What is a1370?

Опубликовано: Радиолюбителю
2sa1370 параметры транзистора биполярного высокочастотного pnp. справочник параметров транзисторов.

Параметры и Цоколевка

Нумерация контактов на транзисторе:

  1. База;
  2. Эмиттер;
  3. Коллектор.

На корпус нанесены обозначения по которым можно узнать следующую информацию:

  • A — место изготовления;
  • Y — Год;
  • WWW — неделя изготовления;
  • G — свинца не содержит.

Перейдем к описанию основных характеристик MJE13007 (все замеры делались при Токр. среды = 25 °С.) :

  • Корпус: TO-220;
  • Ток коллектора, не более: 8 А;
  • Напряжение коллектор-база, не более: 700 В;
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V;
  • Структура — n-p-n;
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В;
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 60;
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц;
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт.

Российские аналоги MJE13007:

Полную информацию можно узнать в Datasheet выпускаемой производителем для данного транзистора.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания: Любое оружие, используемое в сражении, заедает в самый неподходящий момент. Следствие дворника: Против лома нет приема. Поправка сценариста: Лом ТОЖЕ заедает. 3-ий закон Робототехники

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A;

транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335;

дата записи: 2015-02-04 07:44:50

дата записи: 2017-12-19 09:49:35

Добавить аналог транзистора MJE13007.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13007? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Semiconductor Pinout Informations

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

Part Number : E13007-2

Function : NPN Silicon Transistor

Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W

High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control

1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY

Отечественные и зарубежные аналоги

Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.

При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).

Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:

  • (MJE)13002;
  • (MJE)13003;
  • (MJE)13005;
  • (MJE)13007;
  • (MJE)13009.

Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.

В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.

Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:

Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC/ICM TJ fT Cob hFE UCE(sat) ton / ts / tf Корпус Примечания
13007 2/85 700 400 9 9/- 150 ≥ 5 — 8…35 ≤ 0,8 0,5/5,5/0,5 TO220
КТ8126А1 -/80 700 400 9 8/16 150 ≥ 4 120 5…40 ≤ 3,0 1,6/3,0/0,7 КТ-28 (TO220)
2Т856А -/125 950 950 5 10/12 — — — 10…60 ≤ 1,5 -/-/0,5 КТ-9 (TO3)
Б 750 750
Г 850 850
КТ872А -/100 700 700 6 8/15 150 7 — 6 ≤ 1,0 -/6,7/0,8 КТ-43 (TO218)
КТ878А 2/100 900 900 6 25/30 150 ≥ 10 500 12…50 ≤ 1,5 -/3,0/- КТ-9 (TO3)
КТ8107А -/100 1500 700 5 5/7 150 ≥ 7 ≤ 75 ≥ 2,25 ≤ 1,0 -/3,5/0,5 КТ-43-2 (TO218)
В 1200
КТ8108А/Б/В -/70 850 850 5 5/7 150 ≥ 15 ≤ 75 10…50 ≤ 1,0 -/3,0/0,3 КТ-9 (TO3)
КТ8114А -/125 1500 700 6 8/15 150 — — ≥ 6 ≤ 1,0 -/-/0,5 КТ-43-2 (TO218)
Б 1200
КТ8118А -/50 900 750 5 3/- 150 ≥ 15 — 10 — — —
КТ8121А -/75 700 400 5 4/8 150 ≥ 4 — 8…60 ≤ 1,0 -/3,0/0,4 —
КТ8164А -/75 700 400 9 4/8 150 ≥ 4 110 8…60 ≤ 1,0 0,8/4,0/0,9 КТ-28 (TO220)

