2sc3356 pdf ( даташит ) - silicon epitaxial planar transistor

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

t_on – время включения;
t_stg – время сохранения импульса тока;
t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

U_CC – напряжение питания.
R_L – сопротивление нагрузки.
I_C – ток коллектора.
I_B₁ и I_B₂ – токи базы в разные периоды времени.
U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

сетевые адаптеры мобильных устройств;
электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
электронные трансформаторы;
другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки. Смотрите это видео на YouTube

Смотрите это видео на YouTube

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Как работает транзистор и где используется?

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317

Транзистор КТ375 — DataSheet

Перейти к содержимому

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Параметры транзистора КТ375
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ375А		BCW88A, 2N3903, 2N560 1, 2N2520 1, BCY65EDP 1, BCY65EPDL 1, BCY65EPDM *1
КТ375Б		BSX80, 2N3904, PET8006 1, PET8005 1, 2SC460A, MPS9624 2, CX917 2, KTC9016 2, PE108 2, MPS8001 2, BF254, BSX66 3, 2N5223 2, BFY37 3
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P_{K, τ max},P*_{K, и max}	КТ375А	—	200(400**)	мВт
КТ375Б	—	200(400**)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f_h31б,f_h31э, f**_max	КТ375А	—	≥250	МГц
КТ375Б	—	≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб. ,}U_{КЭR проб.,}U*_{КЭО проб.}	КТ375А	—	60	В
КТ375Б	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ375А	—	5	В
КТ375Б	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I*_{К , и max}	КТ375А	—	100(200*)	мА
КТ375Б	—	100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I_КЭR, I*_КЭO	КТ375А	60 В	≤1	мкА
КТ375Б	30 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h*_21Э	КТ375А	2 В; 20 мА	10…100*
КТ375Б	2 В; 20 мА	50…280*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с*_12э	КТ375А	10 В	≤5	пФ
КТ375Б	10 В	≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}*_{у. р.}	КТ375А	—	≤40	Ом, дБ
КТ375Б	—	≤40
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r_b, P*_вых	КТ375А	—	—	Дб, Ом, Вт
КТ375Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t_выкл, t**_пк(нс)	КТ375А	—	≤300	пс
КТ375Б	—	≤300