BD678 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка

Как устроена зарядка для разных видов электроники

Рассмотрим несложную и повсеместно применяемую конструкцию. От полученного устройства заряжаются все возможные батареи из лития, никеля, свинца, используемые в бесперебойных устройствах.

Когда аккумулятор заряжается, особое значение имеет сила тока зарядного устройства. В норме он равен приблизительно 1/10 аккумуляторной ёмкости. Постоянство этой величины, в свою очередь, обеспечивается стабилизатором 78L05.

Существует 4 варианта разброса тока зарядки, от 50 до 200 А. Они зависят от величины сопротивления.

При выходном напряжении стабилизатора, равном 5 В, чтобы получить ток 100 мА, нужно воспользоваться резистором с сопротивлением 100 Ом. И так — с каждым из значений.

Кроме того, в схеме есть индикатор, в основе которого лежат 2 транзистора и световой диод. Последний гасится, когда заканчивается заряд.

Простое зарядное устройство для литиевого аккумулятора.

Главное отличие зарядного устройства от блока питания – четкое ограничение зарядного тока. Следующая схема имеет два режима ограничения:

• по току;
• по напряжению;

Пока напряжение на выходе меньше 4,2 В ограничивается выходной ток, при достижении напряжением величины 4,2 В начинает ограничиватся напряжение и ток заряда снижается.
На следующей схеме ограничение тока осуществляют транзисторы VT1, VT2 и резисторы R1-R3. Резистор R1 выполняет функцию шунта, когда напряжение на нем превышает 0,6 В (порог открывания VT1), транзистор VT1 открывается и закрывает транзистор VT2. Из-за этого падает напряжение на базе VT3 он начинает закрываться и следовательно снижается выходное напряжение, а это ведет к снижению выходного тока. Таким образом работает обратная связь по току и его стабилизация. Когда напряжение подбирается к уровню 4,2 В в работу начинает вступать DA1 и ограничивать напряжение на выходе зарядного устройства.

А теперь список номиналов компонентов схемы:

• DA1 – TL431C;
• R1 – 2,2 Ом;
• R2 – 470 Ом;
• R3 – 100 кОм;
• R4 – 15 кОм;
• R5 – 22 кОм;
• R6 – 680 Ом (нужен для подстройки выходного напряжения);
• VT1, VT2 – BC857B;
• VT3 – BCP68-25;
• VT4 – BSS138.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, усилительные, линейные. Разработаны для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах, преобразователях напряжения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤0,5	TO126
2Т903А/Б	30	60	60	4	3	150	≥ 120	180	15…180	≤ 2,0	КТЮ-3-20
2Т/КТ908А	50	140	100	5	10	150	≥ 50	—	8…60	≤ 1,5	КТЮ-3-20
КТ908Б	50	140	60	5	10	150	≥ 30	—	≥ 20	≤ 1,0	КТЮ-3-20
КТ921А/Б	12,5	65	65	4	3,5	150	—	50	45	≤ 1,8	ТО-60
КТ925В/Г	25	36	36	3,5	3,3	150	450	60	80	—	КТ-17
КТ932А/Б/В	20	80/60/40	80/60/40	4,5	2	150	≥ 40	≤ 300	40…120	≤ 1,5	ТО-3
КТ961А/Б/В/Г	12,5	160/80/60/40	160/80/60/40	5	1,5	150	≥ 50	—	20…500	≤ 0,5	ТО126
КТ972А/Б/В/Г	8	60/45/60/60	60/45/60/60	5	2	150	≥ 200	—	≥ 750	≤ 1,5	ТО126

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCB	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус	Маркировка на корпусе
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO126	—
2SC4342	1,3/12	150	100	8	3/5	150	—	—	1000…20000	≤ 1,5	TO126	—
2SC5694	1,2/10	60	50	6	7/10	150	330	28	150…300	≤ 0,26	TO126ML	—
2SD1506	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	—
2SD1694	1,3/20	60	60	7	3/5	150	250	50	500…3200	≤ 0,4	TO126	—
2SD1899L	2/10	60	60	7	3/-	150	100	35	25…400	≤ 0,8	TO126	—
BTC1510T3	1/10	150	150	5	10/15	150	—	—	≥ 100	≤ 3,0	TO126	—
BTD2150AD3	1/10	50	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	TO126	—
CSD1506P/Q/R	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	—
KSD1693	— /15	80	60	8	3/-	150	—	—	4000	—	TO126	—
2N5154-220M	— /10	100	80	5	5/10	200	560	≤ 250	25…200	≤ 1,5	TO252
2N5154SM	-/10	100	80	6	2/10	200	≥ 70	≤ 250	35…200	≤ 1,5	TO252
2SCR573D	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
2SCR573DA08	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
NSS1C301E	-/12,5	140	100	6	3/-	150	120	30	120	—	TO252	1C31E
NSS1C300ET4G	-/12,5	140	100	6	3/6	150	100	60	50…360	≤ 0,4	TO252	1C30EG
STC503D	-/10	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	0,4	TO252	STC503
2SD1899-Z	1/10	90	60	7	3/-	150	120	30	50…400	≤ 0,25	TO251	—
SZD2150A3	-/10	100	60	—	6/-	150	210	—	120	—	TO251	—
BTD2150A3	0,75/-	80	50	6	3/7	150	90	13	150…820	≤ 0,25	TO92	D2150
2DC4672	0,9/-	60	50	6	3/6	150	180	17	45…270	≤ 0,35	SOT89	4672
2SCR533PFRA	0,5/-	50	50	6	3/6	150	320	13	180…450	≤ 0,35	SOT89	NM
2SD2098Q/R/S	0,5/-	50	20	6	5/10	150	150	30	120…390	≤ 1,0	SOT89	—
FJC1963	0,5/-	50	30	6	3/-	150	—	—	120…560	≤ 0,45	SOT89	BB
PBSS4330X	0,55/-	50	30	6	3/5	150	≥100	≤ 30	180…700	≤ 0,3	SOT89	٭1R
PBSS4350X	0,55/-	50	50	5	3/5	150	≥100	≤ 25	100…700	≤ 0,37	SOT89	S43
ST2SC4541U	0,5/-	80	50	6	3/-	150	100	20	40…400	≤ 0,5	SOT89	—
ST2SD1760U	1,0/-	60	45	5	3/4,5	150	90	40	82…390	≤ 1,0	SOT89	—
STC4350F	0,5/-	60	50	6	3/6	150	210	18	40…240	≤ 0,35	SOT89	HW8
STC503F	0,5/-	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	≤ 0,4	SOT89	C503
TSD2150A	0,6/-	80	50	6	3/6	150	90	45	150…400	≤ 0,25	SOT89	—
WTM1624	0,5	60	50	6	3/6	150	150	25	100…560	≤ 0,5	SOT89	—

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

Как проверить устройство 78L05 с помощью мультиметра

Прежде чем воспользоваться устройством, необходима его проверка с помощью мультиметра. Для этого нужно сделать прозвон контактов, чтобы выяснить, нет ли короткого замыкания между ними. При его отсутствии проверка продолжается.

Входное напряжение должно быть не меньше 7 В, и не больше максимума. Для этого применяется обычная крона с напряжением 9 В. На выход подцепляется устройство дополнительной нагрузки, к примеру, резистор в 1 Ом.

Подавая питание, придерживайтесь полярности. Минусовая сторона подсоединяется к главному выводу, а со знаком “+” — к входу. Напряжение выхода отсоединяется от земли и составляет 5 В, согласно конструкции микросхемы.

Допустимые для работы параметры

Как правило, основная задача стабилизатора в схемах WS — постоянно регулировать напряжение, чтобы оно не отклонялось от уровня 5 В. Чтобы поддерживать его устойчивую работу, необходима подача напряжения, на 2-3 В превышающего выходное. При хорошем теплоотводе прибор способен выдержать силу тока выхода 100 А.

Максимальные величины

У микросхемы есть несколько максимумов, допустимых для работы:

1. Напряжение входа — 30 В.
2. Ток выхода — 0,1 А.
3. Температура нагревания кристалла — 125 градусов.
4. Условия хранения — от -65 до 150 градусов.
5. Рассеянная мощность регулируется защитой изнутри.

Благодаря конструктивной защите, устройство не перегреется и не закоротит.

Допустимые электрические характеристики

В таблице вы можете увидеть электропараметры для типичной тестовой схемы. В одном из столбцов приведены условия работы прибора при не более 25 градусов. Ее пределы определяются модификацией прибора. Приведенные характеристики часто встречаются в линейках микросхем L78L05.

В типовой тестовой схеме присутствуют конденсаторы с ёмкостью 0,33 и 0,1 мкФ. На нее подается нулевое напряжение 10 В. Если другие условия не обозначены, выходная сила тока составляет 40 мА.

Все приведенные данные показывают, что все L78L05 — разные по ряду значений. Нужно присмотреться к отдельным модификационным чертам. К примеру, если обозначение прибора содержит букву B, это говорит о его способности функционировать при низкой температуре, до -40 градусов. А вот буква «А» в конце наименования — признак высокой точности стабилизации напряжения выхода до 4%. Символ «С» показывает, что у стандартных стабилизаторов этот диапазон расширен вдвое.

В классической схеме включения устройства, при которой и проводится тестирование, нет ничего сложного. Для ее создания не нужно быть профессиональным радиотехником или электроником. В ней присутствует и сама микросхема, и 2 конденсатора-сглаживателя. Входная емкость — всегда намного выше, чем выходная, так как она подавляет внешние колебания от источника электроэнергии. Емкость на выходе, в свою очередь нужна для подавления пульсаций с высокой частотой.

Конденсаторы-сглаживатели, по совету производителя, напаивают поблизости к ножкам, для уменьшения уровня воздействия помех и стабильность работы.

Основные технические характеристики TL431:

• напряжение анод-катод: 2,5…36 вольт;
• ток анод-катод: 1…100 мА (если нужна стабильная работа, то не стоит допускать ток менее 5мА);

Точность опорного источника напряжения TL431 зависит от 6-той буквы в обозначении:

• без буквы — 2%;
• буква A — 1%;
• буква B — 0,5%.

Видно, что TL431 может работать в широком диапазоне напряжений, но вот токовые способности не так велики всего 100 мА, да и мощность рассеиваемая такими корпусами не превышает сотен мили Ватт. Для получения более серьезных токов интегральный стабилитрон стоит использовать как источник опорного напряжения, регулирующую функцию доверив мощным транзисторам.

Принцип работы элемента

С внешней стороны и по разновидности перехода p-n, устройство очень схоже с полупроводниковым диодом. Если посмотреть на схематическое обозначение, особых отличий тоже нет.

Ток, идущий через прибор, имеет только одно направление, но здесь есть свои нюансы. Диод способствует движению микрочастиц только по принципу анод-катод. Если задано обратное направление, это — уже критическая недопустимая ситуация. А именно, она означает поломку радиодетали.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

Для стабилитрона обратное движение тока — это норма, а точнее, его специальная задача. Когда на выводах возникает определенное напряжение, электроны начинают двигаться в направлении катод-анод. Получается обратно проводимый элемент.

Напряжение здесь — главный параметр. К примеру, если у стабилитрона 12 В, ток проходит в обратном направлении.

Приведём самый элементарный пример. Допустим, мы имеем емкость для воды с определённым расположением сливного патрубка.

При поступлении воды на определенный уровень, она переливается из патрубка для слива. А конкретнее, ёмкость заполняется только до ограниченного уровня. Он сохраняется как минимум до тех пор, пока не изменится напор. При превышении жидкостью сливной способности патрубка, сосуд может лопнуть или перелиться.

Теперь проводим аналогию на электронный манер. 

Вместо напора жидкости у нас — максимальный ток, который только может быть у стабилитрона. Температурных разрушений здесь нет. А вместо возможного уровня воды мы рассматриваем напряжение, при котором стабилитрон может сработать.

Когда достигается заданное напряжение, оно сохраняется и оставшийся ток направляется обратно. Получается, что устройство и делает напряжение постоянным. Поэтому при слишком большом токе стабилизатор может сгореть.

Главная задача, для которой определяют работоспособность устройства, — это понять, каково напряжение стабилизации на стабилитроне.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения U_кэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока h_FE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 U_кэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение	Параметр	Значение
VCBO	Напряжение коллектор-база, В	BC546	80
(UCB max)	BC547/550	50
BC548/549	30
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер, В	BC546	65
(UCE max)	BC547/550	45
BC548/549	30
VEBO (UEB max)	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	BC546/547	6
BC548-550	5
IC (ICmax)	Ток коллектора, А	0,1
PC (PC max)	Рассеиваемая мощность, Вт	0,5
Tj (tjmax)	Температура кристалла, °С	150
Tstg	Температура хранения, °С	-65…+150

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

Datasheet Download — STMicroelectronics

Номер произв	BC857
Описание	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
Производители	STMicroelectronics
логотип
1Page No Preview Available ! BC857 BC858 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS Type BC857A BC857B BC858A BC858B Marking 3E 3F 3J 3K s SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORS s MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS s VERY LOW NOISE AF AMPLIFIER s NPN COMPLEMENTS FOR BC857 IS BC847 2 3 1 SOT-23INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS S ym b o l Parameter VCES V CBO V CEO V EBO IC ICM IBM IEM Ptot Tstg Tj Collector-Emit ter Voltage (VBE = 0) Collector-Base Voltage (IE = 0) Collector-Emitter Voltage (IB = 0) Emitter-Base Voltage (IC = 0) Collector Current Collector Peak Current Base Peak Current Emitter Peak Current Total Dissipation at Tc = 25 oC Storage Temperature Max. O perating Junction Temperature October 1997 Value BC857 BC858 -50 -30 -50 -30 -45 -30 -5 -0.1 -0.2 -0.2 -0.2 300 -65 to 150 150 Uni t V V V V A A A A mW oC oC 1/5 No Preview Available ! BC857/BC858 THERMAL DATA Rthj-amb • Thermal Resistance Junction-Ambient Rth j-SR • Thermal Resistance Junction-Substrat e • Mounted on a ceramic substrate area = 10 x 8 x 0.6 mm Max Max 420 330 oC/W oC/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified) Symb ol P a ram et er Test Conditions ICBO Collector Cut-off Current (IE = 0) VCE = -30 V VCE = -30 V Ta mb = 150 oC V(BR)CES ∗ Collect or-Emitter Breakdown Voltage (VBE = 0) IC = -10 µA for BC857 for BC858 V( BR)CBO ∗ Collect or-Base Breakdown Voltage (IE = 0) IC = -10 µA for BC857 for BC858 V( BR)CEO ∗ Collect or-Emitter Breakdown Voltage (IB = 0) V(BR)EBO Em it t er -Base Breakdown Voltage (IC = 0) VCE(sat)∗ Collect or-Emitter Saturation Voltage IC = -2 mA for BC857 for BC858 IC = -10 µA for BC857 for BC858 IC = -10 mA IC = -100 mA IB = -0.5 mA IB = -5 mA VBE(s at)∗ Base-Emitt er Saturation Voltage IC = -10 mA IB = -0.5 mA IC = -100 mA IB = -5 mA VBE(on)∗ Base-Emitt er O n Voltage IC = -2 mA VCE = -5 V IC = -10 mA VCE = -5 V hFE DC Current G ain IC = -10 µA for group A for group B IC = -2 mA for group A for group B VCE = -5 V VCE = -5 V fT Transit ion F requency IC = -10 mA VCE = -5 V f = 100MHz CCB Collect or Base Capacitance IE = 0 VCB = -10 V f = 1 MHz NF Noise Figure VCE = -5 V IC = -0.2 mA f = 1KHz ∆f = 200 Hz RG = 2 KΩ ∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 % Min. -50 -30 -50 -30 -45 -30 -6 -5 -0.6 110 200 Typ . -0.09 -0.25 -0.75 -0.9 -0.66 -0.72 90 150 180 290 150 2 1.2 M a x. -15 -5 -0.3 -0.65 -0.75 -0.82 220 450 6 10 4 Unit nA µA V V V V V V V V V V V V V V MHz pF dB dB 2/5 No Preview Available ! BC857/BC858 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) Symb ol P a ram et er Test Conditions hie Input Impedance VCE = -5 V IC = -2 mA for group A for group B f = 1KHz hre Reverse Voltage Ratio VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz for group A for group B hfe Small Signal Current VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz Gain for group A for group B hoe Output Admittance VCE = -5 V IC = -2 mA for group A for group B ∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 % f = 1KHz Min. Typ . Max. Un it 1.6 2.7 4.5 KΩ 3.2 4.5 8.5 KΩ 1.5 10-4 2 10-4 220 330 18 30 µs 30 60 µs 3/5
Всего страниц	5 Pages
Скачать PDF

Важность транзистора BC557 в электронике

Универсальность: BC557 используется в различных электронных цепях и приборах, включая усилители, импульсные источники питания, переключатели и стабилизаторы напряжения.

Низкое напряжение насыщения: Транзистор BC557 имеет низкое напряжение насыщения, что обеспечивает эффективную работу с низкими сигнальными уровнями и способствует снижению потребляемой энергии.

Высокая эффективность: BC557 обеспечивает высокую эффективность в электронных схемах благодаря своим параметрам и характеристикам.

Низкий уровень шума: Транзистор BC557 имеет низкий уровень шума, что важно для приемных устройств и аудиоусилителей.

Хорошая линейность: BC557 обладает хорошей линейностью, что позволяет использовать его в аналоговых схемах, требующих точного усиления сигнала.

Долговечность: BC557 имеет высокую надежность и долговечность, что делает его предпочтительным выбором для различных приложений.

Все эти характеристики делают транзистор BC557 важным элементом в электронной индустрии. Его широкое использование в различных устройствах и схемах свидетельствует о его значимости и незаменимости. Без участия транзистора BC557 многие электронные устройства и схемы не смогли бы работать с такой эффективностью и надежностью.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы