Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Параметры
Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92 или SOT-23;
- материал корпуса – пластик;
- материал – монокристаллический кремний;
электрические (для устройства в корпусе ТО-92):
- проводимость – n-p-n (обратная);
- IK макс. (Ic max) не более 200 мА (mA);
- UКЭ макс. (VCEmax) не более 400 В (V);
- UКБ макс. (VCBmax) не более 500 В (V);
- UЭБ макс. (VЕВ max) не более 9 В (V);
- UКЭ нас. (VCEsat) не более 0.5 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
- UКЭ нас. (VCEsat) не более 1.2 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
- fгр (ft) от 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
- UКБ макс. (VCB max ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0;
- IКЭО (ICEO) не более 200 мкА (µA), при U КЭ макс. (VCEmax ) =400 В (V) и IБ (IB)=0;
- IЭБО (IEBO) не более 100 мкА (µA), при U EБ макc. (VEB max ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
- PK макс. (PC) 0,75 Вт (W);
- Tраб. (Tj) не более + 150 °C;
- Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
- Hfe при UКЭ = 20 В (V) и IK = 20 мА (mA) от 10 до 40 , при UКЭ = 10 В (V) и IK = 0,25 мА (mA) — 8;
электрические (для устройств в корпусе SOT-23):
- проводимость – n-p-n;
- IK (Ic max) 200 мА (mA);
- UКЭО (VCEO) ≤ 500 В (V);
- UКБО (VCBO) ≤ 800 В (V);
- UЭБО (VЕВO) ≤ 9 В (V);
- UКЭ нас. (VCEsat) ≤ 0.5 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
- UКЭ нас. (VCEsat) ≤1.2 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
- fгр (ft) 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
- IКБО (ICBO) ≤1 мкА (µA) при U КБ (VCBО) = 600 В (V);
- IКЭО (ICEO) ≤10 мкА (µA), при U КЭ (VCEО ) = 400 В (V) и IБ (IB)=0;
- IЭБО (IEBO) ≤1 мкА (µA), при U EБ (VEBО ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
- PK (PC) = 0,5 Вт (W);
- Tраб. (Tj) ≤ + 150 °C.;
- Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
- Hfe при UКЭ = 20 В (V) и IK = 20 мА (mA) 8 Hfe, при UКЭ = 5 В (V) и IK = 1 мА (mA) от 10 до 30 Hfe.
KSE800 Datasheet (PDF)
..1. Size:52K fairchild semi kse800.pdf
KSE800/801/802/803Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC Complement to KSE700/701/702/703TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units VCBO Coll
..2. Size:62K samsung kse800.pdf
NPN EPITAXIALKSE800/801/803 SILICON DARLINGTON TRANSISTORHIGH DC CURRENT GAINTO-126MIN hFE= 750 I = -1.5 and -2.0A DCCMONOLITHIC CONSTRUCTION WITHBUILT-IN BASE-EMITTER RESISTORSComplement to KSE700/701/702/703ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO : KSE800/801 60 V : KSE802/803 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO : K
..3. Size:169K onsemi kse800 kse801 kse802 kse803.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
0.1. Size:51K fairchild semi kse800-803.pdf
KSE800/801/802/803Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC Complement to KSE700/701/702/703TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units VCBO Coll
Технические характеристики
Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.
Максимальные значения параметров для транзистора 13002:
- напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
- напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
- ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
- ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
- рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
- диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.
Электрические параметры
Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.
Аналоги
Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.
Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.
ALJ13002 Datasheet (PDF)
1.1. alj13002.pdf Size:103K _update
SUNROC ALJ13002 TRANSISTOR(NPN) FEATURES 1. EMITTER Power dissipation 2.COLLECTOR PCM:0.8W(Tamb=25℃) Collector current 3.BASE ICM:0.6A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600V 1 2 3 Opcrating and storage junction temperature range TJ,Tstg:-65℃ to -150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specjfied): MIN TYP MAX UNIT Parameter Symbol Tes
3.1. alj13003.pdf Size:104K _update
SUNROC ALJ13003 TRANSISTOR(NPN) FEATURES ·power switching applications MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current-Continuous 1.2 A PC Collector Power Dissipation 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55
3.2. alj13005.pdf Size:150K _update
SUNROC ALJ13005 TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) MAXI Parameter Value Units Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current IC 2.0 A Collector Power Dissipation PC 50 W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storag Temperature -55～150 ℃ Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS
3.3. alj13003-251.pdf Size:104K _update
SUNROC ALJ13003 TRANSISTOR(NPN) FEATURES ·power switching applications MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current-Continuous 1.2 A PC Collector Power Dissipation 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55
3.4. alj13001.pdf Size:195K _update
SUNROC ALJ13001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. BASE power switching applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation
Другие транзисторы… 2SC4355 , 2SC4356 , 2SC4357 , 2SC4358 , 2SC4359 , 2SC436 , 2SC4360 , 2SC4361 , BD139 , 2SC4363 , 2SC4364 , 2SC4365 , 2SC4366 , 2SC4367 , 2SC4368 , 2SC4369 , 2SC437 .
Модификации (версии) транзистора 13009
Данные по временным параметрам (ton, ts, tf) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).
| Тип | PC Ta=25°C/Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус | Примечания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 | |
| 13009A | 2/110 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,5/8,0/0,4 | TO220 | |
| 13009SDL | 2/100 | 400 | 200 | 9 | 15/- | 150 | 8…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 1,0/6,0/1,0 | TO220 | |
| 13009T | 2/95 | 700 | 400 | 9 | 11/- | 150 | 8…40 | ≥ 5 | — | ≤ 0,8 | 0,4/6,0/0,4 | TO220 | |
| 3DD13009 | 2/- | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/4,0/0,9 | TO220 | |
| 3DD13009A8 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 20…35 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/7,0/0,25 | TO220AB | |
| 3DD13009AN | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 20…35 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/7,0/0,25 | TO3P(N) | |
| 3DD13009C8 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 20…30 | ≥ 5 | — | ≤ 1,0 | 0,3/6,0/0,3 | TO220AB | |
| 3DD13009K | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO220C | |
| 3DD13009K | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO3PB | |
| 3DD13009X8D | 2/100 | 350 | 200 | 9 | 12/24 | 150 | 15…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 1,0/4,0/1,0 | TO220AB | |
| BR3DD13009 X7R | 2/90 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,5 | -/9,0/0,8 | TO220 | MJE13009X7 |
| BR3DD13009 X8F | 2/90 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,5 | -/9,0/0,8 | TO220F | MJE13009X8 |
| BR3DD13009X9F | 2/90 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,5 | -/9,0/0,8 | TO3P | MJE13009X9 |
| BR3DD13009 Z8F | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO220F | MJE13009Z8 |
| FJA13009 | -/130 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | |
| FJP13009 | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | |
| FJP13009H2TU | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | Группы по hFE: H1, H2 |
| FJPF13009 | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | Группы по hFE: H1, H2 |
| HMJE13009A | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…22 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220AB | ٭ |
| KSE13009F | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO20F | |
| KSH13009 | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
| KSH13009A | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
| KSH13009AF | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
| KSH13009AL | -/130 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
| KSH13009F | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
| KSH13009L | -/130 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | Группы по hFE: R, O, Y |
| KSH13009W | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO263 | (D2PAK) |
| MJE13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220AB | ٭ |
| MJE13009-3PN | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3PN | |
| MJE13009A | -/130 | 700 | 400 | 12 | 12/- | 150 | 5…40 | — | — | ≤ 0,8 | -/9,0/0,15 | TO3P | |
| MJE13009D | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | ٭ |
| MJE13009F | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…28 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220IS | |
| MJE13009-K | 2/- | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/4,0/0,7 | TO220 | ٭ |
| MJE13009-K | -/80 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/4,0/0,7 | TO3P | ٭ |
| MJE13009-P | 2/- | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | ٭ |
| MJE13009-P | -/80 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | ٭ |
| MJE13009Z9 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO3P | 3DD13009Z9 |
| MJE13009ZJ | 2/80 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO220S | BR3DD13009ZJ |
| MJF13009 | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | |
| P13009 | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO3PB | |
| P13009A | 3/130 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,5/10,0/0,4 | TO3PB | |
| PHE13009 | -/80 | 700 | 400 | — | 12/24 | 150 | 8…40 | — | — | ≤ 2,0 | -/3,3/0,7 | TO220AB | ٭ |
| SBF13009-O | 2,2/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/10,0/0,8 | TO220F | |
| SBP13009-K | 2,2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 5…40 | — | — | ≤ 2,0 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
| SBP13009-O | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | — | — | ≤ 1,5 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
| SBP13009-S | 2,2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | — | — | ≤ 1,0 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
| SBW13009-K | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 2,0 | -/10,0/0,8 | TO3P(B) | |
| SBW13009-O | -/110 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/10,0/0,8 | TO3P(B) | |
| SBW13009-S | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/10,0/0,8 | TO3P(B) | |
| ST13009 | -/100 | 700 | 400 | 12 | 12/24 | 150 | 10…39 | — | — | ≤ 1,25 | -/2,5/0,11 | TO220 | ٭٭ |
| STW13009 | -/125 | 700 | 400 | 12 | 12/24 | 150 | 10…36 | — | — | ≤ 1,25 | -/2,5/0,11 | TO247 | ٭٭ |
| STWH13009 | -/125 | 700 | 400 | 12 | 12/24 | 150 | 11…30 | — | — | ≤ 1,0 | -/2,5/0,14 | TO247 | ٭٭ |
| TS13009 | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,3/0,5 | TO220 | |
| WBP13009-K | 2,2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 5…40 | — | — | ≤ 2,0 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
| SXW13009 | -/100 | 700 | 400 | — | 12/- | — | 8…40 | — | — | — | -/4,0/- | TO220 |
٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.
٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.
E13005-250 Datasheet (PDF)
1.1. e13005-250.pdf Size:163K _upd
E13005-250
Pb E13005-250 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70
2.1. e13005-225.pdf Size:162K _upd
E13005-225
Pb E13005-225 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70
3.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. ? FEATURES * VCEO(SUS)= 400 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С * Indu
Аналоги
Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производство
| Тип | PC Ta=25°C//Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус | Примечания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 | |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | — | ≤ 0,6 | 0,2/3,5/0,6 | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ840Б | 750 | 350 | ≥ 10 | — | |||||||||
| КТ840В | 800 | 375 | 10…100 | ||||||||||
| КТ841А, В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 300 | ≤ 1,6 | 0,08/1,0/0,5 | — | — |
| КТ854А | 60 | 600 | 500 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 102 | ≤ 2,0 | — | КТ-28-2 | (ТО220АВ) |
| КТ856А | 50 | 800 | 800 | 5 | 10/12 | 150 | 10…60 | ≥ 10 | ≤ 100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ856Б | 600 | 600 | — | ||||||||||
| 2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10/12 | — | ≤ 60 | — | — | ≤ 1,5 | -/-/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
| 2Т856Б | 750 | 750 | — | — | — | ||||||||
| 2Т856В | 550 | 550 | — | — | — | ||||||||
| 2Т856Г | 850 | 850 | — | — | — | ||||||||
| КТ868А | 70 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | ≤100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ868Б | 750 | 375 | 10…100 | — | |||||||||
| КТ8107А | 100 | 1500 | — | 5 | 8/15 | — | ≥ 2,25 | ≥ 7 | — | ≤ 1,0 | -/3,5/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ8107Б | 125 | 1500 | — | 5 | 5/7,5 | — | ≥ 2,25 | — | ≤ 3,0 | ||||
| КТ8107В | 50 | 1500 | — | 5 | 5/8 | — | 8…12 | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8107Г | 100 | 1500 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 3,0 | ||||
| КТ8107Д | 100 | 1200 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8107Е | 100 | 1000 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8118А | 50 | 900 | 800 | — | 3/10 | — | 10…40 | ≥ 15 | — | ≤ 2,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8121А | 75 | 700 | 400 | — | 4/8 | — | 8…60 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8121Б | 600 | 300 | — | — | — | — | |||||||
| КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8/16 | — | 5…40 | — | 120 | ≤ 3,0 | 1,6/3,0/0,7 | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8126Б1 | 600 | 300 | — | — | |||||||||
| КТ8145В | 100 | 500 | 500 | 8 | 15/- | 150 | ≥ 10 | 10 | — | — | — | КТ-27 | (SOT32) |
| КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4/8 | 150 | 10…60 | ≥ 4 | ≤110 | ≤ 1,0 | 0,8/4,0/0,9 | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8164Б | 600 | 300 | 8…40 | — |
Зарубежное производство
| Тип | PC Ta=25°C/Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 |
| 2SC2335 | 1,5/40 | 500 | 400 | 7 | 7/15 | 150 | 10…80 | — | — | ≤ 1,0 | 1,0/2,5/1,0 | TO220AB |
| 2SC2898 | -/50 | 500 | 400 | 7 | 8/16 | 150 | ≥ 7 | — | — | ≤ 1,0 | 0,8/2,0/0,8 | TO220C |
| 2SC5057 | -/100 | 900 | — | — | 20/- | 150 | 38 | — | — | — | — | TO3PL |
| 2SD2625Z9 | 2/120 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO3P |
| 3DD209L | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO3PN(B) |
| 3DD3320AN | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 15…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/3,0/0,35 | TO3P(N) |
| 3DD13012A8 | 2/100 | 750 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 20…35 | ≥ 5 | — | ≤ 1,0 | 1,0/5,0/0,5 | TO220AB |
| BUL743 | -/100 | 1200 | 500 | — | 12/24 | 150 | 24…80 | — | — | ≤ 1,5 | -/3,8/0,5 | TO220 |
| BU941 | -/150 | 500 | 400 | 5 | 15/30 | 175 | ≥ 300 | — | — | ≤ 1,8 | -/15,0/0,5 | TO220AB |
| D4515 | -/120 | 700 | 400 | 9 | 15-/ | 150 | 8…50 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/3,0/0,7 | TO3PN |
| ECG379 | -/100 | 700 | 400 | — | 12/- | 175 | 20 | ≥ 4 | — | — | — | TO220 |
| MJE13007/A | -/80 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 5…45 | — | — | ≤ 3,0 | — | TO220 |
| MJE340 | -/20,8 | 300 | 300 | 3 | 0,5/- | 150 | 50…240 | — | — | — | — | SOT32* |
| P1488 | 3/150 | 750 | 450 | 9 | 15/- | 150 | 8…40 | ≥ 5 | — | ≤ 0,8 | 0,6/5,0/0,4 | TO3PB |
* — (TO126)
Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.
Технические характеристики
Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.
Максимальные значения параметров для транзистора 13002:
- напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
- напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
- ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
- ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
- рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
- диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.
Электрические параметры
Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.
Аналоги
Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.
Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.