What is bdw83c?

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах управления I_B.

Зависимость снята при температуре внешней среды T_a = 25°C (Надпись на поле рисунка).

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения U_CE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения U_CE = 1 В (надпись на поле рисунка).

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды T_a и при соотношении токов I_C/I_B = 10.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов I_C/I_B = 10 и температуре внешней среды T_a = 25°C (надпись на поле рисунка).

Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) I_B от напряжения управления U_BE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 6 В.

Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) f_T от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при температуре среды T_a = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В (надпись на поле рисунка).

Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора P_C при нарастании температуры внешней среды T_a.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса T_C = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).

Ограничение по величине коллекторного тока: I_C = 150 мА.

Ограничение по величине коллекторного напряжения: U_CEO = 50 В.

Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.

Аудио MOSFET транзисторы класса D

Все корпуса

Наим-е	Корпус	Напряжение пробоя	Rds(on) тип. (10 В)	Ток стока (25°C)	Заряд затвора	Класс
IRFI4024H-117P	5-pin TO-220	55V	48 mOhm	11 A	8.9 nC	Consumer
IRFI4212H-117P	5-pin TO-220	100V	58 mOhm	11 A	12 nC	Consumer
IRFI4019H-117P	5-pin TO-220	150V	80 mOhm	8.7	13 nC	Consumer
IRFI4020H-117P	5-pin TO-220	200V	80 mOhm	9.1 A	19 nC	Consumer
IRF6665TRPBF	DirectFET SH	100V	53 mOhm	19 A	8.7 nC	Consumer
IRF6645TRPBF	DirectFET SJ	100V	28 mOhm	25 A	14 nC	Consumer
IRF6644TRPBF	DirectFET MN	100V	10 mOhm	60 A	35 nC	Consumer
IRF6775MTRPBF	DirectFET MZ	150V	56 mOhm	28 A	25 nC	Consumer
IRF6785MTRPBF	DirectFET MZ	200V	85 mOhm	15 A	26 nC	Consumer
IRF6648TRPBF	DirectFET MN	60V	5.5 mOhm	86 A	36 nC	Consumer
IRF6668TRPBF	DirectFET MZ	80V	12 mOhm	55 A	22 nC	Consumer
IRF6646TRPBF	DirectFET MN	80V	7.6 mOhm	68 A	36 nC	Consumer
IRFB4212PBF	TO-220	100V	72.5 mOhm	18 A	15 nC	Industrial
IRFB4019PBF	TO-220	150V	80 mOhm	17 A	13 nC	Consumer
IRFB5615PBF	TO-220	150V	32 mOhm	35 A	26 nC	Industrial
IRFB4228PBF	TO-220	150V	12 mOhm	83 A	72 nC	Industrial
IRFB4020PBF	TO-220	200V	80 mOhm	18 A	18 nC	Consumer
IRFB4227PBF	TO-220	200V	19.7 mOhm	65 A	70 nC	Industrial
IRFB5620PBF	TO-220	200V	60 mOhm	25 A	25 nC	Industrial
IRFP4668PBF	TO-247	200V	8 mOhm	130 A	161 nC	Industrial
IRFB4229PBF	TO-220	250V	38 mOhm	46 A	72 nC	Industrial
IRFP4768PBF	TO-247	250V	14.5 mOhm	93 A	180 nC	Industrial

BDW83C Datasheet PDF — Power Innovations Limited

Part Number	BDW83C
Description	NPN SILICON POWER DARLINGTONS
Manufacturers	Power Innovations Limited
Logo
There is a preview and BDW83C download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 6 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! Copyright 1997, Power Innovations Limited, UK BDW83, BDW83A, BDW83B, BDW83C, BDW83D NPN SILICON POWER DARLINGTONS AUGUST 1978 — REVISED MARCH 1997 q Designed for Complementary Use with BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C and BDW84D q 150 W at 25°C Case Temperature q 15 A Continuous Collector Current q Minimum hFE of 750 at 3 V, 6 A B C E SOT-93 PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAA absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted) RATING SYMBOL VALUE UNIT Collector-base voltage (IE = 0) Collector-emitter voltage (IB = 0) (see Note 1) Emitter-base voltage Continuous collector current Continuous base current Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2) Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3) Unclamped inductive load energy (see Note 4) Operating junction temperature range Operating temperature range Operating free-air temperature range BDW83 BDW83A BDW83B BDW83C BDW83D BDW83 BDW83A BDW83B BDW83C BDW83D VCBO VCEO VEBO IC IB Ptot Ptot ½LIC2 Tj Tstg TA 45 60 80 100 120 45 60 80 100 120 5 15 0.5 150 3.5 100 -65 to +150 -65 to +150 -65 to +150 V V V A A W W mJ °C °C °C NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited. 2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 1.2 W/°C. 3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C. 4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 5 mA, RBE = 100 Ω, VBE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V. PRODUCT INFORMATION Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters. 1

BDW83, BDW83A, BDW83B, BDW83C, BDW83D NPN SILICON POWER DARLINGTONS AUGUST 1978 — REVISED MARCH 1997 MECHANICAL DATA SOT-93 3-pin plastic flange-mount package This single-in-line package consists of a circuit mounted on a lead frame and encapsulated within a plastic compound. The compound will withstand soldering temperature with no deformation, and circuit performance characteristics will remain stable when operated in high humidity conditions. Leads require no additional cleaning or processing when used in soldered assembly. SOT-93 ø 4,1 4,0 15,2 14,7 3,95 4,15 4,90 4,70 1,37 1,17 12,2 MAX. 16,2 MAX. 18,0 TYP. 31,0 TYP. 1 1,30 1,10 23 11,1 10,8 2,50 TYP. 0,78 0,50 ALL LINEAR DIMENSIONS IN MILLIMETERS NOTE A: The centre pin is in electrical contact with the mounting tab. PRODUCT INFORMATION 5 MDXXAW Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for BDW83C electronic component.

Information	Total 6 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Alternate Parts for BDW83C

This table gives cross-reference parts and alternative options found for BDW83C. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of BDW83C, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.

Functional Equivalents (10)

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
BDW83C	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Central Semiconductor Corp	BDW83C vs BDW83C
BDW83C	15A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited	BDW83C vs BDW83C
BDW83CR1	15A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited	BDW83C vs BDW83CR1
BDW83CR1	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	TT Electronics Resistors	BDW83C vs BDW83CR1

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
BDW84BR1	15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited	BDW83C vs BDW84BR1
BDV64A	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Central Semiconductor Corp	BDW83C vs BDV64A
BDW83B	15A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited	BDW83C vs BDW83B
BDW83B	15A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218	STMicroelectronics	BDW83C vs BDW83B
BDW84C	15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited	BDW83C vs BDW84C
BDV65BLEADFREE	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Central Semiconductor Corp	BDW83C vs BDV65BLEADFREE
BDW84B	15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, FM-3	JW Miller	BDW83C vs BDW84B
BDV64	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Central Semiconductor Corp	BDW83C vs BDV64
BDW83A	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Central Semiconductor Corp	BDW83C vs BDW83A
BDW84C	15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, PLASTIC PACKAGE-3	STMicroelectronics	BDW83C vs BDW84C

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Примечание
C1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	—	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	125	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815(L)	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 6	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815LT1	0,225	60	50	5	0,15	150	70…700	—	—	—	≤ 0,3	SOT-23	Маркировка: L6
2SC1815M (BR3DG1815M)	0,3	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB
2SC1815 M	0,3	45	40	5	0,1	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	TO-92B	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
C1815T	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR
CSC1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
FTC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
KSC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	1	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/L
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: Y/GR

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	3,5	—	≤ 0,25	SOT-23
КТ3102А	0,25	50	50	5	0,1	—	100…200	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ3102Б	0,25	50	50	5	0,1	—	200…500	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ602А/Б	0,85	120	100	5	0,075	150	20…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0	ТО-126
КТ602В/Г	0,85	80	70	5	0,075	150	15…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0	ТО-126
КТ611А/Б	0,8	200	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ611В/Г	0,8	180	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ660А	0,5	50	45	5	0,8	150	110…220	≥ 200	≤ 10	—	≤ 0,5	ТО-92

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Маркировка
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	150	70…700	80	≤ 3,5	1…10	0,25	TO-92	—
CSC3114/R	0,4	—	50	—	0,15	—	100	100	≤ 3,5	≤ 100	≤ 0,25	TO-92	—
CSC3114S	0,4	—	50	—	0,15	—	140	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3114V	0,4	—	50	—	0,15	—	280	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3199	0,4	—	50	—	0,15	—	70…700	80	—	—	—	TO-92	—
CSC3331/R/S/T	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
CSC3331TU/U/V	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	—	—	0,25	SOT-23	HF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150	100	≤ 6	≤ 8	≤ 0,5	SOT-23	ZFC
2PD601BRL	0,25	60	50	6	0,2	150	210	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	ML٭
2PD601BSL	0,25	60	50	6	0,2	150	290	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	MM٭
2PD602ASL	0,25	60	50	5	0,5	150	170	180	≤ 15	—	≤ 0,6	SOT-23	SF
2SC2412-R	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
2SC2412-S	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BS
2SC945LT1	0,23	60	50	5	0,15	150	200	150	≤ 3,5	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
2STR1160	0,5	60	50	5	1	150	250	150	≤ 3,5	—	≤ 0,43	SOT-23	160
BCV47	0,36	80	60	10	0,5	150	10000	170	≤ 3,5	—	≤ 1,0	SOT-23	DK, FG, FGp, FGs, FGt, W
BTC2412N3	0,225	60	50	7	0,2	150	180	80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	C4
BTD2150N3	0,225	80	50	6	4	150	270	175	14	—	≤ 0,32	SOT-23	CF
BTN6427N3	0,225	100	60	12	0,5	150	10000		≤ 7	—	≤ 1,5	SOT-23	1N
CMPT3820	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,28	SOT-23	38C
CMPT491E	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,4	SOT-23	C49
INC5001AC1	0,2	80	60	5	1	150	130	240	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	XY
INC5006AC1	0,2	100	50	7	3	150	400	250	13	—	≤ 0,2	SOT-23	CER
KMMT619	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 20	—	≤ 0,5	SOT-23	619, 619H
KST6428	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	—	SOT-23	1K
L2SC1623RLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	180	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
L2SC1623SLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	270	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L7
L2SC2412KRLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
L2SC2412KSLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	G1F
L2SC5343RLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	180	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7R
L2SC5343SLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	270	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7S
LMBT6428LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3		≤ 0,5	SOT-23	1KM
MMBT5343-G/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	5343
MMBT6428	0,3	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1K, 1KM
MMBT6428L/LT1/LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1KM
MMBT945-H/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200/130	150	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	CR
MMBTA28	0,35	80	80	12	0,8	150	10000	125	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	3SS K6R
NXP3875G	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	٭JF
PBSS4041NT	0,3	60	60	5	3,8	150	300	175	17	—	≤ 0,3	SOT-23	٭BK
PBSS4160T	0,3	80	60	5	1	150	250	150	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	٭U5
PBSS8110T	0,3	120	100	5	1	150	150	100	≤ 7,5	—	≤ 0,2	SOT-23	٭U8
SSTA28	0,2	80	80	12	0,3	150	10000	200	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23 SST3	RAT
TMPS1654N7	0,225	80	160	5	0,15	150	150	100	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	N7
TMPT6428	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,2	SOT-23	1K

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Fehler 404

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе

или zurück zu:
Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

больше
Венигер

Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=I_C/I_B согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Биполярный транзистор: внешний вид, составные элементы, конструкция корпуса — кратко

Сразу стоит определиться, что биполярный транзистор (bipolar transistor) создан для работы в цепях постоянного тока, где и используется. Сократим его название до БТ.

На фотографии ниже показал насколько разнообразные формы он имеет. А ведь этот небольшой ассортимент мной высыпан из одной маленькой коробочки.

Транзисторный корпус может быть изготовлен из пластмассы или металла в виде параллелепипеда, цилиндра, таблетки различной величины. Общими элементами являются три контактных штыря, созданные для подключения к электрической схеме.

Эти выводы необходимо различать в технической документации, правильно подключать при монтаже. Поэтому их назвали:

1. Э (E) — эмиттер;
2. К (C) — коллектор;
3. Б (B) — база.

Буквы в скобках используются в международной документации.

Основной метод соединения БТ в электрических схемах — пайка, хотя допускаются и другие.

Габариты корпуса и контактных выводов зависят от мощности, которую способен коммутировать этот модуль. Чем выше проектная нагрузка, тем большие размеры вынуждены создавать производители для обеспечения надежной работы и отвода опасного тепла.

Общеизвестно, что полупроводниковые переходы не способны выдерживать высокий нагрев — они банально перегорают. Поэтому все мощные корпуса выполняются из металла и снабжаются теплоотводящими радиаторами.

В особо ответственных узлах для них дополнительно создается принудительный обдув струями воздуха. Этим приемом значительно повышается надежность работы системных блоков компьютеров, ноутбуков, сложной электронной техники.

Любой БТ состоит из трех полупроводниковых переходов p и n типа, как обычный диод. Только у диода их меньше: всего два. Он способен пропускать ток всего в одну сторону, а в противоположную — блокирует.

Bipolar transistor создается по одной из двух схем соединения полупроводниковых элементов:

1. p-n-p, называемую прямым включением;
2. n-p-n — обратным.

При обозначении на схемах их рисуют одинаково, но с небольшими отличиями вывода эмиттера:

1. прямое направление: стрелка нацелена на базу;
2. обратное — стрелка показывается выходом из базы наружу элемента.

Указатель стрелки эмиттера показывает положительное направление тока через полупроводниковый переход.