А733 и его альтернативы: какой транзистор можно использовать вместо А733?
Вот несколько альтернативных транзисторов, которые можно использовать вместо А733:
- BC547 – это популярный низкочастотный NPN-транзистор, который обычно используется в аналоговых и цифровых устройствах. Он имеет схожие электрические параметры с А733 и может успешно заменить его в большинстве случаев.
- 2N3904 – это еще один NPN-транзистор, который входит в категорию общего назначения. Он имеет высокий коэффициент усиления и может использоваться в различных приложениях, включая усилители и переключатели.
- 2SC1815 – это NPN-транзистор, который отлично подходит для аудио-усилителей и других устройств, работающих в области низкой частоты. Он имеет высокий коэффициент усиления и небольшой шумовой уровень.
Перед заменой транзистора А733 на альтернативный важно убедиться, что электрические параметры альтернативного транзистора соответствуют требованиям конкретной схемы. Кроме того, следует учесть значения максимального рабочего тока, напряжения и мощности, чтобы избежать потенциальных проблем или повреждения схемы
Критерии выбора аналогов a733
При выборе аналогов для замены транзистора a733 важно учитывать несколько критериев
1. Параметры и характеристики: аналоги должны обладать такими же или сопоставимыми параметрами и характеристиками, как и оригинал
Необходимо обратить внимание на такие показатели, как максимальное рабочее напряжение, максимальный ток коллектора, коэффициент усиления и температурный диапазон
2. Доступность: выбранные аналоги должны быть легко доступными на рынке и доступными для заказа. Необходимо убедиться, что аналоги можно приобрести в нужном количестве и в нужное время.
3
Совместимость: при замене транзистора a733 аналогами необходимо обратить внимание на их совместимость с существующей схемой. Некоторые аналоги могут не подходить из-за различий в пин-конфигурации или электрической схеме
4. Надежность: выбранные аналоги должны быть надежными и долговечными. Необходимо учитывать рейтинги и отзывы производителей, чтобы выбрать аналоги с хорошей репутацией.
5. Цена: стоимость выбранных аналогов также является важным критерием при выборе
Необходимо обратить внимание на соотношение цена-качество и выбрать наиболее оптимальное решение
С учетом этих критериев можно выбрать обеспечить успешную замену транзистора a733 на подходящие аналоги.
Биполярный транзистор 2SA733 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA733
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
2SA733
Datasheet (PDF)
..1. Size:123K fairchild semi 2sa733.pdf
September 20092SA733PNP General Purpose AmplifierFeatures This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Volta
..2. Size:69K nec 2sa733.pdf
..3. Size:259K utc 2sa733.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA733 PNP SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA733 is a low frequency amplifier. FEATURES * Collector-emitter voltage: BVCEO=-50V * Collector current up to -150mA * High hFE linearity * Complimentary to 2SC945 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment
..4. Size:414K secos 2sa733.pdf
2SA733 -60 V, -150mA PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Complementary of the 2SC945 A Collector to base voltage: -60V L33MARKING Top View C B11 2Product Marking Code 2K E2SA733 CS DH JF GCLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA73
..5. Size:1643K blue-rocket-elect 2sa733.pdf
2SA733 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features h FE High hFE and excellent hFE linearity. / Applications Driver stage of AF power amplifier. / Equivalent Circuit
..6. Size:1105K kexin 2sa733.pdf
SMD Type Trans s o sSMD Type TransiisttorrsPNP Transistors2SA733SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesCollector-Base Voltage: VCBO=-60V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO -60 VCollector to emitter voltage VCEO -50 V
..7. Size:309K galaxy 2sa733.pdf
Product specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA733 FEATURES Pb Excellent h Linearity. FELead-free Power dissipationP =250mW. D High h . FEAPPLICATIONS Designed for use in driver stage of amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SA733 CS SOT-23 : none is for Lead Free package; G is f
0.1. Size:506K blue-rocket-elect 2sa733m.pdf
2SA733M(BR3CG733M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features h FEHigh hFE and excellent hFE linearity. / Applications Driver stage of AF power amplifier. / Equivalent Circ
0.2. Size:162K semtech 2sa733r 2sa733o 2sa733y 2sa733p 2sa733l.pdf
2SA733 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 2SC945 is recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base
0.3. Size:706K china 2sa733lt1.pdf
SEMICONDUCTOR 2SA733LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current : Ic=150mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo -60 V Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V Emitter-Base Voltage Vebo -5 V PIN: 1 2 3Collector Current Ic -150
0.4. Size:258K lzg 2sa733k-p-q-r.pdf
2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FEFE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA
Другие транзисторы… 2SA725
, 2SA726
, 2SA728
, 2SA728A
, 2SA73
, 2SA730
, 2SA731
, 2SA732
, TIP142
, 2SA738
, 2SA739
, 2SA74
, 2SA740
, 2SA740A
, 2SA741
, 2SA741H
, 2SA742
.
Применение транзистора A733
Основные области применения транзистора A733:
- Усилительные схемы – транзистор A733 может использоваться в усилительных схемах как ключевой элемент для усиления или переключения сигнала. Благодаря своей низкой рабочей напряженности и высокой усилительной способности, он позволяет достичь высокого качества звука или усиления сигнала.
- Источники питания – транзистор A733 может использоваться в схемах источников питания, где требуется стабильный выходной ток. Он обладает низким падением напряжения на переключении и высокой эффективностью в преобразовании энергии.
- Стабилизаторы напряжения – транзистор A733 может быть использован в схемах стабилизации напряжения, особенно при работе с низкими входными напряжениями. Он обеспечивает стабильность выходного напряжения и защиту от перегрузок и коротких замыканий.
- Выходные оконечные каскады – транзистор A733 может быть использован в качестве выходного оконечного каскада в усилительных схемах или мощных блоках музыкальных устройств. Благодаря своей высокой надежности и высокой мощности, он способен обеспечить качественное и мощное звучание.
Транзистор A733 является универсальным элементом в электронных схемах и широко применяется в различных областях электроники. Его параметры и характеристики делают его незаменимым компонентом для достижения высокого качества и стабильности работы электронных устройств.
Цоколевка транзистора А733
Цоколевка транзистора А733 представлена в виде трех выводов (пинов). Каждый пин имеет свою назначенную функцию:
- Вывод 1 (B — база) — предназначен для подачи управляющего сигнала на базу транзистора. Здесь подается входной сигнал, который управляет работой транзистора.
- Вывод 2 (C — коллектор) — является выходным пином транзистора. Через этот пин выходит усиленный сигнал, который может быть использован в дальнейших узлах.
- Вывод 3 (E — эмиттер) — является общим пином транзистора. Проходит ток из источника питания в коллектор и базу.
Физическое расположение пинов может немного отличаться в различных корпусах транзистора А733, но функции выводов остаются неизменными.
Особенности работы транзистора А733
Транзистор А733 принадлежит к типу PNP и обладает следующими особенностями:
- Небольшие габариты и низкое энергопотребление делают транзистор А733 идеальным для применения в компактных устройствах.
- Высокая надежность и долгий срок службы позволяют использовать транзистор А733 в условиях повышенной нагрузки.
- Высокая скорость коммутации делает транзистор А733 подходящим для работы в высокочастотных схемах.
- Низкая напряжение переключения позволяет питать транзистор А733 от низковольтных источников питания.
- Широкий диапазон рабочих температур делает транзистор А733 устойчивым к экстремальным условиям.
Транзистор А733 представляет собой универсальное устройство, применимое в различных областях, включая радиоэлектронику, автомобильную промышленность и бытовую технику.
Режимы работы транзистора
Транзистор может работать в различных режимах в зависимости от величины входного и выходного сигналов, а также от способа подключения.
Основными режимами работы транзистора являются:
- Импульсный режим или режим насыщения. В этом режиме входное напряжение и выходное сигналы находятся на низком уровне, что позволяет транзистору действовать как открытый ключ. В этом режиме транзистор практически не имеет внутреннего сопротивления и может эффективно управлять большой нагрузкой.
- Режим активного усиления. В этом режиме транзистор находится в промежуточном состоянии между насыщением и отсечкой. Входное напряжение и выходной сигнал находятся на среднем уровне. В этом режиме транзистор может усиливать малые сигналы и работать как усилитель.
- Режим отсечки или обеднения. В этом режиме входное напряжение и выходный сигнал находятся на высоком уровне, транзистор действует как закрытый ключ. В этом режиме транзистор имеет высокое внутреннее сопротивление и не может управлять большой нагрузкой.
Выбор режима работы транзистора зависит от требуемой функции и параметров схемы, в которую он включается.
Особенности транзистора A733
Транзистор A733 относится к классу биполярных плоскими структурами. Он обладает рядом особенностей, которые делают его популярным в различных электронных устройствах.
- Высокий коэффициент усиления тока позволяет использовать транзистор A733 в усилителях сигналов.
- Малые габариты и низкое тепловыделение позволяют интегрировать его в компактные физические системы.
- Высокая рабочая температура и широкий диапазон рабочих напряжений делают транзистор A733 надежным и универсальным.
- Стабильность параметров и долговечность обеспечивают длительную и качественную работу устройств с использованием данного транзистора.
- Наличие защиты от электростатического разряда и короткого замыкания обеспечивает безопасность работы транзистора в условиях повышенной эксплуатационной нагрузки.
Транзистор A733 является незаменимым элементом в электронике и применяется в различных сферах: от производства радиотехники до автомобильной промышленности.
Малые габариты и низкое потребление энергии
Транзистор A733 отличается своими малыми габаритами и низким потреблением энергии, что делает его привлекательным для использования в различных электронных устройствах.
Малые габариты транзистора A733 позволяют его легко устанавливать на печатные платы и интегрировать в компактные устройства. Такой транзистор можно использовать в различных схемах усиления и коммутации, при этом не занимая много места.
Одновременно с этим, транзистор A733 имеет низкое потребление энергии, что позволяет его использовать в устройствах, работающих от батарейного питания или в мобильных устройствах, где важно длительное время автономной работы. Комбинация малых габаритов и низкого потребления энергии делает транзистор A733 оптимальным выбором для разработки миниатюрных электронных устройств, где требуется эффективность и компактность
Комбинация малых габаритов и низкого потребления энергии делает транзистор A733 оптимальным выбором для разработки миниатюрных электронных устройств, где требуется эффективность и компактность.
Высокая эффективность и надежность
Транзистор A733 отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его идеальным компонентом для различных электронных устройств. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает стабильную и надежную работу в широком диапазоне условий.
Один из ключевых факторов, обеспечивающих высокую эффективность транзистора A733, это его низкое потребление энергии
Это позволяет устройству работать дольше от одной зарядки или батареи, что особенно важно для портативных устройств и гаджетов
Кроме того, транзистор A733 обладает высокой надежностью, что гарантирует его долгий срок службы. Он устойчив к перепадам температуры, влажности и другим внешним воздействиям, что позволяет ему работать стабильно и без сбоев даже в самых экстремальных условиях.
Благодаря высокой эффективности и надежности, транзистор A733 пользуется популярностью среди разработчиков и производителей электроники. Он широко применяется в различных устройствах, таких как телефоны, компьютеры, автомобильные системы и другие, где требуется высокая производительность и долговечность.
2SA733 Datasheet (PDF)
..1. Size:123K fairchild semi 2sa733.pdf
September 20092SA733PNP General Purpose AmplifierFeatures This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Volta
..2. Size:69K nec 2sa733.pdf
..3. Size:259K utc 2sa733.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA733 PNP SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA733 is a low frequency amplifier. FEATURES * Collector-emitter voltage: BVCEO=-50V * Collector current up to -150mA * High hFE linearity * Complimentary to 2SC945 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment
..4. Size:414K secos 2sa733.pdf
2SA733 -60 V, -150mA PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Complementary of the 2SC945 A Collector to base voltage: -60V L33MARKING Top View C B11 2Product Marking Code 2K E2SA733 CS DH JF GCLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA73
..5. Size:1643K blue-rocket-elect 2sa733.pdf
2SA733 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features h FE High hFE and excellent hFE linearity. / Applications Driver stage of AF power amplifier. / Equivalent Circuit
..6. Size:1105K kexin 2sa733.pdf
SMD Type Trans s o sSMD Type TransiisttorrsPNP Transistors2SA733SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesCollector-Base Voltage: VCBO=-60V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO -60 VCollector to emitter voltage VCEO -50 V
..7. Size:309K galaxy 2sa733.pdf
Product specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA733 FEATURES Pb Excellent h Linearity. FELead-free Power dissipationP =250mW. D High h . FEAPPLICATIONS Designed for use in driver stage of amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SA733 CS SOT-23 : none is for Lead Free package; G is f
0.1. Size:506K blue-rocket-elect 2sa733m.pdf
2SA733M(BR3CG733M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features h FEHigh hFE and excellent hFE linearity. / Applications Driver stage of AF power amplifier. / Equivalent Circ
0.2. Size:162K semtech 2sa733r 2sa733o 2sa733y 2sa733p 2sa733l.pdf
2SA733 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 2SC945 is recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base
0.3. Size:706K china 2sa733lt1.pdf
SEMICONDUCTOR 2SA733LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current : Ic=150mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo -60 V Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V Emitter-Base Voltage Vebo -5 V PIN: 1 2 3Collector Current Ic -150
0.4. Size:258K lzg 2sa733k-p-q-r.pdf
2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FEFE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA
Подключение и цоколевка A733 транзистора
В A733 транзисторе имеются три вывода: эмиттер (E), коллектор (C) и база (B)
Важно помнить о том, что неправильное подключение выводов транзистора может привести к его выходу из строя. Поэтому следует тщательно изучить документацию или схему подключения для каждого конкретного устройства
Обычно, в схемах подключения A733 транзистор используется в усилительных цепях или как коммутационный элемент. Для успешного подключения рекомендуется придерживаться следующей последовательности:
- Подключить эмиттер (E) к общей земле или к источнику отрицательного напряжения.
- Подключить коллектор (C) к нагрузке или к источнику положительного напряжения.
- Подключить базу (B) через соответствующий резистор к сигнальному источнику или к управляющей схеме.
При подключении рекомендуется использовать провода адекватного сечения и обеспечить надежность соединений. Также рекомендуется провести измерение характеристик транзистора после подключения для проверки его работоспособности и соответствия требованиям.
Преимущества использования аналогов a733
Замена транзистора a733 может быть необходима по различным причинам, и использование аналоговых устройств может предоставить ряд преимуществ:
1. Широкий выбор вариантов. Существует множество аналоговых устройств, которые могут заменить транзистор a733. Это открывает больше возможностей для поиска наилучшего альтернативного решения в зависимости от требований и конкретной ситуации.
2. Удобство приобретения. В отличие от некоторых редких компонентов, аналоги a733 часто легче найти и купить, что позволяет экономить время и силы при замене поврежденного транзистора.
3. Снижение затрат. Использование аналогов позволяет сократить затраты на ремонт или обслуживание оборудования, так как цены на них часто более доступны по сравнению с оригинальными компонентами.
4. Улучшение характеристик. В некоторых случаях, аналоги могут иметь лучшие характеристики, такие как более высокая надежность, более высокая производительность или меньшее потребление энергии.
В целом, использование аналогов a733 может предоставить широкий выбор вариантов, упростить процесс замены, уменьшить затраты и даже улучшить характеристики схемы или устройства.
2SA733 Datasheet PDF — NEC
| Part Number | 2SA733 | |
| Description | PNP SILICON TRANSISTOR | |
| Manufacturers | NEC | |
| Logo | ||
|
There is a preview and 2SA733 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
DATA SHEET • High hFE and Excellent Linearity: 200 TYP. hFE (VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Maximum Power Dissipations (TA = 25°C) Total Power Dissipation −55 to +150°C +150°C Maximum 250 mW Maximum Voltages and Currents (TA = 25°C) VCBO Collector to Base Voltage VCEO Collector to Emitter Voltage VEBO Emitter to Base Voltage IC Collector Current IB Base Current Note Pulse Test PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2% −60 V −50 V −5.0 V −100 mA −20 mA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C) CHARACTERISTIC hFE fT Cob ICBO IEBO VBE VCE(sat) TEST CONDITIONS VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA VCE = −6.0 V, IE = 10 mA VCB = −10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz VCB = −60 V, IE = 0 A VEB = −5.0 V, IC = 0 A ICE = −6.0 A, IC = −1.0 mA IC = −100 mA, IB = −10 mA PACKAGE DRAWING (Unit: mm) φ 5.2 MAX. 0.5 −0.58 TYP. −0.62 −0.18 MAX. −0.1 −0.1 −0.68 −0.3 UNIT µA µA V CLASSIFICATION OF hFE Rank Remark hFE Test Conditions: VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA E |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SA733 electronic component. |
| Information | Total 4 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |