Оптимальные аналоги транзистора C5287
Если вам нужно найти аналог для транзистора C5287, рекомендуется обратить внимание на следующие модели:
1. 2SC3281 — PNP транзистор с максимальным коллекторным напряжением 230 В, максимальным коллекторным током 15 А и максимальной мощностью 150 Вт. Эта модель также выпускается фирмой Sanken Electric Co., Ltd.
2. BD140 — PNP транзистор общего назначения с максимальным коллекторным напряжением 80 В, максимальным коллекторным током 1,5 А и максимальной мощностью 12,5 Вт. Он производится различными компаниями, включая STMicroelectronics, ON Semiconductor и другие.
3. 2N3906 — PNP транзистор общего назначения с максимальным коллекторным напряжением 40 В, максимальным коллекторным током 0,2 А и максимальной мощностью 0,625 Вт. Это один из наиболее популярных и доступных аналогов C5287.
4. MPSA92 — PNP транзистор с максимальным коллекторным напряжением 300 В, максимальным коллекторным током 0,5 А и максимальной мощностью 625 мВт. Он производится различными компаниями, включая Central Semiconductor, Fairchild Semiconductor и другие.
При выборе аналога для транзистора C5287 рекомендуется учитывать требования вашей схемы и необходимые характеристики, такие как максимальное коллекторное напряжение, максимальный коллекторный ток и максимальная мощность.
Особенности работы транзистора C5287
1. Высокое значение коэффициента усиления тока (hFE): Транзистор C5287 обладает высоким значением коэффициента усиления тока, что позволяет использовать его в усилительных схемах и схемах усиления сигнала.
2. Низкое напряжение насыщения (VCEsat): Одной из ключевых особенностей транзистора C5287 является низкое напряжение насыщения, что позволяет использовать его в схемах с небольшими значением выполняемого тока и низкими потерями мощности.
3. Высокая мощность: Транзистор C5287 способен выдерживать высокие значения тока и мощности, что делает его применимым в силовых схемах и схемах с высокой нагрузкой.
4. Надежность и долговечность: Транзистор C5287 обладает хорошей надежностью и долговечностью, что делает его подходящим для использования в различных электронных устройствах и схемах.
В целом, транзистор C5287 является универсальным компонентом, который широко применяется в различных электронных схемах и устройствах, благодаря своим высоким характеристикам и надежности.
Транзистор C4468 — 140 В, 10 А, транзистор NPN, 2SC4468
Опубликовано 24 июля 2022 г. 9 декабря 2022 г. от Pinout
Номер детали: C4468, 2SC4468
Функция: 140V, 10A, NPN Transistor
Пакет: TO-3P Type
Производство: Sanken, Allegro Micro Systems
Изображение
Описание:
Это 140V, 10A 10A, 10A, 10A, 10A, 10A, 10A, 10A. , кремниевый NPN тройной диффузный планарный транзистор.
Особенности:
1. Дополнение к типу 2SA1695
1 стр.
Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25°C) Vceo = 140 В 3. Напряжение между эмиттером и базой: Vebo = 6 В 4. Ток коллектора: Ic = 10 А 5. Суммарное рассеивание: Pc = 100 Вт 6. Температура перехода: Tj = 150°C 7. Температура хранения: Tsg = -55 ~ +150°C
Электрические характеристики
Символ ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat)
ft COB ∗hFE Ранг Условия VCB=200 В VEB=6 В IC=50 мА VCE=4 В, IC=3 А IC=5 А, IB=0,5 А VCE=12 В , IE=–0,5A VCB=10В, f=1МГц Внешние размеры МТ-100(ТО3П) 5,0±0,2 15,6±0,4 9,6 2,0 1,8 4,8±0,2 2,0±0,1 Единица измерения мкА мкА 19,9±0,3 В 4,0 а б ø3,2±0,1 2 O(50–100), P(70–140), Y(90–180) Типовые характеристики переключения (общий эмиттер) VCC (В) 60 RL (Ом) 12 IC (A) 5 VBB1 (В) 10 VBB2 (В) – 5 IB1 (A) 0,5 IB2 (A) –0,5 тонны (мкс) 0,24 тип.
