Irf620 mosfet: pinout, equivalent, specification, datasheet

IRF620 specification

IRF620 is an N-channel POWER MOSFET device
Drain to source voltage (V_DS) is 200V
Gate to source voltage (V_GS) is +/- 20V
Gate to the threshold voltage (V_{GS (th)}) is 2V to 4V
Drain current (I_d) is 2A
Pulsed drain current (I_DM) is 18A
Power dissipation (P_D) is 50W
Total gate charge (Q_g) is 14nC
Drain to source on-state resistance (R_{DS (ON)}) 80Ω
Rise time (tr) is 22ns
Thermal resistance junction to case (R_thj-C) is 5℃/W
Junction temperature/ storage temperature T_J/T_stg is between -55 to 150℃
Body diode reverse recovery (trr) 150 to 300ns
Input capacitance is 260pf
Output capacitance is 100pf
Dynamic dv/dt rating
Repetitive avalanche rating
Fast switching
Ease of paralleling
Simple driver requirement

IRF620 Datasheet PDF — TRANSYS Electronics

Part Number	IRF620
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	TRANSYS Electronics
Logo
There is a preview and IRF620 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
IRF620
Power MOSFET

VDSS = 200V, RDS(on) = 0.80 ohm, ID = 5.2 A

D
G
N Channel
S
Symbol
ELECTRICAL CHARACTERISICS at Tj = 25 C Maximum. Unless stated Otherwise
Parameter
Symbol
Test Conditions
Drain to Source Breakdown Voltage
Drain to Source Leakage Current
Gate to Source Leakage Current
Gate Threshold Voltage

V(BR)DSS VGS = 0 VDC, ID = 250µA

IDSS

VDS = 200VDC, VGS = 0VDC

VDS = 160VDC, VGS = 0VDC Tj=125 C

IGSS

VGS(th)

VGS = +20VDC

VGS = -20VDC

VDS = VGS, ID = 250µA

Static Drain to Source On — Resistance RDS(on) VGS= 10VDC, ID = 3.1A

Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
Turn On Delay Time
Turn Off Delay Time
Rise Time
Fall Time
Continuous Source Current
Pulsed Source Current
Forward Voltage (Diode)

QGS

QGD

CISS

COSS

CRSS

td(on)

td(off)

ID = 4.8A

VDS = 160VDC,

VGS = 10VDC

VDS = 25VDC, VGS= 0VDC, f = 1.0MHZ

VDD = 100VDC, ID = 4.8A, RG = 18

RD = 20

ISM

VSD VGS = 0VDC, IS =5.2A, Tp = 300µS

Value
Min Typ

200 —

—
—
—
—

2.0 —

—
—
—
—

— 260

— 100

— 30

— 7.2

— 19

— 22

— 13

—
—
—

Max Unit

— Volt

25
250 µA
100
-100
nA
nA
4.0 Volt
0.80
14 nC
3.0 nC
7.9 nC

— pF

— nS

5.2 A
18 A
1.8 V

MAXIMUM RATINGS (Tj = 25 C unless stated otherwise)

Parameter
Symbol Condition
Value
Gate to Source Voltage

VGS

+/- 20V
Drain to Source
Voltage
Continuous Drain Current

VDSS

200
5.2
Pulsed Drain Current

IDM

18
Total Power Dissapation
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)

PD (TA = 25 C)

RTH (J-A)

Maximum Operating Temperature Range (Tj) -55 to +150 OC

Maximum Storage Temperature Range (Tstg) -55 to +150 OC

50
62
Unit
Volt
Volt
Amp
Amp
W
C/W
Mechanical Dimensions
DIMENSIONS
Millimetres
Inches
Dim Min Max Min Max

a 10.29 10.54 0.405 0.415

b 2.62 2.87 0.103 0.113

c 6.10 6.47 0.240 0.255

d 3.54 3.78 0.139 0.149

e 14.84 15.24 0.584 0.600

f 13.47 14.09 0.530 0.555

g 1.15

0.045

h 1.15 1.400 0.045 0.055

j 2.54 0.100

k 3.550 4.06 0.140 0.160

m 4.20 4.69 0.165 0.185

n 1.22 1.32 0.048 0.052

p 2.64 2.92

q 0.48 0.55

r 0.69 0.93

0.104
0.018
0.027
0.115
0.022
0.037
a
d
cb
4
eg
k 12 3
h
f
r
Case TO-220-AB
Plastic
j
j
m
n
1 — Gate
2 & 4 — Drain
3 — Source
q
p

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRF620 electronic component.

Information	Total 1 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Маркировка

Основные символы в названии транзистора IRF3205:

IR – аббревиатура производителя International Rectifier;
F – значит, что перед нами полевой транзистор.

Данная модель транзистора выпускается с начала 2000х годов. А в 2011 году появилась новая версия, в названии которой в конце начали добавлять символ «z». Стоит отметить, что новая версия может встречаться в трех разных корпусах.

