Ktn2907as pdf ( даташит ) - epitaxial planar pnp transistor

Активные компоненты: Диоды SOD

ТИП:	Расшифровка Типа:
SM	Rectangular Diode Gull Wing LeadКвадратный диод – выводы «ласточкин хвост»
Тип корпуса	Ширина ленты	Шаг компонента в ленте	Размер корпуса L (мм)	Размер корпуса W (мм)	Высота корпуса H (мм)	Размер корпуса S (мм)	Размер корпуса B (мм)	Кол-во в стандартной упаковке(170 мм/7 дюймов)лента пластиковая
SOD923	8 мм	2 мм	0.8	0.6	0.4	1.0	0.2	8000
SOD723	8 мм	2 мм	1.0	0.6	0.5	1.4	0.3	8000
SOD523	8 мм	4 мм	1.2	0.8	0.6	1.6	0.3	3000
SOD323	8 мм	4 мм	1.7	1.25	0.7	2.5	0.3	3000
SOD123	8 мм	4 мм	2.7	1.5	1.3	3.6	0.7	3000
DO215AC	12 мм	4 мм	4.3	2.6	2.2	6.1	1.4	1800
DO215AA	12 мм	8 мм	4.3	3.6	2.3	6.2	2.0	1000
DO215AB	16 мм	8 мм	7.0	6.0	2.3	1 0	3.0	900

Наследие 90-х годов

В России, как и в остальных странах СНГ, был приватизирован и начал развиваться простой бизнес. Крупные бизнесмены занимались получением сверхприбылей в сжатые сроки. Впоследствии они стали лоббировать изменения законодательства, которые помогали сохранять высокие доходы в своих нишах бизнеса.

Что касается высоких технологий — государство науку практически не финансировало. Это привело к “утечке мозгов”. Многие специалисты оказались за рубежом, где вносили свой вклад в развитие иностранного высокотехнологичного бизнеса. Отечественный же высокотехнологичный бизнес оказался совершенно незащищенным.

iPhone 5 в 2013 году был выпущен с 28-нанометровым техпроцессом

Зачем нужна маркировка?

Цель маркировки электронных компонентов – возможность их точной идентификации. Маркировка конденсаторов включает в себя:

данные о ёмкости конденсатора – главной характеристике элемента;
сведения о номинальном напряжении, при котором прибор сохраняет свою работоспособность;
данные о температурном коэффициенте емкости, характеризующем процесс изменения емкости конденсатора в зависимости от изменения температуры окружающей среды;
процент допустимого отклонения емкости от номинального значения, указанного на корпусе прибора;
дату выпуска.

Для конденсаторов, при подключении которых требуется соблюдать полярность, в обязательном порядке указывается информация, позволяющая правильно ориентировать элемент в электронной схеме.

Система маркировки конденсаторов, выпускавшихся на предприятиях, входивших в состав СССР, имела принципиальные отличия от системы маркировки, применяемой на тот момент иностранными компаниями.

Новая продукция

Новая продукция предприятия включает транзисторы и микросхемы с проектными нормами 500 нм в малогабаритных полимерных корпусах типа SOT-23 и SOT-89 для поверхностного монтажа, которые используются в блоках вторичного питания различной радиоэлектронной техники.

Интегральные микросхемы линейных стабилизаторов напряжения с проектными нормами 500 нм в малогабаритных металлополимерных корпусах типа SOT-23

В частности, налажен выпуск микросхем супервизоров вторичного электропитания – специальных электронных схем, которые позволяют осуществлять непрерывный контроль напряжения. Подобные компоненты необходимы устройствам с питанием от батареи (смартфоны, ноутбуки), а также многим другим электронным приборам, которые даже при работе от сети чувствительным к изменению напряжения источника.

В планах компании – освоить новое серийное производство интегральных микросхем и транзисторов с проектными нормами 350 нм, уже для более сложных изделий.

Принцип работы стабилитрона

Рассмотрим принцип работы стабилитрона на примере схемы его включения и вольт-амперной характеристике. Для выполнения своей основной функции стабилитрон VD соединяется последовательно с резистором Rб и вместе они подключаются к источнику входного нестабилизированного напряжения Uвх. Уже стабилизированное выходное напряжение Uвых снимается только с выводов 2, 3 VD. Поэтому нагрузка Rн подключается к соответствующим точкам 2 и 3. Как видно из схемы, VD и Rб образуют делитель напряжения. Только сопротивление стабилитрон имеет не постоянно значение и называется динамическим, поскольку зависит от величины электрического тока, протекающего через полупроводниковый прибор.

Величина напряжения Uвх, подаваемого на стабилитрон с резисторов должна быть выше на минимум на пару вольт выходного напряжения Uвых, в противном случае полупроводниковый прибор VD не откроется и не сможет выполнять свою основную функцию.

Допустим, в какой-то произвольный момент времени на выходах 1 и 3 значение Uвх начало возрастать. В схеме начнут протекать следующие процессы. С ростом напряжения согласно закону Ома начнет возрастать ток, назовем его входным током Iвх. С увеличением ток возрастет падение напряжения на резисторе Rб, а на VD она останется неизменным (это будет пояснено далее на характеристике), поэтому и Uвых останется на прежнем уровне. Следовательно, прирост входного напряжения упадет или погасится на резисторе Rб. Поэтому Rб называют гасящим или балластным.

Теперь, допустим, изменилась нагрузка, например, снизилось сопротивление Rн, соответственно возрастет и ток Iн. В этом случае снизится ток, протекающий стабилитрон Iст, а Iвх останется практически без изменений.

Справочная таблица по SMD транзисторам

Обозначение на корпусе	Тип транзистора	Условный аналог
15	MMBT3960	2N3960
1A	BC846A	BC546A
1B	BC846B	BC546B
1C	MMBTA20	MPSA20
1D	BC846	—
1E	BC847A	BC547A
1F	BC847B	BC547B
1G	BC847C	BC547C
1H	BC847	—
1J	BC848A	BC548A
1K	BC848B	BC548B
1L	BC848C	BC548C
1M	BC848	—
1P	FMMT2222A	2N2222A
1T	MMBT3960A	2N3960A
1X	MMBT930	—
1Y	MMBT3903	2N3903
2A	FMMT3906	2N3906
2B	BC849B	BC549B
2C	BC849C	BC549C / BC109C / MMBTA70
2E	FMMTA93	—
2F	BC850B	BC550B
2G	BC850C	BC550C
2J	MMBT3640	2N3640
2K	MMBT8598	—
2M	MMBT404	—
2N	MMBT404A	—
2T	MMBT4403	2N4403
2W	MMBT8599	—
2X	MMBT4401	2N4401
3A	BC856A	BC556A
3B	BC856B	BC556B
3D	BC856	—
3E	BC857A	BC557A
3F	BC857B	BC557B
3G	BC857C	BC557C
3J	BC858A	BC558A
3K	BC858B	BC558B
3L	BC858C	BC558C
3S	MMBT5551	—
4A	BC859A	BC559A
4B	BC859B	BC559B
4C	BC859C	BC559C
4E	BC860A	BC560A
4F	BC860B	BC560B
4G	BC860C	BC560C
4J	FMMT38A	—
449	FMMT449	—
489	FMMT489	—
491	FMMT491	—
493	FMMT493	—
5A	BC807-16	BC327-16
5B	BC807-25	BC327-25
5C	BC807-40	BC327-40
5E	BC808-16	BC328-16
5F	BC808-25	BC328-25
5G	BC808-40	BC328-40
549	FMMT549	—
589	FMMT589	—
591	FMMT591	—
593	FMMT593	—
6A	BC817-16	BC337-16
6B	BC817-25	BC337-25
6C	BC817-40	BC337-40
6E	BC818-16	BC338-16
6F	BC818-25	BC338-25
6G	BC818-40	BC338-40
9	BC849BLT1	—
AA	BCW60A	BC636 / BCW60A
AB	BCW60B	—
AC	BCW60C	BC548B
AD	BCW60D	—
AE	BCX52	—
AG	BCX70G	—
AH	BCX70H	—
AJ	BCX70J	—
AK	BCX70K	—
AL	MMBTA55	—
AM	BSS64	2N3638
AS1	BST50	BSR50
B2	BSV52	2N2369A
BA	BCW61A	BC635
BB	BCW61B	—
BC	BCW61C	—
BD	BCW61D	—
BE	BCX55	—
BG	BCX71G	—
BH	BCX71H	BC639
BJ	BCX71J	—
BK	BCX71K	—
BN	MMBT3638A	2N3638A
BR2	BSR31	2N4031
C1	BCW29	—
C2	BCW30	BC178B / BC558B
C5	MMBA811C5	—
C6	MMBA811C6	—
C7	BCF29	—
C8	BCF30	—
CE	BSS79B	—
CEC	BC869	BC369
CF	BSS79C	—
CH	BSS82B / BSS80B	—
CJ	BSS80C	—
CM	BSS82C	—
D1	BCW31	BC108A / BC548A
D2	BCW32	BC108A / BC548A
D3	BCW33	BC108C / BC548C
D6	MMBC1622D6	—
D7	BCF32	—
D8	BCF33	BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA	BCW67A	—
DB	BCW67B	—
DC	BCW67C	—
DE	BFN18	—
DF	BCW68F	—
DG	BCW68G	—
DH	BCW68H	—
E1	BFS17	BFY90 / BFW92
EA	BCW65A	—
EB	BCW65B	—
EC	BCW65C	—
ED	BCW65C	—
EF	BCW66F	—
EG	BCW66G	—
EH	BCW66H	—
F1	MMBC1009F1	—
F3	MMBC1009F3	—
FA	BFQ17	BFW16A
FD	BCV26	MPSA64
FE	BCV46	MPSA77
FF	BCV27	MPSA14
FG	BCV47	MPSA27
GF	BFR92P	—
H1	BCW69	—
H2	BCW70	BC557B
H3	BCW89	—
H7	BCF70	—
K1	BCW71	BC547A
K2	BCW72	BC547B
K3	BCW81	—
K4	BCW71R	—
K7	BCV71	—
K8	BCV72	—
K9	BCF81	—
L1	BSS65	—
L2	BSS70	—
L3	MMBC1323L3	—
L4	MMBC1623L4	—
L5	MMBC1623L5	—
L6	MMBC1623L6	—
L7	MMBC1623L7	—
M3	MMBA812M3	—
M4	MMBA812M4	—
M5	MMBA812M5	—
M6	BSR58 / MMBA812M6	2N4858
M7	MMBA812M7	—
O2	BST82	—
P1	BFR92	BFR90
P2	BFR92A	BFR90
P5	FMMT2369A	2N2369A
Q3	MMBC1321Q3	—
Q4	MMBC1321Q4	—
Q5	MMBC1321Q5	—
R1	BFR93	BFR91
R2	BFR93A	BFR91
S1A	SMBT3904	—
S1D	SMBTA42	—
S2	MMBA813S2	—
S2A	SMBT3906	—
S2D	SMBTA92	—
S2F	SMBT2907A	—
S3	MMBA813S3	—
S4	MMBA813S4	—
T1	BCX17	BC327
T2	BCX18	—
T7	BSR15	2N2907A
T8	BSR16	2N2907A
U1	BCX19	BC337
U2	BCX20	—
U7	BSR13	2N2222A
U8	BSR14	2N2222A
U9	BSR17	—
U92	BSR17A	2N3904
Z2V	FMMTA64	—
ZD	MMBT4125	2N4125

Если вдруг в таблице не оказалось нужных Вам данных, то у нас на сайте есть программа по SMD элементам, скачать которую можно совершенно на этой странице. Вообще у нас все программы бесплатные, без регистраций, без файлообменников и без СМС!Вы также можете задать любой интересующий вопрос и на нашем ФОРУМЕ!

Японская система JIS

Стандарты маркировки, выработанные в Японии представлены буквами и цифрами в количестве 5 штук:

Цифра под номером 1 – тип полупроводникового транзистора: 0 – обозначение фотодиода или фототранзистора; 1 – обозначение диода; 2 – обозначение транзистора;
Буквенный символ S проставляется на каждом выпущенном элементе;
Третий по счету маркировочный элемент говорит о разновидности детали: А – PNP с высокой частотностью; В – PNP с низкой частотностью; С — NPN с высоким уровнем частотности; D — NPN с низким уровнем частотности; Н – однопереходной; J — транзистор полевого типа с N-каналом; К — транзистор полевого типа с P-каналом;
Цифра под номер 4 – номер серии в диапазоне от 10 до 9999;
Пятый символ маркировки обозначает модификацию. Иногда данный символ отсутствует.

Бывают ситуации, когда в кодировке присутствует 6 символ – это дополнительная литера N, M или S, которая отвечает за соответствие прибора определенным стандартам. Маркировка, разработанная в Японии, не предусматривает использование обозначений цветом.

KTN2907AS Datasheet (PDF)

..1. Size:704K kec ktn2907s ktn2907as.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2907S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_Low Leakage Current A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low Saturation Voltage E 2.40+0.30/-0.201: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15m

6.1. Size:83K kec ktn2907ae.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2907AETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESBLow Leakage CurrentDDIM MILLIMETERS: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.2_+A 1.60 0.10Low Saturation Voltage _+B 0.85 0.1031_C 0.70 0.10+: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.D 0.27+0.10/-0.05_Complementar

6.2. Size:50K kec ktn2907u ktn2907au.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2907U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_+A 2.00 0.20D2: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V._+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.10Low Saturation Voltage 31D 0.3+0.10/-0.05_+: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.

7.1. Size:379K kec ktn2907 a.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2907/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESLow Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to the KTN2222/2222A.D 0.45E 1.00

7.2. Size:577K kec ktn2907s as.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2907S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.

7.3. Size:43K kec ktn2907u au.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2907U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_A+2.00 0.20D2: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V._+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.10Low Saturation Voltage 31D 0.3+0.10/-0.05_E +: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15

Микросхемы, вызывающие интерес у скупщиков

Прием радиодеталей на лом включает в себя:

осмотр изделия;
сравнение радиодеталей по фотографиям каталога известных микросхем, использование специализированных справочников;
взвешивание пригодных элементов;
определение цены;
оформление договорных отношений.

Лом радиодеталей приборов советского периода – самый востребованный. В перечне списанных и подлежащих утилизации устройств могут оказаться:

телевизоры производства СССР, радиолы;
ламповые приемники и магнитофоны;
электрические устройства и вычислительные комплексы;
АТС, измерительные и вычислительные приборы;
радиоэлектроника, где есть узлы;
транзисторы и переключатели;
резисторы и диоды.

Многие люди задаются вопросом, какие микросхемы принимают скупщики радиодеталей. Наиболее распространенными являются такие серии миниатюрных блоков:

Принцип работы

Основной принцип работы транзистора Kn2907a заключается в управлении током между коллектором и эмиттером с помощью тока, подаваемого на базу. Когда на базу подается положительное напряжение, транзистор открывается, и между коллектором и эмиттером протекает ток. Это состояние называется активным режимом работы.

Если на базу не подается напряжение или оно недостаточно для открытия транзистора, он находится в закрытом состоянии и ток между коллектором и эмиттером отсутствует.

Таким образом, транзистор Kn2907a позволяет усиливать и контролировать электрический сигнал, подаваемый на базу, на выходе между коллектором и эмиттером.

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

Цветовая маркировка отечественных радиоэлементов

С распространением линий автоматического монтажа нашла применение цветовая маркировка конденсаторов. Наибольшее распространение получила четырехцветная маркировка при помощи цветных полос.

Первые две полосы означают номинальную емкость в пикофарадах и множитель, третья полоса – допустимое отклонение, четвертая – номинальное напряжение. Например, на корпусе имеется желтая, голубая, зеленая и фиолетовая полосы. Следовательно, элемент имеет такие характеристики: емкость – 22*106 пикофарад (22 μF), допустимое отклонение от номинала – ±5%, номинальное напряжение – 50 В.

Первая цветная полоса (в данном случае, которая имеет желтый цвет) делается более широкой или располагается ближе к одному из выводов. Также следует ориентироваться по цвету крайних полос. Такой цвет, как серебряный, золотой и черный, не может быть первым, поскольку обозначает множитель или ТКЕ.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
К209 – ромб (серая точка).
К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
КТ342 – четверть круга (синяя точка).
КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
К366 – буква Т (цвета нет).
КТ6127 – перевернутая буква П.
КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
КТ638 – без символа (оранжевая точка).
КТ680 – буква Г.
КТ681 – вертикальная палочка.
КТ698 – буква П.

Полевые SMD транзисторы

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:

Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80

Корпус SOD-80, известный также как MELF, представляет из себя маленький стеклянный цилиндр с металлическими выводами. Примеры маркировки диодов.

Маркировка 2Y4 к 75Y (E24 серия) BZV49 1W кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V) Маркировка C2V4 к C75 (E24 серия) BZV55 500mW кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V)

Катодный вывод помечен цветным кольцом.

Маркировка приборов цветными кольцами.

Вывод катода	Прибор
Черный (Black)	BAS32, BAS45, BAV105 LL4148, 50, 51,53, LL4448 BB241,BB249
Черный и кочичневый (Black Brown)	LL4148, LL914
Черный и оранжевый (Black Orange)	LL4150, BB219
Коричневый и зеленый (Brown Green)	LL300
Коричневый и черный (Brown Black)	LL4448
Красный (Red)	BA682
Красный и оранжевый (Red Orange)	BA683
Красный и зеленый (Red Green)	BA423L
Красный и белый (Red White)	LL600
Оранжевый и желтый (Orange Yellow)	LL3595
Желтый (Yellow)	BZV55,BZV80,BZV81 series zeners
Зеленый (Green)	BAV105, BB240
Зеленый и черный (Green Black)	BAV100
Зеленый и кочичневый (Green Brown)	BAV101
Зеленый и красный (Green Red)	BAV102
Зеленыый и оранжевый (Green Orange)	BAV103
Серый (Gray)	BAS81, 82, 83, 85, 86
Белый (White)	BB219
Белый и зеленый (White Green)	BB215

Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора:

2N5087
Datasheet (PDF)

..1. Size:434K motorola 2n5086 2n5087.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123

..2. Size:49K philips 2n5087 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1

..3. Size:100K fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf

2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect

..4. Size:60K central 2n5086 2n5087.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..5. Size:1285K sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf

0.1. Size:300K motorola 2n5087rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT

0.2. Size:155K onsemi 2n5087-d.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

0.3. Size:156K onsemi 2n5087g.pdf

0.4. Size:156K onsemi 2n5087rlrag.pdf

0.5. Size:49K hsmc h2n5087.pdf

Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..

Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.

Цветовая маркировка керамических конденсаторов

Цветовая маркировка часто используется для конденсаторов с малой площадью поверхности. Цветные полосы наносятся сверху вниз или слева направо. Номинальная емкость обычно указывается 3-5 цветными полосками, две первые из них обозначают определенную цифру. Черный – 0, коричневый – 1, красный – 2, оранжевый – 3, желтый – 4, зеленый – 5, голубой – 6, фиолетовый – 7, серый – 8, белый – 9.

Число, которое составляется из цифр, закодированных в двух первых полосках, умножается на множитель, зашифрованный в третьей полоске. Оранжевая полоса означает 103, желтый – 104, зеленый – 105.

В маркировке может присутствовать четвертая полоса, цвет которой соответствует допустимым отклонениям от номинальной емкости. Белый цвет означает, что допустимы отклонения 10 % в обе стороны, а черный – 20 % в обе стороны. Пятая полоска характеризует номинал напряжения. Красный – 250 В, желтый – 400 В.