Содержание
Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:
- Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
- Биполярные – имеют два p-n перехода;
- Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.
Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:
- Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
- Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.
В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.
BD241-S Транзисторы — биполярные — одиночные, TRANS NPN 45V 3A, Bourns Inc.
Назад
Гарантия на продукцию
Даем год гарантии на BD241-S. Транзисторы — биполярные — одиночные производства Bourns Inc. доступны для заказа в нашей компании.
Транзисторы — биполярные — одиночные BD241-S купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.
Похожие товары
TIP102
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
400 шт.
2259 шт.
от 49 ₽
Подробнее
TIP117 PBFREE
Central Semiconductor Corp
TRANS NPN 100V TO220
400 шт.
366 шт.
от 102 ₽
Подробнее
TIP29C
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
400 шт.
937 шт.
от 33 ₽
Подробнее
TIP3055
Central Semiconductor Corp
TRANS GENERAL PURPOSE TO-218
100 шт.
2868 шт.
от 90 ₽
Подробнее
TIP31C
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR
400 шт.
3448 шт.
от 46 ₽
Подробнее
TIP35C
Central Semiconductor Corp
TRANS GENERAL PURPOSE TO-218
100 шт.
1638 шт.
от 128 ₽
Подробнее
TIP42A
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
400 шт.
937 шт.
от 48 ₽
Подробнее
2N3906-G
Comchip Technology
TRANS PNP 40V 0.2A TO92
10,000 шт.
21278 шт.
от 6.5 ₽
Подробнее
BC856B-HF
TRANS PNP 65V 100A SOT23
1 шт.
2882 шт.
от 6 ₽
Подробнее
BC857A-HF
Comchip Technology
TRANS PNP 45V 100MA SOT23
3,000 шт.
5689 шт.
от 7.3 ₽
Подробнее
BC857AW-G
Comchip Technology
TRANS PNP 45V 100MA SOT323
3,000 шт.
4757 шт.
от 6.1 ₽
Подробнее
BC857BW-G
Comchip Technology
TRANS PNP 45V 100MA SOT323
1 шт.
2559 шт.
от 5.4 ₽
Подробнее
Смотреть все
Предложите свои условия на «BD241-S»
Цена, ₽
Количество
Срок поставки (рабочих дней)
Ваша почта (сюда мы ответим)
Нажимая на кнопку «Сделать предложение», Вы
принимаете
условия пользовательского соглашения.
2SC4161 Datasheet (PDF)
..1. Size:98K sanyo 2sc4161.pdf
..2. Size:138K jmnic 2sc4161.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4161 DESCRIPTION With TO-220F package High breakdown voltage. High reliability. Fast switching speed APPLICATIONS Switching Regulator Applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL
..3. Size:189K inchange semiconductor 2sc4161.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4161DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.
8.1. Size:99K sanyo 2sc4164.pdf
8.2. Size:98K sanyo 2sc4163.pdf
8.3. Size:98K sanyo 2sc4162.pdf
8.4. Size:149K sanyo 2sa1607 2sc4168.pdf
Ordering number:EN2479APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1607/2SC4168High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Fast switching speed.unit:mm High gain-bandwidth product.2018A Low saturation voltage.[2SA1607/2SC4168]C : CollectorB : BaseE : Emitter( ) : 2SA1607SANYO : CPSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C
8.5. Size:79K sanyo 2sc4169.pdf
8.6. Size:45K sanyo 2sc4160.pdf
Ordering number:ENN2481CNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC4160400V/4A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage.unit:mm High reliability.2041A Fast switching speed (tf=0.1 s typ). Wide ASO.4.510.02.8 Adoption of MBIT process.3.2 Micaless package facilitating mounting.2.41.6
8.7. Size:136K jmnic 2sc4160.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4160 DESCRIPTION With TO-220F package High breakdown voltage. High reliability. Fast switching speed Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS 400V/4A Switching Regulator Applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Ab
8.8. Size:1072K kexin 2sc4168.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors 2SC4168SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features Fast switching speed. High gain-bandwidth product.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 Low saturation voltage.+0.11.9 -0.1 Complementary to 2SA1607.1.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
8.9. Size:189K inchange semiconductor 2sc4164.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4164DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.
8.10. Size:190K inchange semiconductor 2sc4163.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4163DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.
8.11. Size:189K inchange semiconductor 2sc4162.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4162DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.
8.12. Size:190K inchange semiconductor 2sc4160.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4160DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeApplications.
Советы по выбору и использованию
При выборе C4161 транзистора важно учитывать его характеристики и особенности, чтобы функционирование схемы было наилучшим. Вот несколько полезных советов, которые помогут вам принять правильное решение:. 1
Ознакомьтесь с документацией: перед покупкой C4161 рекомендуется внимательно изучить его техническое описание, чтобы быть уверенным в его соответствии вашим требованиям
1. Ознакомьтесь с документацией: перед покупкой C4161 рекомендуется внимательно изучить его техническое описание, чтобы быть уверенным в его соответствии вашим требованиям.
2
Проверьте надежность поставщика: выбирая C4161 транзистор, важно обратить внимание на репутацию поставщика. Ответственные и надежные продавцы гарантируют качество и поддержку
3. Учитывайте рабочие условия: перед использованием C4161 необходимо учесть рабочие условия схемы, в которой он будет применяться. Например, температура окружающей среды может влиять на работу транзистора, поэтому выбранная модель должна соответствовать заданным параметрам.
4. Проверьте электрические характеристики: перед применением C4161 необходимо проверить, как он взаимодействует с другими компонентами вашей схемы
Важно учесть напряжение, токи, мощность и другие параметры для обеспечения правильной работы
5
Обратите внимание на замену: если C4161 недоступен или не подходит для ваших требований, обратите внимание на возможные замены. Существует много других транзисторов, которые могут выполнять аналогичные функции, и выбор правильной замены поможет продолжить работу схемы без проблем
Следуя этим советам, вы сможете правильно выбрать и использовать C4161 транзистор, обеспечивая стабильную работу вашей схемы.
Справка на русском языке
Основные характеристики транзистора C4161 включают:
- Максимальную токовую передачу: 0.8А
- Максимальное коллекторное напряжение: 60В
- Максимальную мощность рассеяния: 0.7Вт
- Максимальную рабочую температуру: +150°C
- Транзистор имеет корпус TO-92, который обеспечивает надежность и удобство при монтаже.
Применение транзистора C4161 возможно в различных схемах усиления низкочастотных сигналов, а также в источниках питания, системах коммутации и других электронных устройствах.
Важно отметить, что существуют различные производители, которые выпускают транзисторы C4161
При выборе транзистора необходимо обратить внимание на информацию в даташите производителя, чтобы убедиться в его соответствии требуемым параметрам и характеристикам
Fehler 404
Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote
Sprache
Верунг
Preise
нетто
брутто
брутто
Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:
Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе
или zurück zu:
Дом
Abonnieren Sie jetzt
В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
* Pflichtfeld
AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten
больше
Венигер
Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME
AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten
Daten werden verarbeitet
Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.
Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.
Логин
Пароль
Логин и пароль заранее.
Симисторный ключ
Для гальванической развязки цепей управления и питания лучше
использовать оптопару или специальный симисторный драйвер. Например,
MOC3023M или MOC3052.
Эти оптопары состоят из инфракрасного светодиода и фотосимистора. Этот
фотосимистор можно использовать для управления мощным симисторным
ключом.
В MOC3052 падение напряжения на светодиоде равно 3 В, а ток — 60 мА,
поэтому при подключении к микроконтроллеру, возможно, придётся
использовать дополнительный транзисторный ключ.
Встроенный симистор же рассчитан на напряжение до 600 В и ток до
1 А. Этого достаточно для управления мощными бытовыми приборами через
второй силовой симистор.
Рассмотрим схему управления резистивной нагрузкой (например, лампой
накаливания).
Таким образом, эта оптопара выступает в роли драйвера
симистора.
Существуют и драйверы с детектором нуля — например, MOC3061. Они
переключаются только в начале периода, что снижает помехи в
электросети.
Резисторы R1 и R2 рассчитываются как обычно. Сопротивление же
резистора R3 определяется исходя из пикового напряжения в сети питания
и отпирающего тока силового симистора. Если взять слишком большое —
симистор не откроется, слишком маленькое — ток будет течь
напрасно. Резистор может потребоваться мощный.
Нелишним будет напомнить, что 230 В в электросети (текущий стандарт для
России, Украины и многих других стран) — это значение
действующего напряжения. Пиковое напряжение равно \(\sqrt2 \cdot 230 \approx
325\,\textrm{В}\).
Основные характеристики С4161 транзистора
Ниже приведены основные характеристики С4161 транзистора:
1. Максимальное коллекторное напряжение (VCEO): 300 В.
2. Максимальный коллекторный ток (IC): 1 А.
3. Максимальная мощность потери (PC): 1 Вт.
4. HFE (коэффициент усиления тока транзистора): 60-360.
5. Максимальная рабочая частота (fT): 30 МГц.
6. Встроенная защита от перенапряжения.
7. Удобный пакет транзистора для монтажа на печатную плату.
Рассмотрим некоторые из этих характеристик более подробно:
Максимальное коллекторное напряжение (VCEO) определяет максимальное значение напряжения, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером без пробоя.
Максимальный коллекторный ток (IC) указывает на максимальное значение постоянного тока, который может протекать через коллектор транзистора.
Максимальная мощность потери (PC) представляет собой максимальное значение энергии, которую транзистор может потерять в виде тепла без риска повреждения.
Коэффициент усиления тока транзистора HFE показывает, во сколько раз постоянный ток на коллекторе усиливается транзистором. Варианты HFE указывают на вариацию этого коэффициента в различных условиях работы.
Максимальная рабочая частота (fT) — это частота, при которой коэффициент усиления транзистора снижается до 1. Эта характеристика важна при проектировании высокочастотных схем.
Такие особенности, как встроенная защита от перенапряжения и удобный пакет для монтажа на печатную плату, добавляют удобство использования и обеспечивают надежность в работе С4161 транзистора.
Главные особенности
Основные характеристики транзистора C4161:
- Тип: NPN
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 200 В
- Максимальный ток коллектора: 15 А
- Максимальная мощность потери: 60 Вт
- Минимальное усиление тока коллектора: 20
- Частота переключения: 3 МГц
Транзистор C4161 обладает низкими значениями внутренних емкостей, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях, таких как радиотехника и телекоммуникации.
Кроме того, данный транзистор отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для промышленных и автомобильных электронных устройств.
Благодаря своим характеристикам и надежности, транзистор C4161 является одним из самых популярных компонентов в электронной индустрии и активно применяется в различных схемах и устройствах.
Преимущества и недостатки
C4161 транзистор обладает рядом преимуществ и недостатков, которые следует учитывать при его использовании. Ниже представлены основные характеристики и особенности данного транзистора.
Преимущества:
- Высокая мощность и эффективность. Транзистор C4161 способен обеспечивать стабильную работу и передавать большие энергетические потоки.
- Низкое внутреннее сопротивление. Это позволяет минимизировать потери мощности во время работы транзистора.
- Широкий диапазон рабочих температур. C4161 транзистор может использоваться в различных условиях эксплуатации.
- Надежность и долгий срок службы. Этот транзистор имеет высокую степень стабильности и устойчивости к внешним воздействиям.
- Простота монтажа и установки. C4161 транзистор имеет компактный размер и удобные контакты для подключения.
Недостатки:
- Ограниченное применение. C4161 транзистор предназначен для использования только в специфических электронных схемах и устройствах.
- Высокая стоимость. По сравнению с другими транзисторами, C4161 может быть дороже, что может повлиять на общую стоимость проекта.
- Требует дополнительного охлаждения. Из-за высокой мощности, транзистор C4161 может требовать системы охлаждения для поддержания нормальной работы.
- Специализированный подход к применению. Для работы с C4161 транзистором необходимо иметь специальные знания и опыт в области электроники.
Несмотря на некоторые недостатки, C4161 транзистор остается популярным и широко используемым компонентом в различных электронных устройствах и системах. Знание его преимуществ и недостатков поможет правильно использовать этот транзистор в конкретных задачах.
Функциональное назначение
C4161 транзистор может использоваться в различных устройствах и схемах, включая усилители звука, блоки питания, источники тока, ключи и т.д. Благодаря своей надежности и стабильности, он широко применяется в радиоэлектронике и автоматизации процессов.
Характеристика | Значение |
---|---|
Тип транзистора | Биполярный PNP |
Максимальное допустимое коллекторное напряжение (Vceo) | 60 В |
Максимальный допустимый коллекторный ток (Ic) | 3 А |
Максимальная мощность потерь (Pd) | 1 Вт |
Коэффициент усиления тока (hFE) | 50 — 320 |
Максимальная рабочая частота (fT) | 3 МГц |
Данные характеристики делают транзистор C4161 идеальным для использования в различных электронных устройствах, где требуется работа с большими токами и напряжениями, а также обеспечивается высокая стабильность и надежность работы.
Реле
С точки зрения микроконтроллера, реле само является мощной нагрузкой,
причём индуктивной. Поэтому для включения или выключения реле нужно
использовать, например, транзисторный ключ. Схема подключения и также
улучшение этой схемы было рассмотрено ранее.
Реле подкупают своей простотой и эффективностью. Например, реле
HLS8-22F-5VDC — управляется напряжением 5 В и способно коммутировать
нагрузку, потребляющую ток до 15 А.
Главное преимущество реле — простота использования — омрачается
несколькими недостатками:
- это механический прибор и контакты могу загрязниться или даже привариться друг к другу,
- меньшая скорость переключения,
- сравнительно большие токи для переключения,
- контакты щёлкают.
Часть этих недостатков устранена в так называемых твердотельных
реле. Это,
фактически, полупроводниковые приборы с гальванической развязкой,
содержащие внутри полноценную схему мощного ключа.
C4161 Datasheet PDF — Sanyo Semiconductor Corporation
Part Number | C4161 | |
Description | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | |
Manufacturers | Sanyo Semiconductor Corporation | |
Logo | ||
There is a preview and C4161 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages |
Preview 1 page
No Preview Available !
Ordering number:ENN2482 · High-speed switching (tf=0.1µs typ). · Wide ASO. 10.0 Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter PW≤300µs, duty cycle≤10% Tc=25˚C 2.55 –55 to +150 Unit ˚C ˚C Electrical Characteristics at Ta = 25˚C Parameter |
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C4161 electronic component. |
Information | Total 4 Pages |
Link URL | |
Product Image and Detail view | 1. 7A, Vceo=400V, Silicon NPN Transistor |
Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Технические характеристики
Характеристика | Значение |
---|---|
Тип транзистора | Биполярный |
Напряжение коллектора, Vceo | 40 В |
Максимальный ток коллектора, Ic | 0,3 А |
Максимальная мощность, Pd | 0,8 Вт |
Ток базы, Ib | 0,15 А |
Температурный диапазон, Tj | от -55°C до +150°C |
Коэффициент усиления по току, hfe | от 100 до 600 |
Транзистор C4161 обладает низким уровнем паразитных ёмкостей, что позволяет ему обеспечивать стабильную работу в широком диапазоне частот. Кроме того, он имеет низкое тепловое сопротивление и характеризуется низким уровнем шума.
Эти технические характеристики делают транзистор C4161 привлекательным для использования в различных приложениях, таких как усилители мощности, переключатели и стабилизаторы напряжения.
Описание и особенности
Основные характеристики транзистора C4161:
- Максимальное постоянное заданное напряжение коллектор-эмиттер: 150 В
- Максимальный постоянный коллекторный ток: 0.5 А
- Максимальная мощность в режиме прерывания: 0.8 Вт
- Тип корпуса: TO-92
Транзистор C4161 обладает высокой коммутационной способностью и низкими переходными характеристиками. Он обеспечивает низкое сопротивление включения и выключения, что позволяет использовать его в электронных схемах с высокими частотами переключения.
Благодаря надежной конструкции и стабильной работе в широком диапазоне температур, транзистор C4161 особенно подходит для использования в схемах усиления сигналов, а также в различных источниках питания и блоках стабилизации.