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC/ICM TJ fT Cob hFE UCE(sat) ton / ts / tf Корпус Примечания
13007 2/85 700 400 9 9/- 150 ≥ 5 — 8…35 ≤ 0,8 0,5/5,5/0,5 TO220
13009T 2/95 700 400 9 11/- 150 ≥ 5 — 8…40 ≤ 0,8 0,4/6,0/0,4 TO220
BLD137D -/90 700 400 9 8/- 150 — — 5…40 ≤ 1,5 -/7,0/0,8 TO220/S
BR3DD13009 X7R 2/90 700 400 9 8/- 150 ≥ 5 — 10…40 ≤ 1,5 -/9,0/0,8 TO220
BR3DD13009 X8F 2/90 700 400 9 8/- 150 ≥ 5 — 10…40 ≤ 1,5 -/9,0/0,8 TO220F
BUJ105A -/80 700 400 — 8/16 150 — — 10…36 ≤ 1,0 1,0/2,5/0,5 TO220AB ٭
BUJ106A -/80 700 400 — 10/20 150 — — 10…33 ≤ 1,0 0,75/3,3/0,75 TO220AB ٭
BUL67 -/100 700 400 9 10/18 150 — — 10…50 ≤ 1,5 -/3,2/0,18 TO220 ٭٭
BUL87 -/110 700 400 9 12/24 150 — — 8…40 ≤ 1,5 -/3,4/0,165 TO220 ٭٭
FJP3307D -/80 700 400 9 8/16 150 — 60 5…40 ≤ 3,0 -/3,0/0,7 TO220
MJE13009X7 2/90 700 400 9 8/- 150 ≥ 5 — 10…40 ≤ 1,5 -/9,0/0,8 TO220
MJE13009X8 2/90 700 400 9 8/- 150 ≥ 5 — 10…40 ≤ 1,5 -/9,0/0,8 TO220F
MJE13009ZJ 2/90 700 400 9 12/- 150 ≥ 5 — 10…40 ≤ 1,2 -/12,0/0,5 TO220S
PHE13009 -/80 700 400 — 12/24 150 — — 8…40 ≤ 2,0 -/3,3/0,7 TO220AB ٭
SBP5307DO -/80 700 400 9 8/16 150 — — 10…40 ≤ 3,0 -/3,6-1,6 TO220
SGSF341 -/80 850 400 — 10/- 175 — — — ≤ 1,5 1,2/3,5/0,4 TO220 ٭
TSC148D -/80 700 400 9 8/16 150 — — 8…40 ≤ 2,0 0,6/1,6/0,3 TO220 TO263

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка

Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

№1 — Эмиттер

№2 — База

№3 — Коллектор

Маркировка КТ502

КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка

КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка

КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка

КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка

КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка

КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка

Предельные параметры КТ502

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:

  • КТ502А — 25 В
  • КТ502Б — 25 В
  • КТ502В — 40 В
  • КТ502Г — 40 В
  • КТ502Д — 60 В
  • КТ502Е — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:

  • КТ502А — 40 В
  • КТ502Б — 40 В
  • КТ502В — 60 В
  • КТ502Г — 60 В
  • КТ502Д — 80 В
  • КТ502Е — 90 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —

(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:

  • КТ502А — 40 — 120
  • КТ502Б — 80 — 240
  • КТ502В — 40 — 120
  • КТ502Г — 80 — 240
  • КТ502Д — 40 — 120
  • КТ502Е — 40 — 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц

if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }

window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});

window.addEventListener(«load», () => {

var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);

Емкость коллекторного перехода (CК)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (CЭ)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт

Опубликовано 16.03.2020

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A;

транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335;

2SA1370 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  sanyo 2sa1370 2sc3467.pdf

Ordering number:EN1412CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1370/2SC3467High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsUse Package Dimensions Color TV chroma output and high breakdown voltageunit:mmdriver.2006A[2SA1370/2SC3467]Features High breakdown voltage : VCEO 200V. Small reverse transfer capacitance and excellent highfrequency charac

 ..2. Size:269K  lzg 2sa1370 3ca1370.pdf

2SA1370(3CA1370) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Color TV chroma output and high breakdown voltage driver. :,,/Features: High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Absolu

 8.1. Size:130K  1 2sa1335 2sa1378.pdf

 8.2. Size:139K  sanyo 2sa1371 2sc3468.pdf

Ordering number:EN1413CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1371/2SC3468High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsUse Package Dimensions Color TV chroma output and high breakdown voltageunit:mmdriver.2006A[2SA1371/2SC3468]Features High breakdown votage : VCEO 300V. Small reverse transfer capacitance and excellent highfrequency charact

 8.3. Size:62K  nec 2sa1367 2sa1376a.pdf

 8.4. Size:79K  nec 2sa1376.pdf

 8.5. Size:24K  hitachi 2sa1374.pdf

2SA1374Silicon PNP EpitaxialApplicationLow frequency amplifierOutlineSPAK1. Emitter122. Collector33. Base2SA1374Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 55 VCollector to emitter voltage VCEO 55 VEmitter to base voltage VEBO 5 VCollector current IC 100 mABase current IB 30 mACollector power

 8.6. Size:176K  lzg 2sa1371 3ca1371.pdf

2SA1371(3CA1371) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Color TV chroma output and high breakdown voltage driver. :,, Features: High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Abso

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

Part Number : E13007-2

Function : NPN Silicon Transistor

Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W

High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control

1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY

Похожие записи:

  1. Транзистор 2n2222a даташит на русском
  2. 2n5551 чем заменить
  3. A1241 pdf даташит
  4. A1930 pdf даташит
0
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб

Похожие записи:

  1. Транзистор 2n2222a даташит на русском
  2. 2n5551 чем заменить
  3. A1241 pdf даташит
  4. A1930 pdf даташит
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая использовать сайт, Вы даете свое согласие на работу с этими файлами и принимаете условия пользовательского соглашения.