Маркировка	Внешний вид	Тип корпуса и предназначение
IRF3205Z		TO-220AB Классичекий корпус. Навесной монтаж или крепление к плате с помощью отверстия.
IRF3205ZS		D2Pak Для поверхностного монтажа на плату.
IRF3205ZL		TO-262 Для монтажа и пайки к охладителю.

Кроме этого, часто, в конце названия добавляют символы PbF («plumbum free»), что означает «без свинца».

IRF620 vs IRF630 vs IRF644

Here in this table, we listed the electrical specifications of IRF620, IRF630, and IRF644 MOSFET devices, this specs comparison is really useful for better understanding.

Characteristics	IRF620	IRF630	IRF644
Drain to source voltage (VDS))	200V	200V	250V
Gate to source voltage (Vgs)	20V	20V	250V


Gate threshold voltage (Vg(th))	2 to 4V	2, 3 and 4V	2V to 4V
Drain current (Id)	5.2A	9A	14A
Pulsed drain current	18A	36A	56A
Thermal resistance, junction to case	2.5℃/W	1.26℃/W	1℃/W
Total gate charge (Qg)	14nC	11.6nC	68nC
Power dissipation (PD)	50W	120W	125W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-65 to +175°C	-55 to +150℃
Drain to source on-state resistance (RDS)	0.80Ω	0.029 to 0.040Ω	0.28Ω
Rise time (tr)	22ns	2.6ns	24ns
Reverse recovery time (trr)	150 to 300ns	118.5ns	250 to 500ns
Input capacitance	260pf	370pf	1300pf
Output capacitance	100pf	77pf	330pf
Package	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB

Технические особенности

Основные технические характеристики IRF620 включают в себя:

Максимальное сопротивление канала — это значение определяет, насколько малым может быть сопротивление между выпрямителем и истоком транзистора. Для IRF620 это значение достигает десятков миллиомов.
Номинальное напряжение стока — данная характеристика указывает, какое максимальное напряжение транзистор может выдержать без дополнительной защиты. IRF620 способен противостоять напряжению, которое находится в пределах 200 вольт.
Максимальный допустимый ток стока — это значение указывает, какой максимальный ток может протекать через сток транзистора без причинения вреда его работе. IRF620 способен выдерживать токи величиной до 9 ампер.

Благодаря этим техническим особенностям, транзистор IRF620 нашел применение в большом количестве различных электронных устройств и схем. Он очень популярен в схемах усилителей мощности, блоков питания, импульсных преобразователей и других подобных устройств, требующих высоких токов и напряжений.

Камрад, рассмотри датагорские рекомендации

Халва для своих! +1800.00₽ для новичка на Aliexpress

Камрад, регистрируйся на Али по этой нашей ссылке. Ты получишь купон на 1800.00₽ на первый заказ. Не тяни, время действия купона ограничено.

Полезные и проверенные железяки — можно брать!

Куплено и опробовано читателями или в лаборатории редакции.

Цифровой осциллограф DSO138. Кит для сборки

Функциональный генератор. Кит для сборки

Настраиваемый держатель для удобной пайки печатных плат

Владимир (Spirit)
Старый Оскол
Список всех статей

Профиль Spirit

Электронщик-практик, в основном занимаюсь микроконтроллерами. Есть неплохой опыт и в аналоговой технике (все мы начинали с УМЗЧ =)).Одержим идеей автоматизации жилища а-ля «Умный дом» =)

IRF620: особенности и применение

Особенности транзистора IRF620:

Высокая мощность. IRF620 способен выдерживать ток до 4,8 А и напряжение до 200 В, что делает его идеальным для работы с высокими нагрузками.
Низкое сопротивление. Транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии, что позволяет использовать его для управления электронными устройствами с максимальной эффективностью.
Высокая надежность. IRF620 отличается стабильной и надежной работой в широком диапазоне температур и условий эксплуатации, что обеспечивает долгий срок службы.

Применение IRF620:

IRF620 находит широкое применение в различных областях электроники, включая:

Источники питания. Транзистор используется для управления силовыми блоками, обеспечивая стабильную работу и эффективное питание высокоскоростных электронных устройств.
Мощные электродвигатели. IRF620 способен управлять большими токами, что делает его идеальным для применения в системах автоматизации, робототехнике и других областях, где требуется высокая мощность и точное управление двигателями.
Аудиоусилители. Транзистор используется в схемах усилителей для обеспечения эффективной передачи силовых сигналов и высокой аудиофидельности.

IRF620 является надежным и легко доступным компонентом, который широко используется в различных электронных устройствах. Благодаря своим особенностям и применению, он является отличным выбором для инженеров и электронщиков.

