Зарождение нового мира
В то время как Бардин бросил Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил изучение германиевых транзисторов и сверхпроводников в Иллинойском университете), Браттэйн поработал еще некоторое время, а после ушел в педагогику. Шокли основал свою собственную компанию по производству транзисторов и создал уникальное место — Силиконовую долину. Это процветающий район в Калифорнии вокруг Пало-Альто, где находятся крупные корпорации электроники. Двое из его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, основали компанию Intel — крупнейшего в мире производителя микросхем.
Бардин, Браттэйн и Шокли ненадолго воссоединились в 1956 году: за свое открытие они получили высшую в мире научную награду — Нобелевскую премию по физике.
Применение транзистора C4793
Благодаря своим характеристикам и особенностям, транзистор C4793 может использоваться в различных областях электронной индустрии, включая аудио- и видеоаппаратуру, электронные игры, телекоммуникационное оборудование, системы безопасности и автомобильную электронику.
Транзистор C4793 обладает высокой устойчивостью к высоким напряжениям и температурам, что позволяет использовать его в условиях суровой эксплуатации. Он имеет низкое сопротивление переключения и низкий уровень шума, что позволяет ему обеспечивать качественное усиление сигналов и минимизировать искажения.
Транзистор C4793 отличается высокой степенью надежности и долговечности, что делает его идеальным выбором для применения в различных проектах, где требуется стабильное и надежное усиление или коммутация сигналов. Благодаря своим особенностям и современным технологиям производства, транзистор C4793 может быть использован в широком спектре электронных устройств, где требуется высокое качество и производительность.
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
Описание транзистора C4793
Транзистор C4793 имеет следующие особенности:
- Максимальное значение коллекторного тока составляет 4 А, что позволяет использовать его в приложениях с высоким током.
- Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения составляет 160 В, что придает ему способность работать с высокими напряжениями.
- Минимальное значение коэффициента усиления тока составляет 40, обеспечивая высокую эффективность работы.
- Температурный диапазон эксплуатации составляет от -55°C до +150°C, что позволяет использовать его в различных климатических условиях.
- Применение в многих электронных устройствах, включая усилители мощности, блоки питания и другие схемы с высокими требованиями к току и мощности.
Транзистор C4793 является надежным и эффективным компонентом для работы с высоким током и мощностью. Он нашел широкое применение в различных электронных устройствах и является одним из популярных выборов для инженеров и электронщиков.
Преимущества использования транзистора C4793
Высокая мощность передачи: Транзистор C4793 обладает высокой мощностью передачи, что позволяет использовать его в схемах с высокими энергозатратами. Он способен обеспечить высокую выходную мощность и усилить сигнал до требуемого уровня.
Широкий диапазон рабочих напряжений: Транзистор C4793 работает при различных напряжениях, что делает его универсальным для использования в различных схемах и приложениях. Он может работать как при низком, так и при высоком напряжении, что обеспечивает гибкость при проектировании электронных устройств.
Низкий уровень шума: Другим преимуществом транзистора C4793 является его низкий уровень шума. Это позволяет менее искажать искомый сигнал и повышает его чистоту и качество
Это особенно важно для приложений, где требуется высокая точность и качество сигнала.
Высокая стабильность работы: Транзистор C4793 обладает высокой стабильностью работы, что гарантирует его надежную работу в течение длительного времени без сбоев и перегревов. Это делает его идеальным для использования в промышленных схемах и устройствах, где требуется оптимальная надежность и долговечность.
Низкое потребление энергии: Транзистор C4793 отличается низким потреблением энергии, что позволяет экономить электроэнергию и повысить энергоэффективность электронных устройств
Это особенно важно для портативных устройств, таких как мобильные телефоны и ноутбуки.
В целом, преимущества использования транзистора C4793 делают его незаменимым компонентом в электронных схемах, а его высокая мощность передачи, стабильность работы и низкое потребление энергии обеспечивают надежность и эффективность работы устройств.
Обзор рынка транзисторов C4793
На рынке существует множество различных производителей и поставщиков транзисторов C4793. Каждый из них предлагает свои особенности и параметры использования данного устройства.
Основные характеристики транзисторов C4793 включают в себя следующие:
- Максимальная рабочая частота – от нескольких мегагерц до десятков мегагерц;
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер – от нескольких десятков вольт до нескольких сотен вольт;
- Максимальная коллекторная токовая нагрузка – от нескольких миллиампер до нескольких ампер;
- Температурный диапазон работы транзистора – от -40°C до +150°C;
- Тип монтажа – SMD (поверхностный монтаж) или DIP (прямое монтажное отверстие);
Таким образом, при выборе транзисторов C4793 необходимо учитывать требуемые характеристики и спецификации, которые могут отличаться в зависимости от производителя и модели.
На рынке также представлены различные аналоги для транзисторов C4793, которые могут иметь схожие характеристики и использоваться для аналогичных целей.
Обзор рынка транзисторов C4793 дает возможность выбрать наиболее подходящий вариант для конкретных потребностей и задач, а также сравнить предложения различных производителей и поставщиков.
In Stock: 1
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Технические характеристики
Транзистор C4793 относится к классу мощных биполярных транзисторов и используется в различных электронных устройствах для усиления и коммутации сигналов. Он имеет высокую надежность и отличается хорошими электрическими характеристиками.
Основные технические характеристики транзистора C4793:
- Тип корпуса: TO-220
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 150 В
- Максимальный коллекторный ток: 15 А
- Максимальная мощность: 200 Вт
- Коэффициент усиления тока hFE: от 40 до 200
- Частота переключения: 20 МГц
- Температурный диапазон: от -65 °C до +150 °C
Транзистор C4793 может быть использован во многих схемах и приложениях, включая усилители звука, источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы и другие электронные устройства, где требуется усиление сигналов и коммутация электрических схем.
Основные параметры транзистора 2SC3198 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3198 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 400mW | 60V | 50V | 5V | 150mA | 125°C | 130MHz | 2 | 70MIN |
Производитель: KECСфера применения: VHF, Medium Power, General PurposeПопулярность: 33823Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Characteristics curves of 2SC4793 transistor
collector current vs collector to emitter voltage characteristics of the 2SC4793
The figure shows the collector current vs collector to emitter voltage characteristics of the 2SC4793 transistor.
At different base current values, the collector current increases and become constant initially, then at the peak collector current increases towards a higher value.
DC current gain characteristics curves of the 2SC4793
The figure shows the DC current gain characteristics curves of the 2SC4793 transistor and the graph plots with dc current gain vs collector current.
At constant collector to emitter voltage, three gain values are been plotted at different temperature values.
safe operating area characteristics of the 2SC4793
The figure shows the safe operating area characteristics of the 2SC4793 transistor, the graph plots with collector vs collector to emitter voltage and switching speed and temperature values.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.
Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.
Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.
Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.
Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.
Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.
FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.
REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.
Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.
Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.
При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.
Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.
Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.
Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.
Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.
Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.
Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.
Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.
Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.
Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.
Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.
В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.
Устройство и принцип работы
Принцип работы транзистора C4793 основан на использовании эффекта переноса заряда через границы двух различных типов полупроводников. При подаче электрического сигнала на базу транзистора, происходит изменение количества электронов и дырок в базе. Это приводит к изменению тока, протекающего через эмиттер-коллекторную цепь транзистора.
В зависимости от вида транзистора (npn или pnp), изменение тока может происходить по-разному. В транзисторе C4793 используется тип npn, где при подаче положительного напряжения на базу, электроны из эмиттера начинают переноситься в базу и далее в коллектор, образуя усиленный ток коллектора.
Транзисторы также могут работать в режиме коммутации, когда они переключаются между двумя состояниями: открытым и закрытым. В режиме коммутации транзистор C4793 может использоваться для управления потоком тока в цепях и схемах.
Важно отметить, что транзистор C4793 является активным компонентом и должен быть правильно подключен и использован в соответствии с его техническими характеристиками и рекомендациями производителя
Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание
Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF
12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
Описание транзистора C4793
Транзистор C4793 относится к группе эпитаксиальных планарных PNP-транзисторов средней и высокой мощности. Он имеет малые габариты и прекрасно подходит для использования в схемах промышленных, бытовых и автомобильных приборов.
Основные характеристики транзистора C4793:
- Ток коллектора — 2А.
- Напряжение коллектор-эмиттер — 150В.
- Мощность потери в виде тепла — 1.5Вт.
- Частота переключения — 50МГц.
- Тепловое сопротивление от кристалла к заданной точке — 125°С/Вт.
- Корпус — TO-220.
Транзистор C4793 обладает высоким собирательным коэффициентом тока и низким выходным сопротивлением, что позволяет использовать его в схемах с высокими требованиями к усилению и переключению сигналов.
Он легко монтируется на печатные платы, а его малые габариты позволяют эффективно использовать пространство внутри устройств.
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ
Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.
На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…
Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.
C4793 транзистор: описание и особенности
Основные характеристики транзистора C4793 включают:
- Тип корпуса: TO-220;
- Мощность коллектора: 80 Вт;
- Ток коллектора: 3 А;
- Напряжение коллектор-эмиттер: 200 В;
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C;
- Коэффициент усиления тока: 40-400;
- Частота переключения: 10 МГц.
Транзистор C4793 отличается высокой надежностью и стабильностью работы в широком температурном диапазоне. Он обладает хорошими характеристиками усиления и мощности, что делает его привлекательным для использования в различных приложениях.
При использовании транзистора C4793 необходимо учитывать его электрические параметры и предельные значения, чтобы обеспечить надежное и стабильное функционирование устройства.
ТУТ ВИДЕО
Совсем не дурно, почти hi-end! На самом деле если ориентироваться только по КНИ, то этот усилитель полноценный HI-END, но для хай-энда этого не достаточно, поэтому его отнесли к старому и доброму разряду hi-fi.
Несмотря на то, что усилитель развивает всего 100 ватт, он на порядок сложнее аналогичных схем, но сама сборка не составит труда при наличии всех компонентов. Отклонять номиналы схемы не советую – мой опыт это подтверждает.
Маломощные транзисторы в ходе работы могут перегреваться, но волноваться не стоит – это их нормальный режим работы. Выходной каскад, как уже сказал, работает в классе АВ, следовательно, выделятся огромное количество тепла, которое нужно отводить. В моем случае они укреплены на общий теплоотвод, которого более, чем достаточно, но на всякий случай, имеется также и активное охлаждение.
После сборки нас ждет первый запуск схемы. Для этого советую еще раз прочитать запуск и настройку Ланзара – тут все делается точно таким же образом. Первый запуск делаем с закороченной на землю входом, если все ОК, то размыкаем вход и подаем звуковой сигнал. К тому времени все силовые компоненты должны быть укреплены на теплоотвод, а то восхищаясь музыкой можете не заметить, как дымят ключи выходного каскада – каждый из них стоит очень и очень. А про блок защиты в узнаете в следующем материале. С уважением – АКА КАСЬЯН.
Как выбрать замену C2078 транзистора
При выборе замены для транзистора C2078 важно учитывать несколько факторов, включая параметры работы транзистора, его электрические характеристики и коммерческую доступность альтернативных моделей
Во-первых, необходимо обратить внимание на параметры работы C2078, такие как максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce), максимальный ток коллектора (Ic), коэффициент усиления по току (hFE) и максимальная мощность (P). Эти параметры определяют возможности и ограничения транзистора и должны быть сопоставимы с аналогичными параметрами выбранного заменителя
При выборе замены рекомендуется обратиться к документации производителя транзистора C2078 и ознакомиться с рекомендуемыми альтернативами. Производители обычно предоставляют списки моделей, которые могут использоваться вместо C2078 с сопоставимыми электрическими параметрами.
Также можно воспользоваться специализированными электронными каталогами, которые предоставляют информацию о доступных аналогах для различных электронных компонентов. В этих каталогах можно найти аналоги C2078, которые имеют схожие параметры и доступны для приобретения.
Также следует обратить внимание на коммерческую доступность выбранной альтернативы. Часто некоторые модели транзисторов могут быть сняты с производства или иметь ограниченное количество на складах поставщиков
Поэтому рекомендуется проверить наличие выбранного заменителя у различных поставщиков электронных компонентов.
Выбор замены C2078 транзистора должен основываться на сопоставлении электрических параметров, доступности и соответствии требованиям конкретного проекта или приложения. Следуя этим рекомендациям, можно выбрать оптимальную альтернативу для замены C2078.
Собираем усилитель JLH1969
Какие параметры мы выбрали для нагрузки 4 Ом:
- Питание усилителя классическое с использованием трансформатора, без стабилизации, питание раздельное на каждую плату, 19 Вольт с отдельных обмоток трансформатора;
- Ток покоя: 1.3А;
- Входной конденсатор: 1 мФ;
- Выходной конденсатор: 6900 мФ.
Почему не использовался импульсный блок питания? Мы решили проверить, каких параметров можно добиться при использовании классического питания. В дальнейшем мы соберем еще одну версию с импульсным блоком.
Трансформатор:
- Тип трансформатора: тороидальный
- Напряжение питания: 220В;
- 2 Выхода по 15В (6А);
- 2 Выхода по 9В (1А).
Чтобы знать, какое примерно напряжение будет на выходе после выпрямителя, умножьте его на 1.4(например 15*1.4=21).
В выпрямителе на каждый канал мы использовали по два конденсатора с напряжением 25В и ёмкостью 33000 мкФ. Для улучшения фильтрации мы также использовали CRC фильтр, поставив между конденсаторами резистор на 0.5 Ом.
Перед входом на плату выпрямителя рекомендуем поставить предохранители. Также можно зашунтировать конденсаторы ёмкостью 0.047 кмФ, поставив их параллельно выводам конденсаторов на 33000 мкФ.
Часто, при борьбе с фоном, начинающие радиолюбители забывают, что наводки можно уменьшить, изменив положение трансформатора.
Для уменьшения помех от трансформатора мы выставим такое положение, вращая его, при котором будет наименьшее количеством помех. А также накроем его металлической крышкой толщиной 1мм.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Технические характеристики транзистора C4793
В таблице ниже приведены основные технические характеристики транзистора C4793:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | npn |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 150 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 2 А |
| Максимальная мощность потери (PD) | 20 Вт |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | общий — 40-400, минимальный — 40 |
| Максимальная рабочая частота (fT) | 30 МГц |
| Температурный коэффициент напряжения усиления (dv/dt) | 50 В/мкс |
| Температурный диапазон | -55 °C до +150 °C |
| Корпус | TO-126 |
Транзистор C4793 обладает высоким коэффициентом усиления тока, что позволяет использовать его в схемах усилителей с различными уровнями усиления. Благодаря его средней мощности и высокой рабочей частоте, он может применяться в схемах, требующих высокой скорости переключения и усиления.
Важно учитывать тепловые характеристики транзистора C4793, так как его максимальная мощность потери составляет 20 Вт. Поэтому необходимо обеспечить должное охлаждение при использовании транзистора в схеме
