D362 pdf даташит

Транзистор d882 характеристики: аналоги и цоколевка

2SD362 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor 2sd362.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD362DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W(Max)@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 9.1. Size:32K  no 2sd361.pdf

 9.2. Size:210K  inchange semiconductor 2sd365.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD365DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CComplement to Type 2SB512Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier appl

 9.3. Size:212K  inchange semiconductor 2sd363.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD363DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W(Max)@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса: 

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) 
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними. 

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота. 

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы. 

Типы корпусов SMD по названиям 

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам 
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам 
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J  >4, в четыре линии по бокам 
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам 
LQFP  низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFP  пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам 
CQFP  керамический QFP >4, в четыре линии по бокам 
TQFP  тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам 
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA  низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA  корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA  СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA  микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус  

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.  

Биполярный транзистор 2SD362 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD362

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SD362
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor 2sd362.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD362DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W(Max)@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 9.1. Size:32K  no 2sd361.pdf

 9.2. Size:210K  inchange semiconductor 2sd365.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD365DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 2.0ACE(sat) CComplement to Type 2SB512Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier appl

 9.3. Size:212K  inchange semiconductor 2sd363.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD363DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 40W(Max)@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Другие транзисторы… 2SD355
, 2SD356
, 2SD357
, 2SD358
, 2SD359
, 2SD36
, 2SD360
, 2SD361
, D209L
, 2SD362N
, 2SD362O
, 2SD362R
, 2SD363
, 2SD363A
, 2SD363O
, 2SD363R
, 2SD363Y
.

Особенности транзистора D362: стойкость к высоким температурам и малый размер

Транзистор D362 обладает несколькими особенностями, которые делают его экономически выгодным и эффективным для использования в различных электронных устройствах.

Одной из основных особенностей транзистора D362 является его стойкость к высоким температурам. Это позволяет использовать его в условиях, где температура может быть значительно выше обычной, например, в автомобильной промышленности или в промышленности телекоммуникаций. Благодаря этой особенности, транзистор D362 может работать более надежно и дольше, чем другие модели.

Еще одной важной особенностью транзистора D362 является его малый размер. Это делает его идеальным для встраивания в компактные электронные устройства, где каждый миллиметр пространства имеет значение

Малый размер транзистора D362 также позволяет его использование в множестве других областей, где место ограничено, например, в медицинском оборудовании или в светодиодных дисплеях.

В целом, транзистор D362 сочетает в себе стойкость к высоким температурам и малый размер, что делает его привлекательным решением для различных электронных приложений. Он не только обеспечивает надежную и эффективную работу в условиях экстремальных температур, но и позволяет сократить размер и вес устройства, в которое он встраивается, что удовлетворяет требованиям современных технологий и индустрии.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: