Bc850b - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Как собрать корпус SOT23 собственноручно

Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.

Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.

Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.

С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:

Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.

Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.

Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.

Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.

Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.

Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.

Характеристики УМЗЧ

Основные технические характеристики	Значения
Номинальная выходная мощность, Вт, при R = 8 Ом при R = 4 Ом	50 100
Нелинейные искажения, %, при номинальной выход-ной мощности в полосе частот 20 Гц…20кГц, не более	0,5
Коэффициент передачи по напряжению при R = 8 Ом при Rн = 4 Ом	0,87 0,78
Выходное сопротивление (частотно-независимое), Ом, не более	1,2
Входное сопротивление, МОм	1
Входная емкость, пФ, не более	30
Полоса воспроизводимых частот, Гц, по уровню -3 дБ	0,15…6–¹º

Назначение отдельных элементов схемы (см. рис. 1) следующее. Резисторы R3, R4, R9, R10, R14, R15, R20, R21 и конденсаторы С8, С9, С11, С12, С17, С18 обеспечивают устойчивость ВК; резисторы R5, R8, R29 обеспечивают устойчивость САР; элементы R24, С21 — цепь Цобеля. Резисторы R18, R19, R22, R23 задают ток покоя; элементы R16, VD2, VD3 защищают вход ОУ DA1 от проникания большого постоянного напряжения с выхода УМЗЧ при аварийном режиме. Резисторы R6, R7, R9, R10, R12 обеспечивают ток покоя 10±2 мА через транзисторы VT1 – VT4 (с учётом разброса характеристик для VT5—VT8).

Резистор R31 ограничивает интервал регулирования тока 10; элементы R28, VD5 обеспечивают режим работы компаратора на микросхеме DA2. Элементы R17, С10, R1, DA1 стабилизируют нулевое напряжение на выходе. Краткие рекомендации по применяемым элементам, их заменам, монтажу и конструкции изложены ниже. Резисторы R18, R19, R22, R23 должны иметь малую индуктивность, например, MF-200 номиналом 0,62 Ом ±5 % или любые металлоплёночные мощностью не менее 2 Вт. Остальные резисторы — С2-23 или аналогичные с разбросом ±5 %. Оксидные конденсаторы — К50-35 или аналогичные по характеристикам. Конденсаторы СЗ, С10, С21, С22 — плёночные К73-17 или аналогичные по параметрам. Остальные конденсаторы — К10-176 или аналогичные.

Возможна замена активных элементов. Так, микросхема DA1 — любой ОУ с входным сопротивлением Rвx> 1 ГОм; микросхема DA2 – КР198НТ6 – КР198НТ8 (с проверкой цоколёвки). Транзистор VT9 — любой малой мощности структуры p-n-p (Uкэmax> 80 В, lк max> 50 мА, Fт> 5МГц), транзистор VT10 — любой маломощный полевой с изолированным затвором и n-каналом с Uси max> 80 В и током lс max> 10 мА. Транзисторы VT1, VT2 — любые из 2SJ77—2SJ79; VT3, VT4 – любые из 2SK214—2SK216; VT5, VT7 — любые из 2SK1056, 2SK1057; VT6, VT8 – любые из 2SJ160, 2SJ161.

Резисторы R14, R15, R20, R21 надо монтировать как можно ближе к транзисторам VT5—VT8, а конденсаторы С8, С9, С17, С18 монтируют непосредственно на выводах этих транзисторов.
Для повышения надёжности работы в условиях повышенной температуры окружающей среды (выше +30 °С) транзисторы VT1—VT4 следует установить на небольшие теплоотводы, обеспечивающие температуру корпусов транзисторов не выше +70 °С. Выходные транзисторы VT5—VT8 также требуют установки на теплоотводы соответствующих размеров, зависимых от заданной выходной мощности и температуры корпусов транзисторов, не превышающей +70 °С.

Пайка чип-компонентов

В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.

Печатные платы современного вида выглядят не так, как их предшественницы. Практически исчезли знакомые детали с ножками, вставленными в отверстия. Их заменили совсем крошечные компоненты, припаянные поверх платы к специально созданным контактным площадкам. Они именуются SMD (англ. Surface Mounted Device, или устройство, монтируемое на поверхность).

Такие детали намного удобнее — исключается целая и весьма точная операция сверления отверстий при изготовлении платы, достигается компактность. При этом, миниатюрный размер не позволяет нанести на них подробное и привычное наименование. Маркировка SMD диодов выполнена в виде кодовых обозначений, о которых надо поговорить подробнее.

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование	U КБ , В	U КЭ , В	I K , мА	Р К , Вт	h21 э	I КБ , мА	f, МГц	U КЭ , В.
КТ815А	40	30	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Б	50	45	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815В	70	65	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Г	100	85	1500(3000)	1(10)	30-275	≤50	≥ 3	<0,6

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
I КБ — обратный ток вывода коллектора.
f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

PNP Si Транзистор Дарлингтона, 50 В, 2 А (комп.

3,80 $

Деталь №: NTE269

Купить 1+	3,80 $
Купить 50+	3,17 $	Сохранить задачу%
Купить 100+	2,92 $	Сохранить задачу%
Купить 200+	2,71 $	Сохранить задачу%
Купить 500+	2,53 $	Сохранить задачу%

Купить ` price`.`low `+

${{ parseFloat(price.price).toFixed(2) }}
Сохранить {{ Math.floor(((product_selected().prices.price — price.price) / product_selected().prices.price) * 100) }}%

Посмотреть корзину »

{{ product_selected().in_stock }} в наличии для немедленной отправки.

Этот продукт не доступен в настоящее время.

Посмотреть корзину »

Особенности BC547:

Узнав о некоторых общих чертах с членами семьи, давайте сосредоточимся на некоторых величинах и особенности BC547.

Прирост:

La текущий прирост, когда мы говорим об общей базе, это примерно коэффициент усиления по току от эмиттера до коллектора в прямой активной области, всегда меньше 1. В случае BC548, как и его братьев по семейству, они имеют очень хороший коэффициент усиления. между 110 и 800 hFE для постоянного тока. Обычно это указывается с дополнительной буквой в конце номенклатуры, которая указывает диапазон усиления с учетом допуска устройства. Если такой буквы нет, то это может быть любая буква в указанном мною диапазоне. Например:

BC547: между 110-800hFE.
БК547А: между 110-220hFE.
BC547B: между 200-450hFE.
BC547C: между 450-800hFE.

То есть производитель рассчитывает, что она будет между этими диапазонами, но неизвестно, какова именно реальная прибыль, поэтому мы должны поставить себя в худший случай когда мы проектируем схему. Таким образом, гарантируется, что схема работает, даже если коэффициент усиления является минимумом диапазона, а также гарантируется, что схема будет продолжать работать, если мы заменим упомянутый транзистор. Представьте, что вы разработали схему так, чтобы она работала с минимум 200hFE, и у вас есть BC547B, но вы решили заменить его на BC547A или BC547, он может не достичь этой скорости и не будет работать … С другой стороны стороны, если вы сделаете так, чтобы он работал со 110, то либо у вас сработает.

Частотный отклик:

La частотный отклик это очень важно для усилителей. Амплитудно-частотная характеристика транзистора будет зависеть от того, сможет ли он работать с той или иной частотой. Это что-то напомнит вам, если вы изучали такие темы, как частотные фильтры высоких и низких частот, верно? В случае с семейством, представленным здесь, и, следовательно, с BC547, они имеют хорошую частотную характеристику и могут работать на частотах между 150 и 300 МГц

Это что-то напомнит вам, если вы изучали такие темы, как частотные фильтры высоких и низких частот, верно? В случае с семейством, представленным здесь, и, следовательно, с BC547, они имеют хорошую частотную характеристику и могут работать на частотах между 150 и 300 МГц.

Обычно в радиокомпоненты Полная информация о транзисторе предоставлена производителями, включая график частотной характеристики. Эти документы можно загрузить в формате PDF с официальных сайтов производителей устройств, и там вы найдете значения. Вы увидите частотную характеристику с инициалами fT.

Эти максимальные частоты гарантируют, что транзистор усилить хотя бы 1, поскольку чем выше частота, тем меньше усиление транзистора за счет емкостной его части. Выше этих приемлемых частот транзистор может иметь очень небольшое усиление или не иметь его вообще, поэтому он не выполняет компенсацию.

Эквивалентности и дополнения:

Вы можете оказаться перед дилеммой: используйте другой тип транзистора или дополняет BC547 в цепи. Вот почему мы собираемся показать некоторые эквиваленты или антагонисты.

Эквиваленты:
- Аналогичный: эквивалентный транзистор для монтажа на монтажной плате будет 2N2222 или PN2222, которому мы посвятим отдельную статью. Но будьте осторожны! В случае мифического 2N2222 контакты эмиттера и коллектора поменяны местами. То есть это будет эмиттер-база-коллектор, а не коллектор-база-эмиттер. Следовательно, вы должны сварить его или повернуть на 180 ° относительно того, как у вас был BC547.
- SMDЕсли вам нужен аналог BC547 для поверхностного монтажа для печатных схем или печатных плат меньшего размера, то вам нужен BC487, инкапсулированный под SOT23. Это позволило бы избежать пластины с отверстиями для монтажа и пайки. Кстати, если вы ищете эквивалентные биполярные транзисторы для других членов семейства, вы можете проверить BC846, BC848, BC849 и BC850. То есть замените BC4xx на эквивалентный BC8xx.
Дополнительный: Другая ситуация, которая может возникнуть, заключается в том, что вам нужно обратное, то есть PNP вместо NPN. В этом случае правильным будет BC557. Чтобы найти дополнительные предметы для остальных членов семьи, вы можете использовать BC5xx, например: BC556, BC558, BC559 и BC560.

Надеюсь, этот пост помог вам и следующий будет PN2222.

Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений

Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard

#	Конфигурация	Тип корпуса	Цоколевка
	Одиночный диод	SOT23	D1a
2	Два последовательно включенных диода	SOT23	D1i
3	Два диода с общим анодом	SOT23	D1j
4	Два диода с общим катодом	SOT23	D1h
5	Два отдельных диода	SOT143	D6d
7	Кольцо из четырех диодов	SOT143	D6c
8	Мост из четырех диодов	SOT143	D6a
9	Перевернутая четверка диодов	SOT143	–
B	Одиночный диод	SOT323	D2a
C	Два последовательно включенных диода	SOT323	D2b
E	Два диода с общим анодом	SOT323	D2c
F	Два диода с общим катодом	SOT323	D2d
K	Два отдельных диода	SOT363	D7b
L	Три отдельных диода	SOT363	D7f
M	Четыре диода с общим катодом	SOT363	D7g
N	Четыре диода с общим анодом	SOT363	D7h
P	Мост из четырех диодов	SOT363	D7i
R	Кольцо из четырех диодов	SOT363	D7j
T	Диод с низкой индуктивностью	SOT363	–
U	Последовательно-параллельная пара диодов	SOT363	–

Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах

Тип	1 полоса	2 полоса	Эквивалент
BA682	Красная	Нет	BA482
BA683	Красная	Желтая	BA483
BAS32	Черная	Нет	1N4148
BAV100	Зеленая	Черная	BAV18
BAV101	Зеленая	Красная	BAV19
BAV102	Зеленая	Красная	BAV20
BAV103	Зеленая	Желтая	BAV21
BB219	Нет	Нет	BB909

Маркировка диодов и диодных сборок

Наименование	Маркировка	Кол-во диодов	Обратное напр.	Прямой ток	Время рас.	Емкость диода	Корпус
LL 4148	…	один	70 В	100 мА	4 нс	4,0 пФ	mini-МELF
BAS 216	…	один	75 В	250 мА	4 нс	1,5 пф	SOD110
BAT254 NEW	…	один	30 В	200 мА	5 нс	10 пФ	SOD110
BAS 16	JU/A6	один	75 В	200 мА	6 нс	2,0 пФ	SOT23
BAS 21	JS	один	200 В	200 мА	50 нс	5 пФ	SOT23
BAV 70	JJ/A4	2 диода	70 В	250 мА	6 нс	1,5 пФ	SOT23
BAV 99	JK, JE, A7	2 диода	70 В	250 мА	6 нс	1,5 пФ	SOT23
BAW 56	JD, A1	2 диода	70 В	250 мА	6 нс	2,0 пФ	SOT23
BAT54S	L44	2 шотки	30 В	200 мА	5 нс	10 пФ	SOT23
BAT54C	L43	2 шотки	30 В	200 мА	5 нс	10 пФ	SOT23
BAV23S	L31	2 диода	200В	225 мА	50 нс	5 пФ	SOT23

Маркировка стабилитронов BZX84

Тип	Маркировка	Uст при 5мА min	Uст при 5мА nom	Uст при 5мА max	Max R ДИФ	Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZX84C2V7	W4	2,4B	2,7B	3,1B	85 Oм	-0,06%
BZX84C3V0	W5	2,8B	3,0B	3,2B	85 Oм	-0,06%
BZX84C3V3	W6	3,1В	3,3В	3,5В	85 Ом	-0,06%
BZX84C3V9	W8	3,7В	3,9В	4,1В	85 Ом	-0,06%
BZX84C4V3	Z0	4,1B	4,3B	4,5B	80 Ом	-0,03%
BZX84C4V7	Z1	4,4В	4,7В	5,0В	80 Ом	-0,03%
BZX84C5V1	Z2	4,9B	5,1B	5,3B	60 Ом	0,03%
BZX84C5V6	Z3	5,2В	5,6В	6,0В	40 Ом	0,03%
BZX84C6V2	Z4	5,8В	6,2В	6,6В	10 Ом	0,05%
BZX84C6V8	Z5	6,4В	6,8В	7,2В	15 Ом	0,05%
BZX84C7V5	Z6	7,1В	7,5В	7,9В	15 Ом	0,05%
BZX84C8V2	Z7	7,7В	8,2В	8,7В	15 Ом	0,06%
BZX84C9V1	Z8	8,8В	9,1В	9,5В	20 Ом	0,05%
BZX84C10	Z9	9,4В	10,0В	10,6В	20 Ом	0,07%
BZX84C12	Y2	11,4В	12,0В	12,7В	25 Ом	0,07%
BZX84C15	Y4	13,8В	15,0В	15,6В	30 Ом	0,08%
BZX84C18	Y6	16,8В	18,0В	19,1В	45 Ом	0,08%
BZX84C20	Y8	17,8В	20,0В	21,0В	45 Ом	0,08%

Маркировка стабилитронов BZT52

Тип	Маркировка	Uст при 5мА min	Uст при 5мА nom	Uст при 5мА max	Max R ДИФ	Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZT52-C3V3S	W4	3,1B	3,3B	3,5B	95 Oм	-0,055%
BZT52-C3V9S	W6	3,7B	3,9B	4,1B	95 Oм	-0,050%
BZT52-C4V3S	W7	4,0В	4,3В	4,6В	95 Ом	-0,035%
BZT52-C4V7S	W8	4,4В	4,7В	5,0В	75 Ом	-0,015%
BZT52-C5V1S	W9	4,8B	5,1B	5,4B	60 Ом	-0,005%
BZT52-C6V8S	WB	6,4B	6,8B	7,2B	8 Ом	0,045%