Применение

IRF620 может использоваться в силовых источниках питания, поскольку он обладает высокой нагрузочной способностью и низким сопротивлением проводимости. Транзистор может выдерживать высокие токи и напряжения, что делает его идеальным для применения в различных силовых устройствах, включая инверторы, преобразователи постоянного тока и схемы управления двигателями.

Одним из важных применений IRF620 является его использование в автоматизированных системах управления, таких как системы освещения или системы контроля и мониторинга. Транзистор может быть использован для переключения различных нагрузок, что позволяет осуществлять управление и контроль за процессами работы системы.

IRF620 также широко применяется в аудиоусилителях и аудиоустройствах, где он обеспечивает усиление сигнала и контроль над выводными устройствами, такими как динамики и громкоговорители. Благодаря своим хорошим характеристикам и надежности, транзистор позволяет достичь высокого качества звука и эффективности работы аудиоустройств.

Применение	Описание
Силовые источники питания	Обладает высокой нагрузочной способностью и низким сопротивлением проводимости, что делает его идеальным для использования в силовых устройствах и источниках питания.
Автоматизированные системы управления	Может быть использован для управления различными нагрузками в системах освещения, системах контроля и мониторинга.
Аудиоусилители и аудиоустройства	Обеспечивает усиление сигнала и контроль над выводными устройствами, позволяя достичь высокого качества звука и эффективности работы аудиоустройств.

IRF620 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF620

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 20
nC

Время нарастания (tr): 70
ns

Выходная емкость (Cd): 90
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8
Ohm

Тип корпуса:

IRF620
Datasheet (PDF)

..1. Size:886K international rectifier irf620.pdf

PD — 94870IRF620PbF Lead-Free12/5/03Document Number: 91027 www.vishay.com1IRF620PbFDocument Number: 91027 www.vishay.com2IRF620PbFDocument Number: 91027 www.vishay.com3IRF620PbFDocument Number: 91027 www.vishay.com4IRF620PbFDocument Number: 91027 www.vishay.com5IRF620PbFDocument Number: 91027 www.vishay.com6IRF620PbFTO-220AB Package Outline

..2. Size:202K international rectifier irf620pbf.pdf

IRF620, SiHF620Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 7.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

..3. Size:508K st irf620 irf621 irf622 irf623-fi.pdf

..4. Size:184K st irf620.pdf

IRF620IRF620FIN — CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRF620 200 V

..5. Size:152K vishay irf620 sihf620.pdf

0.1. Size:881K 1 irf620b irfs620b.pdf

November 2001IRF620B/IRFS620B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.0A, 200V, RDS(on) = 0.8 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 10 pF)This advanced technology has been especially tailored to

0.2. Size:247K international rectifier irf6201pbf.pdf

PD — 97500AIRF6201PbFHEXFET Power MOSFETVDS20 VRDS(on) max 2.45 m (@VGS = 4.5V)RDS(on) max 2.75 m(@VGS = 2.5V)Qg (typical)130 nC SO-8ID 27 A(@TA = 25C)Applications OR-ing or hot-swap MOSFET Battery operated DC motor inverter MOSFET System/Load switchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 2.45m @ Vgs = 4.5V) Lower

0.3. Size:182K international rectifier irf620s.pdf

0.4. Size:162K international rectifier irf620spbf.pdf

IRF620S, SiHF620SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 3.0 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 7.9 Fast Switching Simple Drive RequirementsConfiguratio

0.5. Size:873K international rectifier irf620b.pdf

0.6. Size:875K fairchild semi irf620b.pdf

0.7. Size:931K samsung irf620a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.626 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET… IRF610S
, IRF611
, IRF612
, IRF613
, IRF614
, IRF614A
, IRF614S
, IRF615
, 12N60
, IRF620A
, IRF620FI
, IRF620S
, IRF621
, IRF6215
, IRF6215L
, IRF6215S
, IRF622
.

Применение IRF3205

Максимальное напряжение стока-истока в 55 В дает возможность использовать этот транзистор в схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, блоков питания, источниках бесперебойного питания и прочем. Также зачастую при создании высокочастотных инверторов.

Так как IRF3205 имеет малую паразитную емкость, а, соответственно, и время открытия/закрытия, в совокупности с очень маленьким сопротивлением, то он является универсальным вариантом для многих проектов, связанных с коммутацией небольшого напряжения.

Если же Вам не хватает токовых характеристик этого транзистора, Вы можете подключить несколько штук параллельно, что дает хорошую возможность использовать его для управления большой нагрузкой.

IRF3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRF3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 98 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 146 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220AB

IRF3205 – это N-канальный мощный полевой транзистор предназначен для работы в ключевом режиме. IRF3205 используется в регуляторах мощности, переключателях, преобразователях, в которых необходима повышенная скорость переключения.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
Напряжение эмиттер – база 5 V;
Ток коллектора – 15 А;
Ток коллектора максимальный – 30 А;
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.