Характеристики транзистора кт940а

Содержание драгметаллов

Извлечение драгметаллов из радиокомпонентов — процесс довольно трудоёмкий и опасный, т.к. в большинстве случаев в домашних условиях для этого используют очень сильные кислоты. Что касается Транзистора КТ808А, то в различных справочниках информация о содержании серебра и золота в нем разнится. Видимо это связано с тем, что с течением времени в технологию изготовления вносились изменения. В представленном ниже фрагменте этикетки указаны следующие значения: золото — 0,014763г. , серебро — 0,058677г. Это не самые большие показатели, встречаются компоненты и с большим содержанием ценных металлов.

Подключение и монтаж транзистора А940

Для подключения и монтажа транзистора А940 необходимо соблюдать определенные правила и рекомендации. Неправильное подключение может привести к повреждению устройства, а также снизить его эффективность и надежность.

Перед началом работы следует убедиться, что все необходимые компоненты и инструменты готовы:

• Транзистор А940
• Распаячная паста
• Кусачки
• Паяльник
• Паяльная проволока
• Паяльная станция или паяльник с терморегулятором
• Флюс
• Держатель для транзистора (если требуется)

Перед подключением транзистора А940 необходимо провести замены и проверки:

1. Отсоединить электропитание от устройства и выключить его.
2. Проверить целостность и исправность транзистора А940 и его контактов.
3. Если требуется заменить транзистор, аккуратно отпаять старый транзистор, отчистить пайку, каплюфторовых кислот или иные загрязнения от пайки. Распаяйте напильником металлические ножики на ночь. Нанесите припой на разъемы транзистора и аккуратно впаяйте его на свои места, прижимая его к плате.
4. Если требуется, установите на транзистор держатель, чтобы легко менять его при необходимости.

При подключении транзистора А940 следует учитывать его цоколевку. Необходимо правильно соединить каждый контакт транзистора с соответствующим контактом цепи.

По окончанию монтажа и подключения транзистора А940 необходимо проверить работоспособность всего устройства и убедиться, что все соединения надежно закреплены и не соприкасаются друг с другом.

Соблюдение этих рекомендаций поможет избежать ошибок при подключении и монтаже транзистора А940, а также гарантирует его надежность и долговечность.

A940 Datasheet (PDF)

0.1. 2sa940a.pdf Size:165K _toshiba

0.2. ksa940.pdf Size:59K _fairchild_semi

KSA940Vertical Deflection Output Power Amplifier Complement to KSC2073TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage — 150 VVCEO Collector-Emitter Voltage — 150 VVEBO Emitter-Base Voltage — 5 VIC Collector Current — 1.5 AIB Base Curr

 0.3. dsa9402.pdf Size:434K _panasonic

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSA9402Silicon PNP epitaxial planar typeFor general amplification Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1. Base Packaging 2

0.4. csa940 csc2073.pdf Size:204K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package CSA940, CSC2073CSA940 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORCSC2073 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORPower Amplifier Applications and Vertical Output ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.B EFA 14.42 16.51B 9.6

 0.5. 2sa940.pdf Size:197K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA940 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC2073 APPLICATIONS Power amplifier applications Vertical output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Col

0.6. 2sa940.pdf Size:223K _lge

2SA940(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Wide safe Operating Area. Complementary to 2SC2703 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Paramenter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -150 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Co

0.7. a940.pdf Size:280K _fgx

A940PNP silicon APPLICATIONLow Noise Audio Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage -150 VVCBOCollector-emitter voltage -150 VVCEOTO-2201Emitter-base voltage -5 VVEBO1.Base 2.Collector 3.EmitterCollector current -1.5 AICBase current -0.5 AIBC

0.8. ha940.pdf Size:139K _shantou-huashan

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HA940 APPLICATIONS Vertical Deflection Output Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

0.9. 2sa940a 3ca940a.pdf Size:227K _china

2SA940A(3CA940A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. : 2SC2073A(3DA2073A) Features: Complementary to 2SC2073A(3DA2073A). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -150 V CBO V -1

0.10. 2sa940 3ca940.pdf Size:375K _lzg

2SA940(3CA940) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. : 2SC2073(3DA2073) Features: Complementary to 2SC2073(3DA2073). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -150 V CBO V -150 V

0.11. 2sa940.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA940DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -150V(Min)(BR)CEODC Current Gain: h = 40-140@ I = -0.5AFE CComplement to Type 2SC2073Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier ,vertical output applications.ABSOLUTE

0.12. ksa940tu.pdf Size:190K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor KSA940TUDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -150V(Min)DC Current Gain: hFE= 40-140@ IC= -0.5AComplement to Type KSC2073TUMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier ,vertical output app

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Characteristics curves of A940 transistor

static characteristic of the A940 transistor

The figure shows the static characteristic of the A940 transistor device, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the collector current increases to the maximum with respect to the collector-to-emitter voltage.

DC current gain characteristic of the A940 transistor

The figure shows the DC current gain characteristic of the A940 transistor, the plots with DC current gain vs collector current.

At constant voltage values, the gain value increases from a particular value and touches a higher value then decreases towards a lower value with respect to the collector current value.

safe operating area characteristics of the A940 transistor

The figure shows the safe operating area characteristics of the A940 transistor, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage and switching speed and temperature value.

A940 vs 2SA740 vs 2SA1079

Here in the table below, we listed and compare A940 vs 2SA740 vs 2SA1079 transistor devices, this comparison is very useful for a better understanding of the transistors.

Characteristics	A940	2SA740	2SA1079
Collector to emitter voltage (VCE)	-150V	-150V	-160V
Collector to base voltage (VCB)	-150V	-150V	-160V
Emitter to base voltage (VEB)	-5V	-5V	-7V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	-1.5V	-1.5V	-1.0V
Collector current (IC)	-1.5A	-1.5A	-2A
Power dissipation	1.5W	1.5W	25W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-65 to +150°C
Transition frequency (FT)	4MHz	8MHz	140MHz
Gain (hFE)	55hFE	40 to 140hFE	60 to 350hFE
Package	TO-220C	TO-220	TO-220C

ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ

Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.

На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…

Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.

Применение транзистора А940 в электронике

• Усилитель: Транзистор А940 может использоваться в различных усилительных схемах, таких как усилители мощности и усилители звуковых сигналов. Благодаря своей способности работать с высокими токами и мощностями, он может усилить слабый сигнал и преобразовать его в более сильный и устойчивый сигнал.
• Переключатель: В схемах электронных переключателей, транзистор А940 может использоваться для управления потоком электрического тока. Он может быть использован для переключения различных устройств или схемы на выход и на вход в зависимости от применения.
• Источник питания: Транзистор А940 может быть использован для создания источников питания с постоянным током. Он может быть включен в схему стабилизатора напряжения или в другие схемы, которые требуют стабильного постоянного тока.
• Импульсное устройство: Из-за своей способности работать с большими токами и мощностями, транзистор А940 может быть использован в импульсных схемах, таких как импульсные источники питания или импульсные преобразователи. Он может обеспечить стабильный выходной импульсный ток в зависимости от заданных параметров схемы.

Применение транзистора А940 в электронике может быть особенно полезным в схемах, которые требуют высокой эффективности и надежности. В связи со своими характеристиками, транзистор А940 может быть идеальным выбором для различных электронных проектов и устройств.

ТУТ ВИДЕО

Совсем не дурно, почти hi-end! На самом деле если ориентироваться только по КНИ, то этот усилитель полноценный HI-END, но для хай-энда этого не достаточно, поэтому его отнесли к старому и доброму разряду hi-fi. Несмотря на то, что усилитель развивает всего 100 ватт, он на порядок сложнее аналогичных схем, но сама сборка не составит труда при наличии всех компонентов. Отклонять номиналы схемы не советую — мой опыт это подтверждает.

Маломощные транзисторы в ходе работы могут перегреваться, но волноваться не стоит — это их нормальный режим работы. Выходной каскад, как уже сказал, работает в классе АВ, следовательно, выделятся огромное количество тепла, которое нужно отводить. В моем случае они укреплены на общий теплоотвод, которого более, чем достаточно, но на всякий случай, имеется также и активное охлаждение.

После сборки нас ждет первый запуск схемы. Для этого советую еще раз прочитать запуск и настройку Ланзара — тут все делается точно таким же образом. Первый запуск делаем с закороченной на землю входом, если все ОК, то размыкаем вход и подаем звуковой сигнал. К тому времени все силовые компоненты должны быть укреплены на теплоотвод, а то восхищаясь музыкой можете не заметить, как дымят ключи выходного каскада — каждый из них стоит очень и очень.

Мы наконец заставили достойно звучать наш усилитель домашней аудиосистемы, проверили его работоспособность, оценили качество звука основного канала. Самое время добавить в него модуль защиты от случайных замыканий, чтоб вся работа не пошла лесом, из-за неизбежных случайностей в процессе его эксплуатации. Также соберём остальные маломощные каналы УНЧ, для подключения тыловых колоночек.

ОПЛЕУХА МИКРОСХЕМАМ

   Оплеуха микрухам – не самый простой, но высококачественный усилитель мощности НЧ. Усилитель способен развивать максимальную выходную мощность в 130 ватт и работает в довольно широком диапазоне входного напряжения. Выходной каскад усилителя построен на паре 2sa1943 2sc5200 и работает в режиме АВ. Эта версия, автором была разработана в этом году, ниже ее основные параметры. 

 Диапазон питающих напряжений = +/- 20В … +/- 60В

 Номинальное напряжение питания (100Вт, 4 Ом) = +/- 36В

 Номинальное напряжение питания (100Вт, 8 Ом) = +/- 48В

   С мощностью все понятно, а что со стороны искажений? 

 THD+N (при Pвых<=60Вт, 20кГц) <= 0,0009%

 THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 0,003%

 THD+N (при максимальной выходной мощности, 20кГц) = 0,008%

   Детали, используемые в этом модуле – подстроечные резисторы, маломощные и среднемощные транзисторы:

КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные

Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:

1. Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
2. Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
3. Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
4. Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.

Технические характеристики

В начале технического описания производитель приводит предельно допустимые параметры. Эти данные играют большую роль при выборе транзистора, так как даже при кратковременном превышении данных значений транзистор может выйти из строя. Также недопустима долговременная работа прибора в условиях, когда рабочие характеристики равны максимальным.

После предельно допустимых параметров в технической документации на прибор обычно идут электрические характеристики KT940А. В таблице ниже приведены эти значения при температуре +25 ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».

От чего зависит мощность схемы

У этой схемы есть ограничения. Можно поменять VT1 КТ315 на более мощный, у которого коэффициент усиления будет выше, но этот лимит усиления не бесконечный.

В первую очередь, все зависит от используемого транзистора. Если поменять его на более мощный, то и усиление будет выше. Но следует помнить, что чем мощнее транзистор, тем мощнее нужен входной сигнал. К тому же, придется сделать перерасчет всех компонентов. И подключать предусилитель, собирать схему блока питания, а это уже будет совсем другая схема.

У транзисторов есть ряд параметров, которые влияют на схему. Это коэффициент усиления по току (h21э), напряжению, мощности. А также важный параметр — это рассеиваемая мощность на коллекторе. С повышением мощности потребуется радиатор для отвода тепла.

Биполярный транзистор 2SA940 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA940

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора:

2SA940
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  jiangsu 2sa940.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA940 TRANSISTOR (PNP) TO-220-3L1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Wide Safe Operating Area. 3. EMITTER Complementary to 2SC2703 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Paramenter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -150 V VCEO Collector-Emitter Voltage -15

 ..2. Size:197K  jmnic 2sa940.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA940 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC2073 APPLICATIONS Power amplifier applications Vertical output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Col

 ..3. Size:223K  lge 2sa940.pdf

2SA940(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Wide safe Operating Area. Complementary to 2SC2703 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Paramenter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -150 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Co

 ..4. Size:375K  lzg 2sa940 3ca940.pdf

2SA940(3CA940) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. : 2SC2073(3DA2073) Features: Complementary to 2SC2073(3DA2073). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -150 V CBO V -150 V

 ..5. Size:1966K  jsmsemi 2sa940.pdf

2SA940PNP / Descriptions TO-220 PNP Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features PIN1Base PIN 2Collector 1 2SC2073 2 3 PIN 3Emitter Complementary to 2SC2073. / Applications Power amplifier applications, vertical ou

 ..6. Size:422K  cn sptech 2sa940.pdf

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA940DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -150V(Min)(BR)CEODC Current Gain: h = 40-140@ I = -0.5AFE CComplement to Type 2SC2073APPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier ,vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 ..7. Size:201K  inchange semiconductor 2sa940.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA940DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -150V(Min)(BR)CEODC Current Gain: h = 40-140@ I = -0.5AFE CComplement to Type 2SC2073Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier ,vertical output applications.ABSOLUTE

 0.1. Size:165K  toshiba 2sa940a.pdf

 0.2. Size:227K  china 2sa940a 3ca940a.pdf

2SA940A(3CA940A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. : 2SC2073A(3DA2073A) Features: Complementary to 2SC2073A(3DA2073A). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -150 V CBO V -1

 0.3. Size:1295K  cn sps 2sa940t1tl.pdf

2SA940T1TLSilicon PNP Power TransistorDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -150V(Min)(BR)CEODC Current Gain: h = 40-140@ I = -0.5AFE CComplement to Type 2SC2073APPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier ,vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage —

Другие транзисторы… 2SA936
, 2SA937
, 2SA937LN
, 2SA937M
, 2SA937MLN
, 2SA938
, 2SA939
, 2SA94
, 13001-A
, 2SA941
, 2SA942
, 2SA949
, 2SA949O
, 2SA949Y
, 2SA95
, 2SA950
, 2SA950O
.

Применение. Блок питания 5…12 вольт

Данный БП подойдёт для питания приборов, имеющих небольшую мощность, например часов или радиоприемников. И хоть он проигрывает в мощности, его фишка в размерах. Всю конструкция свободно можно разместить внутри корпуса сетевой вилки.

Данный прибор питается переменным напряжением от 100 до 250 вольт, частотой от 50 до 500 герц. На его выходе, подбирая стабилизатор, можно добиться постоянного напряжения от 5 до 12 вольт. При напряжении на выходе равном 5 вольт, его номинальный ток нагрузки равен 20 мА. А максимальный ток, при том же напряжении на выходе равен 100 мА.

На изображении ниже приведём схему. Опишем её работу: Напряжение сети через диодный мост, обозначенный на рисунке VD1, поступает на делитель, состоящий из трёх резисторов R1, R3, R4, а с него на базу VT2. Одновременно через R2 напряжение подаётся на базу составного устройства состоящего из двух приборов VT4 и VT5.

В начале полупериода, до тех пор, пока разность потенциалов в общей точке коллекторов устройств VT1 и VT3 по отношению к эмиттеру прибора VT2 не будет больше 100 вольт, VT2 будет находиться в закрытом состоянии. При этом составной прибор VT4, VT5 будет открыт. В этот момент времени через переход эмиттер – коллектор открытого VT5, R1 и R10 электролитический конденсатор С1 заряжается.

При превышении напряжения в заданной точке предела 100 вольт происходит открытие VT2 и эмиттерный переход устройств VT4 и VT5 шунтируется и конденсатор С1 начинает разряжаться. Энергия разряда используется для питания автогенератора собранного на VT1 и VT3. Его частота примерно равна 60 Гц.

Стабилитрон VD4 ограничивает ток коллектора транзистора VT5 в момент включения.

На вторичной обмотке трансформатора Т1 появляется напряжение величиной 7 вольт, которое выпрямляется двумя диодами VD2 и VD3, после чего сглаживается электролитическим конденсатором С2. Установленный на выходе стабилизатора DA1 конденсатор С3 предназначен для уменьшения высокочастотных пульсаций.

В Т1 использованы два кольца из феррита марки 2000НМ. Их габариты К10х8х3. Обмотки номер 1-2 и 4-5 намотаны проводом ПЭВ-1-0,1 и имеют по 8 витков каждая. Этим же проводом намотаны 200 витков каждой из обмоток 2-3 и 3-4. Проводом ПЭВ-1-0,17 намотаны 6-7 и 7-8. В зависимости от выдаваемого напряжения эти обмотки имеют разное количество витков. Для 5 вольт нужно 14 витков, для 9 вольт – 22 витка, для 12 вольт – 28 витков.

Усилитель 200 Вт — простой и надежный аппарат

Желающим повторить эту схему, есть широкое поле для ее усовершенствования, например: вместо УД7 можно поставить более быстрый ОУ. Можно поднять мощность на выходе, увеличив при этом количество транзисторов в выходном тракте и подняв напряжение питания до 70v. Этот вариант может гарантировать мощность на выходе до 450 Вт. Так, что с этой схемой можно смело экспериментировать.

Мощные транзисторы в оконечном тракте необходимо монтировать на радиаторе. Теплоотвод по площади своего сечения, должен быть достаточно большим. То есть, чтобы мог эффективно рассеивать тепло выделяемое транзисторами в выходном тракте с некоторым запасом. Выходные транзисторы крепить к радиатору обязательно нужно через изолирующие прокладки с использованием теплопроводной пасты, например: КПТ-8.

В приложении ниже, находятся печатная плата на восьми транзисторах и принципиальная схема:

Оконечный усилитель на 200 Вт

Резисторы: R1 R11 =1к R2 = 36 кОм R3 = 240 Ом R4 R5 = 330 Ом R6 R7 = 20 кОм R8R9 = 3.3кОм.5w R10 = 27 Ом 2w R12 R13 R14 R15 = 0.22 Ом 5w R16 = 10 кОм

Конденсаторы: С1 = О.ЗЗ мкФ С2=180 пФ СЗ С4= 10 мкФ 25v С5 С6 = 0.1 мкФ С7 = 0.1 мкФ С8 = 0.22 мкФ С9-С10 = 56 пФ

Транзисторы: VD1 VD2 = KC515A VT1 = КТ815Г VT2 = КТ814Г VT3VT5VT…= 2SA1943 VT4 VT6 VT…= 2CA5200

Вместо выходных транзисторов указанных в схеме, можно поставить комплементарные транзисторы советского производства КТ8101А и КТ8102А. Использовать их можно в любом количестве.

Источник

Транзисторы КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, 2Т808А.

Т ранзисторы КТ808, 2Т808А — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Маркировка буквенно — цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус — T03.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): У транзисторов КТ808А, 2Т808 — 50 Вт с радиатором и 5 Вт — без. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 60 Вт с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, — 120 в, пульсирующее — 250 в. У транзисторов 2Т808А — 200 в, пульсирующее — 300 в. У транзисторов КТ808БМ — 100 в, пульсирующее — 160 в. У транзисторов КТ808ВМ — 80 в, пульсирующее — 135 в. У транзисторов КТ808ГМ — 70 в, пульсирующее — 80 в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — 4 в.

Максимальный ток коллектора — импульсный 10 А.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов КТ808А, 2Т808 — от 10 до 150, при типовом значении — 15. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — от 20 до 125

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию — не более 3 мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор — эмиттер 200 в и у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор — эмиттер 120 в. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 2мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 мА.

Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А — не более — 2,5 В.

Граничная частота передачи тока: У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 8МГц. У транзисторов КТ808А, 2Т808А — 7,5МГц.

Рекомендации по использованию и подключению транзистора А940

Для правильного использования транзистора А940 и подключения к схемам, рекомендуется следовать данной информации:

Подключение питания: транзистор А940 имеет три вывода — эмиттер (E), коллектор (С) и базу (В). Вывод эмиттера (E) транзистора должен быть подключен к нулевой шине или катоду источника питания, а вывод коллектора (С) — к положительному полюсу источника питания

Вывод базы (В) подключается к управляющему напряжению или сигналу, которые необходимо усилить или переключить.
Расчет резисторов: при проектировании и использовании схемы с транзистором А940 важно правильно выбрать значения базового и коллекторного резисторов. Расчет этих резисторов осуществляется с учетом требований по токам базы и коллектора, характеристикам самого транзистора и требуемому усилению или переключению сигнала

Для получения нужного значения тока базы и коллектора используются формулы, указанные в документации.
Теплоотвод: транзистор А940 имеет высокую мощность и может нагреваться в процессе работы. Для обеспечения нормальной работы и длительного срока службы транзистора, необходимо предусмотреть эффективное охлаждение. Можно использовать радиатор или другие методы охлаждения.
Защита транзистора: для предотвращения возможного повреждения транзистора А940, рекомендуется использовать защитные элементы, такие как диоды-связки, предохранители и т.д. Это поможет предотвратить перенапряжение и перенагревание транзистора.

Следование этим рекомендациям поможет обеспечить надежность и стабильность работы транзистора А940 в использованных схемах.