Характеристики транзистора j13009-2

Качественный даташит на русском языке для транзистора J13009 2

Для эффективного использования транзистора J13009 2 в различных электронных устройствах и схемах необходимо иметь подробную информацию о его особенностях и характеристиках. Качественный даташит на русском языке предоставляет полезные данные, которые помогут разработчикам и специалистам в правильном выборе и применении данного компонента.

В даташите по транзистору J13009 2 на русском языке можно найти следующую информацию:

1. Общие характеристики: в данном разделе приводится общая информация о типе транзистора, его назначении, способе установки и монтажа.
2. Электрические характеристики: здесь указываются параметры напряжения, тока, мощности, частоты, которыми должен обладать транзистор для оптимальной работы.
3. Технические характеристики: этот раздел содержит информацию о температурных условиях эксплуатации, прочности корпуса, массе и размерах транзистора.
4. Графики и диаграммы: в даташите представлены графики зависимости тока, напряжения, мощности от различных параметров, что помогает проанализировать и оценить работу транзистора в различных режимах.
5. Рекомендации по применению: в этом разделе дается рекомендации по монтажу, подключению, применению транзистора, а также предоставляется информация о защите и режимах работы.

Важно иметь качественный даташит на русском языке для транзистора J13009 2, так как он облегчает понимание и использование данного компонента в электронных устройствах. Разработчики могут использовать предоставленные в даташите данные для правильного выбора транзистора, оптимизации электрических схем и повышения качества проектов

Уникальный транзистор J13009 2: преимущества и назначение

Прежде всего, транзистор J13009 2 имеет высокую мощность и надежность работы, что позволяет эффективно управлять большими электрическими нагрузками. Благодаря своей высокой пропускной способности, этот транзистор может использоваться в схемах с высокими токами и напряжениями.

Кроме того, транзистор J13009 2 обладает высокой скоростью коммутации, что позволяет ему быстро переключаться между состояниями включения и выключения

Это особенно важно в современных высокочастотных устройствах, где требуется быстрый и точный отклик на сигналы

Назначение транзистора J13009 2 весьма широко. Он может использоваться во множестве приложений, включая источники питания, DC-DC преобразователи, инверторы, светодиодные драйверы, импульсные блоки питания и многое другое. Благодаря своим характеристикам и функциональности, этот транзистор является незаменимым элементом во многих энергоэффективных и высокотехнологичных устройствах.

In Stock : 1571

Please send RFQ , we will respond immediately.

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

FJP13009H2TU Datasheet PDF — Fairchild Semiconductor

Part Number	FJP13009H2TU
Description	High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
Manufacturers	Fairchild Semiconductor
Logo
There is a preview and FJP13009H2TU download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 6 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! July 2013 FJP13009 High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features • High-Voltage Capability • High Switching Speed • Suitable for Electronic Ballast and Switched Mode Power Supply 1 TO-220 1.Base 2.Collector 3.Emitter Ordering Information Part Number(1) FJP13009TU FJP13009H2TU Marking J13009 J13009-2 Package TO-220 3L TO-220 3L Packing Method Rail Rail Note: 1. The Affix “-H2” means the hFE classification. The Suffix “-TU” means the tube packing method. Absolute Maximum Ratings(2) Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera- ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi- tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TC = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Units VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PD TJ TSTG Note: Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current (DC) Collector Current (Pulse) Base Current Total Device Dissipation (TC = 25°C) Junction Temperature Storage Temperature Range 700 400 9 12 24 6 100 150 -65 to +150 V V V A A A W °C °C 2. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C. These are steady state limits. The factory should be consulted on application involving pulsed or low duty cycle operations. 2003 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. 1.1.0 1 www.fairchildsemi.com

Physical Dimensions TO-220 3L Figure 9. TO220, MOLDED, 3-LEAD, JEDEC VARIATION (ACTIVE) Package drawings are provided as a service to customers considering Fairchild components. Drawings may change in any manner without notice. Please note the revision and/or date on the drawing and contact a Fairchild Semiconductor representative to verify or obtain the most recent revision. Package specifications do not expand the terms of Fairchild’s worldwide terms and conditions, specifically the warranty therein, which covers Fairchild products. Always visit Fairchild Semiconductor’s online packaging area for the most recent package drawings: http://www.fairchildsemi.com/dwg/TO/TO220B03.pdf. For current tape and reel specifications, visit Fairchild Semiconductor’s online packaging area: http://www.fairchildsemi.com/packing_dwg/PKG-TO220B03_TC.pdf. 2003 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. 1.2.0 5 www.fairchildsemi.com Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for FJP13009H2TU electronic component.

Information	Total 6 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Технические характеристики транзистора J13009 2

Ниже приведены основные технические характеристики транзистора J13009 2:

• Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 600 В;
• Максимальное рабочее напряжение база-эмиттер: 8 В;
• Максимальный коллекторный ток: 12 А;
• Максимальная мощность потерь: 75 Вт;
• Максимальная рабочая температура: 150 °C;
• Тип корпуса: TO-220;
• Структура: npn;
• Дополнительные особенности: встроенная защита от перегрузки и короткого замыкания.

Транзистор J13009 2 обладает хорошими электрическими характеристиками, низким сопротивлением и высокой надежностью. Это делает его привлекательным для использования в различных схемах и проектах, где требуется работа с высокими напряжениями и токами.

Важно учитывать, что для правильной работы транзистора J13009 2 необходимо соблюдать его технические характеристики, включая максимальные значения напряжения и тока. При использовании транзистора в проекте следует также учесть тепловые характеристики и обеспечить надежное охлаждение

FJP13009H2TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  onsemi fjp13009tu fjp13009h2tu.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 6.1. Size:181K  fairchild semi fjp13009.pdf

March 2007FJP13009High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

 6.2. Size:232K  inchange semiconductor fjp13009.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor FJP13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p

 7.1. Size:540K  fairchild semi fjp13007.pdf

July 2008FJP13007High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage High Speed Power Switch Application High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base

 7.2. Size:246K  onsemi fjp13007tu fjp13007h1tu fjp13007h1tu-f080 fjp13007h2tu fjp13007h2tu-f080.pdf

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

FJP13007(J13007) Datasheet (PDF)

2.1. fjp13007.pdf Size:540K _fairchild_semi

July 2008 FJP13007 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage High Speed Power Switch Application � High Voltage Capability � High Switching Speed � Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC = 25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 70

March 2007 FJP13009 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor • High Voltage Capability • High Switching Speed • Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings* TC = 25°C unless otherwise noted (notes_1) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter

3.2. fjp13009.pdf Size:123K _fairchild_semi

March 2007 FJP13009 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor � High Voltage Capability � High Switching Speed � Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings* TC = 25�C unless otherwise noted (notes_1) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Юмор: Если побить рекорд никак не удаётся, то возникает соблазн побить его обладателя. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007. Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; дата записи: 2015-02-04 07:44:50 дата записи: 2017-12-19 09:49:35 Добавить аналог транзистора MJE13007. Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13007? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника: Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

  Jasmin bayer kommt aus ulm