Анализ характеристик и применение
Перед выбором заменяющего транзистора, необходимо проанализировать следующие характеристики МП42Б:
1. Тип: МП42Б — это биполярный NPN транзистор. При поиске замены, необходимо убедиться, что выбранный транзистор также является биполярным NPN.
2. Номинальные параметры: Проверьте номинальные параметры МП42Б, такие как максимальное значение коллекторного тока (Ic), напряжение коллектор-эмиттер (Vce) и коэффициент усиления по току (hfe). Заменяющий транзистор должен иметь аналогичные или близкие характеристики.
3. Наличие защитных функций: Если МП42Б имеет защитные функции, такие как защита от перегрева или короткого замыкания, заменяющий транзистор тоже должен обладать подобными возможностями.
4
Тип корпуса: Помимо технических характеристик, важно также учитывать физический вид транзистора. Убедитесь, что выбранный заменяющий транзистор имеет тот же тип корпуса (например, TO-92), чтобы он смог быть установлен в существующую конструкцию
После проведения анализа характеристик МП42Б и выбора подходящего заменяющего транзистора, необходимо также проконсультироваться с техническими специалистами или использовать справочные материалы для уточнения дополнительной информации и установления точности замены.
Подходящая замена транзистора МП42Б позволит успешно продолжить работу электронных устройств и схем, несмотря на его недоступность.
Режимы работы
Транзистор биполярного типа может работать в 4 режимах:
- Активный.
- Отсечки (РО).
- Насыщения (РН).
- Барьерный (РБ).
Активный режим БТ бывает нормальным (НАР) и инверсным (ИАР).
Смотрите это видео на YouTube
Нормальный активный режим
При этом режиме на переходе Э-Б протекает U, которое является прямым и называется напряжением Э-Б (Uэ-б). Режим считается оптимальным и используется в большинстве схем. Переход Э осуществляет инжекцию зарядов в базовую область, которые перемещаются к коллектору. Последний ускоряет заряды, создавая эффект усиления.
Инверсный активный режим
В этом режиме переход К-Б открыт. БТ работает в обратном направлении, т. е. из К идет инжекция дырочных носителей заряда, проходящих через Б. Они собираются переходом Э. Свойства ПП к усилению слабые, и редко БТ применяются в этом режиме.
Режим насыщения
При РН оба перехода открыты. При подключении Э-Б и К-Б к внешним источникам в прямом направлении БТ будет работать в РН. Диффузионное электромагнитное поле Э и К переходов ослабляется электрическим полем, которое создается внешними источниками. В результате этого произойдет уменьшение барьерной способности и ограничение диффузной способности основных носителей заряда. Начнется инжекция дырок из Э и К в Б. Этот режим применяется в основном в аналоговой технике, однако в некоторых случаях возможны исключения.
Режим отсечки
При этом режиме БТ закрывается полностью и не способен проводить ток. Однако в БТ присутствуют незначительные потоки неосновных носителей зарядов, создающих тепловые токи с малыми значениями. Применяется этот режим в различных видах защиты от перегрузок и коротких замыканий.
Барьерный режим
База БТ соединяется через резистор с К. В цепь К или Э включается резистор, который задает величину тока (I) через БТ. БР часто применяется в схемах, т. к. позволяет работать БТ на любой частоте и в большем диапазоне температур.
Транзисторы МП25, МП26, МП35, МП36, МП37, МП38. Маркировка, цоколевка, параметры.
Транзистор МП25, МП26.
Транзисторы МП25, МП26 — германиевые, маломощные
низкочастотные,универсальные, структуры — p-n-p.Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами.
Предназначены для применения в переключающих устройствах и
для усиления низкой частоты .Масса — около 2 г.
Маркировка буквенно — цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора — 200 мВт .
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э ):У транзисторов МП25, МП26, МП25А, МП26А — не менее 250 КГц;У транзисторов МП25Б, МП26Б — не менее 500 КГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 40 ВУ транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 60 В
Максимально допустимый средний ток эмиттера
— 80 мА.
Максимальный импульсный ток коллектора
— 400мА;
Коэффициент передачи тока: У МП25, МП26 — от 10 до 25.У МП25А, МП26А — от 20 до 50.У МП25Б, МП26Б — от 30 до 80.
Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 20 по Цельсию.При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 20 по Цельсию.При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А — 600 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А — 600 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.
Обратный ток эмиттера.
При напряжении эмиттер-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.При напряжении эмиттер-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.
Сопротивление базы.
