Tl431: схема, характеристики, datasheet и аналоги

BD243C аналог BD243C и TIP41CG

150℃

Материал — Silicon Silicon
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания — — 3 MHz
Длина — 10.4 mm 10.28 mm
Ширина — 4.6 mm 4.83 mm
Высота — 9.15 mm 15.75 mm
Стиль Монтажа Through Hole Through Hole Through Hole
Упаковка — Tube Tube
REACH SVHC Комплаенс No SVHC No SVHC No SVHC
Бессвинцовая Статус Lead Free Lead Free Lead Free
RoHS Комплаенс Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
Жизненный Цикл Продукта — Not Recommended for New Designs Active
Рассеиваемая Мощность (Макс) — 65000 mW 2000 mW
Рабочая температура (мин) — -65 ℃ -65 ℃
Транзисторная полярность NPN NPN NPN
REACH SVHC Compliance Edition 2016/06/20 2015/12/17 2015/12/17
Усиление постоянного тока (hFE) 15 30 3
Максимальная входная мощность — 65 W 2 W
Рабочая температура (Макс) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
Automative Application — — Yes
Industrial Application — — Yes
Справочная цена（） $ 0.339Все цены (3 позиции)$ 0.211Все цены (9 позиции)$ 0.259Все цены (15 позиции)

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Возможности TDA2030

Микросхема усилителя НЧ TDA2030 фирмы ST Microelectronics пользуется заслуженной популярностью среди радиолюбителей. Она обладает высокими электрическими характеристиками и низкой стоимостью, что позволяет при минимальных затратах собирать на ней высококачественные УНЧ мощностью до 18 Вт. Однако не все знают о ее «скрытых достоинствах»: оказывается, на этой ИМС можно собрать ряд других полезных устройств. Микросхема TDA2030 представляет собой 18 Вт Hi-Fi усилитель мощности класса АВ или драйвер для УНЧ мощностью до 35 Вт (с мощными внешними транзисторами). Она обеспечивает большой выходной ток, имеет малые гармонические и интермодуляционные искажения, широкую полосу частот усиливаемого сигнала, очень малый уровень собственных шумов, встроенную защиту от короткого замыкания выхода, автоматическую систему ограничения рассеиваемой мощности, удерживающую рабочую точку выходных транзисторов ИМС в безопасной области. Встроенная термозащита обеспечивает выключение ИМС при нагреве кристалла выше 145°С. Микросхема выполнена в корпусе Pentawatt и имеет 5 выводов.

Особенности

Малое количество внешних радиоэлементов.
Высокие выходной ток и рабочее напряжение.
Низкий уровень нелинейных искажений.
Встроенная защита от перегрева.
Защита от короткого замыкания между всеми контактами.
Безопасная рабочая зона (SOA) для выходных транзисторов.

История появления транзисторов

На заре прошлых веков конца 19 века ученые физики и практики (Гутри, Браун, Эдисон, Боус, Пикард, Флеминг) разных стран совершили принципиальное открытие и получили патенты на «детектор», «выпрямитель» — так тогда называли диод. Вслед за диодом последовало эпохальное открытие транзистора. Перечисление имен ученых разных стран, приложивших голову и руки к открытию транзистора, заняло бы много строк.

Основными теоретиками считаются Шокли, работавший в Bell Telephone Laboratories, а также его коллеги Бардин и Браттейн.

Слева направо: Шокли, Бардин и Браттейн

В итоге их работ, в 1947 году, получен первый образец работающего точечного германиевого транзистора, и на его основе, в том же году, был разработан первый усилитель, имевший коэффициент усиления 20 дБ (в 10 раз) на частоте 10 Мгц.

Серийный выпуск точечных транзисторов фирмой Western Electric начался в 1951 году и достиг около 10 000 штук в месяц в 1952 году. В СССР первый точечный транзистор был создан в 1949 г. Серийный выпуск точечных транзисторов был налажен в 1952 году, а плоскостных — в 1955 году. Затем последовали следующие открытия в теории и технологиях: транзисторы на выращенных переходах (1950 г.), сплавные транзисторы (1952 г.), диффузные мета-транзисторы (1958 г.), планарные транзисторы (1960 г.), эпитаксиальные транзисторы (1963 г.), многоэмиттерные транзисторы (1965 г.) и т. д.

Как же появился среди них наш герой — транзистор Дарлингтона (далее по тексту ТД)? Дарлингтон (англ. Darlingtone) — город в в Великобритании. Однако и люди могут иметь фамилии по имени городов или наоборот. Таким является сотрудник все той же фирмы Bell — Сидни Дарлингтон

Сидни Дарлингтон

KTA1023 Datasheet (PDF)

..1. Size:5180K jiangsu kta1023.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors J C T TO-92L KTA1023 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER FEATURES Complementary to KTC1027 2. COLLECTER 3. BASE MAXIMUM RATINGS (TaB=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVB B Collector-Base Voltage -120 V CBOVB B Collector-Emitter Voltage -120 V CEOVB B Emitte

..2. Size:624K kec kta1023.pdf

SEMICONDUCTOR KTA1023TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH VOLTAGE APPLICATION.B DFEATURE Complementary to KTC1027. DIM MILLIMETERSPDEPTH:0.2A 7.20 MAXB 5.20 MAXCC 0.60 MAXSMAXIMUM RATING (Ta=25 )D 2.50 MAXQE 1.15 MAXKCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITF 1.27G 1.70 MAXVCBO -120 VCollector-Base Voltage H 0.55 MAXFF_J 14.00 + 0.50K

..3. Size:232K lge kta1023 to-92l.pdf

KTA1023 TO-92L Transistor (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTER 3. BASE 2 3 4.7001 5.100Features Complementary to KTC1027 7.8008.200MAXIMUM RATINGS (TB B=25 unless otherwise noted) A0.6000.800Symbol Parameter Value UnitsVB B Collector-Base Voltage -120 V CBO0.3500.550VB B Collector-Emitter Voltage -120 V CEO13.80014.200VB B Emitter-Base Vo

..4. Size:58K wietron kta1023.pdf

KTA1023WEITRONPNP TransistorP b Lead(Pb)-Free1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASETO-92LMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)valueParameter Symbol UnitsCollector-Base Voltage VCBO -120 V-120 VCollector-Emitter Voltage VCEO-5 VEmitter-Base Voltage VEBO-0.8 ACollector Current -Continuous ICCollector Power Dissipation PC 0.9 WJunction Temperature TJ 150

..5. Size:943K blue-rocket-elect kta1023.pdf

KTA1023 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM PNP Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features KTC1027 Complementary pair with KTC1027. / Applications ,High voltage application. / Equivalent Circuit / Pinning 1 2 3 PIN1

8.1. Size:73K kec kta1021.pdf

SEMICONDUCTOR KTA1021TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.BFEATURES Excellent hFE Linearity.: hFE(2)=25(Min.) at VCE=-6V, IC=-400mA DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAX 1 Watt Amplifier Application. HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX Complementary to KTC1020._D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.00 0.50H 0.60 MAXJ 1

8.2. Size:366K kec kta1024.pdf

SEMICONDUCTOR KTA1024TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH VOLTAGE APPLICATION.B DFEATURESHigh Voltage : VCEO=-150V.Low Output Capacitance : Cob=5.0pF(Max.).DIM MILLIMETERSPHigh Transition Frequency : fT=120MHz (Typ.).DEPTH:0.2A 7.20 MAXComplementary to KTC3206. B 5.20 MAXCC 0.60 MAXSD 2.50 MAXQE 1.15 MAXKF 1.27G 1.70 MAXH 0.55 MAXFF_

8.3. Size:223K lge kta1024.pdf

KTA1024 TO-92L Transistor (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.7005.100 2 3 1Features High Voltage : VCEO=-150V. 7.8008.200 Low Output Capacitance : Cob=5.0pF(Max.). High Transition frequency : fT=120MHz (Typ.). 0.6000.800Complementary to KTC3206. 0.350MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.55013.80014.200Symbol Paramete

8.4. Size:1003K kexin kta1021.pdf

DIP Type TransistorsPNP TransistorsKTA1021TO-92M Unit:mm6.0 0.2 Features Excellent hFE Linearity1.0 0.1 1 Watt Amplifier Application0.50 0.1 Complementary to KTC102021 31.50 3.0 0.11.60 (max)Emitter1.2.Collector3.Base4.0(min) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -35

8.5. Size:1386K kexin kta1024.pdf

DIP Type TransistorsPNP TransistorsKTA1024TO-92LUnit:mm4.9 0.2 Features0.7 0.1 High Voltage and High fT Low Output Capacitance0.45 0.1 Comlementary to KTC320621 31.27 2.54 0.11.60 (max)Emitter1.2.Collector3.Base4.0(min) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -150

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Транзистор	Аналог
КТ209	MPS404
КТ368А9	BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ	BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ	BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б	2N2221 2N2222A
КТ3126А	BF506
КТ3127А	2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9	BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9	BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А	2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9	BC847A BC847B BC847C
КТ635Б	2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж	BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г	PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б	2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б	2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б	BC337 BC338

Транзистор	Аналог
КТ668А КТ668Б КТ668В	BC556 BC557 BC558
КТ940А	BF458
КТ940Б КТ940В	BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В	BD139 BD137 BD135
КТ969А	BF469
КТ972А КТ972Б	BD877 BD875
КТ684А КТ684Б КТ684В	BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г	PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е	BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д	SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д	SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г	SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В	SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е	SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I

Транзистор	Аналог
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В	SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В	SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б	2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б	2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б	SS9016D SS9016E
КТ973А КТ973Б	BD878 BD876
KT9116A KT9116Б	TPV-394 TPV-375
KT9133A	TPV-376
KT9142A	2SC3218
KT9150	TPV-595
KT9151A	2SC3812
KT9152A	2SC3660
КТ6136А	2N3906
КТ728А КТ729А	MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ	2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г	BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г	BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г	BD233 BD235 BD237
КТ818Б	TIP42
КТ819Б	TIP41
КТ840А КТ840Б	BU326A BU126

Транзистор	Аналог
КТ856А КТ856Б	BUX48A BUX48
КТ867А	BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г	BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В	BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б	2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В	TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А	2N6388
КТ8107А	BU508A
КТ8109А	TIP151
КТ8110А	2SC4242
КТ8121А	MJE13005
КТ8126А КТ8126Б	MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б	MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1	MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В	TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В	TIP32A TIP32B TIP32C
КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е	SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6137А	2N3904
КТ928А	2N2218
КТ928Б КТ928В	2N2219 2N2219A

Существуют ли аналоги?

Наиболее подходящими аналогами у TDA2030A являются: LM1875 и TDA2050. Это самая популярная замена у радиолюбителей для ремонта компьютерной акустики. Не стоит путать их с другой микросхемой — TDA2030, которая почти полностью совпадает маркировкой, но не является идентичной и имеет более низкие параметры.

Подобрать похожий операционный усилитель из отечественных образцов не удастся, так как таких просто нет.

Схема усилителя низкой частоты. Классификация и принцип работы УНЧ

Стоит так же отметить модификации рассматриваемой микросхемы с вертикальными (TDA2030AL, TDA2030AV) и горизонтальными выводами (TDA2030AH) для монтажа на плату. Кроме физически измененного расположения контактов, они больше ничем не отличаются от оригинала.

Биполярный транзистор KTA1023 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTA1023

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора:

KTA1023
Datasheet (PDF)

..1. Size:5180K jiangsu kta1023.pdf

..2. Size:624K kec kta1023.pdf

..3. Size:232K lge kta1023 to-92l.pdf

..4. Size:58K wietron kta1023.pdf

..5. Size:943K blue-rocket-elect kta1023.pdf

8.1. Size:73K kec kta1021.pdf

8.2. Size:366K kec kta1024.pdf

8.3. Size:223K lge kta1024.pdf

8.4. Size:1003K kexin kta1021.pdf

8.5. Size:1386K kexin kta1024.pdf

Другие транзисторы… KT996B-2
, KT996G-2
, KT996V-2
, KT997A
, KT997B
, KT999A
, KTA1001
, KTA1021
, MD1803DFX
, KTA1024
, KTA1070
, KTA1241
, KTA1266
, KTA1266L
, KTA1267
, KTA1267L
, KTA1268
.

Основные технические характеристики

Кроме выходного напряжения, для стабилизатора важен ток, который он может обеспечить под нагрузкой.

Тип микросхемы	Номинальный ток, А
К(Р)142ЕН1(2)	0,15
К142ЕН5А, 142ЕН5А	3
КР142ЕН5А	2
К142ЕН5Б, 142ЕН5Б	3
КР142ЕН5А	2
К142ЕН5В, 142ЕН5В, КР142ЕН5В	2
К142ЕН5Г, 142ЕН5Г, КР142ЕН5Г	2
К142ЕН8А, 142ЕН8А, КР142ЕН8А	1,5
К142ЕН8Б, 142ЕН8Б, КР142ЕН8Б	1,5
К142ЕН8В, 142ЕН8В, КР142ЕН8В	1,5
КР142ЕН8Г	1
КР142ЕН8Д	1
КР142ЕН8Е	1
КР142ЕН8Ж	1,5
КР142ЕН8И	1
К142ЕН9А, 142ЕН9А	1,5
К142ЕН9Б, 142ЕН9Б	1,5
К142ЕН9В, 142ЕН9В	1,5
КР142ЕН18	1,5
КР142ЕН12	1,5

Этих данных достаточно для предварительного решения о возможности применения того или иного стабилизатора. Если нужны дополнительные характеристики, их можно найти в справочниках или в интернете.

Пошаговая инструкция проверки мультимером

Перед началом проверки, прежде всего определяется структура триодного устройства, которая обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Когда направление стрелки указывает на базу, то это вариант PNP, направление в сторону, противоположную базе, обозначает NPN проводимость.

Проверка мультимером NPN транзистора состоит из таких последовательных операций:

Проверяем обратное сопротивление, для этого присоединяем «плюсовой» щуп прибора к его базе.
Тестируется эмиттерный переход, для этого «минусовой» щуп подключаем к эмиттеру.
Для проверки коллектора перемещаем на него «минусовой» щуп.

Результаты этих измерений должны показать сопротивление в пределах значения «1».

Для проверки прямого сопротивления меняем щупы местами:

«Минусовой» щуп прибора присоединяем к базе.
«Плюсовой» щуп поочередно перемещаем от эмиттера к коллектору.
На экране мультиметра показатели сопротивления должны составить от 500 до 1200 Ом.

Данные показания свидетельствуют о том, что переходы не нарушены, транзистор технически исправен.

Многие любители имеют сложности с определением базы, и соответственно коллектора или эмиттера. Некоторые советуют начинать определение базы независимо от типа структуры таким способом: попеременно подключая черный щуп мультиметра к первому электроду, а красный – поочередно ко второму и третьему.

База обнаружится тогда, когда на приборе начнет падать напряжение. Это означает, что найдена одна из пар транзистора – «база – эмиттер» или «база – коллектор». Далее необходимо определить расположение второй пары таким же образом. Общий электрод у этих пар и будет база.

Categories

BD243C аналог BD243C и TIP41CG

Маркировка транзисторов

Маркировка

Возможности TDA2030

Особенности

История появления транзисторов

KTA1023 Datasheet (PDF)

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Существуют ли аналоги?

Биполярный транзистор KTA1023 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KTA1023 Datasheet (PDF)

Основные технические характеристики

Пошаговая инструкция проверки мультимером

Похожие записи:

Похожие записи:

KTA1023
Datasheet (PDF)