Характеристики транзистора d13007k: описание, распиновка, аналоги и производители

Практика работы составного транзистора

На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).

Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.

На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:

Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.

Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ

Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе

Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.

Как выбрать

Прежде чем отправиться за покупкой мягкой мебели, определитесь со своими потребностями. Если вы планируете покупку дивана для гостей, остановитесь на бюджетной, но современной модели

Важно, чтобы обивка служила долго и не истиралась

Если же планируется покупка мебели для ежедневного сна, основное внимание нужно уделить прочности каркаса и качеству наполнителя. Они обеспечивают правильное положение человека во время сна, сохраняют здоровье позвоночника и обеспечивают качественный сон

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию

В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию. В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

Важно, чтобы диван поместился на место установки. Затем посмотрите на подходящие модели

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло

Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло. Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

Аккордеон;
Клик-кляк;
Еврокнижку.

На видео: диван аккордеон от андерссен.

Микросхемы

Микросхемы для блоков питания — онлайн справочник

HA16107 HA16108
HM9207
IX1779ce
KA3882
M67209
MA2830
MA2831
STK730-080
STK7348
STR451
STR6307
STR10006
STR11006
STR40115
STR50103
STR50115
STR54041
STR80145
STRD1816
STRD6004
STRD6601
STR-M6549
STR-S5941
TDA4600
TDA4601
TDA4601b
TDA4605
TDA8380
TEA1039
TEA2018
TEA2019
TEA2162
TEA2164
TEA2260
TEA2262
TEA5170
UAA4006
Шим-контроллер UC3842
UC3844, UC3845, UC2844, UC2845
LNK623, LNK624, LNK625, LNK626

Микросхемы для фотовспышек

AT1450
BD4222
TPS65560

Стабилизаторы напряжения

Микросхемы стабилизаторов напряжения AN_ххх серии
Микросхемы стабилизаторов напряжения MC_ххх серии
Микросхемы стабилизаторов напряжения LM_ххх серии

Микросхемы выходного каскада кадровой развертки

Микросхемы LA7837, LA7838
LA7845
Микросхемы LA7875N, LA7876N
STK792-210
STK79315A

Микросхемы для аудио и радиоаппаратуры

ТЕА6310T
Микросхема TDA7386 4х канальный УМЗЧ

Драйверы

BD6735FV BD6736FV
DRV8833
LB1838m
LV8401
LV8011
LV8013T
LV8713T
MPC17511A

Отечественные микросхемы

Описание транзистора D13007k

Транзистор D13007k представляет собой биполярный силовой транзистор общего назначения. Он относится к классу NPN-транзисторов и обладает высоким значением тока коллектора и напряжения на переключение.

Особенности данного транзистора включают:

Мощность тока коллектора: 8 А;
Напряжение коллектора-эмиттер: 700 В;
Максимальная мощность: 125 Вт;
Скорость переключения: высокая;
Температурный диапазон: от -65 °C до +150 °C;
Устойчивость к аппаратным повреждениям и электростатическим разрядам;
Корпус: TO-220.

Транзистор D13007k широко используется в различных электронных схемах, включая усилители, импульсные источники питания, светодиодные драйверы и другие устройства, требующие усиления и переключения высоких токов и напряжений.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Описание и применение

Максимальное коллекторное напряжение: 400 В
Максимальный коллекторный ток: 8 А
Максимальная мощность: 90 Вт
Максимальная рабочая частота: 4 МГц
Низкое сопротивление переключения
Корпус: TO-220

Транзистор Eb13007d используется во многих схемах усиления и коммутации, где требуется большая мощность и низкое сопротивление переключения. Он применяется в источниках питания, стабилизаторах напряжения, индустриальных устройствах, светотехнике, моторных контроллерах и других устройствах.

С помощью транзистора Eb13007d можно усилить слабые сигналы, переключать высокие токи, управлять мощными нагрузками. Он обеспечивает стабильную и надежную работу в различных условиях эксплуатации.

Транзисторы 13007 13009: описание и применение

Транзисторы 13007 и 13009 имеют максимальную рабочую напряжение коллектор-эмиттер до 700 Вольт и способны выдерживать ток коллектора до 8 Ампер. Они обладают высоким коэффициентом усиления, что делает их идеальными для применения в усилителях мощности.

Данные транзисторы обладают похожей схемотехникой и общими параметрами. Однако, транзистор 13009 отличается большим значением максимальной рабочей мощности, что позволяет его использовать в более мощных устройствах.

Характеристики	Транзистор 13007	Транзистор 13009
Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер	700 Вольт	700 Вольт
Максимальный ток коллектора	8 Ампер	8 Ампер
Максимальная рабочая мощность	100 Ватт	150 Ватт
Тип транзистора	PNP	PNP

Транзисторы 13007 и 13009 широко используются в различных электронных устройствах, таких как аудиоусилители, стабилизаторы напряжения, источники питания, электронные балласты и другие устройства, где требуется мощное усиление сигнала.

Благодаря своим характеристикам и высокой надежности, транзисторы 13007 и 13009 являются популярными компонентами во многих электронных проектах. Они обеспечивают стабильную и эффективную работу устройств, где требуется высокая мощность и усиление сигнала.

Советы по эксплуатации:

1. Правильное подключение: перед началом использования транзистора Eb13007d необходимо тщательно изучить схемы подключения и спецификации

Обратите внимание на правильное соединение всех выводов и контактов

2. Теплоотвод: для эффективной работы транзистора необходимо обеспечить хорошее теплоотведение. Убедитесь, что радиатор надежно прикреплен к транзистору и имеет достаточно площади для отвода тепла. Также следите за тем, чтобы вентиляция вокруг радиатора не была заблокирована.

3. Ток и напряжение: при использовании транзистора Eb13007d не превышайте допустимые значения тока и напряжения. Перед началом использования оцените потребности вашей схемы и убедитесь, что транзистор будет работать в пределах допустимых значений.

4. Защита от перенапряжения и короткого замыкания: необходимо предусмотреть механизмы защиты от перенапряжений и коротких замыканий в вашей схеме. Использование предохранителей и специальных схем защиты поможет защитить транзистор от повреждений.

5. Условия эксплуатации: предпочтительно использовать транзистор в условиях, близких к номинальным значениям, указанным в спецификациях. Избегайте сильных перепадов температуры и влажности, а также воздействия агрессивных химических веществ.

6. Предупреждение о перегреве: транзистор Eb13007d может нагреваться в процессе работы. Если вы замечаете, что температура значительно повышается, прекратите использование и проверьте правильность подключения и теплоотвода.

7. Контроль воздушного потока: обеспечьте достаточное освежение воздуха вокруг транзистора, особенно при использовании в узком корпусе или в условиях ограниченного пространства.

8. Техническое обслуживание: регулярно проверяйте работоспособность транзистора и состояние его выводов и элементов подключения. В случае неисправности замените транзистор на новый.

Совет	Описание
1	Правильное подключение
2	Теплоотвод
3	Ток и напряжение
4	Защита от перенапряжения и короткого замыкания
5	Условия эксплуатации
6	Предупреждение о перегреве
7	Контроль воздушного потока
8	Техническое обслуживание

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

Part Number : E13007-2

Function : NPN Silicon Transistor

Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W

High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control

1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY

STD13007P Datasheet (PDF)

..1. Size:264K auk std13007p.pdf

STD13007PNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007P STD13007 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Rat

6.1. Size:293K auk std13007.pdf

STD13007NPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007 STD13007 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratin

6.2. Size:265K auk std13007f.pdf

STD13007FNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007F STD13007 TO-220F-3LAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol R

6.3. Size:265K auk std13007fc.pdf

STD13007FCNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching High Collector Voltage : VCBO = 700V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E STD13007FC STD13007 TO-220F-3SLEAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Sym

Технические характеристики

1. Тип корпуса: TO-220.

2. Номинальное напряжение коллектора-эмиттер: 700 В.

3. Максимальный коллекторный ток: 8 А.

4. Мощность потери на переходе при 25°C: 75 Вт.

5. Номинальная частота переключения: 3 МГц.

6. Коэффициент усиления по току: 25 — 80.

7. Время выключения: 0,5 мкс.

8. Температурный диапазон: от -65°C до +150°C.

Транзистор Eb13007d применяется во многих электронных устройствах, требующих высоких мощностей и частот. Он обладает высоким коэффициентом усиления, надежной конструкцией и широким диапазоном рабочих температур, что делает его идеальным решением для различных проектов.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Особенности работы D13007k

Транзистор D13007k, принадлежащий к серии NPN-транзисторов, отличается рядом особенностей, которые делают его удобным для использования в различных электронных устройствах:

Надежность и долговечность: D13007k обладает высокой надежностью и долговечностью, что позволяет использовать его в различных условиях работы.
Высокая мощность: транзистор имеет высокую мощность, что позволяет успешно управлять электрическими нагрузками большой мощности.
Широкий диапазон работы: D13007k работает в широком диапазоне напряжений и токов, что позволяет его использовать в различных схемах и приложениях.
Быстрый переключатель: транзистор характеризуется высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в схемах с высокой частотой работы.
Простая цоколевка: D13007k имеет стандартную цоколевку, что упрощает его подключение в схемы и позволяет использовать его вместо других аналогичных транзисторов.

В результате своих особенностей, транзистор D13007k является популярным и широко используемым компонентом в электронике. Он применяется во многих устройствах, включая усилители, блоки питания, источники света и другие. Благодаря своим характеристикам, D13007k позволяет достичь высокой производительности и надежности во многих электронных системах.

Альтернативные транзисторы для замены 13007

Однако, если вам не удается найти транзистор 13007, или вы просто хотите рассмотреть альтернативные варианты, ниже представлены несколько вариантов транзисторов, которые могут быть использованы вместо 13007:

2N3055 — это NPN транзистор, который обладает высокими характеристиками мощности. Он может использоваться в различных приложениях, включая усилители мощности и источники питания.
BD679 — NPN транзистор, который может использоваться для управления высокими токами. Он также может быть использован в различных приложениях, требующих высокой мощности.
TIP31 — NPN транзистор, который также обладает высокой мощностью. Он может использоваться в приложениях, требующих управления высокими токами, например, при управлении моторами или светодиодами.
2SC5200 — это PNP транзистор, который может использоваться в качестве альтернативы для 13007. Он обладает высокой мощностью и может быть использован в приложениях, требующих высоких токов.
2SA1943 — это PNP транзистор, который также может быть использован вместо 13007. Он обладает высоким значением максимального тока коллектора и может быть использован в усилителях мощности и других приложениях.

Перед заменой транзистора 13007 на альтернативный вариант, рекомендуется проверить совместимость параметров транзисторов и убедиться в правильности подключения.

Способы подключения D13007k

Для подключения транзистора D13007k можно использовать два основных способа: база-эмиттер-коллектор (БЭК) и база-коллектор-эмиттер (БКЭ).

1. Способ подключения БЭК (база-эмиттер-коллектор):

Подключите катод эмиттера к общей земле(-).
Подключите коллектор к положительному напряжению (+).
Сигнальный источник подключите к базе транзистора.

2. Способ подключения БКЭ (база-коллектор-эмиттер):

Подключите анод эмиттера к положительному напряжению (+).
Подключите коллектор к сигнальному источнику.
Землю(-) подключите к базе транзистора.

Оба способа обеспечивают работу транзистора D13007k в разных режимах, в зависимости от требуемых характеристик и требований схемы.

BD241-S Транзисторы — биполярные — одиночные, TRANS NPN 45V 3A, Bourns Inc.

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BD241-S. Транзисторы — биполярные — одиночные производства Bourns Inc. доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — биполярные — одиночные BD241-S купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Технические характеристики

Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.

Максимальные значения параметров для транзистора 13002:

напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.

Электрические параметры

Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.

Аналоги

Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.

Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы

Практика работы составного транзистора

Как выбрать

Микросхемы

Описание транзистора D13007k

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

Электрические характеристики

Описание и применение

Транзисторы 13007 13009: описание и применение

Советы по эксплуатации:

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

STD13007P Datasheet (PDF)

Технические характеристики

Характеристики биполярного транзистора.

Особенности работы D13007k

Альтернативные транзисторы для замены 13007

Способы подключения D13007k

BD241-S Транзисторы — биполярные — одиночные, TRANS NPN 45V 3A, Bourns Inc.

Гарантия на продукцию

Похожие товары

Технические характеристики

Электрические параметры

Аналоги

Заключение

Похожие записи:

Похожие записи: