Irl3713pbf pdf даташит

Irl3713s параметры  транзистора  полевого n-канального. справочник транзисторов паратран.

IRL3713 Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number IRL3713
Description SMPS MOSFET
Manufacturers International Rectifier 
Logo  

There is a preview and IRL3713 download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 11 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

PD — 94184D
SMPS MOSFET
Applications

l High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use

l High Frequency Buck Converters for

Computer Processor Power

l 100% RG Tested

VDSS

30V
IRL3713
IRL3713S
IRL3713L

HEXFETPower MOSFET

RDS(on) max (mW) ID

3.0@VGS = 10V

260A

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current
TO-220AB
IRL3713

D2Pak

IRL3713S
TO-262
IRL3713L
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter

VDS Drain-Source Voltage

VGS Gate-to-Source Voltage

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

PD @Tc = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

cContinuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation

TJ, TSTG

Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Symbol

RθJC

RqCS

RθJA

RθJA

iParameter

Junction-to-Case

fCase-to-Sink, Flat, Greased Surface

fiJunction-to-Ambient

giJunction-to-Ambient (PCB Mount)

Notes through are on page 11

www.irf.com
Max
30
± 20

260h

180h

h1040

330
170
2.2
-55 to +175
Typ
–––
0.50
–––
–––
Max
0.45
–––
62
40
Units
V
V
A
W
W/°C
°C
Units
°C/W
1
11/12/03

IRL3713/S/L
300
LIMITED BY PACKAGE
250
200
150
100
50

25 50 75 100 125 150 175

TC , Case Temperature ( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature

VDS

VGS

RG

RD

D.U.T.
10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

1
D = 0.50

0.1 0.20

0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
0.00001
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

PDM

t1

t2

0.0001
Notes:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Peak T J = P DM x Z thJC + TC

0.001
0.01

t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
0.1
5


Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRL3713 electronic component.

Information Total 11 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

Как проверить мультиметром

TL431 нельзя проверить с помощью мультиметра, так как это не простой стабилитрон, а интегральная микросхема. Сопротивления между его выводами у разных производителей отличаются. Поэтому, для того чтобы убедится в её исправности обычно собирают простейшие схемы проверки.

Для проверки в схеме изображенной на рисунке слева, на вход подается 12 В. Если устройство исправно, то на выходе должно появится напряжение 4.9-5.0 В, а при замыкании кнопки S1 – 2.5 В. Мультиметр, в данном случае, нужен для измерения результатов тестирования.

TL431 можно также проверить в другой тестовой схеме со светодиодом (рисунок справа). При изменении сопротивления R2 потенциометра, на управляющем электроде появится 2.5 В. Диод должен скачкообразно перейти в светящееся состояние. Это будет означать то, что устройство исправно. Данный принцип работы можно использовать для создания индикатора разряда аккумулятора.

Основные параметры полевого n-канального транзистора IRL3713S

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IRL3713S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-каналСтруктура (технология):

Pd max, мВт Uds max, В Udg max, В Ugs max, В Id max, мА Tj max, °C Fr (T on/of) Ciss tip, пФ Rds, Ом
330000 30 20 1040000 -55+175 (Ton:16/Tof:40nS) 5890 0,0026

Производитель: International RectifierСфера применения: Дополнительные параметры транзистора IRL3713S:
Корпус: TO-263; Rth: 0,45°C; Coss: 3130пФ; Crss: 630пФ; Qg: 75нКл; Qgs: 24нКл; Qgd: 37нКл; Trise: 160нc; Tfall: 57нc; Trr: 75нc;Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Схемы включения TL431

Разберемся как работает TL431 на примере простейшей схемы стабилизации, состоящей из самого стабилитрона и одного резистора. К катоду подключается положительный, а к аноду отрицательный полюс питания. Для включения микросхемы, на её управляющий электрод подается опорное напряжение (Vref). 

Если его значение будет больше 2.5 В, то стабилитрон почти сразу откроется и начнет пропускать через себя ток (IKA), которым можно запитать соответствующую нагрузку. Его значение будет расти вместе с повышением уровня Vin . IKA можно определить по формуле IKA = (Vin— Vref)/R. При этом, выходное напряжение схемы будет стабилизировано на уровне опорного (VКА = Vref), не превышающего 2.5 В и независимо от подаваемого на входе Vin.

Расчет параметрической схемы стабилизации

Для получения на выходе микросхемы большего по величине напряжения (вплоть до 36 В), к её управляющему электроду дополнительно подсоединяют резистивный делитель. Он состоит из двух резисторов (R1 и R2) подключаемых между катодом и анодом. В этом случае внутреннее сопротивление стабилитрона возрастает на (1 + R1/R2) раз.

