Технические характеристики
В техописании интегральной микросхемы TDA2030A указано, что она способна обеспечить большой выходной ток, при этом иметь достаточно низкую гармонику и перекрестные искажения. Внешние диоды защищают от бросков прямого и обратного перенапряжения. Номинальная выходная мощность на один канал составляет до 18 Вт. Устройство может использоваться как с двуполярным, так и однополярным источником питанием. Рассмотрим более подробно его предельно допустимые параметры:
- максимальное напряжение: питания (VS) = ± 22 В; на входе микросхемы (Vi) = ± 22 В; между прямым и инверсным входами (Vdi) = ± 15 В;
- пиковый выходной ток IO = 3,5 А;
- наибольшая мощность рассеивания (при Tк=90 ОС) Ptot = 20 Вт;
- температура хранения и эксплуатации от -40 до +150 ОС.
Максимальное постоянное питающее напряжении TDA2030A может достигать 44 В.
Электрические параметры
Основные электрические характеристики TDA2030A (при VS=±16 В, температуре окружающей среды TA = +25 ОС):
- напряжение питания (VS) от ± 6 до ± 22 В;
- минимальное сопротивлении в нагрузке (RL) — 4 Ом;
- ток покоя (Id) от 50 мА до 80 мА;
- ток смещения на входе Ib (при VS=±22 В) от 0,2 мкА до 2 мкА;
- напряжение смещения на входе Vos (при VS= ±22 В) от ±2 В до ±20 В;
- ток сдвига на входе: от ±20 нА до ±200 нА;
- выходная мощность Po (частота сигнала f от 40 до 15 000 Гц): при RL = 4 Ом — от 15 до 18 Вт; при RL= 8 Ом — от 10 до 12 Вт; при RL= 4 Ом и VS = ± 19 В — от 13 до 16 Вт;
- полоса пропускания BW (при Po = 15 Вт и RL=4) — 100 кГц;
- скорость нарастания SR = 8 В/мкс;
- величина гармонических искажений THD (Po от 0,1 до 14 Вт, f = 40 … 15 000 Гц): при RL= 4 Ом до 0,08%; при RL= 8 Ом до 0,5%;
- отношение сигнал шум: при Po =15 Вт до 106 дБ; Po = 1 Вт до 94 дБ;
- температура отключения при перегреве +145 ОС.
Аналоги
Наиболее подходящими аналогами у TDA2030A являются: LM1875 и TDA2050. Это самая популярная замена у радиолюбителей для ремонта компьютерной акустики. Не стоит путать их с другой микросхемой — TDA2030, которая почти полностью совпадает маркировкой, но не является идентичной и имеет более низкие параметры.
Подобрать похожий операционный усилитель из отечественных образцов не удастся, так как таких просто нет.
Схема усилителя низкой частоты. Классификация и принцип работы УНЧ
Стоит так же отметить модификации рассматриваемой микросхемы с вертикальными (TDA2030AL, TDA2030AV) и горизонтальными выводами (TDA2030AH) для монтажа на плату. Кроме физически измененного расположения контактов, они больше ничем не отличаются от оригинала.
Маркировка
По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.
Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).
Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Производители
Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).
Аналоги транзистор C945
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2DC2412R | Si | NPN | 0.3 | 50 | 0.15 | 180 | 180 | SOT23 | ||||
| 2SC1623RLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 180 | SOT23 |
| 2SC1623SLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412-R | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412-S | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412KRLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412KSLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC945LT1 | Si | NPN | 0.23 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 2.2 | 200 | SOT23 |
| 2SD1501 | Si | NPN | 1 | 70 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||||
| 2STR1160 | Si | NPN | 0.5 | 60 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||
| 50C02CH-TL-E | Si | NPN | 0.7 | 60 | 50 | 5 | 0.5 | 150 | 500 | 2.8 | 300 | SOT23 |
| BRY61 | Si | PNPN | 0.25 | 70 | 70 | 70 | 0.175 | 150 | 1000 | SOT23 | ||
| BSP52T1 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| BSP52T3 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| C945 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| DNLS160 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 1 | 150 | 200 | SOT23 | ||||
| DTD123 | Si | Pre-Biased-NPN | 0.2 | 50 | 0.5 | 150 | 200 | 250 | SOT23 | |||
| ECG2408 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 65 | 0.3 | 150 | 300 | 300 | SOT23 | ||
| FMMT493A | Si | NPN | 0.5 | 60 | 1 | 150 | 500 | SOT23 | ||||
| FMMTL619 | Si | NPN | 0.5 | 50 | 1.25 | 180 | 300 | SOT23 | ||||
| L2SC1623RLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 180 | SOT23 |
| L2SC1623SLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 270 | SOT23 |
| L2SC2412KRLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| L2SC2412KSLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| MMBT945-H | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 200 | SOT23 |
| MMBT945-L | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| NSS60201LT1G | Si | NPN | 0.54 | 60 | 4 | 150 | SOT23 | |||||
| ZXTN19100CFF | Si | NPN | 1.5 | 100 | 4.5 | 150 | 200 | SOT23F | ||||
| ZXTN25050DFH | Si | NPN | 1.25 | 50 | 4 | 200 | 240 | SOT23 | ||||
| ZXTN25100DFH | Si | NPN | 1.25 | 100 | 2.5 | 175 | 300 | SOT23 |
Область применения транзисторов 13001
Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.
- сетевые адаптеры мобильных устройств;
- электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
- электронные трансформаторы;
- другие импульсные устройства.
Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.
Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.
На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.
Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем
При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:
- этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
- собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
- заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.
Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки. Смотрите это видео на YouTube
Смотрите это видео на YouTube
Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.
Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Как работает транзистор и где используется?
Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность
Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора
Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317
Kd503 tesla аналог отечественный
Даже не знаю в каком разделе у нас блоки питания обсуждаются, запостил здесь.
Есть несколько вопросов:1) транзисторы КТ815, КТ818 и другие можно использовать с любыми буквенными коэффициентами?2) Какие нибудь элементы требуют радиатора?3) на вход схемы подавать выпрямленное напряжение сразу после диодного моста?4) На рисунке не видно где транзистор КТ818, он с другой стороны платы?
1 — да2 — КТ8183 — да4 — слева, сверху подписаны выводы E b C
1. Можно и 817 применить4. Его не видно, потому-что он на выносе стоит (на радиаторе), к нему провода с платы должны идти.Хотя скорее всего его там нет, он может быть припаян на плату и прикручиваться к радиатору, вместе с платой.
Если я, к этому БП подключу нагрузку которая кушает 0,5А и выставлю ток ограничения 1А то в случае «сгорания» нагрузки (скажем КЗ в транзисторе), ПБ так и будет ограничивать ток на уровне 1А? Получается он защищает сам себя?
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
выход минуса правильно я указал на печатной плате стрелочкой?если да то автор видать пропустил там сделать контакт.
И второй вопрос можно ли заменить регулирующий транзистор на npn а то pnp трудно найти мощьные.
Присоединённое изображение
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
| QUOTE (Eddy71 @ Oct 21 2009, 09:37 PM) |
| Правильная стрелочка. Я проводок прям к ножке шунта припаял. Транзистор специально pnp поставил, чтобы получить максимально широкий диапазон регулировок. Мощных много подходящих. Достаточно по справочнику глянуть. Даже копеечный КТ837 пойдет. (стоит во всех советских цветных телеках в кадровой развертке) Держит до 7,5А. |
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
В общем вот какой зверь получился.Правда к R4 добавил еще один переменник для более точного выставления напряжения а также индикатор для показаний напряжения и тока на ПВ2.Трансформатор на ТОРе.Габариты получились маленькие.Работой БП удовлетворен.Теперь можно БП-45 спокойно уносить в кладовку.
Присоединённое изображение
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
Почему БП выдаёт максимум 1А?диодный мост и трансформатор 5А.транзистор кт818бм (метал)
Всё сделанно по схеме один к одному. но вот как поднять ток до 3А хотя бы?
to 777Andrej,Уменьши R19 пропорционально, этим ты загрубишь зашиту и сможешь снять необходимый ток, но сначала проверь трансформатор, может он больше не выдает.И в схеме есть проблемки, в регуляторе напряжения не учитывается падение напряжения на токовом датчике R20.
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
Отключил пока токовую защиту.
соеденил колектор VT2 c базой VT1 напрямую.(транзисторы использую кт835б кт818бм кт837К.
чуть дало эффект.
«Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить, а тогда, когда нечего убрать» /Антуан де Сент-Экзюпери/
| QUOTE (Eddy71 @ Nov 8 2009, 02:53 PM) |
| Всётаки в чем-то баг. Сфоткал бы плату с 2-х сторон. Может шунт «земляной» не 0,1 Ом, а больше? |
Ещё раз перемерию каждую детальку.поменя. лм324, и выложу фотку.
насчет R20 то у меня стоят три по 0.27ома паралейно.
и один вопросик. почему когда срабатывает защита по току, трансформатор свистит? ну где то от 3-10кГц?
Проверка мультиметром
С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.
Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп установлен на базе, на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.
На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.
Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
Характеристики
Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.
Максимальные характеристики
Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».
Основные электрические параметры
Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (КШ) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.
Классификация
Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.
Комплементарная пара
У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.
E13005-250 Datasheet (PDF)
1.1. e13005-250.pdf Size:163K _upd
E13005-250
Pb E13005-250 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70
2.1. e13005-225.pdf Size:162K _upd
E13005-225
Pb E13005-225 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70
3.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. ? FEATURES * VCEO(SUS)= 400 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С * Indu
KSE350 Datasheet (PDF)
..1. Size:37K fairchild semi kse350.pdf
KSE350High Voltage General Purpose Applications High Collector-Emitter Breakdown Voltage Suitable for Transformer Complement to KSE340TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage — 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage — 300 V
..2. Size:44K samsung kse350.pdf
KSE350 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH COLLECTOR-EMITTERTO-126SUSTAINING VOLTAGEHIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSEAPPLICATIONSSUITABLE FOR TRANSFORMERComplement to KSE340ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -300 V Collector-Emitter Voltage VCEO -300 V Emitter- Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -500 mA Collect
..3. Size:250K inchange semiconductor kse350.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KSE350DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter breakdown voltageLow Collector Saturation VoltageComplement to Type KSE340Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage general purpose applicationsSuitable for transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
0.1. Size:201K inchange semiconductor kse350j.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KSE350JDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter breakdown voltageLow Collector Saturation VoltageComplement to Type KSE340J100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage general purpose applicationsSuitable for transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Историческая справка
Созданию первого транзистора по планарной технологии способствовали знания и опыт, полученные СССР при разработке интегральных микросхем. Их разработка в 60-е годы велась в НИИ «Пульсар», НИИ-35 и различных опытно-конструкторских бюро на предприятиях советской промышленности. В 1962 году в НИИ «Пульсар» перешли на планарную кремневую технологию, которая в последующем дала жизнь КТ315.
Небольшой временной период от разработки до серийного выпуска этого устройства, позволяет судить о высоком уровне развития электронной промышленности СССР в те времена. Судите сами, на сколько быстро и оперативно это было сделано. В 1966 г. министр энергетической промышленности Шокин А.И. узнал о появлении в США технологии промышленного изготовления транзисторов по планарной технологии. Уже в 1967 г. Фрязинский завод полупроводниковых приборов так же начинает выпускать первый в СССР высокочастотник в пластиковом корпусе, по аналогичной технологии – КТ315.
В 1968 г. начался выпуск первого электронного калькулятора — «Электроника-68», в котором насчитывалось около 400 транзисторов данного вида. А к 1973 он стал основой для разработки более 20 подобных полупроводниковых устройств. Примерно до начала 90-х годов КТ315 оснащалась почти вся отечественная электроника, так как, несмотря на свою дешевизну, он получился весьма надежным и технологичным. В настоящее время, в мире насчитывается более 7 миллиардов этих транзисторов. Они были выпущены не только в нашей стране, но и за рубежом по государственной лицензии от СССР.
Советуем Вам проверить информацию о содержании драгоценных металлов в КТ315, так как некоторые модели могут иметь ценность даже в нерабочем состоянии, особенно продукция старого образца.