Интернет-справочник основных параметров транзисторов. параметры транзистора tta1943

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Биполярный транзистор TTA1943 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TTA1943

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора:

TTA1943
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  toshiba tta1943.pdf

TTA1943 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TTA1943 Power Amplifier Applications Unit: mm High collector voltage: VCEO = -230 V (min) Complementary to TTC5200 Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -230 VCollector-

 ..2. Size:187K  inchange semiconductor tta1943.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor TTA1943DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -230V(Min)(BR)CEOComplement to Type TTC5200Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommended for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stageABSO

Другие транзисторы… TPCP8901
, TPCP8H01
, TPCP8H02
, TTA0001
, TTA0002
, TTA003
, TTA004B
, TTA007
, A1020
, TTC0001
, TTC0002
, TTC003
, TTC004
, TTC005
, TTC007
, TTC008
, TTC009
.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики TIP41C, которые производители размещают в начале своей технической документации. Они важны, так как от них зависит, при каких рабочих параметрах будет работать транзистор, а при их превышении он может выйти из строя. Для рассматриваемого устройства, при температуре 25°С, они равны:

• напряжение К-Б не больше – 100 В;
• напряжение К-Э не больше – 100 В;
• напряжение Э-Б не больше – 5 В;
• ток коллектора не больше – 6 А;
• импульсный ток коллектора не больше – 10 a
• ток базы не больше – 2 А;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе с теплоотводом– 65 Вт;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе без теплоотвода– 2 Вт;
• температура кристалла не более – 150°C;
• Диапазон рабочих температур: -65°C … +150°C.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров TIP41C. От них зависит, для чего можно использовать транзистор. При их измерении важную роль играют условия тестирования, поэтому они были вынесены в отдельную колонку таблицы. Температура, при которых производились измерения, стандартная +25°С.

Электрические характеристики транзистора TIP41C (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута	IC = -100мA, IB = 0	VCEO(sus)	120		В
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута	VCE = -50В, IB = 0	ICEO		-2	мА
Обратный ток коллектора	VCВ=-60В, IE=0	ICBO		-1	мА
Обратный ток эмиттера	VEB = -5В, IC = 0	IEBO		-2	мА
Статический коэффициент передачи тока	VCE = -3В, IC= 0.5A VCE = -3В, IC = -3A	hFE1 hFE2	1000 1000	75
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=10В,IC= 500мA	fT	3,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC = 6A, IB = 600мA	V CE(sat)		1,5	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VCE = 4V, IC = 6A	V ВE(sat)		2,0	В
Статический коэффициент передачи тока	IC = 0,5A, VCE=10В, f=1кГц	hfe	20
Граничная частота коэффициента передачи тока	IC=0.5A, VCE=10В,	fт	3		МГц

При проектировании мощных устройств, которые выделяют большое количество тепла, нужно знать тепловые характеристики транзистора. Они характеризуют способность рассеивать энергию в окружающую среду. Чем быстрее они её выделяют тем меньше будет греться TIP41C и тем в более мощных схемах его можно будет устанавливать.

Тепловые характеристики транзистора TIP41C
Параметры	Обозн.	max	Ед. изм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус	Rthj—case	1,92	ОС/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда	Rthj-amb	62,5	ОС/Вт

Как проверить TL431

Так как это не одиночный радиокомпонент, а целая схема, заключенная в маленький корпус, мы не можем проверить ее одним лишь мультиметром, ведь в ней содержится только 10 штук транзисторов, не говоря об остальных компонентах. Проверка сопротивлений между выводами не принесет никакой полезной информации, так как от партии к партии и от производителя к производителю референсные значения разнятся.

Поэтому, как и для проверки большинства микросхем, необходимо собрать простейшую схему с ее использованием. Такой схемой может послужить приведенная ниже

При подаче на вход 12В на выходе должно быть 5В, а при замыкании S1 на выход должно идти опорной напряжение микросхемы TL431 — 2.5В. Вы можете подобрать свои значения

Важно, чтобы они соответствовали формуле:

Если все значения подходят — значит микросхема рабочая и ее можно использовать в проекте. Если собрать небольшой стенд с такой схемой на breadboard, то получится конвейерно проверять большое количество TL431 и ей подобных микросхем.

Схемы с использованием TL431

Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.

Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)

Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:

Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)

Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.

Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.

Лабораторный блок питания на TL431 с защитой

Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.

Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.

Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)

Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.

Индикатор напряжения

Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.

Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.

Таймер задержки на TL431

Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).

Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.

Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317

Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).

Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.

Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
КТ8126А1	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	120	5…40	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(TO220)
2Т856А	-/125	950	950	5	10/12	—	—	—	10…60	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(TO3)
Б	750	750
Г	850	850
КТ872А	-/100	700	700	6	8/15	150	7	—	6	≤ 1,0	-/6,7/0,8	КТ-43	(TO218)
КТ878А	2/100	900	900	6	25/30	150	≥ 10	500	12…50	≤ 1,5	-/3,0/-	КТ-9	(TO3)
КТ8107А	-/100	1500	700	5	5/7	150	≥ 7	≤ 75	≥ 2,25	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-43-2	(TO218)
В	1200
КТ8108А/Б/В	-/70	850	850	5	5/7	150	≥ 15	≤ 75	10…50	≤ 1,0	-/3,0/0,3	КТ-9	(TO3)
КТ8114А	-/125	1500	700	6	8/15	150	—	—	≥ 6	≤ 1,0	-/-/0,5	КТ-43-2	(TO218)
Б	1200
КТ8118А	-/50	900	750	5	3/-	150	≥ 15	—	10	—	—	—
КТ8121А	-/75	700	400	5	4/8	150	≥ 4	—	8…60	≤ 1,0	-/3,0/0,4	—
КТ8164А	-/75	700	400	9	4/8	150	≥ 4	110	8…60	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(TO220)

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	≥ 5	—	8…40	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
BLD137D	-/90	700	400	9	8/-	150	—	—	5…40	≤ 1,5	-/7,0/0,8	TO220/S
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
BUJ105A	-/80	700	400	—	8/16	150	—	—	10…36	≤ 1,0	1,0/2,5/0,5	TO220AB	٭
BUJ106A	-/80	700	400	—	10/20	150	—	—	10…33	≤ 1,0	0,75/3,3/0,75	TO220AB	٭
BUL67	-/100	700	400	9	10/18	150	—	—	10…50	≤ 1,5	-/3,2/0,18	TO220	٭٭
BUL87	-/110	700	400	9	12/24	150	—	—	8…40	≤ 1,5	-/3,4/0,165	TO220	٭٭
FJP3307D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	60	5…40	≤ 3,0	-/3,0/0,7	TO220
MJE13009X7	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
MJE13009X8	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
MJE13009ZJ	2/90	700	400	9	12/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S
PHE13009	-/80	700	400	—	12/24	150	—	—	8…40	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBP5307DO	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	10…40	≤ 3,0	-/3,6-1,6	TO220
SGSF341	-/80	850	400	—	10/-	175	—	—	—	≤ 1,5	1,2/3,5/0,4	TO220	٭
TSC148D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	8…40	≤ 2,0	0,6/1,6/0,3	TO220 TO263

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.