Для расчета схемы стабилизации на TL431 необходимы начальные данные о входном(VIN) и выходном (VКА) напряжениях, а также токах: стабилизации (IKA) и нагрузки (IL). Имея эти данные можно рассчитать значения других электронных компонентов, представленных на рисунке ниже.

Выходное напряжение и номиналы сопротивлений связаны между собой следующей формулой VКА= Vref *(1 + R1/R2)+ Iref *R1. Где Vref = 2495 мВ и Iref = 2 мкА -это типовые величины, они указаны в электрических параметрах из даташит на устройство.

Сопротивление R1 также можно взять из datasheet. Чаще всего берут с номиналами от 10 до 30 кОм. Значение R1 ограничено небольшим опорным током (Iref = 2 мкА), которым часто пренебрегают для расчетов схем стабилизации на TL431. Поэтому для вычисления значения R2, без учета Iref, можно использовать следующую формулу R2=R1/((VКА/Vref)-1).

Регулировка напряжения стабилизации

Для построения схем с возможностью ручной регулировки напряжения на выходе, вместо обычного R1 ставят потенциометр. Номинал ограничительного резистора R, оказывающего сопротивление току на входе (IIN), рассчитывают по формуле R=(VIN-VКА)/ IIN. Здесь IIN = IKA+ IL.

Несмотря на достоинства микросхемы TL431, есть у неё и весьма существенный недостаток– это маленький ток в нагрузке, который она способна выдержать. Для решения этой проблемы в схему включают мощные биполярные или полевые транзисторы.

Примеры различных схем на основе стабилитрона TL431 можно посмотреть в следующем видео.

Применение TL431

Эта микросхема может использоваться в различных устройствах питания различной мощности. TL431 используется в производстве блоков питания, ЛБП, стабилизаторов напряжения и тока, и прочего.

Эта микросхема может служить обычным компаратором, но благодаря внутреннему опорному источника питания схемы с таким использованием TL431 значительно упрощаются. В таком случае на ней можно создать схему терморегулятора и прочих устройств для считывания сигналов с аналоговых датчиков. А так же может служить индикатором напряжения. В том числе и звуковым.

Но чаще всего оно применяется в качестве источника опорного питания в связке с другими микросхемами, так как выдает его очень стабильно. Существует множеством схем, где TL431 используется в связке с LM317 — другим популярным регулируемым стабилизатором.

Технические характеристики TL431

Рассмотрим максимально допустимые рабочие характеристики микросхемы. Если при его эксплуатации они будут превышены, то устройство неминуемо выйдет из строя. Продолжительная эксплуатация с параметрами, близкими к предельным значениям, также не допускается. Рассмотрим их подробней:

  • катодное выходное напряжение (VKA), по отношению к выводу анода до 37 В;
  • возможные значения токов: для непрерывного катодного на выходе (IKA) от –100 мА до 150 мА; для обратного на входе от -50 мА до 10 мА;
  • типовой импеданс до 0,22 Ом;
  • рассеиваемая мощность (для разных типов упаковки) PD: 0.8 Вт (SOT-89); 0,78 Вт (ТО-92); 0.75 Вт (SO-8); 0,33 Вт (SOT-23); 0,5 Вт (SOT-25);
  • температура кристалла (TJ): рабочая: 0…+70 ОС; -40 … +125ОС (для некоторых автомобильных версий); максимальная (TJmax) до +150ОС;
  • тепловое сопротивление корпуса RθJC: 97ОС/Вт (D); 156 ОС/Вт (LP); 28 ОС/Вт (KTP); 127ОС/Вт (P); 52ОС/Вт (PK); 149ОС/Вт (PW);
  • температура хранения: -65… +150 ОС.

Рекомендуемые параметры эксплуатации

В рабочих условиях рекомендуемыми значениями использования TL413 являются: входное опорное напряжение (VREF) не более 36 В; катодный ток (IKA) должен быть в диапазоне от 1 до 100 мА; соблюдение температурных режимов использования. Стоит учитывать, что при IKA <5 мА данная микросхема может функционировать нестабильно. Ниже представлены электрические параметры устройства, замеренные при температуре ТА= 25°C.

Производители

Из-за своих хороших параметров, надежности и дешевизны, TL431 используется в различных технических решениях. Поэтому её производством занимаются многие зарубежных компаний. Существует даже полностью переведенный datasheet tl431 на русском от Texas Instruments (TI). А вот ссылки на некоторые даташит устройств продающихся в РФ: TI, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Nexperia, HTC Korea, NXP Semiconductors. Есть еще изготовители этих изделий, но их трудно найти в российских магазинах. К ним относятся: Unisonic Technologies, Motorola, Fairchild Semiconductor, Diodes Incorporated, HIKE Electronics, Calogic, Sangdest Microelectronic (Nanjing), SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Hotchip Technology, Foshan Blue Rocket Electronics и др.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: