Отечественные и зарубежные аналоги
Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.
При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).
Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009.
Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.
В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.
Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:
Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.
В каких режимах функционирует полевой транзистор
Режим отсечки
Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.
Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:
Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?
Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.
Режим активной работы irfz44n
Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).
Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.
В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.
Режим насыщения irfz44n
Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.
Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.
Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).
Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).
Транзистор 2N3904: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
2N3904 – это биполярный NPN высокочастотный транзистор общего применения. Предназначен для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Параметры транзистора 2N3904
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max): 60В
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max): 6В
- Допустимый ток коллектора Iк (max): 0,2А
- Статический коэффициент передачи тока h21э: 100…300
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.: 250МГц
- Рассеиваемая мощность: 0,625Вт
- Корпус: TO-92
Комплементарная пара транзистора 2N3904 — 2N3906 (PNP)
Цоколевка транзистора 2N3904
2N3904 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, базf и коллектор.
Аналог 2N3904
зарубежные аналоги 2N3904: 2N4401, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1211, 2SC815, BC537, BC538, KN2222A, KN3904, KSC1008, KSC815, KSP05, KSP06, KSP2222A, KSP8098, KSP8099, KTN2222A, MPS2222A, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS8098, MPS8099, MPSA05, MPSA06, MPSW01A, MPSW05, MPSW06, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219A, PN2222A, PN3569, PN4033, ZTX450.
отечественные аналоги 2N3904: КТ3117Б, КТ375А, КТ6137А
SMD версия 2N3904: 2SC1623 (SOT-23), 2SC2712 (SOT-23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), FJX3904 (SOT-323), FJX945 (SOT-323), FMMT3904 (SOT-23), KN3904S (SOT-23), KSC1623 (SOT-23), KST3904 (SOT-23), KTC3875 (SOT-23), KTC3875S (SOT-23), MMBT3904 (SOT-23), MMBT3904L (SOT-23), MMBT3904LT1 (SOT-23), MMBT3904LT1G (SOT-23), MMBT3904LT3 (SOT-23), MMBT3904LT3G (SOT-23), MMBT3904T (SOT-523F), MMBT3904TT1 (SOT-416), MMBT3904TT1G (SOT-416), MMBT3904WT1 (SOT-323), MMBT3904WT1G (SOT-323), MMST3904 (SOT-323), PMBS3904 (SOT-23), PMBT3904 (SOT-23), PMST3904 (SOT-323), PZT3904 (SOT-223), TMBT3904 (SOT-23).
Характеристики и распиновка 2n3055
Как и другие транзисторы, El 2N3055 имеет 3 подключения для эмиттера, базы и коллектора. Мы уже обсуждали это в других статьях о транзисторах. Поэтому ноль сомнений в распиновке этого NPN транзистора. Конфигурация аналогична контакту 1 для базы, который будет использоваться в качестве переключателя для тока, проходящего через полупроводник или нет, контакт 2 является эмиттером (обычно соединенным с GND или землей), а коллектор, который на самом деле является TAB так как третьего пина нет (нормально подключен к питанию).
Можно использовать транзистор 2n3055 для цепей средней мощности, он безопасен, он имеет низкое насыщение между напряжением коллектор-эмиттер, доступна упаковка без свинца, он имеет коэффициент усиления более 70 hFE для постоянного тока (линейный), максимальное напряжение, которое может выдерживать или пропускать коллектор и эмиттер — 60 В для постоянного тока, такой же максимальный ток, который может проходить через коллектор, составляет 15 А.
Теме статьи:
Транзистор BC547: все, что вам нужно знать
Для базы ограничения в обоих случаях составляют 7 В (база-эмиттер) и 7 А постоянного тока. В случае наличия напряжения между коллектором и базой оно может достигать 100 В. Если мы посмотрим на температуру, при которой он может работать, диапазон будет между От -65 до + 200ºC. Таким образом, он без проблем работает при экстремальных температурах, что терпят не все электронные устройства, особенно если вы посмотрите на максимальную поддерживаемую температуру
Кстати, по рассеиваемой мощности она достигает 115Вт, что немаловажно ..
Обзор функций:
- Тип: NPN
- Для цепей средней мощности
- Увеличение 70 hFE
- Коллектор-эмиттер 60в DC
- Ток коллектора 15 А постоянного тока
- База-эмиттер 7в
- База 7А
- Коллектор-база 100в
- Рабочая температура от -65 до + 200ºC
- Рассеиваемая мощность 115 Вт
- Металлическая оболочка
Эквивалентные и дополнительные
Для 2n3055 есть эквивалентные транзисторы. Вы можете использовать их как заменители типа 2n6673 и 2n6675. Другие подобные транзисторы, хотя и не такие, — это MJ10023, BUX98 и BDW51. Вы можете без проблем использовать их в своих схемах в качестве альтернативы, теперь вы должны хорошо прочитать таблицы данных всех из них, чтобы увидеть возможные различия, поскольку они могут быть разными в некоторых случаях и могут создавать проблемы в крайних случаях.
Если вам интересно о дополнительный, то есть наоборот, вы можете увидеть MJ2955. В данном случае это почти сестринский транзистор, идентичный по многим характеристикам, описанным в предыдущем разделе, но это биполярный PNP вместо NPN. Знание дополнений иногда может очень помочь нам в составлении схем, поэтому мы всегда включаем их в наши сообщения.
Даташит
к безопасно составлять схемы и поддерживать поддерживаемые диапазоны Для этого устройства вы должны увидеть спецификации этих устройств. Они могут быть изготовлены самыми разными производителями, и у всех из них есть свои спецификации, в которых могут быть некоторые различия. Freescale, STMicroelectronics и Siemens — одни из самых известных производителей, хотя их больше.
Теме статьи:
Транзистор 2Н2222: все, что нужно знать
Так что ваши будущие схемы переключения мощности, усилители, ШИМ, регуляторы, усилители сигналов и т. Д. схем, которые могут быть составлены с помощью 2n3055, вы можете получить спецификации здесь:
- Различные таблицы данных от различных производителей.
- Компания ON Semiconductor 2n3055: поскольку в других случаях мы использовали техническое описание ON Semiconductor для других электронных устройств, вот техническое описание этой компании для рассматриваемого транзистора …
Советская «силиконовая долина»
В советское время, в начале 60-х годов, город Зеленоград стал плацдармом для организации в нем Центра микроэлектроники. Советский инженер Щиголь Ф. А. разрабатывает транзистор 2Т312 и его аналог 2Т319, который в последующем стал главным компонентом гибридных цепей. Именно этот человек заложил основу для выпуска в СССР германиевых транзисторов.
В 1964 году на базе Научно-исследовательского института точных технологий создал первую интегральную микросхему IC-Path с 20 элементами на кристалле, выполняющую задачу совокупности транзисторов с резистивными соединениями. В это же время появилась другая технология: были запущены первые плоские транзисторы «Плоскость».
В 1966 году в Пульсарском научно-исследовательском институте начала действовать первая экспериментальная станция по производству плоских интегральных микросхем. В NIIME группа доктора Валиева начала производство линейных резисторов с логическими интегральными схемами.
В 1968 году Исследовательский институт Пульсар произвел первую часть тонкопленочных гибридных ИС с плоскими транзисторами с открытой рамой типов KD910, KD911, KT318, которые предназначены для связи, телевидения, радиовещания.
Линейные транзисторы с цифровыми ИС массового использования (типа 155) были разработаны в Научно-исследовательском институте МЭ. В 1969 году советский физик Алферов Ж. И. открыл миру теорию по управлению электронными и световыми потоками в гетероструктурах на базе арсенид-галлиевой системы.
↑ Техническое задание
Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п. Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.
Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.
Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.
Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.
Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.
Преимущества полевых транзисторов
Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.
Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.
Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.
С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.
Search Stock
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics |
2N3417 APM PBFREE |
12,000 | 26 Weeks | 2,000 |
|
Buy Now |
|||||
|
Verical |
2N3417 APM PBFREE |
12,000 | 2,000 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet Americas |
2N3417 APM PBFREE |
Ammo Pack | 2,000 |
|
Buy Now |
||||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics (2) |
2N3417 PBFREE |
654 | 26 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
|||||
|
2N3417 PBFREE |
26 Weeks | 2,500 |
|
Get Quote |
|||||||
|
Verical |
2N3417 PBFREE |
654 | 21 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet Americas |
2N3417 PBFREE |
Box | 2,500 |
|
Buy Now |
||||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
2N3417 |
Box | 5,000 | 6 Weeks | 2,500 |
|
Get Quote |
||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
2N3417 APM |
Ammo Pack | 6 Weeks | 2,000 |
|
Get Quote |
|||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
2N3417 TIN/LEAD |
Box | 2,500 |
|
Buy Now |
2n5401 vs mpsa92
The table below is to compare the electrical specifications of each 2n5401 and mpsa92 transistor.
| Characteristics | 2n5401 | Mpsa92 |
| Collector to base voltage (VCB) | -160V | -300V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | -150V | -300V |
| Emitter to base voltage (VEB) | -5V | -5V |
| Collector current (IC) | -600mA | -500mA |
| Power dissipation | 625mW | 625mW |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to 150°C |
| Transition frequency (FT) | 400MHZ | 50MHZ |
| Noise (N) | 8dB | – |
| Gain (hFE) | 60 to 240hFE | 25 to 40hFE |
| Package | TO-92 | TO-92 |
The voltage value of both transistors is different,
For, 2n5401 (VCB = -160V) and (VCE = -150V), but at mpsa92, it is (VCB = -300V) and (VCE= -300V).
The peak collector current and DC current gain value of each transistor is different,
- For, 2n5401 peak (IC= -600mA) and for mpsa92 it is (IC= -500mA)
- For, 2n5401 DC gain current value is (60 to 240hFE) and for mpsa92, it is (25 to 40hFE).
2n5401 graphical characteristics
DC current gain vs collector current
The figure shows the DC current gain vs collector current curve, we can see the current gain is dipping when the collector current increases to a maximum limit.
collector current vs base-emitter voltage
The figure shows the collector current vs base-emitter voltage curve, we can see an increase in collector current with the slightest change in base-emitter voltage.
Applications of 2n5401 transistor
The 2n5401 is a PNP transistor type mostly used for high voltage applications, but the 2n5401 transistor is also the best option for amplifier circuits.
- General-purpose switching and amplifier applications
- Telephony applications
- High voltage applications
- Multi-stage amplifier circuits
- Power supply applications
Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1711
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
2N1711
Datasheet (PDF)
..1. Size:623K rca 2n1711.pdf
..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit
..3. Size:46K st 2n1711.pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..4. Size:47K st 2n1711 .pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf
http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com
..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE
..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf
9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
2n5401 transistor brief description
2n5401 is a PNP BJT transistor capable to handle high voltages, most of the applications based on 2n5401 are general purpose switching and amplifier circuits.
The collector to base voltage is -160V, collector to emitter voltage is -150V, and emitter to base voltage is -5v, this is the reason why 2n5401 is called the high voltage transistor.
The maximum collector current of 2n5401 is -600mA, the current value shows that 2n5401 is a moderate level transistor, which is capable of general-purpose applications.
The current gain range of 2n5401 is 60 to 240hFE, the magnifying level of this transistor is good.
The power dissipation of 2n5401 is 625mW, the dissipation value shows it is a low power transistor, so we can use it at any general-purpose application.
The noise figure range of 2n5401 is 8dB, the maximum noise value shows that 2n5401 has better noise at amplifier circuit applications.
The transition frequency value at 2n5401 is 400MHz, the frequency value shows the capability of this transistor at switching and amplifier circuits.
The junction temperature value at 2n5401 is -55 to +150°C, so the transistor had a good range of heat capacity.
Equivalent for 2n5401 transistor
The transistors such as 2SA1319, 2SA1625, KTA1275, 2SC2909, and 2SA709 are the perfect equivalent for the 2n5401 PNP transistor type.
Each of the transistors on this list had identical pinout details but different electrical specifications, so at the replacement process you need to check voltage and current value before exchanging.
NPN complementary transistor for 2n5401
2n5551 is the NPN complementary component for the 2n5401 transistor, the 2n5551 transistor had similar electrical and physical characteristics to 2n5401.
Маркировка SMD-транзисторов
| Обозначение на корпусе |
Тип транзистора | Аналог |
|---|---|---|
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C BC109C MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| Обозначение на корпусе |
Тип транзистора | Аналог |
|---|---|---|
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B BSS80B |
— |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| Обозначение на корпусе |
Тип транзистора | Аналог |
|---|---|---|
| D1 | BCW31 | BC108A BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C BCY58 MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1623L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 MMBA812M6 |
2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.