При напряжении эмиттер-база 20 в, токе коллектора 2,5 мА, на частоте 500 кГц
У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — не более 150 Ом.При напряжении эмиттер-база 35 в, токе коллектора 1,5 мА, на частоте 500 кГц
У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — не более 150 Ом.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц: При напряжении коллектор-база 20 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 70 пФ.
При напряжении коллектор-база 35 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 50 пФ.
Существуют следующие зарубежные аналоги:МП25А — 2SB136 МП25Б — 2SB176 МП26Б — ASY24
Транзисторы
МП35, МП36, МП37, МП38.
Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38 — германиевые, усилительные маломощные
низкочастотные, структуры n-p-n.Корпус металлостекляный с гибкими выводами.
Масса — около 2 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов МП35 от 13 до 125.У МП36А находится в пределах от 15 до 45.У транзисторов МП37, МП37А — от 15 до 30.У транзисторов МП37Б — от 25 до 50, МП38 — от 25 до 55.у транзисторов МП38А — от 45 до 100.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзисторов МП37А, МП37Б — 30в.У транзисторов МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А — 15в.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером: До 0,5 МГц у транзисторов МП35 . До 1 МГц у транзисторов МП36А, МП37, МП37А, МП37Б.До 2 МГц у транзисторов МП38, МП38А.
Максимальный ток коллектора. — 20мА в режиме усиления, 150мА — в ключевом режиме.
Рассеиваемая мощность коллектора — 150мВт.
Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 5 в — 30 мкА, при температуре окружающей
среды + 20 по Цельсию.
Обратный ток эмиттера.
При напряжении эмиттер-база 5 в — 15 мкА, при температуре окружающей
среды + 20 по Цельсию.
Сопротивление базы.
При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 1 мА, на частоте 500 кГц — не более 220 Ом.
Емкость коллекторного перехода: При напряжении коллектор-база 5 в — 60 пФ.
Существуют следующие зарубежные аналоги:МП35А — GC525 МП36А — 153NU70 МП37 — 2N445A, 103NU70 МП37А — 106NU70 МП37Б — T322N МП38А — 107NU70 МП35 — 101NU70
На главную страницу
Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Расчёт ключевого режима транзисторного каскада
Расчёт ключевого режима транзисторного каскада производится абсолютно так же, как и ранее проведённый расчёт усилительного каскада. Отличие заключается только в том, что ключевой режим предполагает два состояния транзистора в режиме покоя (без сигнала). Он, или закрыт (но не закорочен), или открыт (но не перенасыщен). При этом, рабочие точки «покоя», находятся за пределами точек А и С изображённых на ВАХ. Когда на схеме в состоянии без сигнала транзистор должен быть закрыт, необходимо из ранее изображённой схемы каскада удалить резистор Rб1
. Если же требуется, чтобы транзистор в состоянии покоя был открыт, необходимо в схеме каскада увеличить резисторRб2 в 10 раз от расчётного значения, а в отдельных случаях, его можно удалить из схемы.
Расчёт транзисторного каскада окончен.
Критерии выбора аналогов МП42Б
Выбор аналогов для транзистора МП42Б важен для поддержания работоспособности схемы при возможных проблемах с доступностью или высокими ценами на оригинальные компоненты. При выборе аналоговых транзисторов следует учитывать следующие критерии:
1. Технические параметры:
Первоначальный шаг в выборе аналога для МП42Б — это сравнение технических параметров
Важно обратить внимание на максимальные значения тока коллектора и напряжения коллектора, а также на значения коэффициента усиления тока и скорости переключения. Необходимо найти аналог с близкими значениями этих параметров, чтобы транзистор мог бы успешно заменить МП42Б в существующей схеме
2. Тип корпуса:
Корпус транзистора может иметь разные типы и формы
При выборе аналога важно учитывать тип корпуса, чтобы он мог быть легко установлен в существующую схему. Некоторые распространенные типы корпусов включают TO-92, TO-220, SOT-23 и другие
3. Производительность в условиях работы:
При выборе аналога для МП42Б необходимо учитывать условия эксплуатации, в которых будет использоваться транзистор. Некоторые транзисторы могут иметь лучшую производительность при высоких или низких температурах, при высокой влажности, при высоких значениях тока или напряжения, и т. д
Важно выбрать аналог, который будет работать надежно в конкретных условиях эксплуатации схемы
4. Доступность и стоимость:
При выборе аналога транзистора МП42Б обратите внимание на доступность и стоимость. Иногда оригинальные транзисторы могут быть дорогими или недоступными
Поэтому следует выбрать аналог, который будет доступен и иметь разумную цену.
5. Рекомендации от производителей:
Рекомендации от производителей могут также помочь в выборе аналогов для МП42Б. Производители обычно предлагают руководства или таблицы, которые помогут вам найти подходящие аналоги для своей схемы. Их рекомендации могут основываться на тестировании и опыте использования аналоговых транзисторов.
6. Отзывы и рекомендации от других инженеров:
Не стесняйтесь обратиться к другим инженерам или сообществам, которые могут иметь опыт работы с аналогами для МП42Б. Они могут предложить ценные советы и рекомендации, основанные на своем опыте. Такие отзывы и рекомендации помогут вам сделать осознанный выбор аналога.
Критерии выбора | Примеры аналогов МП42Б |
---|---|
Технические параметры | BC547, 2N3904, BC548 |
Тип корпуса | TO-92, TO-220, SOT-23 |
Производительность | BC547IC, BC547A, BC547B |
Доступность и стоимость | 2N2222, BC547, BC548 |
Описание
Транзистор МП42Б имеет пластиковый корпус, который обеспечивает надежность и защиту от внешних воздействий. Он производится по технологии планарных транзисторов, что обуславливает высокую стабильность параметров и низкий уровень шума.
Основными характеристиками транзистора МП42Б являются максимально допустимый коллекторный ток, максимально допустимое коллекторное напряжение и коэффициент усиления по току. Эти параметры определяют его применение в различных электронных схемах.
Транзистор МП42Б широко используется в усилителях низкой частоты, ключевых схемах, стабилизаторах напряжения, генераторах импульсов и других устройствах. Благодаря своей надежности, низкому уровню шума и хорошим электрическим характеристикам, он остается востребованным компонентом в электронной промышленности.
Как выбрать транзистор вместо мп42б: практические рекомендации
При выборе аналога для транзистора МП42Б необходимо учитывать несколько важных факторов
Во-первых, важно определить цель замены и требования к новому транзистору
Во-вторых, следует обратить внимание на параметры МП42Б и найти аналог, который соответствует этим параметрам
Основные параметры МП42Б включают максимальное значение коллекторного тока (Ic), напряжение коллектор-эмиттер (Vce), максимальную мощность (P), коэффициент усиления (hfe) и частоту перехода (ft). Они могут значительно влиять на работу устройства, поэтому необходимо выбирать аналог, который близок к этим значениям.
Кроме того, следует обратить внимание на тип корпуса транзистора и его совместимость с печатной платой или применяемым держателем
Также важно учесть условия работы устройства и окружающую среду, чтобы выбрать транзистор, который будет работать стабильно и надежно в данных условиях
Для подбора аналогов можно использовать специальные каталоги и базы данных транзисторов, в которых указаны их технические характеристики и доступность на рынке. Некоторые производители также предоставляют рекомендации по замене конкретных транзисторов.
Наконец, перед заменой транзистора, особенно если он имеет важное значение для работы устройства, рекомендуется провести тщательное тестирование нового аналога для убеждения в его совместимости и соответствии требованиям
Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.
Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.
Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.
Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.
Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.
Наиболее важные параметры.
Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.
Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.
Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.
Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.
Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.
Рассеиваемая мощность коллектора.
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.
Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.
Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.
Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B
Снятие транзистора с платы
Перед проверкой транзистора МП42Б мультиметром необходимо его снять с платы. Для этого следуйте следующим шагам:
Отключите устройство от источника питания и оборудования, которое может представлять опасность для безопасности.
При необходимости проведите разведение соединений между платой и другими компонентами, чтобы освободить транзистор.
Возьмите припой и паяльник. Разогрейте паяльник до рабочей температуры.
Нанесите припой на место, где транзистор присоединен к плате
Это поможет обеспечить легкое удаление транзистора.
Подождите несколько секунд, чтобы припой активировался.
С помощью паяльника разогрейте место, где находится припой.
Осторожно поднимите транзистор с помощью пинцета или другого инструмента, предназначенного для манипулирования мелкими элементами.
Постепенно отсоединяйте транзистор от паяльной пасты, осторожно двигая его в стороны.
Проверьте плату на наличие остатков припоя и других загрязнений. Очистите ее при необходимости.
Теперь транзистор МП42Б готов к проверке мультиметром.
Практические аспекты замены транзистора
При замене транзистора МП42Б необходимо учитывать несколько практических аспектов
Во-первых, важно выбрать транзистор с аналогичными характеристиками и параметрами. В случае замены на транзистор с сильно отличающимися характеристиками, может потребоваться изменение схемы и настройка электронного устройства
При выборе заменителя для транзистора МП42Б следует обратить внимание на следующие особенности:
- Тип транзистора. Он должен быть биполярным и соответствовать работе в заданных условиях.
- Номинальное напряжение и ток коллектора. Заменяющий транзистор должен иметь характеристики, сопоставимые с исходным.
- Коэффициент усиления тока (β). Он должен быть близким к значению, указанному для МП42Б.
- Мощность передаваемого тепла (Pd). Использование транзистора с недостаточной мощностью может привести к его перегреву.
При возможности, рекомендуется подобрать максимально близкий транзистор из существующих серий, так как это повысит вероятность успешной замены.
Перед заменой транзистора МП42Б важно проверить электрическую и механическую совместимость. Для этого можно воспользоваться специализированными каталогами и справочниками, где указаны параметры транзисторов различных типов и серий
После установки заменяющего транзистора рекомендуется провести дополнительную проверку работоспособности электронного устройства и при необходимости произвести настройку схемы.
Рассмотрите аналоги мп42б, обладающие аналогичными характеристиками
Если вы ищете аналоги для мп42б, у вас есть несколько вариантов, которые обладают схожими характеристиками:
1. МП42БМ — это планарный кремниевый эпитаксиальный pnp переключающийся транзистор в легированной эмиттерной базовой конструкции. Его рабочий ток коллектора составляет 0,15 А, максимальное напряжение коллектора-эмиттера — 40 В, а максимальная мощность, которую он может выдержать – 0,34 Вт.
2. 2N4403 — эпитаксиальный кремниевый pnp транзистор, используемый для усиления и коммутации. Он имеет рабочий ток коллектора 0,6 А и максимальное напряжение коллектора-эмиттера 40 В.
3. BC557 – это большой сигнальный pnp транзистор, который также может использоваться для усиления и коммутации. Он имеет рабочий ток коллектора 0,1 А и максимальное напряжение коллектора-эмиттера 45 В.
4. КТ342 — это планарный кремниевый эпитаксиальный pnp переключающийся транзистор в легированной эмиттерной базовой конструкции с рабочим током коллектора 0,1 А и максимальным напряжением коллектора-эмиттера 50 В.
Все перечисленные транзисторы могут послужить аналогами для мп42б с аналогичными характеристиками, однако перед использованием какого-либо из них рекомендуется обратиться к документации и убедиться, что он подходит для вашей конкретной задачи.
Извлечение драгметаллов из радиодеталей в домашних условиях
Технология получения серебра из радиодеталей зависит от состояния металла. Слой покрытия контактов или корпуса в несколько микрон растворяют подобно позолоте, в кислоте. Извлечь серебро в виде лома можно:
- из контактов реле, его много в радиодеталях эпохи СССР;
- плавких вставок;
- конденсаторов.
Лом кустарным способом сплавляют в слитки, металл плавится при температуре 960°С. Тигель заполняют на 1/3 объема, шлак снимают длинной ложкой или петлей из проволоки.
Кустарные способы снятия позолоты с латунных или медных поверхностей известны давно. Применяют метод электролиза: пропускают ток через раствор, на одной из токопроводящих пластинок оседает чистый металл. Золотосодержащие компоненты «добывают» двумя способами: электролизом и горячим растворением.
Обработка азотной кислотой
Радиодетали с серебром и другими благородными металлами погружают в термоколбу и заливают раствором кислоты. Палладий, золото, платина осаждаются без растворения, серебро образует нитрат AgNO3. Его необходимо преобразовать в нерастворимый хлорид. В колбу добавляют раствор соли. Образуется хлорид, который при температуре разлагается на хлор (он улетучивается) и чистое серебро.
Серебряные сплавы отлично растворяются в 30% кислоте, нагретой до 60°С. Сразу весь лом забрасывать не надо, проще вводить металл порциями по 3–5 грамм. Раствор должен быть прозрачным без включений. Если не удалось убрать весь пластик, перед осаждением смесь следует процедить, убрать мешающие включения.
Тепловая обработка
Горячий метод выделения золота подразумевает приготовление «царской водки» (смеси концентрированной серной и азотной кислоты). Ее нагревают до 70°С. Радиодетали достаточно погрузить на несколько минут.
Анодным электролизом в теплой кислоте (ее нагревают до 35°С) извлекают серебро. Когда весь серебряный слой растворится, металл осядет на катоде, сила тока уменьшится. В качестве катода используют свинцовую или железную полосу. Плотность тока варьируется от 0,1 до 1 А/дм2. Установку сделать несложно.
Реактивы, необходимые для извлечения драгоценных металлов, приобретают в специализированных магазинах. Платина извлекается по такой же технологии.
https://youtube.com/watch?v=M5HXKQgmot0