Основные технические характеристики
Главными особенностями транзистора 13001 являются:
- высокое рабочее напряжение (база-коллектор – 700 вольт, коллектор-эмиттер – 400 вольт, по некоторым источникам – до 480 вольт);
- малое время переключения (время нарастания тока — tr=0,7 микросекунд, время спадания тока tf=0,6 μs, оба параметра измерены при токе коллектора 0,1 мА);
- высокая рабочая температура (до +150 °C);
- высокая рассеиваемая мощность (до 1 Вт);
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
Последний параметр декларируется при двух режимах:
Также в качестве преимущества производители заявляют о низком содержании в транзисторе вредных веществ (соответствие требованиям RoHS).
Другие параметры, значимые для эксплуатации:
- максимальный непрерывный ток базы – 100 мА;
- наибольший импульсный ток базы – 200 мА;
- предельный допустимый ток коллектора – 180 мА;
- предельный импульсный ток коллектора – 360 мА;
- наибольшее напряжение база-эмиттер – 9 вольт;
- время задержки включения (storage time) – от 0,9 до 1,8 μs (при токе коллектора 0,1 мА);
- напряжение насыщения база-эмиттер (при токе базы 100 мА, токе коллектора 200 мА) – не более 1,2 вольта;
- наибольшая рабочая частота – 5 МГц.
Статический коэффициент передачи по току для разных режимов заявляется в пределах:
Все характеристики декларируются при температуре окружающего воздуха +25 °C. Хранить транзистор можно при температурах окружающей среды от минус 60 до +150 °C.