Применение:
1. Аудио и общего назначения
Избранные сообщения
- YX8018 — Драйвер солнечного светодиода — Shiningic
- LTK5128 — Микросхема усилителя звука
- 4558D — двойной операционный усилитель
- 17HS4401 – 40 мм, шаговый двигатель
- 30F124 – GT30F124, 300 В, 200 А, БТИЗ
- 78L05 — 5 В, регулятор положительного напряжения
Последние сообщения
- Техническое описание M5840 в формате PDF — Автономный ШИМ-контроллер, СОП 8
- Техническое описание 17HS2408 PDF — 2-фазный гибридный шаговый двигатель
- Техническое описание 1N5223B в формате PDF — 2,7 В, 500 мВт, стабилитрон
C5287 Datasheet PDF — Sanken electric
| Part Number | C5287 | |
| Description | NPN Transistor — 2SC5287 | |
| Manufacturers | Sanken electric | |
| Logo | ||
|
There is a preview and C5287 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available ! 2SC5287 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor) Application : Switching Regulator and General Purpose sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) sElectrical Characteristics Symbol VCBO 900 V ICBO VCB=800V VCEO 550 V IEBO VEB=7V VEBO 7 V V(BR)CEO IC=10mA IC 5(Pulse10) A hFE VCE=4V, IC=1.8A IB 2.5 A VCE(sat) IC=1.8A, IB=0.36A PC 80(Tc=25°C) VBE(sat) IC=1.8A, IB=0.36A Tj 150 °C fT VCE=12V, IE=–0.35A Tstg –55 to +150 COB www.DataSheet4U.com sTypical Switching Characteristics (Common Emitter) VCB=10V, f=1MHz VCC RL IC VBB1 VBB2 IB1 IB2 ton (V) (Ω) (A) (V) (V) (A) (A) (µs) 250 139 1.8 10 –0.9 0.7max (Ta=25°C) 100max 100max 550min 10 to 25 0.5max 1.2max 6typ 50typ Unit µA µA V tstg (µs) 4.0max tf (µs) 0.5max External Dimensions MT-100(TO3P) 15.6±0.4 9.6 4.8±0.2 2.0±0.1 a ø3.2±0.1 b 0.65 +-00..12 5.45±0.1 5.45±0.1 BCE I C– V CE Characteristics (Typical) 5 700mA 4 IB=50mA 1 0 1 2 34 Collector-Emitter Voltage VCE(V) VCE(sat),VBE(sat)–IC Temperature Characteristics (Typical) 1.5 IC/IB=5 Const. 1.0 VBE(sat) 0.5 0.03 0.05 VCE(sat) 0.1 0.5 1 Collector Current IC(A) 57 I C– V BE Temperature Characteristics (Typical) (VCE=4V) 7 0 0.5 1.0 Base-Emittor Voltage VBE(V) h FE– I C Characteristics (Typical) 40 125˚C (VCE=4V) 25˚C Collector Current IC(A) 5 10 t on• t stg• t f– I C Characteristics (Typical) 6 VCC 250V IC:IB1:IB2=1:0.15:–0.5 1 tf tstg ton 0.1 Collector Current IC(A) 5 θ j-a– t Characteristics 3 Safe Operating Area (Single Pulse) 20 100µs 50µs 1 Collector-Emitter Voltage VCE(V) 500 IB2=–1.0A L=3mH Collector-Emitter Voltage VCE(V) 1000 0 25 50 |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C5287 electronic component. |
| Information | Total 1 Pages |
| Link URL | |
| Product Image and Detail view | 1. Vcbo=900V, NPN Transistor — Sanken |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Советская «силиконовая долина»
В советское время, в начале 60-х годов, город Зеленоград стал плацдармом для организации в нем Центра микроэлектроники. Советский инженер Щиголь Ф. А. разрабатывает транзистор 2Т312 и его аналог 2Т319, который в последующем стал главным компонентом гибридных цепей. Именно этот человек заложил основу для выпуска в СССР германиевых транзисторов.
В 1964 году на базе Научно-исследовательского института точных технологий создал первую интегральную микросхему IC-Path с 20 элементами на кристалле, выполняющую задачу совокупности транзисторов с резистивными соединениями. В это же время появилась другая технология: были запущены первые плоские транзисторы «Плоскость».
В 1966 году в Пульсарском научно-исследовательском институте начала действовать первая экспериментальная станция по производству плоских интегральных микросхем. В NIIME группа доктора Валиева начала производство линейных резисторов с логическими интегральными схемами.
В 1968 году Исследовательский институт Пульсар произвел первую часть тонкопленочных гибридных ИС с плоскими транзисторами с открытой рамой типов KD910, KD911, KT318, которые предназначены для связи, телевидения, радиовещания.
Линейные транзисторы с цифровыми ИС массового использования (типа 155) были разработаны в Научно-исследовательском институте МЭ. В 1969 году советский физик Алферов Ж. И. открыл миру теорию по управлению электронными и световыми потоками в гетероструктурах на базе арсенид-галлиевой системы.
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
Особенности C5287 транзистора
- Высокая мощность: данный транзистор способен выдерживать большие токи и напряжения, что позволяет использовать его в высокопроизводительных системах.
- Хорошие характеристики переключения: C5287 обладает низким временем переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных устройствах.
- Низкий уровень шума: данный транзистор имеет низкий уровень шума, что делает его подходящим для использования в чувствительных электронных схемах.
- Хорошая тепловая стойкость: C5287 обладает хорошей тепловой стойкостью, что позволяет ему работать при повышенной температуре без перегрева.
- Надежность и долговечность: данный транзистор имеет высокую надежность и долговечность, что делает его популярным выбором для различных электронных устройств.
Благодаря этим особенностям C5287 транзистор находит широкое применение во множестве электронных устройств, таких как источники питания, усилители звука, включения-выключения, стабилизаторы напряжения и других схемах, требующих высокой мощности и низкого уровня шума.
Описание C5287 транзистора
Транзистор C5287 характеризуется следующими особенностями:
- Тип: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 140 В
- Максимальный ток коллектора (Ic): 10 А
- Максимальная мощность потери (Pc): 150 Вт
- Максимальный коэффициент усиления по току (hfe): 40-250
Транзистор C5287 обладает высокой надежностью и стабильностью работы, а также имеет низкий уровень шума. Он может быть использован в различных приложениях, включая аудиоусилительные схемы, источники питания, импульсные преобразователи и другие электронные устройства.
C5287 предоставляет хорошую производительность и надежность в широком диапазоне рабочих условий, что делает его идеальным выбором для электронных разработок и проектов.
Полевые транзисторы
Так же очень распространенные на сегодняшний день компоненты. Их применяют даже чаще, чем биполярные. К примеру, инверторы теперь в основном только с полевыми, то есть биполярные приборы они уже стеснили. И если у вас возникает вопрос, можно ли заменить полевой транзистор биполярным, то ответ будет положительным. Однако в полевом плюсов намного больше, чем в биполярном.
Полевые усилители поглощают энергии намного меньше, чем биполярные, так как полевые управление фокусируют на напряжении и электрическим полем заряда, в то время когда биполярные же держатся на токе базы. Поэтому их предпочитают больше. Полевые транзисторы даже переключаются в разы быстрее, чем биполярные. К тому же они имеют хорошую термоустойчивость. И для того, чтобы переключить направления электрического тока, полевые транзисторы вправе соединяться параллельно и без резисторов, просто нужен драйвер, подходящий для этого.
Если же говорить о замене полевых триодов, то и здесь есть способ поиска их аналогов. В принципе в поиске с биполярными не сильно отличается, можно сказать даже, что будет практически таким же. Но разница небольшая есть: нет той проблемы с передачей тока, как у биполярного транзистора. Нельзя забывать о сток-исток, нужно помнить о запасе.
К тому же у полевого есть такой параметр, как сопротивление открытого канала. Вот от него легко определить, что будет с мощностью, и как она будет рассеиваться
Ну и, конечно же, очень важно рассчитывать это сопротивление открытого канала, так как можно потерять много энергии и напряжении при переходе не будет слишком высоким
Чем можно заменить полевые транзисторы?
Крутизна S также очень важна при поиске аналога. Данный параметр будет показывать состояние тока стока при напряжении затвора. Это позволит определить, сколько понадобится напряжения для коммутации.
Помните, что выбирать важно и исходя от порогового напряжения затвора, если напряжение будет в разы меньше порогового, то нормального функционирования от вашего аналога ждать не придется. Цепь при получении напряжения не получит нужного и вся мощность, точнее ее рассеивание останется на приборе, а для него этого нежелательно, ведь может случиться перегрев. В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса
Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться
В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса. Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться.
Емкость затвора так же очень важна в случае данного предмета
Очень важно, чтобы затвор не был крайне тяжелым, и необходимо помнить об этом при выборе. Будет очень хорошо, если он будет меньше в разы, так как это принесет удобство и легкость в использовании данного механизма. Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом
Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом.
К примеру, сейчас довольно часто меняют IRFP460 на более новую и современную 20N50, так как у него затвор крайне легкий. Опять-таки даташит скажет то же самое, указав на массу схожести, несмотря на преимущество второго.
комплектующие для ноутбуков, кабель сетевой, полевой транзистор
Наведите курсор, чтобы увеличить
Код товара 681
-
Цена:
199,26 грн В наличии
Купить
-
Количество:
–
+ -
Общая стоимость:
-
КУПИТЬ
Пример: +38 084 1112246
Купить в 1 кликНаписать продавцу
+38 (068) 87337XX
Показать телефоны
Способы оплаты:
Наличные, Безналичный, Наложенный платеж.
Способы доставки:
Самовывоз, Доставка Укрпочтой, Новая Почта, Новая Почта (курьерська доставка), Укрпочта
Условия возврата и обмена
Описание 2SA1695+C4468 демонтаж, оригинал
2SA1695+C4468 Деталь выпаяна с платы брендового устройства, 100% оригинал.
Написать отзыв
Отзывы(0) :
2SA1695+C4468 демонтаж, оригинал
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока от 15 и выше.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 60 в, импульсное – 160 в – у КТ805А, КТ805АМ. 135 в – у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.
Максимальный ток коллектора. – 5 А.
Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ – – не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – – не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 100 мА.
Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). – 30 Вт.
Граничная частота передачи тока – 20 МГц.
Транзисторы КТ805 и качер Бровина.
Качер Бровина – черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла – источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста – он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.
В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости – КТ805АМ.
В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент – намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 – 0,25 мм на диэлектрическое основание, например – пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен – может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).
После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу – это даст возможность наблюдать «стример» – коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы – стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.
Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 – 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.
Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 – 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор – чем больше, тем лучше.
Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно – выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина – 22см), а первичной – 6см (длина – 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения – 8 в.
В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.
При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего – от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.
Что такое транзистор C5287?
Транзистор C5287 состоит из трех основных элементов: эмиттера, базы и коллектора. Эмиттер — это источник электронного тока, база — управляющий элемент, а коллектор — устройство для сбора и перемещения электронов. Операция транзистора основана на изменении электрического поля между базой и эмиттером, что позволяет управлять током через коллектор.
Транзистор C5287 имеет следующие характеристики:
- Максимальное значение коллекторного тока — 3 А;
- Максимальное значение тока коллектора в открытом состоянии — 5 А;
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер — 400 В;
- Максимальное значение напряжения эмиттер-база — 5 В;
- Максимальная мощность потери на тепло — 1 Вт;
- Максимальная рабочая частота — 50 МГц.
Транзистор C5287 обладает высокой надежностью, низким уровнем шума и отличной линейностью усиления. Он применяется в различных устройствах, таких как стабилизаторы напряжения, блоки питания, радиоприемники и др. Однако, на сегодняшний день данный транзистор имеет множество аналогов, которые могут быть использованы в место C5287 сравнимым образом.
2SC5287 Datasheet (PDF)
..1. Size:24K no 2sc5287.pdf
2SC5287Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)Application : Switching Regulator and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol 2SC5287 Unit Symbol Conditions 2SC5287 Unit0.24.80.415.60.19.6 2.0ICBOVCBO 900 V VCB=800V 100max AIEBO VEB
..2. Size:182K jmnic 2sc5287.pdf
JMnic Product SpecificationSilicon NPN Power Transistors 2SC5287 DESCRIPTION With TO-3PN package High voltage,high speed switching APPLICATIONS For switching regulator and general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=)
..3. Size:24K sanken-ele 2sc5287.pdf
2SC5287Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)Application : Switching Regulator and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol 2SC5287 Unit Symbol Conditions 2SC5287 Unit0.24.80.415.60.19.6 2.0ICBOVCBO 900 V VCB=800V 100max AIEBO VEB
..4. Size:218K inchange semiconductor 2sc5287.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5287DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 550V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
8.1. Size:344K toshiba 2sc5280.pdf
2SC5280 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5280 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR MEDIUM Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 5 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.2 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mo
8.2. Size:117K nec 2sc5288.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5288NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIERThe 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital PACKAGE DRAWINGcordless phones (DECT, PHS, etc.). (Unit: mm)2.8+0.2 FEATURES 0.31.5+0.2 0.1 P1 = 24 dBm TYP.@f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 4-Pin Mini Mold
8.3. Size:114K nec 2sc5289.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5289NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIERThe 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital PACKAGE DRAWINGcordless phones (DECT, PHS, etc.). (Unit: mm)2.8+0.2 FEATURES 0.31.5+0.2 0.1 P1 = 27 dBm TYP.@f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 4-Pin Mini Mold
8.4. Size:230K jmnic 2sc5280.pdf
JMnic Product SpecificationSilicon NPN Power Transistors 2SC5280 DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage Low saturation voltage High speed Bult-in damper diode APPLICATIONS High speed switching applications Horizontal deflection output for medium resolution display,color TV PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (
8.5. Size:219K inchange semiconductor 2sc5280.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5280DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Saturation VoltageBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHorizontal deflection output for high medium resolutiondisplay& color TV.High speed switching applications
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы