Транзистор 2n3055: как его использовать, характеристики

2N7002P Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002pt.pdf Size:306K _philips

2N7002PT60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

0.2. 2n7002p.pdf Size:311K _philips

2N7002P60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level compat

0.3. 2n7002pw.pdf Size:148K _philips

2N7002PW60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level co

0.4. 2n7002ps.pdf Size:354K _philips

2N7002PS60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSF

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

Все полевые транзисторы, будь это полевой транзистор с управляющим PN-переходом, либо МОП-транзистор, очень чувствительны к электрическим перегрузкам на Затворе. Особенно это касается электростатического заряда, который накапливается на теле человека и на измерительных приборах. Опасные значения электростатического заряда для МОП-транзисторов составляют 50-100 Вольт, а для транзисторов с управляющим PN переходом – 250 Вольт

Поэтому, самое важное правило при работе с такими транзисторами – это заземлить себя через антистатический браслет, или взяться за голую батарею ДО касания полевых транзисторов

Также в некоторых экземплярах полевых транзисторов встраивают защитные стабилитроны между Истоком и Затвором, которые вроде бы спасают от электростатики, но лучше все-таки перестраховаться лишний раз и не испытывать ~~судьбу~~ транзистор на прочность. Также не помешало бы заземлить всю паяльную и измерительную аппаратуру. В настоящее время это все делается уже автоматически через евро розетки, у которых имеются в наличии заземляющий проводник.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

2N7002-7 Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002-7-f 2n7002-7.pdf Size:127K _diodes

2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Dev

7.1. 2n7002-03.pdf Size:276K _philips

2N7002N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 27 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:2N7002 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3.

7.2. 2n7002-3.pdf Size:936K _kexin

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET2N7002SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3High density cell design for low RDS(ON)Voltage controlled small signal switchRugged and reliable1 2High saturation current capability+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.11.9-0.21.Base1 GATE2.Emitter2 SOURCE3.collector3 DRAINAbsolute Maximum Ratings

7.3. 2n7002-g.pdf Size:106K _comchip

MOSFET2N7002-G (N-Channel)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 Power dissipation : 0.35W0.119(3.00)0.110(2.80)DEquivalent Circuit0.056(1.40)0.047(1.20)DG S0.083(2.10)G : Gate 0.066(1.70)0.006(0.15)S : Source 0.002(0.05)GD : Drain0.044(1.10)0.103(2.60)0.035(0.90)0.086(2.20)S0.006(0.15)max0.020(0.50)Maximum Ratings (at TA=25C)0.013(0.35)Symbol 0.00

2n3055 vs 2n3773 vs tip3055 vs 2n3771

This below compares each of the identical transistors, such as 2n3055 vs 2n3773, 2n3055 vs 2n3773, 2n3055 vs tip3055 and 2n3055 vs 2n3771. The electrical aspects of each transistors are been compare for better understanding.

	2n3055	2n3773	Tip3055	2n3771
Collector to base voltage (VCB)	2n3055100V	2n3773100V	Tip3055100V	2n377150V
Collector to emitter voltage (VCE)(RBE= 100Ω)	2n305570V	2n3773160V	Tip305570V	2n377150V
Collector to emitter voltage (VCE) (IB = 0)	2n305560V	2n3773140V	Tip305560V	2n377140V
Emitter to base voltage (VEB)	2n30557V	2n37737V	Tip30557V	2n37715V
Collector current (IC)	2n305515A	2n377330A	Tip305515A	2n377130A
Power dissipation	2n3055115W	2n3773150W	Tip305590W	2n3771150W
Junction temperature (TJ)	2n3055200°C	2n3773200°C	Tip3055150°C	2n3771200°C
Transition frequency (FT)	2n30552.5MHZ	2n37734MHZ	Tip30552.5MHZ	2n37710.2MHz
Noise (N)	2n3055–	2n3773–	Tip3055–	2n3771–
Gain (hFE)	2n305520 to 70hFE	2n37735 to 60hFE	Tip30555 to 70hFE	2n377115 to 60hFE
Package	2n3055TO-3	2n3773TO-3	Tip3055TO-247	2n3771TO-3

2n3055 transistor uses

Power switching applications
Amplifier circuits
Regulator circuits
Inverter and ups circuits
SMPS
PWM circuits
Signal amplifier circuits

Connecting 2N3055 Transistors in Parallel

Paralleling 2N3055 Transistors

Connecting two or more 2n3055 transistors in parallel is very easy; just join their collectors and the emitters together to produce a common terminal from the collector joint and a common terminal from the emitter joint. The base of each transistor must also be made common by joining, however each base terminal must incorporate the respective resistors (usually of identical calculated values) and the free terminal of the resistors must be joined to produce a common base connection point (refer the diagram).

Since the body of the device forms the collector, the respective connections must be acquired from the body fitting screws of the transistors.

Замена микросхемы 2N3055

При замене микросхемы 2N3055 необходимо учитывать различные параметры и характеристики аналоговых моделей. Проверьте, чтобы новая микросхема обладала следующими характеристиками:

Максимальное напряжение работы: убедитесь, что заменяемая модель допускает такое же максимальное напряжение, как и оригинал.
Максимальный ток коллектора: убедитесь, что аналог предлагает такой же или более высокий максимальный ток коллектора, необходимый для вашего приложения.
Надежность и долговечность: проверьте отзывы и рекомендации производителя, чтобы убедиться в надежности аналоговой микросхемы.

Перед заменой микросхемы 2N3055 важно также учесть схему подключения, рассчитать и проанализировать параметры предполагаемой замены, чтобы обеспечить правильную работу устройства

Сравнение аналогов

В настоящее время на рынке существует множество аналогов микросхемы 2N3055, разработанных различными производителями электронных компонентов. Вот некоторые из наиболее популярных аналогов:

MJ15003: Это один из наиболее популярных аналогов микросхемы 2N3055, который предлагает высокую мощность и отличную надежность. MJ15003 может работать в диапазоне до 140 В и обеспечивает высокую коммутацию энергии.
TIP3055: Это другой распространенный аналог микросхемы 2N3055, который часто используется в устройствах усиления аудиосигнала. Он обеспечивает хорошую производительность и низкое сопротивление коллектора.
MJE3055: Этот аналог обладает высоким током коллектора и обратным током коллектора. MJE3055 вполне может служить хорошей заменой микросхемы 2N3055 во многих приложениях.
2SC5200: Эта мощная биполярная транзисторная структура предлагает высокую производительность, устойчивость к теплу и низкое сопротивление. Она может служить отличной альтернативой микросхеме 2N3055 для усилителей мощности.

Electronic Installation

The query regarding how to install 2N3005 would include either mechanical or electronic installations procedures, we’ll discuss both of them here.

Installing or fitting 2N3055 over a heatsink: As we all know a heatsink which is meant for absorbing heat from the device, so it needs to be a very good conductor of heat and yet cheap. Aluminum is the best material used for the purpose and a conventionally accepted material as heatsinks for electronic devices. The installation of the 2N3055 would involve the following steps:

Procure from the market or fabricate the heatsink plate as per the specifications.

Drill holes as per the dimensions of the transistor leads and fixing holes, as shown in the diagram.

Apply and spread some heatsink paste over the lead side flat surface of 2N3055.

Place the component over the drilled surface so that the leads pass through the drillings appropriately, the fitting holes coincide with the drilled holes and the surfaces “stick” snugly with the heatsink paste getting tightly sandwiched between the device and the metal.

Now it’s just a matter of securing the device by nuts and screws across the concurrent holes and tightening them as firmly as possible.

Make sure the protruding leads clear pass through the center of the drillings, and is kept well aloof from the heatsink metal.

If two devices need to be fixed over a common heatsink, then make sure the heatsink mica kit is used while doing the above operations. However if their collectors (body) are in parallel then they can be directly fixed over a common heatsink metal without using mica protective insulations.

Характеристики и распиновка 2n3055

Как и другие транзисторы, El 2N3055 имеет 3 подключения для эмиттера, базы и коллектора. Мы уже обсуждали это в других статьях о транзисторах. Поэтому ноль сомнений в распиновке этого NPN транзистора. Конфигурация аналогична контакту 1 для базы, который будет использоваться в качестве переключателя для тока, проходящего через полупроводник или нет, контакт 2 является эмиттером (обычно соединенным с GND или землей), а коллектор, который на самом деле является TAB так как третьего пина нет (нормально подключен к питанию).

Можно использовать транзистор 2n3055 для цепей средней мощности, он безопасен, он имеет низкое насыщение между напряжением коллектор-эмиттер, доступна упаковка без свинца, он имеет коэффициент усиления более 70 hFE для постоянного тока (линейный), максимальное напряжение, которое может выдерживать или пропускать коллектор и эмиттер — 60 В для постоянного тока, такой же максимальный ток, который может проходить через коллектор, составляет 15 А.

Теме статьи:
Транзистор BC547: все, что вам нужно знать

Для базы ограничения в обоих случаях составляют 7 В (база-эмиттер) и 7 А постоянного тока. В случае наличия напряжения между коллектором и базой оно может достигать 100 В. Если мы посмотрим на температуру, при которой он может работать, диапазон будет между От -65 до + 200ºC. Таким образом, он без проблем работает при экстремальных температурах, что терпят не все электронные устройства, особенно если вы посмотрите на максимальную поддерживаемую температуру

Кстати, по рассеиваемой мощности она достигает 115Вт, что немаловажно ..

Обзор функций:

Тип: NPN
Для цепей средней мощности
Увеличение 70 hFE
Коллектор-эмиттер 60в DC
Ток коллектора 15 А постоянного тока
База-эмиттер 7в
База 7А
Коллектор-база 100в
Рабочая температура от -65 до + 200ºC
Рассеиваемая мощность 115 Вт
Металлическая оболочка

Эквивалентные и дополнительные

Для 2n3055 есть эквивалентные транзисторы. Вы можете использовать их как заменители типа 2n6673 и 2n6675. Другие подобные транзисторы, хотя и не такие, — это MJ10023, BUX98 и BDW51. Вы можете без проблем использовать их в своих схемах в качестве альтернативы, теперь вы должны хорошо прочитать таблицы данных всех из них, чтобы увидеть возможные различия, поскольку они могут быть разными в некоторых случаях и могут создавать проблемы в крайних случаях.

Если вам интересно о дополнительный, то есть наоборот, вы можете увидеть MJ2955. В данном случае это почти сестринский транзистор, идентичный по многим характеристикам, описанным в предыдущем разделе, но это биполярный PNP вместо NPN. Знание дополнений иногда может очень помочь нам в составлении схем, поэтому мы всегда включаем их в наши сообщения.

Даташит

к безопасно составлять схемы и поддерживать поддерживаемые диапазоны Для этого устройства вы должны увидеть спецификации этих устройств. Они могут быть изготовлены самыми разными производителями, и у всех из них есть свои спецификации, в которых могут быть некоторые различия. Freescale, STMicroelectronics и Siemens — одни из самых известных производителей, хотя их больше.

Теме статьи:
Транзистор 2Н2222: все, что нужно знать

Так что ваши будущие схемы переключения мощности, усилители, ШИМ, регуляторы, усилители сигналов и т. Д. схем, которые могут быть составлены с помощью 2n3055, вы можете получить спецификации здесь:

Различные таблицы данных от различных производителей.
Компания ON Semiconductor 2n3055: поскольку в других случаях мы использовали техническое описание ON Semiconductor для других электронных устройств, вот техническое описание этой компании для рассматриваемого транзистора …

2N7002KW Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002kw.pdf Size:286K _fairchild_semi

May 20112N7002KWN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Pb Free/RoHS Compliant ESD HBM=1000V as per JESD22 A114 and ESD CDM=1500V as per JESD22 C101DSSOT-323GMarking : 7KWAb

0.2. s2n7002kw.pdf Size:536K _secos

S2N7002KW 115mA, 60V N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES Low on-resistance Fast switching Speed AL Low-voltage drive 33 Easily designed drive circuits Top View C B11 2 ESD protected:1500V 2K EDH JF GMillimeter MillimeterREF. REF.

0.3. 2n7002kw.pdf Size:527K _secos

0.4. 2n7002kw.pdf Size:1922K _jiangsu

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS2N7002KW N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 2.5 3 1. GATE2. SOURCE123. DRAINFEATURE APPLICATION High density cell design for Low RDS(on) Voltage controlled sm

Характеристики транзистора, включённого по схеме оэ:

Основные элементы схемы: транзистор, резистор RL и цепь выхода усилителя с внешним питанием.

Благодаря незначительной толщине слоя микроны и большой величине градиента концентрации отрицательно заряженных частиц, почти все из них попадают в область коллектора, хотя сопротивление базы достаточно велико. Где транзисторы купить? Транзисторы по праву считаются одним из великих открытий человечества.

При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном — обратное. Его также обозначают как Исходы из выше сказанного транзистор может работать в четырех режимах: Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. Во — первых усиление каскада зависит от конкретного экземпляра транзистора: заменил транзистор при ремонте, — подбирай заново смещение, выводи на рабочую точку.

Ответ может быть да а может и нет. Поскольку ток коллектора в десятки раз больше тока базы, этим объясняется тот факт, что коэффициент усиления по току составляет десятки единиц. Схема с общим коллектором ОК Практические варианты схем включения транзисторов структуры п-р-п и р-п-р приведены на рис. В литературе такое название почему-то почти не встречается, а вот в кругу радиоинженеров и радиолюбителей используется повсеместно, всем сразу понятно, о чем идет речь.

Схемы включения биполярного транзистора

Такое состояние называют рабочей точкой транзистора, в этом случае коэффициент усиления каскада максимален. Граница на втором коллекторном переходе при этом закрыта, и через нее ток протекать не должен. Такой режим работы транзистора рассматривался уже давно. Повышение частоты приводит к снижению реактивной ёмкости коллекторного перехода, что приводит к его существенному шунтированию и ухудшению усилительных свойств каскада. Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке в области базы транзистора.

Устройство и принцип действия

В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда — электроны и дырки, отчего такие транзисторы и называются биполярными. Нагрузкой каскада является эмиттерный резистор R2, входной сигнал подается через конденсатор C1, а выходной снимается через конденсатор C2. Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, правда, при этом особо усердствовать не надо. Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому изменить его нельзя.

Иногда она применяется для ослабления влияния нагрузки на характеристики высокочастотных генераторов и синтезаторов частоты. Все эти схемы показаны на рисунке 2. Поэтому при построении схем усилителей постоянного тока используют схемы с непосредственными связями между каскадами.
Ключевой режим работы транзистора Схема с общим эмиттером

TIP3055 Datasheet (PDF)

1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola

Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO

TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr

TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain — 15 AMPERE hFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe

1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns

TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas

1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Описание

NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

2N3055 Datasheet Explained for Easy Reference

Before noting specific figures, readers should first become famliar with the various terminologies used on the 2N3055 spec sheet. The study of the following relevant acronyms is a must for all electronic students:

VCEO = Indicates the Collector to Emitter Breakdown voltage of the particular device, or the maximum threshold voltage level beyond which the device may get damaged or blown off. In simple words for a given device, the operations must be carried out and limited below these specified levels.

VCBO = As above, it’s the device’s Collector to Base breakdown voltage.

VEBO = It’s the Emitter to Base breakdown voltage.

hFE = DC Forward Current Gain or the efficiency of the device to amplify a given signal to appreciable limits at the collector with respect to relatively lower base biasing voltages.

IC = Collector biasing current

fT = Transition frequency or the maximum frequency rate at which the device would operate optimally.

RƟjc = Thermal withstanding capacity from the case junction, or the maximum allowable case temperature for the device, above which the device might go through a thermal run-away situation to become permanently damaged. The parameter provides the necessary data regarding the heatsink calculations for a particularly device.

PTC = Maximum allowable dissipation (heat) from the case at 25 degrees ambient temperature. Again, it’s the information through which the heatsink parameters may be calculated.

The following data provides the actual figures involved with the various 2N3055 specifications:

Polarity = NPN,

IC = 15 Amp.

VCEO = 60 Volts,

hFE = 20 (min), 70 (max) @ IC = 4 Amp, and VCE = 4 Volts,

Safe Operating Area = 2.87 Amp × 40 V for 1 second pulse.

fT = 2.5 MHz (min),

RƟjc = 1.52 degree C/W,

PTC = 115 Watts.

Now let’s study some of the important and interesting practical operations associated with 2N3055 transistors.

H2N7002 Datasheet (PDF)

0.1. h2n7002k.pdf Size:136K _hsmc

Spec. No. : MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.03.13 Revised Date :2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ……………………………………………………………………………………………

0.2. h2n7002ksn.pdf Size:156K _hsmc

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

0.3. h2n7002sn.pdf Size:114K _hsmc

Spec. No. : MOS200605HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N7002SN Pin Assignment & SymbolH2N7002SN33-Lead Plastic SOT-323Package Code: SNN-Channel MOSFET (60V, 0.2A)Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain21DDescriptionGN-channel enhancement-mode MOS transistor.SAbsolute Maximum RatingsDrain-Source Vol

0.4. h2n7002.pdf Size:129K _hsmc

Spec. No. : MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.04.01 Revised Date : 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ………………………………………………………………………………………………….

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

2n3055 transistor Description

The 2n3055 transistor is a medium power transistor device and due to this reason, they had wide applications in power electronics.
The peak current gain on the 2n3055 transistor is 20 to 70hFE, and this is an important value at amplifier circuits.
The maximum collector current at 2n3055 transistor is 15A, which means the maximum load current allowed on this transistor, the current indicate it is a power transistor.
The peak base current of this transistor is 7A, the maximum allowable bias voltage on the trigger terminal.
The power dissipation on the transistor is 115W, this particular value indicates the power dissipation at this transistor device.
The transition frequency on this transistor is 2.5MHZ, it is an important factor in transistor switching applications.
The maximum junction temperature on the 2n3055 transistor is 200°C.