Что представляет собой данный элемент электрических схем
Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона
Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.
Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.
Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики. Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен. Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния. Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:
- UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
- ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
- IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
- IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
- IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.
Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.
↑ Техническое задание
Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п.
Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.
Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.
Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.
Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.
Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.
Технические характеристики
Информация по всем эксплуатационным параметрам взята из datasheet на 2n60b компании Fairchild Semiconductor. Значения характеристик представлены для устройств обоих типов корпусного исполнения. Производитель, в своём технической документации, указал их с учётом возможной температуры кристалла (TC) не превышающей +25°С.
Максимальные параметры
Максимальные характеристики для 2n60b (при ТС=+25°С):
- напряжение между стоком и истоком VDSS = 600 В;
- постоянный ток идущий через сток: при TC=25°C ID = 2.0 A; при TC =100°C ID = 1.3 A.
- импульсный ток стока IDM = 6.0 A;
- напряжение между затвором и истоком VGSS = ±30 В;
- энергия одного импульса EAS =120 мДж;
- ток лавинного пробоя IAR = 2.0 A;
- энергия серии импульсов EAR = 5,4 мДж;
- скорость восстановления диода dv/dt = 5,5 В/нс;
- мощность рассеивания: PD = 3,13 Вт (TA = 25°C); PD = 54 Вт (TC = 25°C);
- диапазон рабочих температур Tstg 55°C … +150°C;
- нагрев контактов при пайке TL до 300°C.
Превышение максимальных параметров может привести к выходу устройства из строя или значительно сократить сроки его полезного использования.
Электрические параметры
Рассмотрим электрические (номинальные) параметры MOSFET-транзистора 2N60B (на русском). Условия их измерений представлены в отдельном столбце. Все значения действительны для температуры ТС не более +25°С.
Аналоги
Полных аналогов 2N60B не существует. В настоящее время его можно поменять на более современные и лучшие по параметрам транзисторы. Например, такие: STP3NK60Z, STP3NK60ZFP, STB3NK60Z, STD3NK60Z, 2SK3767. Или более мощные: 4N60, 6N60, 10N60. При этом стоит учитывать, что расположение выводов и корпуса некоторых из указанных устройств могут быть другими. В любом случае перед заменой необходимо ознакомиться с их datasheet.
Маркировка irfz44n
Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.
Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.
В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.
IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.
Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1711
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
2N1711
Datasheet (PDF)
..1. Size:623K rca 2n1711.pdf
..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit
..3. Size:46K st 2n1711.pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..4. Size:47K st 2n1711 .pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf
http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com
..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE
..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf
9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.
Размеры и типы корпусов SMD-компонентов
Поверхностный монтаж — технология изготовления электронных изделий на печатных платах, которую также называют ТМП (технология монтажа на поверхность), SMT (англ. surface mount technology) и SMD-технология (от англ. surface mounted device — прибор, монтируемый на поверхность).
Электронные компоненты для поверхностного монтажа («чип-компоненты» или SMD-компоненты) выпускаются различных размеров и в разных типах корпусов. Таблица типоразмеров и SMD-корпусов поможет быстро получить необходимые данные.
Размеры и типы корпусов SMD-компонентов
Двухконтактные компоненты: прямоугольные, пассивные (резисторы и конденсаторы)
Обозначение типоразмера состоит из четырех цифр. Две первые соответствуют округленно длине L в принятой системе измерения (либо метрической, либо дюймовой), а две последние — ширине W.
| Типоразмер (дюймовая система) | Типоразмер (метрическая система) | Размер (мм) |
| 008004 | 0201 | 0.25×0.125 |
| 009005 | 03015 | 0.3×0.15 |
| 01005 | 0402 | 0.4×0.2 |
| 0201 | 0603 | 0.6×0.3 |
| 0402 | 1005 | 1.0×0.5 |
| 0603 | 1608 | 1.6×0.8 |
| 0805 | 2012 | 2.0×1.25 |
| 1008 | 2520 | 2.5×2.0 |
| 1206 | 3216 | 3.2×1.6 |
| 1210 | 3225 | 3.2×2.5 |
| 1806 | 4516 | 4.5×1.6 |
| 1812 | 4532 | 4.5×3.2 |
| 1825 | 4564 | 4.5×6.4 |
| 2010 | 5025 | 5.0×2.5 |
| 2512 | 6332 | 6.3×3.2 |
| 2725 | 6863 | 6.9×6.3 |
| 2920 | 7451 | 7.4×5.1 |
Двухконтактные компоненты: цилиндрические, пассивные (резисторы и диоды) в корпусе MELF
| корпус | размеры (мм) и другие параметры |
| Melf (MMB) 0207 | L = 5,8 мм, Ø = 2,2 мм, 1,0 Вт, 500 В |
| MiniMelf (MMA) 0204 | L = 3,6 мм, Ø = 1,4 мм, 0,25 Вт, 200 В |
| MicroMelf (MMU) 0102 | L = 2,2 мм, Ø = 1,1 мм, 0,2 Вт, 100 В |
Двухконтактные компоненты: танталовые конденсаторы
| тип | размеры (мм) |
| A (EIA 3216-18) | 3,2 × 1,6 × 1,6 |
| B (EIA 3528-21) | 3,5 × 2,8 × 1,9 |
| C (EIA 6032-28) | 6,0 × 3,2 × 2,2 |
| D (EIA 7343-31) | 7,3 × 4,3 × 2,4 |
| E (EIA 7343-43) | 7,3 × 4,3 × 4,1 |
Двухконтактные компоненты: диоды (англ. small outline diode, сокр. SOD)
| обозначение | размеры (мм) |
| SOD-323 | 1,7 × 1,25 × 0,95 |
| SOD-123 | 2,68 × 1,17 × 1,60 |
Трёхконтактные компоненты: транзисторы с тремя короткими выводами (SOT)
| обозначение | размеры (мм) |
| SOT-23 | 3 × 1,75 × 1,3 |
| SOT-223 | 6,7 × 3,7 × 1,8 |
| DPAK (TO-252) | корпус (трёх- или пятиконтактные варианты), разработанный компанией Motorola для полупроводниковых устройств с большим выделением тепла |
| D2PAK (TO-263) | корпус (трёх-, пяти-, шести-, семи- или восьмивыводные варианты), аналогичный DPAK, но больший по размеру (как правило габариты корпуса соответствуют габаритам TO220) |
| D3PAK (TO-268) | корпус, аналогичный D2PAK, но ещё больший по размеру |
Многоконтактные компоненты: выводы в две линии по бокам
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| ИС — с выводами малой длины (англ. small-outline integrated circuit, сокращённо SOIC) | 1,27 |
| TSOP — (англ. thin small-outline package) тонкий SOIC (тоньше SOIC по высоте) | 0,5 |
| SSOP — усаженый SOIC | 0,65 |
| TSSOP — тонкий усаженый SOIC | 0,65 |
| QSOP — SOIC четвертного размера | 0,635 |
| VSOP — QSOP ещё меньшего размера | 0,4; 0,5 или 0,65 |
Многоконтактные компоненты: выводы в четыре линии по бокам
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| PLCC, CLCC — ИС в пластиковом или керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | 1,27 |
| QFP — (англ. quad flat package) — квадратные плоские корпусы ИС | разные размеры |
| LQFP — низкопрофильный QFP | 1,4 мм в высотуразные размеры |
| PQFP — пластиковый QFP (44 или более вывода) | разные размеры |
| CQFP — керамический QFP (сходный с PQFP) | разные размеры |
| TQFP — тоньше QFP | тоньше QFP |
| PQFN — силовой QFP | нет выводов, площадка для радиатора |
Многоконтактные компоненты: массив выводов
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| BGA — (англ. ball grid array) — массив шариков с квадратным или прямоугольным расположением выводов | 1,27 |
| LFBGA — низкопрофильный FBGA, квадратный или прямоугольный, шарики припоя | 0,8 |
| CGA — корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | разные размеры |
| CCGA — керамический CGA | разные размеры |
| μBGA — (микро-BGA) — массив шариков | расстояние между шариками менее 1 мм |
| FCBGA — (англ. flip-chip ball grid array) массив шариков на подложкек подложке припаян кристалл с теплораспределителем | разные размеры |
| PBGA — массив шариков, кристалл внутри пластмассового корпуса | разные размеры |
| LLP — безвыводный корпус | — |
Похожие материалы:
2N6287 Datasheet PDF — Motorola Semiconductors
| Part Number | 2N6287 | |
| Description | (2N6282 — 2N6287) DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
| Manufacturers | Motorola Semiconductors | |
| Logo | ||
|
There is a preview and 2N6287 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 6 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
www.DataSheet4U.com • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6282, 2N6285 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6283, 2N6286 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎVCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6284, 2N6287 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎΕ Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ*MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎRating ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector–Emitter Voltage ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector–Base Voltage ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎEmitter–Base Voltage ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector Current — Continuous Peak ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎBase Current ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTotal Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_ C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎOperating and Storage Junction ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTemperature Range 2N6282 2N6283 2N6284 W/_ C _C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ*THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCharacteristic ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎThermalResistance, Junction to Case Symbol RθJC Max _ C/W * Indicates JEDEC Registered Data. 0 25 50 75 100 125 150 175 200 TC, CASE TEMPERATURE (°C) Figure 1. Power Derating Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. MMoototorroollaa, IBncip. 1o9la95r Power Transistor Device Data Order this document 2N6287 * *Motorola Preferred Device |
|
++ 4.0 + 3.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE @ VCE ++ 4.0 + 3.0 *APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE @ VCE + 2.0 25°C to 150°C + 1.0 – 55°C to + 25°C + 2.0 25°C to 150°C + 1.0 – 55°C to + 25°C – 1.0 *θVC for VCE(sat) – 2.0 – 3.0 θVB for VBE 25°C to + 150°C – 4.0 – 55°C to + 25°C 5.0 7.0 10 – 1.0 *θVC for VCE(sat) – 2.0 25°C to + 150°C – 3.0 θVB for VBE – 4.0 – 55°C to + 25°C 5.0 7.0 10 104 VCE = 30 V 103 TJ = 150°C 102 100°C VCE = 30 V TJ = 150°C 101 100 100°C 101 25°C 10–1 10–2 25°C 10–3 8.0 k 60 PNP 8.0 k 60 EMITTER Preview 5 Page |
NPN|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2N6287 electronic component. |
| Information | Total 6 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Мощность рассеивания стабилитрона
Мощность рассеивания стабилитрона Pст характеризует его способность не перегреваться выше определенной температуры на протяжении длительного времени. Чем выше значение Pст, тем больше тепла способен рассеять полупроводниковый прибор. Мощность рассеивания рассчитывается для самых неблагоприятных условий работы прибора, поэтому в ниже приведенную формулу подставляют максимально возможное в работе Uвх и наименьшие значения Rб и Iн:
Существует ряд стандартных номиналом по данному параметру: 0,3 Вт, 0,5 Вт, 1,3 Вт, 5 Вт и т.п. Чем больше Pст, тем больше габариты полупроводникового прибора.
Зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора
График отображает зависимость коэффициента усиления транзистора по току (hfe) от тока коллектора (Ic). Большую наглядность добавляет наложение нескольких кривых на один рисунок. На их положение влияют дополнительные параметры:
- Тj – рабочая температура (градусы Цельсия);
- Ic – ток коллектора (mA).
Хорошо видно, что все зависимости объединены в три пары. Положение линии в паре определяет дискретное изменение значения напряжения коллектор-эмиттер: 1,0/-5,0 V. Пары на рисунке располагаются в зависимости от изменения рабочей температуры, с шагом: -55, 25 и 125 градусов Цельсия. Анализируя взаимное расположение кривых и их форму на графике, можно сделать следующие выводы:
- активный радиокомпонент находится в рабочем состоянии в диапазоне температур, не менее чем от -55 до 125 градусов Цельсия;
- нагревание корпуса транзистора увеличивает его коэффициент усиления, причем эта зависимость (hfe от Тj) имеет нелинейную форму.
В целом, видно, что транзистор обладает усилительными свойствами во всем диапазоне изменений коллекторного тока, от 0 до 100mA. Зависимость имеет плавно изменяющуюся форму, с явно видимыми спадами в районе малых токов и при приближении к максимальному значению, -100mA. Уменьшение коэффициента усиления имеет сложное физическое обоснование и объясняется структурными изменениями режимов работы полупроводниковых переходов транзистора.
Транзистор 2n5401 может применяться как активный усилительный элемент для качественного усиления электрических сигналов или переключатель для дискретного снятия/подачи напряжения.
Модификации и группы транзисторов TIP42C
| Модель | PC, TC=25°C | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| TO-220AB | ||||||||||
| TO-220C | ||||||||||
| TIP42C | 25 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220IS |
| TIP42CG/L | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| 300 | 15…75 | TO-263 | ||||||||
| TIP42CG/L | 22 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220F |
| TIP42CG/L | 20 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-252 |
| STTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| HTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| TIP42E | 65 | 180 | 140 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220C |
| TIP42F | 65 | 200 | 160 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220C |
| TIP42P | 100 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-3P |
Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.
Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:
— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:
- TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
- TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
- TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.
— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:
- TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
- TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
- TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.
Пайка чип-компонентов
В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.
Печатные платы современного вида выглядят не так, как их предшественницы. Практически исчезли знакомые детали с ножками, вставленными в отверстия. Их заменили совсем крошечные компоненты, припаянные поверх платы к специально созданным контактным площадкам. Они именуются SMD (англ. Surface Mounted Device, или устройство, монтируемое на поверхность).
Такие детали намного удобнее — исключается целая и весьма точная операция сверления отверстий при изготовлении платы, достигается компактность. При этом, миниатюрный размер не позволяет нанести на них подробное и привычное наименование. Маркировка SMD диодов выполнена в виде кодовых обозначений, о которых надо поговорить подробнее.
Смд транзистор 662к даташит
Характеристики транзистора 662к:
- Тип корпуса: SOT-23;
- Максимальный ток коллектора: 100 мА;
- Максимальное напряжение коллектора: 45 В;
- Максимальная мощность рассеивания: 200 мВт;
- Граничная частота: 200 МГц;
- Параметры h-параметров, которые позволяют оценить усилительные и коммутационные свойства транзистора.
Распиновка транзистора 662к:
1 — эмиттер;
2 — база;
3 — коллектор.
Транзистор 662к имеет аналоги, которые также могут использоваться в электрических схемах:
- BC847;
- MMBT3904;
- 2N3904.
Смд транзистор 662к является надежным и универсальным элементом, который может применяться в различных областях, включая радиоэлектронику и телекоммуникации.