A684 pdf даташит

2SA684 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  panasonic 2sa683 2sa684.pdf

Transistor2SA683, 2SA684Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC1383 and 2SC13845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesComplementary pair with 2SC1383 and 2SC1384.Allowing supply with the radial taping.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to

 ..2. Size:47K  panasonic 2sa683 2sa684 .pdf

Transistor2SA683, 2SA684Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC1383 and 2SC13845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesComplementary pair with 2SC1383 and 2SC1384.Allowing supply with the radial taping.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to

 ..3. Size:308K  utc 2sa684.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA684 PNP SILICON TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA684 is power amplifier and driver. FEATURES * Automatic insertion by radial taping possible. * Complementary pair with 2SC1384. ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 — 2SA684G-x-AB3-R SOT-89 B C

 ..4. Size:736K  secos 2sa684.pdf

2SA684 -1A , -60V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92L FEATURE G H Automatic insertion by radial taping possible. 1Emitter 1112Collector 222 Complementary pair with 2SC1384L. 3Base 333J A DCLASSIFICATION OF hFE Millimeter REF. Min. Max

 ..5. Size:281K  lge 2sa684.pdf

2SA684TO-92L Transistors (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.700 5.1001Features7.8008.200 Automatic insertion by radial taping possible. 0.6000.800 Complementary pair with 2SC1384. 0.3500.55013.80014.200MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)1.270 TYP2.440Symbol Parameter 2.640 Va

 ..6. Size:236K  lzg 2sa684 3ca684.pdf

2SA684(3CA684) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. : , 2SC1384(3DA1384) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SC1384(3DA1384). CE(sat)/Absolute Maximum Ratings(Ta=25)

 0.1. Size:396K  semtech st2sa683 st2sa684.pdf

ST 2SA683 / 2SA684 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for low frequency power amplification and driver amplification The transistor is subdivided into three group, Q, R and S according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximu

 9.1. Size:185K  jmnic 2sa679 2sa680.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA679 2SA680 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SC1079/1080 High power dissipation APPLICATIONS For audio power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMET

 9.2. Size:275K  lzg 2sa683 3ca683.pdf

2SA683(3CA683) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:AF power amplifier and driver. : 2SC1383(3DA1383)/Features:Complementary pair with 2SC1383(3DA1383). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -1.0 A C

 9.3. Size:199K  inchange semiconductor 2sa680.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA680DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: PC= 100W(Max.)@T =25CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1080Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23

Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:

• снижение канального сопротивления;
• паразитного сопротивления;
• выводной емкости и индуктивности;
• увеличение рабочего тока;
• увеличение рабочего напряжения;
• увеличение скорости действия.

Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.

Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.

Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.

К транзисторам предъявляются следующие требования:

1. Невысокое открытое сопротивление.
2. Стабильность температуры, если не используется радиатор.
3. Невысокий порог напряжения затвора.
4. Бюджетная стоимость.

У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.

У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.

Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.

Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.

Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23

Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.

Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой

Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения

На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.

Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.

Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23

В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:

• управляющее напряжение затвора;
• тип корпуса;
• технология кристаллизации;
• уровень напряжения стока и размера кристалла.

Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:

1. L — уровень управляющего напряжения.
2. F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
3. L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.

Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.

Биполярный транзистор 2SA684 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA684

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Корпус транзистора:

2SA684
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  panasonic 2sa683 2sa684.pdf

Transistor2SA683, 2SA684Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC1383 and 2SC13845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesComplementary pair with 2SC1383 and 2SC1384.Allowing supply with the radial taping.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to

 ..2. Size:47K  panasonic 2sa683 2sa684 .pdf

Transistor2SA683, 2SA684Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC1383 and 2SC13845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesComplementary pair with 2SC1383 and 2SC1384.Allowing supply with the radial taping.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings UnitCollector to

 ..3. Size:308K  utc 2sa684.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA684 PNP SILICON TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA684 is power amplifier and driver. FEATURES * Automatic insertion by radial taping possible. * Complementary pair with 2SC1384. ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 — 2SA684G-x-AB3-R SOT-89 B C

 ..4. Size:736K  secos 2sa684.pdf

2SA684 -1A , -60V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92L FEATURE G H Automatic insertion by radial taping possible. 1Emitter 1112Collector 222 Complementary pair with 2SC1384L. 3Base 333J A DCLASSIFICATION OF hFE Millimeter REF. Min. Max

 ..5. Size:281K  lge 2sa684.pdf

2SA684TO-92L Transistors (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.700 5.1001Features7.8008.200 Automatic insertion by radial taping possible. 0.6000.800 Complementary pair with 2SC1384. 0.3500.55013.80014.200MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)1.270 TYP2.440Symbol Parameter 2.640 Va

 ..6. Size:236K  lzg 2sa684 3ca684.pdf

2SA684(3CA684) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. : , 2SC1384(3DA1384) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SC1384(3DA1384). CE(sat)/Absolute Maximum Ratings(Ta=25)

 0.1. Size:396K  semtech st2sa683 st2sa684.pdf

ST 2SA683 / 2SA684 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for low frequency power amplification and driver amplification The transistor is subdivided into three group, Q, R and S according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximu

 9.1. Size:185K  jmnic 2sa679 2sa680.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA679 2SA680 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SC1079/1080 High power dissipation APPLICATIONS For audio power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMET

 9.2. Size:275K  lzg 2sa683 3ca683.pdf

2SA683(3CA683) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:AF power amplifier and driver. : 2SC1383(3DA1383)/Features:Complementary pair with 2SC1383(3DA1383). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -1.0 A C

 9.3. Size:199K  inchange semiconductor 2sa680.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA680DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: PC= 100W(Max.)@T =25CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1080Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы… 2SA677
, 2SA678
, 2SA679
, 2SA68
, 2SA680
, 2SA681
, 2SA682
, 2SA683
, , 2SA685
, 2SA69
, 2SA695
, 2SA696
, 2SA697
, 2SA698
, 2SA699
, 2SA699A
.

Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание

Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF

12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

1. sot23-3.
2. sot23-5.
3. sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

1. DC/DC.
2. AC/DC.
3. ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

1. Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
2. Input Voltage (VCC) — питание.
3. Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
4. Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
5. Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
6. Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
7. Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях