2n3904 transistor pinout, datasheet, specs & equivalent

Summary

The datasheet of the transistor 2N3904 can be summarized as follows:

Absolute Maximum Ratings:

Collector-Emitter Voltage: 40 V
Collector-Base Voltage: 60 V
Emitter-Base Voltage: 6 V
Collector Current: 200 mA
Total Power Dissipation: 625 mW
Operating Junction Temperature: -55 to 150 °C
Storage Temperature: -55 to 150 °C

Electrical Characteristics:

Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mA, IB = 0): 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 1 mA): 0.2 V
Base-Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 1 mA): 0.65 V
DC Current Gain (IC = 1 mA, VCE = 10 V): 100 — 300
Maximum Collector Current (DC) (VCE = 1 V, IB = 0): 200 mA
Transition Frequency (IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz): 250 MHz
Input Capacitance (VCE = 10 V, IC = 0, f = 1 MHz): 8 pF
Output Capacitance (VCE = 10 V, IC = 0, f = 1 MHz): 4 pF
Reverse Transfer Capacitance (VCE = 10 V, IC = 0, f = 1 MHz): 1.2 pF

In Stock

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Цоколевка

Распиновку транзистор 2N3906 имеет следующую. Чаще всего выпускаются в пластмассовом ТО-92 и весит не более 0,18 г. Этот корпус имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть прямо на скошенную часть с той стороны, где нанесена маркировка, то самый левый вывод -это эмиттер, средний – база, правый – коллектор.

Компании Fairchild Semiconductor, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, General Semiconductor, Silicon Standard, Daya Electric Group, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS также выпускают данное изделие в SOT-23. У Fairchild Semiconductor встречаются в SOT-223. Эти пластиковые корпуса, с тремя короткими выводами, предназначены для поверхностного монтажа (SMD).

Applications

The 2N3904 NPN transistor is a widely used general-purpose transistor with a wide range of applications. The following are some typical applications for this transistor:

Amplification: In low-power audio, video, and RF applications, the 2N3904 is frequently utilized as an amplifier. It may provide voltage and current gain to a variety of circuits, such as oscillator circuits, small-signal amplifiers, and audio preamplifiers.

Switching: In digital and low-power applications, the 2N3904 may also be employed as a switch. It is frequently used as a switch to power relays, Lights, and other loads.

Oscillators: The transistor may also be utilized in oscillator circuits that require a consistent frequency output. Circuits for crystal oscillators, which are frequently employed in digital circuits.

Voltage regulator circuits: The 2N3904 may be used in voltage regulator circuits to regulate the voltage output of a power source. It may also be employed in switching regulator circuits, which are used in power supply to effectively convert voltage levels.

Signal processing circuits, such as filters and equalisers, employ the 2N3904 to shape or adjust the frequency response of an audio or visual signal.

Overall, the 2N3904 is a versatile transistor that is often utilized in a wide range of low-power circuits, thanks to its low cost, high gain, and low noise properties.

Принципиальная схема

Принципиальная схема передатчика показана на рисунке 1. Передатчик излучает мощность около 0,1 Вт при напряжении питания 9В. Напряжение питания может быть снижено до 6В, при этом мощность снизится примерно в два раза.

Особенность схемы передатчика в том, что его транзисторы, один из которых работает в задающем генераторе (VT1), а другой (VT2) в усилителе мощности включены по схеме составного транзистора.

Рис. 1. Принципиальная схема радиопередатчика для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906.

Частота генерации устанавливается кварцевым резонатором Q1. Он должен быть на частоту в диапазоне «27 МГц» или на частоту меньше в два или три раза. При этом передатчик будет работать на второй или третей гармонике кварцевого резонатора. Схема амплитудной модуляции здесь очень простая, она получена экспериментальным путем.

На базу транзистора VT1 поступает напряжение через резистор R1. От него зависит амплитуда сигнала на выходе. Этот резистор сделан подстроечным, и на его ползунок через конденсатор С6 подается напряжение ЗЧ от DTMF-кодера или другого источника НЧ сигнала. Подстраивая R1 можно выбрать оптимальный режим модуляции. В крайне нижнем положении амплитудная модуляция отсутствует.

При движении вверх по схеме она увеличивается, но в какой-то момент амплитуда ВЧ сигнала на выходе передатчика начинает падать, и генерация срывается из-за того, что НЧ сигнал модуляции начинает ВЧ сигнал на базе VT1, шунтируя его.

Усилитель мощности выполненный на транзисторе VT2 получает ВЧ-напряжение и напряжение смещения, необходимое для работы с эмиттера транзистора VT1.

Колебательный контур L1-C5 включенный в его коллекторной цепи должен быть настроен на частоту передачи. То есть, при использовании резонатора на частоту канала — на частоту резонатора.

А при использовании резонатора для работы на второй или третьей гармонике — соответственно, на частоту в два или три раза больше частоты используемого резонатора.

Катушка L2 служит для обеспечения согласования контура с антенной, в качестве которой можно использовать проволочный штырь или «подвеску» из монтажного провода.

Рис. 2. Принципиальная схема радиоприемника для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906 и 2N3904.

Приемный тракт (рис. 2) выполнен на трех транзисторах.

На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнен регенеративный детектор, а транзистор VТ3 работает в качестве предварительного усилителя продетектированного сигнала. Сигнал от антенны поступает на коллекторный контур L1-C2, настроенный на такую же частоту, что и контур передатчика. Конденсатор С1 является разделительным.

На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнена схема генератора, частота генерации которого устанавливается контуром L1-C2. Но питание на этот генератор поступает через резистор R1 от подстроечного резистора R2, которым можно регулировать напряжение питание данного генератора. Этим резистором устанавливается регенеративный режим работы каскада.

При этом, каскад работает как регенеративный детектор, обладая существенной чувствительностью и селективностью. Выходом детектора является точка соединения эмиттеров VТ1 и VТ2 с резистором R1. Отсюда демодулированный сигнал через LC-фильтр С4-L2-C5 поступает на усилительный каскад на транзисторе VТ3.

KN3904S Datasheet (PDF)

0.1. kn3904s.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=50nA(Max.) ; @VCE=30V, VEB=3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=50mA, IB=5mA.1G 1.90H

8.1. kn3904.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3904TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), @VCE=30V, VEB=3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3906.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0

9.1. kn3906.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3906TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.), @VCE=-30V, VEB=-3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3904.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.8

9.2. kn3906s.pdf Size:72K _kec

SEMICONDUCTOR KN3906STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G 1.

9.3. kn3905s.pdf Size:425K _kec

SEMICONDUCTOR KN3905STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G

2N3904 Introduction

The 2N3904 transistor is a bipolar negative-positive-negative (NPN) transistor usually suitable for negative ground circuits. It can be used for audio signals and medium-speed switching applications. This small transistor is the counterpart of the 2N3906 transistor, a positive-negative-positive (PNP) transistor. A larger collector current can be generated by injecting a small base current into the 2N3904 transistor.

The 2N3904 transistor has three terminals: an emitter, base, and collector. The emitter and collector are the main terminals of the 2N3904 transistor. Depending on the circuit configuration, a load or equivalent load can be connected to the emitter or collector.

The various parameters of the 2N3904 transistor are referred to as β or current gain, which is the ratio of collector current to base current. For a current gain of 100, a change in base current of 0.001 amps (a) results in a change of 0.1 amps at the collector.

This illustrates how the 2N3904 transistor is an amplifier. A small change in base current results in a hundredfold change in collector current, which can be translated into voltage or power changes.

The bias is the idle current at the transistor terminals.

Generally, the 2N3904 transistor requires a positive bias from the base to the emitter, which means a positive potential on the substrate for the emitter. It should be noted that the substrate is a positive (P) type material, and the emitter is a negative (N) type material. The amount of positive bias must be controlled for the specific application. Too much positive bias will usually result in too much collector current, which usually leads to saturation.

Therefore when the base pin is grounded, the collector and emitter will remain open (reverse bias) and will close (forward bias) when a signal is supplied to the base pin.

The gain value of the 2N3904 is 300; This value determines the amplification capability of the transistor. The maximum current that can flow through the collector pin is 200mA, so we cannot use this transistor to connect a load that consumes more than 200mA. To bias the transistor, we must supply current to the base pin, which should be limited to 5mA.

When the 2N3904 is fully biased, it allows a maximum current of 200mA to flow through the collector and emitter. This phase is called the saturation zone, and the typical voltages allowed for collector-emitter (VCE) or collector-base (VCB) are 40V and 60V, respectively. when the base current is removed, the transistor is completely turned off, and this phase is called the cutoff zone.

2N3904S Datasheet (PDF)

0.1. 2n3904s.pdf Size:410K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LDIM MILLIMETERSFEATURES_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15Low Leakage CurrentC 1.30 MAX2: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20@VCE=30V, VEB=3V.1G 1.90H 0.95Excellent DC Current Gain Linearity.J 0.13+0.1

0.2. 2n3904sc.pdf Size:699K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESLow Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)@VCE=30V, VEB=3V.Excellent DC Current Gain Linearity.Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.Complementary to 2N3906SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMB

0.3. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N3904STECHNICAL DATAGeneral Purpose Transistor We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping32N3904S 1AM 3000/Tape & Reel21MAXIMUM RATINGSSOT23Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCollectorBase Voltage VCBO 60 Vdc3COLLECTOREmitterBase Vo

Применение

Транзисторы 2N3904 широко используются во множестве электронных устройств и систем. Вот некоторые области их применения:

Область применения	Описание
Усилительные схемы	2N3904 транзисторы обладают низким уровнем шума и высокой усиливающей способностью, что делает их идеальным выбором для усилительных схем в аудио- и видеоаппаратуре.
Источники тока	Транзисторы 2N3904 могут использоваться в схемах для создания стабильного и точного источника тока. Они обладают низким уровнем шума и малым дрейфом, что позволяет использовать их в различных тестовых и измерительных устройствах.
Сигнальные генераторы	Благодаря высокой скорости переключения и широкой полосе пропускания, транзисторы 2N3904 могут использоваться для создания сигнальных генераторов и генераторов функций.
Автоматические регуляторы	2N3904 транзисторы могут быть использованы в схемах автоматического регулирования тока или напряжения, обеспечивая стабильность и точность.
Импульсные источники питания	Транзисторы 2N3904 могут быть использованы в импульсных источниках питания для переключения между высокими и низкими уровнями напряжения.

Также транзисторы 2N3904 находят применение во многих других областях электроники и электротехники, где требуется надежный и эффективный элемент управления сигналом.

Налаживание

Для контроля излучения антенны удобно пользоваться индикатором излучения, состоящим из достаточно высокочастотного осциллографа (например, С1-65А) и объемной катушкой, подключенной на его входе (объемная катушка может быть бескаркасной, диаметром около 50-70 мм, намотанная 5-6 витков толстого намоточного провода). Для контроля излучения осциллограф с катушкой нужно расположить на расстоянии 1-1,5 метра от антенны передатчика.

Подключив ту антенну, с которой будет работать передатчик в дальнейшем, подайте на передатчик питание. Подстраивая контур L1-C5 и наблюдая за изображением на экране осциллографа, добейтесь изображения максимальной неискаженной амплитуды синусоиды.

При настройке следите за тем, чтобы частота сигнала была именно в диапазоне 27 МГц, а не на гармонике (например, 13,5 МГц или 54 МГц). Это можно легко определить по осциллографу (рассчитав по периоду согласно координатной сетке не его экране).

Ток потребления передатчиком должен быть около 30 миллиампер. Затем, подайте на вход модулирующий сигнал. Переключите осциллограф на контроль НЧ сигнала.

Если ползунок R1 находится внизу (по схеме) на экране будет широкая полоса ВЧ сигнала. Постепенно поворачивайте R1. Полоса начнет приобретать форму модулирующего сигнала. Подстройкой R1 выставите глубину модуляции 30-50%. Это будет оптимально. Но можно поэкспериментировать с положением R1.

При его дальнейшем движении вверх (по схеме) сначала глубина AM будет увеличиваться, а затем начинает снижаться максимальная амплитуда ВЧ сигнала, и далее, генерация срывается.

В качестве контрольного сигнала для налаживания приемника удобно использовать сигнал готового передатчика. Подключите к приемнику ту антенну, с которой он будет работать в дальнейшем. Подстроечный резистор R2 установите в среднее положение. Подключите осциллограф к точке соединения эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 (рис.2).

При выключенном передатчике здесь должно быть какое-то постоянное напряжение. Если есть генерация -подстройкой R2 сбейте генерацию. Включите передатчик и подайте на его вход модулирующий сигнал.

На эмиттерах VT1 и VT2 должно появиться ВЧ-напряжение, с огибающей, соответствующей модулирующему сигналу (смотреть, переключив осциллограф на наблюдение НЧ сигнала). Подстройкой контура L1-C2 (рис.2) добейтесь её максимальной амплитуды. Затем, подключите осциллограф к коллектору VТ3.

Подстройкой подстроечного резистора R2 добейтесь появления на коллекторе VТ3 НЧ-сигнала, соответствующего модулирующему. Затем, удаляя передатчик от приемника, более точно подстраивайте R2 и входной контур чтобы обеспечивалась наибольшая дальность связи.

Режим работы транзистора VТ3 устанавливается подбором сопротивления резистора R4. Нужно установить такой режим, при котором, при напряжении питания 9В на коллекторе VТ3 есть постоянное напряжение 1 В, при отсутствии сигнала передатчика. При необходимости это напряжение установите подбором сопротивления R4. На этом, можно считать налаживание законченным.

Снегирев И. РК-02-18.

How to Use

Here’s a quick rundown on how to utilise a 2N3904 transistor in a basic circuit:

Determine the pins: The 2N3904 transistor has three pins: the emitter (E), base (B), and collector (C) (C). Typically, the emitter is linked to earth, while the collector is connected to the load (such as an LED or a speaker).

Determine the operating conditions: The transistor’s operating circumstances (such as voltage and current levels) must be determined depending on the circuit’s needs. The maximum ratings and usual operating circumstances may be found in the transistor’s datasheet.

Determine the base resistor (RB): The base resistor (RB) limits the current going into the transistor’s base, which regulates the current passing through the collector. Ohm’s Law may be used to compute the value of RB, which is RB = (VCC — VBE) / IB. The supply voltage is VCC, the base-emitter voltage is VBE (usually approximately 0.7V), and the target base current is IB.

Connect the circuit: After calculating the base resistor, connect the transistor to the circuit. The base resistor connects the transistor’s base to the input signal, while the collector connects to the load and the emitter connects to ground.

Детали

Катушки L1 передатчика и приемника имеют сходную конструкцию. Они намотаны на цилиндрических каркасах диаметром 6 мм и длиной 12 мм с подстроечным сердечником из карбонильного железа.

Катушки содержат по 15 витков провода ПЭВ 0,31, виток к витку. Катушка передатчика имеет отвод от середины, и на неё намотана катушка связи L2 (рис.1), которая содержит 5 витков того же провода.

Катушка L2 (рис.2) намотана на ферритовом кольце внешним диаметром 7 мм из феррита проницаемостью 400-2000. Она содержит 100 витков провода ПЭВ 0,12.

Неполярные конденсаторы — КМ, КД, КТ, К10-7 или импортные аналоги. Электролитические конденсаторы — импортные аналоги К50-35. Транзистор 2N3904 можно заменить на КТ3102, КТ368. Транзисторы 2N3906 можно заменить на КТ3107. Налаживание следует начать с передатчика.

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type	Code	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2N3904		Si	NPN	0.31	60	40	6	0.2	135	300	4	40
2N3904A		Si	NPN	1.5	60	40	6	0.2	150	300	4	100
2N3904C		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
2N3904G		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300		100
2N3904N		Si	NPN	0.4	60	40	6	0.2	150	300	3	100	TO92N
2N6719		Si	NPN	2	300	300	6	2	150			40
2N6736		Si	NPN	35	80	45	6	5	150			40
2SC2474		Si	NPN	0.6	60		6	0.2	150			150
2SC2475		Si	NPN	0.6	60		6	0.6	150			200
2SC2477		Si	NPN	0.6	60		6	0.6	150			150
2SC4145		Si	NPN	1.2	80			2	150			200
2SC6136	C6136	Si	NPN	0.5	600	285	8	0.7	150			100
2SD1015		Si	NPN	0.9	140	50	50	2	150			150
2SD1209		Si	NPN	0.9	60			1	150			4000
2SD1388		Si	NPN	0.7	60			1	150			250
2SD1490		Si	NPN	0.75	70			1	150			60
2SD1642		Si	NPN	0.7	100			2	150			40
2SD1698		Si	NPN	0.75	100			0.8	150			10000
2SD1701		Si	NPN	0.75	1700			0.8	150			10000
2SD1853		Si	NPN	0.7	80	60	6	1.5	150			2000
2SD1929		Si	NPN	1.2	60			2	150			5000
2SD1930		Si	NPN	1.2	100			2	150			5000
2SD1931		Si	NPN	1.2	60			2	150			10000
2SD1978		Si	NPN	0.9	120			1.5	150			10000
2SD1981		Si	NPN	1	100	80	6	2	150			24000
2SD2068		Si	NPN	1	60			1	150			18000
2SD2206A		Si	NPN	0.9		120		2				2000	TO92MOD
2SD2213		Si	NPN	0.9	150	80	8	1.5	150			1000	TO92MOD
2STL2580		Si	NPN	1.5	800	400	9	1	150			60	TO92MOD
3DG3904		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
3TE440		Si	NPN	10	80			1.5	150	350		40
3TE450		Si	NPN	5	80			0.5	150	350		40
BCX38		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			500
BCX38A		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			500
BCX38B		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			4000
BCX38C		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			6000
BFX152		Si	NPN	0.83	100			0.3	175	500		75
BTN3904A3		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
C266		Si	NPN	0.825		60	10	2	175			45
CE1N2R		Si	NPN	1	60	60	15	2	150			1000
CE2F3P		Si	NPN	1	60	60	15	2	150			1000
ECG123AP		Si	NPN	0.5	75	40		0.8	175	300		200
ECG2341		Si	NPN	0.8		80		1	150			2000
H2N3904		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
HEPS0015		Si	NPN	0.31	60	40		0.6	135	300		200
HEPS0025		Si	NPN	0.35	60	40		0.6	150	300		100
HIT667		Si	NPN	0.9	120	100	6	1	150			140	TO92MOD
HSE424		Si	NPN	0.31	60	40			150	400		80
KN3903		Si	NPN	0.625		40		0.2				50
KN3904		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
KN4400		Si	NPN	0.625		40		0.6				50
KN4401		Si	NPN	0.625		40		0.6				100
KSC1072		Si	NPN	0.8	60	45	8	0.7	150			40
KSP8097		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150		4	250
KTC1006		Si	NPN	1		80		0.8	175			100
KTC1027		Si	NPN	1		120		0.8	175			80
KTC3227		Si	NPN	1		80		0.4	175			70
KTC3228		Si	NPN	1		160		1	175			60
KTC3245		Si	NPN	0.625	400	350	6	0.3	150			50
NTE2341		Si	NPN	1	100	80	7	1				2000
NTE46		Si	NPN	0.625	100	100	12	0.5				10000
NTE48		Si	NPN	1	60	50	12	1				25000
P2N2222A		Si	NPN	0.625		40		0.6		300		100
SK3854		Si	NPN	1.2	75	40	6	0.8		300		200
STX0560	X0560	Si	NPN	1.5	800	600	7	1	150			70
TSC873CT		Si	NPN	1	600	400	9	0.3	150			80
ZTX614		Si	NPN	1	120	100	10	0.8	200			20000

Всего результатов: 67

Аналоги импортного и отечественного производства

Тип транзистора	P_C	V_CEO	V_EBO	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Тип корпуса
2N 3906A	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
Импортные аналоги
MMBT 390	0,35	40	5	0,2	150	250	4,5	100	SOT-23
PZT 3906	1	40	5	0,2	150	250	4,5	100	SOT-223
H2N 3906	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
KN 3906	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
2N 3905	0,625	40	5	0,2	150	200	4,5	100	ТО-92
2SB 1014	0,7	60	8	1	185			160	ТО-92
2SB 977A	0,75	50	8	1	195			3000	ТО-92
BC 327-025	0,625	45	5	0,5	150	260	10	160	ТО-92
KN 4403	0,625	40	5	0,6	150	200	8,5	100	ТО-92
KSP 75/76/77	0,625	40/50/60	10	0,5	150			10000	ТО-92
TIPP 115/116/117	0,8	60/80/100	5	2	150			1000	ТО-92
TIS 91 (M)	0,625	40	5	0,4	150			100	ТО-92
ECG 2342	0,8	80	5	1	150	200		2000	ТО-92
BSR 62	0,8	80	5	1	150	200		1000	ТО-92
Аналоги производства РФ и Республики Беларусь
КТ 6109D/G	0,625	40	5	0,5	150			144/112	ТО-92
КТ361Г/В2/Д2/К2	0,15	35 – 60	4	0,05	150	250	7	350	ТО-92
КТ502В/Г/Д /Е	0,35	40		0,15	150	5		120	ТО-92
КТ6136А	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	300	ТО-92
КТ313Б/В	0,3	60	5	0,35	150	200	12	300	ТО-92

Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.

H2N3904 Datasheet (PDF)

0.1. h2n3904.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6218HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3904NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

8.1. h2n3906.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6240HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3906PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

Introduction

The transistor 2N3904 comes under the category of NPN small signal, low power, general purpose transistor, mainly applicable for switching and for signal amplification.

It’s dynamic range may include a current handling capability of more than 100mA for switching applications and a 100MHz frequency handling capacity fits with amplification purposes.

The absolute maximum ratings of this transistor may be understood from the following data:

The Vceo or the maximum tolerable Collector-Emitter voltage is 4 volts.
The Vcbo or the maximum tolerable voltage across collector-base is 60 volts.
The maximum allowable collector to emitter or the Ic must not exceed 200mA.

Other Useful Characteristics of this device are discussed below:

Maximum collector to emitter breakdown voltage for a 2N3904 transistor is 40 volts.
Similarly the maximum collector to base breakdown voltage is 60 volts.
The maximum base to emitter breakdown voltage is 6 volts.
Minimum current required for keeping the base of the transistor activated is 50nA.
Similarly the minimum amount of current required to keep the collector load switched is also 50nA
The hFE or the forward current gain of the device is between 100 to 300.
The minimum amount of voltage required for activating the collector is 0.2 volts, its also known as the collector-emitter saturation voltage.
The minimum amount of voltage required to trigger the base of the device is 0.65 volts, its also called the case/emitter saturation voltage.
The above data is quite sufficient and adequate for any electronic hobbyist for understanding the transistor 2N3904 safely and correctly.

Графические данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току h_FE от величины тока коллектора I_C при различных температурах (V_CE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (t_d) и времени нарастания (t_r). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (t_stg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (t_f). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. C_S – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

Как работает 2N3904 транзистор?

Внутри транзистора есть три вывода: коллектор (C), база (B) и эмиттер (E). Коллектор и эмиттер представляют собой P-N переходы, а база — область с примесью, отличной от переходов.

Работа транзистора основана на контроле тока между коллектором и эмиттером с помощью небольшого тока, поданного на базу. Он работает в трех режимах: активном режиме, насыщении и отсечке.

В активном режиме транзистор ведет себя как усилитель. Когда напряжение подается на базу, ток начинает протекать от коллектора к эмиттеру. Величина этого тока зависит от напряжения на базе и характеристик транзистора. Таким образом, небольшой входной ток может управлять более большим выходным током.

В режиме насыщения транзистор допускает максимально возможный ток от коллектора к эмиттеру. Это происходит, когда напряжение на базе достаточно высоко.

В режиме отсечки транзистор отключен от электрической цепи и ток не протекает. Это происходит, когда напряжение на базе низкое или равно нулю.

2N3904 широко используется в электронике для усиления сигнала, переключения и других приложений. Его низкое сопротивление и высокая чувствительность делают его популярным выбором для множества проектов.

Характеристика	Значение
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO)	40 В
Максимальный ток коллектора (I_C)	200 мА
Максимальная мощность (P_D)	625 мВт
Усиление по току (h_FE)	100-300
Максимальная частота переключения (f_T)	300 МГц

Производители

Выпускают транзистор 2N3906 такие фирмы: ON Semiconductor, KEC(Korea Electronics), Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Micro Commercial Components, SeCoS Halbleitertechnologie, First Silicon, Central Semiconductor, AUK, STMicroelectronics, Inchange Semiconductor, Transys Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Tiger Electronic, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Pan Jit International, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Rohm, Daya Electric Group, Guangdong Kexin Industrial, General Semiconductor, Weitron Technology, New Jersey Semi-Conductor Products, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Electronics, Dc Components, KODENSHI KOREA, Semtech Corporation, Silicon Standard, Nanjing International, Diodes Incorporated.