C5027 характеристики на русском

Характеристики транзистора C5027 на русском языке: подробное описание и технические характеристики

Транзистор C5027 представляет собой биполярный NPN транзистор мощности. Он обладает высокими значениями тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах и схемах.

Основные технические характеристики транзистора C5027:

• Тип: NPN
• Максимальное значение тока коллектора(IC): 3 А
• Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер(VCE): 800 В
• Максимальная мощность(P): 40 Вт
• Усиление бета(hFE): от 40 до 320
• Максимальная частота переключения(fT): 60 МГц
• Температурный диапазон(Tj): от -65°C до +150°C

Транзистор C5027 имеет три вывода: коллектор (с), база (b) и эмиттер (е). Коллектор обеспечивает поступление электронного тока, база регулирует его уровень, а эмиттер служит для отвода тока

Правильное подключение транзистора к схеме важно для его надежного функционирования

Транзистор C5027 широко применяется в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, импульсные блоки питания, инверторы, стабилизаторы напряжения и других устройствах, где требуется надежное и эффективное усиление или переключение сигнала.

Благодаря высоким техническим характеристикам, транзистор C5027 является надежным и универсальным устройством, которое может быть использовано в различных электронных схемах и устройствах.

Транзистор C5027-R: Характеристики, datasheet и цоколевка

В технических характеристиках на C5027-R указанно, что он имеет высокую скорость переключения и отличается хорошей надёжностью. Относится к мощным кремниевым n-p-n транзисторам. Обычно его используют в импульсных регуляторах и высоковольтных переключающих схемах.

Цоколевка

Изготавливают C5027-R в корпусе ТО-220, который западные производители обычно используют для транзисторов мощностью порядка 50 Вт, или немного ниже.

Технические характеристики

Рассмотрим максимально допустимые технические значения, так как именно их нужно учитывать в первую очередь при проектировании собственных устройств и подборе замены вышедшему из строя транзистору. Следует помнить что их превышение, даже на короткий промежуток времени может привести в выходу прибора из строя. Их измерение всегда производится при стандартной температуре +25°С.

Для C5027-R эти характеристики равны:

• напряжение К — Б V_CBO = 1100 В;
• напряжение К – Э V_CEO = 800 В;
• напряжение Э — Б V_EBO = 7 В;
• ток коллектора постоянный I_C = 3 А;
• ток коллектора импульсный I_CР = 10 А;
• ток через базу I_В = 1,5 А;
• максимальная мощность на коллекторе Р_С = 50 Вт;
• т-ра кристалла T_j = 150ОС;
• диапазон температур, при которых KSC5027-R может сберегаться T_stg = 55 … 150ОС.

Электрические характеристики транзистора C5027-R (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение К — Б	IC = 1 мA, IЕ = 0	V(BR)CВO	1100			В
Пробивное напряжение К — Э	IC=5 мA, RВE= ∞	V(BR)CEО	800			В
Пробивное напряжение эмиттер-база	IE= 1 мA, IC= 0	V(BR)EBO	7			В
Напряжение насыщения К — Э	IC= 1,5 A; IB= 0. 3 A	VCE(sat)			2	В
Напряжение насыщения Б — Э	IC= 1,5 A; IB= 0.3 A	VВE(sat)			1,5	В
Обратный ток коллектора	VCВО= 800 В, IЕ = 0	ICВO			10	мА
Обратный ток эмиттера	VЕВ= 5 В, IС = 0	IEBO			10	мА
Статический коэффициент передачи тока	IC= 5 A; VCE= 0,2 В	hFE1	10		40
IC= 5 A; VCE= 1 В	hFE2	8
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=10В,IC=0,2 A,	fT		15		МГц
Выходная емкость	IE= 0 А, VCB=10 В, f=1 мГц	Сob		60		пФ
Время включения	IC=5A, IB1=1A; VCC=400В,RL=200Ом IC= 5IB1= -2,5IB2= 2А	ton			0,5	мс
Время удержания	tSTG			3	мс
Время выключения	tf			0,3	мс

Транзисторы C5027-R также делятся на три группы, в зависимости от коэффициента передачи тока (измеряется при следующих значениях:  I_C= 5 A; V_CE= 0,2 В).

• N не менее 10 и не более 20;
• R не менее 15 и не более 30;
• O не менее 20 и не более 40.

Аналоги

Среди аналогичных транзисторов, на которые можно заменить C5027-R, назовём следующие:

• 2SC3752;
• FJPF5027;
• 2SC2979.

Близким по параметрам является BUL216. Подходящих отечественных аналогов нет. Перед заменой, нужно изучить технические характеристики обеих устройств и только после этого принимать решение.

Производители и Datasheet

Изготавливают транзистор C5027-R (datasheet по клику на названия) следующие зарубежные компании:

• Fairchild Semiconductor;
• Samsung;
• Savantic;
• Tiger Electronic;
• New Jersey Semi-Conductor Products.

В отечественных магазинах можно купить устройства, выпущенные фирмами:

• Foshan Blue Rocket Electronics;
• Inchange Semiconductor;
• Savantic.

Технические характеристики транзистора C5027

Тип транзистора: C5027

Корпус: TO-92

Полярность: NPN

Максимальное постоянное напряжение коллектора (Vcbo): 30 В

Максимальное постоянное напряжение эмиттера (Vebo): 5 В

Максимальное постоянное напряжение коллектора-эмиттера (Vce): 25 В

Максимальный ток коллектора (Ic): 3 А

Максимальный ток эмиттера (Ie): 2 А

Максимальная мощность потерь (Pd): 1 Вт

Усиление тока коллектора (hFE): 100-700

Граничная частота переключения (fT): 150 МГц

Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Применение: Транзистор C5027 широко используется в электронных схемах для усиления, коммутации и переключения сигналов.

Подробное описание C5027 транзистора

Основным характеристиками C5027 транзистора являются:

• Ток коллектора (I_C): до 7 А
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): до 400 В
• Максимальная мощность (P_D): до 30 Вт
• Коэффициент усиления по току (h_FE): от 70 до 700
• Частота переключения (f_T): до 2 МГц

Транзистор C5027 имеет три вывода: эмиттер (E), базу (B) и коллектор (C). Он обладает высоким токовым усилением, высокой скоростью переключения и низким уровнем шума, что делает его подходящим для использования в схемах с высокой мощностью.

Обратите внимание: При использовании транзистора C5027 необходимо соблюдать рекомендации производителя и следить за безопасностью при работе с высокими напряжениями и токами

C5027F-0 Транзисторы FAIRCHILD — Veswin Electronics

Электронный компонент C5027F-0 запущен в производство компанией FAIRCHILD, входящей в состав Transistors.

Категории

Транзисторы

Производитель

Фэирчайлд Полупроводник

Номер детали Весвин

В1070-К5027Ф-0

Статус без содержания свинца / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS

Состояние

Новое и оригинальное — заводская упаковка

Состояние на складе

Запасы на складе

Минимальный заказ

1

Расчетное время доставки

25–30 мая (выберите ускоренную доставку)

Модели EDA/CAD

C5027F-0 от SnapEDA

Условия хранения

Сухой шкаф и пакет защиты от влаги

Ищете C5027F-0? Добро пожаловать на Veswin.

• Q: Как заказать C5027F-0?
• О: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
• В: Как оплатить C5027F-0?
• A: Мы принимаем T/T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
• В: Как долго я могу получить C5027F-0?
• О: мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
  Мы также можем отправить заказной авиапочтой. Обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
  Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем сайте.
• В: C5027F-0 Гарантия?
• A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
• В: Техническая поддержка C5027F-0?
• A: Да, наш технический инженер по продуктам поможет вам с информацией о распиновке C5027F-0, примечаниями по применению, заменой,
  техническое описание в формате pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.

ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА VESWIN ELECTRONICS

Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001. Наши системы и соответствие стандартам регулярно пересматривались и тестировались для поддержания постоянного соответствия.

СЕРТИФИКАЦИЯ ИСО

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах управления (базы) I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения управления (базы) U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения U_BE(sat) и U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 5. Параметры переключения транзистора. Зависимости временных параметров t_on / t_stg / t_f от коллекторной нагрузки I_C.

Напряжение питания схемы U_CC = 400 В.

Рис. 6. Ограничение мощности рассеивания транзистора при повышении температуры окружающей среды T_a.

При определении характеристики принято, что температура корпуса транзистора T_c равна температуре среды T_a, то есть транзистор располагает неопределенно большим теплоотводом (INFINITE HEAT SINK).

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Характеристики определены при ограничениях, полученных в режимах: единичного неповторяющегося импульса (PULSE) — (помечены символом ٭) и постоянного тока (DC OPERATION). В импульсном режиме длительности импульсов: 100 мкс, 1 мс, 10 мс. Температура окружающей среды T_a = 25°C.

При увеличении температуры кривые должны линейно смещаться в соответствии с ограничением по Рис. 6.

Предельные токи I_C max импульсного (PULSE) и длительного режима (CONTINUOUS) режимов ограничивают предельную токовую нагрузку.

Максимальное напряжение определено как 800 В.

Область безопасной работы характерна для анализа теплового режима транзистора, работающего в схеме с резистивной или емкостной нагрузкой. В большинстве практических применений транзисторов, предназначенных для работы в режиме быстрых переключений, нагрузка носит индуктивный характер. В этих случаях анализ тепловых потерь должен проводиться с учетом области безопасной работы с обратным смещением.

Рис. 8. Область безопасной работы с обратным смещением.

Характеристика показывает предельные нагрузки транзистора с учетом ограничения максимальных напряжений на уровне U_CBO = 1100 В и значительного уменьшения при этом коллекторного тока до уровня порядка 0,8 А.

Ток отрицательного смещения базы составляет I_B2 = — 0,3 А.

транзистор%20c5027 спецификация и примечания по применению

ECAD Модель
Производитель
Описание
Загрузить техпаспорт

Купить часть

BD6047AGUL

РОМ Полупроводник

Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором

БМ2П016-З

РОМ Полупроводник

ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включая переключающий полевой МОП-транзистор

БМ2П0361К-З

РОМ Полупроводник

ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором

BD9B305QUZ

РОМ Полупроводник

Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный

БД9Д300МУВ

РОМ Полупроводник

Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный

БМ2П104ЭФ

РОМ Полупроводник

Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.

Особенности:

Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.

Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттера-база	—	—	—	7	В
Ic	Ток коллектора постоянный	—	—	—	3,0	А
Ip	Ток коллектора импульсный	—	—	—	10,0	А
Ib	Ток базы	—	—	—	1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	50	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 800 В, Ie = 0 В	—	—	10	мкА
Iebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, Ic = 0 В	—	—	10	мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 0,2 А	10	—	40
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А	8	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А	—	—	2	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А	—	—	1,5	В
tON	Время включения	Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А	—	—	0,5	мкс
fT	Граничная частота эффективного усиления	Vce = 10 В, Ic = 0,2 А	—	15	—	МГц
Tf	Время спада импульса	RI = 200 Ом	—	—	0,3	мкс
N	O
10 20	20 40

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

KSC5027 Datasheet (PDF)

1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi

KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C

1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >