Kta1266 datasheet pdf ( pinout ) - epitaxial planar pnp transistor

Аналоги

Таблица содержит перечень элементов, предлагаемых для замены. Отбор производился по параметрам транзистора, – заголовкам столбцов таблицы. Исполнение – корпус ТО-92, структура – PNP.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
КТА1266	50	0,15	0,625	70	80
Импортное производство
2SA1015	50	0,15	0,4	70	80
2SB560	80	0,7	0,75	60	50
KSA1015	50	0,15	0,4	70	80
KSA708C	60	0,7	0,8	40	30
KSA709C	150	0.7	0,8	70	50
KSA733C	50	0,15	0,25	50	40
KTA1267	50	0,15	0,4	70	80
KTA1279	300	0,5	0,625	40	50
2SA1137	80	0,1	0,3	100	90
2SA1136,	80	0,1	0,3	100	90
2SA970,	120	0,1	0,3	200	100

Примечание: характеристики параметров транзитора взяты из даташип производителя.

Транзистор 2SA1266: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2SA1266 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, коллектор. база.

Аналог транзистора 2SA1266

Вы можете заменить 2SA1266 на: 2SA1015, 2SA1048, 2SA1267, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SB560, A1015, BC212, KSA1015, KSA708C, KSA733C, KTA1266, KTA1267.

Комплементарной парой 2SA1266 является транзистор 2SC3198.

SMD версия 2SA1266: 2SA1162 (SOT-23), 2SA1586 (SOT-323), 2SA1832 (SOT-23), FJX733 (SOT-323), KTA1504 (SOT-23), KTA1504S (SOT-23).

Чем заменить транзистор а1266

Биполярный транзистор A1266 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: A1266

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

A1266 Datasheet (PDF)

A1266 PNP silicon APPLICATIONGENERAL PURPOSE APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -50 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -150 mACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature TJ 150Storage Temperature Range Tstg

SEMICONDUCTOR KTA1266ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mA: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. EKB 4.80 MAXGComplementary to KTC3198A. C 3.70 MAXDD 0.45E

SEMICONDUCTOR KTA1266TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mAN DIM MILLIMETERS: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. GC 3.70 MAXDComplementary to KTC3198. D 0.45E 1.00F

KTA1266(PNP)TO-92 TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE Linearity Low noise Complementary to KTC3198 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 V Dimensions in inches and (millimeters)IC Co

0.5. kta1266.pdf Size:210K _wietron

KTA1266WEITRONPNP Plastic-Encapsulate TransistorP b Lead(Pb)-Free1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASEFEATURES : Excellent hFE LinearityTO-92 Low noiseMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current -Continuous IC -0.1

0.6. fta1266.pdf Size:269K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTA1266TECHNICAL DATATRANSISTOR (NPN) B CFEATURES General Purpose Switching Application Complementary to FTC3198.DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAX GC 3.70 MAXDD 0.55 MAXMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 1.00F 1.27G 0.85Symbo Parameter Value UnitH 0.45_HVCBO Collector-Base Voltage -60 V J 14.00 + 0.50L 2.30F

0.7. kta1266.pdf Size:1113K _kexin

DIP Type TransistorsPNP TransistorsKTA1266Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features Excellent hFE Linearity Low Noise Complementary to KTC31980.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Emitter2.Collector1.272.54 3.Base Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -50 Collector — Emitter Voltage VCEO

KTA1266 Datasheet (PDF)

..1. Size:635K kec kta1266.pdf

SEMICONDUCTOR KTA1266TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mA: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).Low Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz.Complementary to KTC3198. MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -50 VCollecto

..2. Size:245K lge kta1266.pdf

..3. Size:210K wietron kta1266.pdf

..4. Size:1405K blue-rocket-elect kta1266.pdf

KTA1266 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features ,, KTC3198 Excellent hFE linearity, low noise, complementary pair with KTC3198. / Applications General purpose and switchi

..5. Size:1113K kexin kta1266.pdf

0.1. Size:51K kec kta1266a.pdf

8.1. Size:329K mcc kta1267-gr-o-y.pdf

MCCKTA1267-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthKTA1267-YMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933KTA1267-GRFax: (818) 701-4939Features Excellent hFE Linearity: hFE(0.1mA)/hFE(2.0mA)=0.95(Typ)PNP General Low Noise: NF=1.0dB(Typ.), 10dB(Max.) Complementary to KTC3199Purpose Application Marking: A1267 Epox

8.2. Size:592K kec kta1267.pdf

SEMICONDUCTOR KTA1267TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION SWITCHING APPLICATION.BFEATURESExcellent hFE Linearity: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXLow Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).HM B 4.30 MAXC 0.55 MAXComplementary to KTC3199._D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.00 0.50H 0.60

8.3. Size:619K kec kta1268.pdf

SEMICONDUCTOR KTA1268TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.HIGH VOLTAGE APPLICATION.FEATURES Low Noise. : NF=3dB(Typ.), Rg=100, VCE=-6V, IC=-100A, f=1kHz: NF=0.5dB(Typ.), Rg=1k, VCE=-6V, IC=-100A, f=1kHz.High DC Current Gain : hFE=200700.High Voltage : VCEO=-120V.Low Pulse Noise. Low 1/f Noise. Complementar

8.4. Size:711K blue-rocket-elect kta1268.pdf

KTA1268 Rev.F Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features h , FELow noise, high hFE, high breakdown voltage. / Applications Low noise audio amplifier application. / Equivalent Ci

Транзисторы 2SA1266(A1266),параметры, расположение выводов.

Т ранзисторы 2SA1266(A1266) — кремниевые, биполярные,применяются в низкочастотных усилителях, малошумящие( с значком L 0,2 — 3 db, без L 1-10 db ). Структура p-n-p. Корпус TO-92, с гибкими выводами. Маркировка буквенно — цифровая A1266, на корпусе, с буквами означающей класс по усилению — O или Yили GR.