specifications of the B772 transistor with its application descript.

Voltage specs

The voltage of the B772 transistor is a collector to emitter voltage is 30v, emitter to base voltage is 5v, and collector to base voltage is 60v, the terminal voltage specs show that it is a medium power general-purpose transistor device.

The collector to emitter saturation voltage value is -0.4 to -1.1v, the B772 transistor had a low saturation value, which means they had high-speed switching.

Current specs

The collector current value is 3A, and the load capacity of the B772 transistor is apt for the driver and voltage regulator applications.

The peak collector current value in pulsed will be 6A

Dissipation specs

The power dissipation of the B772 transistor is 12.5W, the high dissipation capacity of the transistor will be mainly due to the transistor package.

Current gain specs

The current gain value of the B772 transistor is 30 to 300Hfe, this shows that the B772 transistor had a moderate level of amplification factor and voltage regulation.

Тразистор 2sb764. Чем заменить? Есть ли отечественный полный аналог?

Какие можно подобрать функциональные аналоги к транзистору 2sb764?

Есть ли отечественные транзисторы с похожими характеристиками и конфигурациями?

Какие есть зарубежные аналоги, эквивалентные биполярному транзистору 2sb764? Где он используется?

Зарубежные аналоги этого транзистора следующие :

2SA965
2SB560
2SB647A
2SD863
KTA1281

Из отечественных транзисторов с одинаковыми характеристиками на с граничной частотой усиления <= 3 мГц против 150 мГц у 2SB764 можно использовать транзистор КТ814Б. У транзистора 2SB764 граничная частота усиления равна 150 мГц.

Ещё из отечественных аналогов, имеется составной транзистор КТ973 с граничной частотой усиления <=200 мГц. И с несколько лучшими параметрами по напряжению.

Где используется транзистор 2SB764?

Использовать его можно в бесчисленном списке конструкций. Начиная от самых низкочастотных и заканчивая относительно высокочастотными устройствами.

В частности этот транзистор используется в кадровой развёртке телевизоров.