Параметры транзистора kd503. интернет-справочник основных параметров транзисторов

Транзистор 2N3055

Характеристики транзистора 2N3055 говорят о том, что он биполярный, силовой, NPN структуры, общего назначения. Изготавливается с использованием эпитаксиального базового процесса, в герметически закрытом металлическом корпусе ТО-3. Устройство предназначено для работы в схемах коммутации и усилителях мощности.

Распиновка

Цоколевка 2n3055 выполнена в металлической упаковке ТО-3 со стеклянными изоляторами, через которые наружу выведены контакты базы (Б) и эмиттера (Э). Коллекторный вывод (К) физически соединен с корпусом. Подробная представлена ниже.

Корпус транзистора и соединяющие болты изолируют, при креплении на радиатор, через специальную слюдяную или керамическую подложку.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Технические характеристики

2N3055 являются низкочастотным транзистором. Вместе с тем считается, что типовая граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Впервые данный параметр на устройства появился в техописаниях компании RCA в 1971 г. и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно он рос, вместе с совершенствованием технического процесса изготовления. В 1977 г принял современное значение в 2,5 МГц.

Основные параметры рассматриваемого транзистора, с момента начала его производства (с 1967 г.) практически не изменялись. У разных производителей могут быть они могут незначительно отличатся. Вот типовые значения максимально допустимых эксплуатационных характеристик 2N3055:

• предельное напряжение К-Б (V_{КБО макс}) до 100 В, при разомкнутой цепи Э;
• предельное напряжение К-Э (V_{КЭО макс}) до 70 В, при обрыве на Б;
• максимальный коллекторный ток (I_Кмакс) до 15 А;
• рассеиваемая мощность (P_Кмакс) до 115 Вт;
• статический коэффициент передачи тока (H_FE) 20 … 70;
• температура перехода (T_К) до 200 o C, хранения (Т_Хран) -65…+200 o C.

Превышение любого из этих значений может привести к выходу устройства из строя. С повышением температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.

Аналоги

Самым популярным российским аналогом 2N3055 считается мощный биполярный транзистор KT819ГM от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». От зарубежных производителей, в качестве замены можно использовать современный варианты с большим номинальным напряжением 2N3055HV (VКЭО = 100 В), MJ15015G (VКЭО = 120 В). Хорошей альтернативой является: T2N6371HV

Стоит обратить внимание на появившиеся в настоящее время версии в пластиковом корпусе ТО-3PN типа TIP3055 с мощностью до 90 Вт

В 70-хх компания Philips выпускала очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V_КЭО до 60 В) и позиционировала их для применения в аппаратуре Hi-Fi. Очень надежными и качественными эквивалентами у радиолюбителей до сих пор считаются KD502, KD503 бывшего Чехословацского производителя Teslа. К сожалению найти их сейчас очень сложно, так как они больше не выпускаются, а предприятие после распада СССР пришло в упадок.

Комплементарная пара

У устройства есть комплементарная пара MJ2955 с переходом типа PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является почти полной копией транзистора 2N3055. Применяется вместе с ним в выходных каскадах мощных усилителей до 40 Вт с нагрузкой до 8 Ом, и 60 Вт на 4 Ом.

Структура цоколя КТ503

Цоколь КТ503 представляет собой металлическую базу, на которую установлен сам транзистор. Он имеет особую форму и размещен на цоколе таким образом, чтобы обеспечить оптимальное распределение тепла и удобство монтажа.

В основе цоколя КТ503 лежит металлическая пластина, на которой расположены контактные патрубки для подключения транзистора к внешним цепям. Эти патрубки представляют собой металлические выводы, через которые передается электрический сигнал.

С одной стороны цоколя КТ503 находятся три вывода, обозначенные буквами E, B и C. Они предназначены для подключения эмиттера, базы и коллектора транзистора соответственно. Каждый вывод имеет свой номер, который указывается на корпусе транзистора.

Цоколь КТ503 также имеет специальные вырезы и отверстия для крепления на печатной плате или на радиаторе. Это обеспечивает надежный контакт с поверхностью и облегчает охлаждение транзистора.

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	85…300	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85…400	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	120…400	SOT-323	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	SOT-323	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	SOT-323	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120…350	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	85…300	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	80…300	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	85…300	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	100…320	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	40…400	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	40…350	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200…400	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	40…200	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…350	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…400	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	20…800	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	20…1000	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Сравнение КТ503 со схожими транзисторами

Одним из ближайших аналогов КТ503 является транзистор КТ604. Оба транзистора имеют одинаковые параметры и могут использоваться в аналогичных схемах. Основное отличие между ними заключается в том, что у КТ604 мощность потребляемой энергии и предельно допустимый ток коллектора немного выше, поэтому КТ604 может быть предпочтительнее в случае необходимости работы с более высокими параметрами.

Транзисторы КТ559 и КТ502 также схожи с КТ503 по основным характеристикам. Однако, у этих моделей есть отличия в некоторых параметрах, например, предельно допустимый ток коллектора и мощность потребляемой энергии могут быть немного меньше или больше, чем у КТ503. Это необходимо учитывать при выборе транзистора для конкретной схемы или задачи.

Более специализированные аналоги КТ503 включают в себя транзисторы серии КТ315, к примеру, КТ315Б, КТ315Д, КТ315Г и другие. Они имеют некоторые отличия в характеристиках и предназначены для более узкого спектра задач.

В целом, КТ503 обладает достаточно широкой сферой применения благодаря своим характеристикам и схожести с другими транзисторами. Это позволяет использовать его как в общих, так и в более специфических электронных схемах.

Технические характеристики

Рассмотрим технические характеристики отечественной серии транзисторов КТ503. Превышения указанных ниже значений не допускается, так как кремниевая структура в результате перегрева разрушается, и устройство в конечном итоге выходит из строя. Все параметры представлены с учётом температуры перехода (Т_П) не более +25oC.

Абсолютные характеристики КТ503:

• максимальное напряжение К-Э (U_{КЭ0 max}) при заданном токе К (I_К до 0.15 А или I_{К имп}. до 0.35 А) и нулевом токе Б (I_Б = 0 А):
  • КТ503А(Б) до 40 В;
  • КТ503В(Г) до 60 В;
  • КТ503Д до 80 В;
  • КТ503Е до 100 В.
• напряжение Б-Э (U_{ЭБ0 max}) до 5 В (при IК max = 0 А);
• ток коллектора (I_К) до 0.15 А; импульсный (I_{К имп)} до 0.35 А;
• ток базы (I_Б) до 0.1 А;
• рассеиваемая мощность (P_K) до 0,35 Вт (с теплоотводом и без него);
• температура перехода (Т_П) до 398 К (до +125oC).

Маркировка

В советское время до 1986 г. маркировка на корпусе КТ503 была цветная. Белая точка (круг) на квадратной части корпуса КТ-26 указывала принадлежность транзистора к рассматриваемой серии. Группу (от А до Е), к которой устройство было отнесено при производстве, можно определить по цвету краски на торце упаковки.

С 1986 г. до 2000 г. на аналогичных устройства наносилась кодово-символьная маркировка, для типизации по прежнему использовался белы круг. Год, месяц и группа имели соответствующий код на корпусе. Расшифровка такого обозначения показана в таблице ниже.

Кроме вышеуказанных вариантов, после 2000 г., на корпус наносилась буквенно-цифровое обозначение. Однако, в связи со снижением производства такая маркировка встречаются крайне редко.

Комплиментарная пара

Комплементарной парой для КТ503 является серия КТ502, которая имеет p-n-p-структуру кристалла. В советское время оба транзистора широко использовались во входных каскадах усиления сигнала низкой частоты. Не удивительно, что маркировка и классификация по группам у них схожа.

Производители аналогов транзистора КТ503

1. ООО «Микроэлектроника»

Компания «Микроэлектроника» является одним из основных производителей аналогов транзистора КТ503. В их ассортименте представлены различные модели, отличающиеся параметрами и характеристиками.

2. ЗАО «Электроника»

ЗАО «Электроника» также выпускает аналоги транзистора КТ503. Они предлагают широкий выбор моделей, соответствующих требованиям различных применений.

3. ООО «Радиодетали»

ООО «Радиодетали» предлагает свои аналоги транзистора КТ503, которые отличаются высоким качеством и надежностью. Их продукция имеет широкое применение в различных сферах.

4. ЗАО «Электрик»

ЗАО «Электрик» также является производителем аналогов транзистора КТ503. Они предлагают модели с различными характеристиками и спецификациями, чтобы удовлетворить потребности клиентов.

5. ОАО «Электротехника»

ОАО «Электротехника» является еще одним производителем аналогов транзистора КТ503. Их продукция отличается высоким качеством и широким спектром моделей.

КТ503 транзистор: технические характеристики

Основные технические характеристики транзистора КТ503:

• Тип корпуса: металлокерамический;
• Максимальное значение коллекторного тока (Icmax): 50 мА;
• Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Ucemax): 30 В;
• Максимальное значение напряжения эмиттер-коллектор (Uecmax): 30 В;
• Максимальная мощность рассеяния (Pcmax): 500 мВт;
• Частота переключения (ft): 550 МГц;
• Температурный коэффициент передачи тока (hfe): 100-630;
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C;
• Масса транзистора: 1.5 г.

Также, важно отметить, что КТ503 имеет тройное разделение между коллектором, базой и эмиттером, что позволяет ему быть электрически изолированным. КТ503 транзистор обладает хорошей линейностью передачи тока и высоким коэффициентом усиления, что делает его привлекательным для использования в различных электронных схемах, включая усилительные каскады и дифференциальные усилители

КТ503 транзистор обладает хорошей линейностью передачи тока и высоким коэффициентом усиления, что делает его привлекательным для использования в различных электронных схемах, включая усилительные каскады и дифференциальные усилители.

Важно знать, что конструктивно КТ503 имеет металлический корпус с коллектором, базой и эмиттером, которые выходят на внешние выводы транзистора. Цоколевка транзистора выглядит следующим образом:

• 1 — Коллектор;
• 2 — Эмиттер;
• 3 — База.

Важно правильно подключить транзистор согласно его цоколевке, чтобы он работал корректно и безопасно

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах управления I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C / I_B = 10.

Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора I_C от напряжения управления (базы) U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза f_T) от коллекторной нагрузки транзистора I_C.

Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 6. Изменение выходной емкости C_ob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе U_CB.

Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.

Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса T_C.

Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.

В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора I_CMAX (Pulse) или I_CMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.

В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер U_CEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.

Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.

КТ503 (кремниевый транзистор, n-p-n)

 

Прибор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	RТ п-с, °C/Вт
		при T = 25°C
IК max, мА	IК и max, мА	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, мВт	T, °C	Tп max, °C	Tmax, °C	h21Э	UКЭ, В	IЭ, мА	UКЭ нас, В	IКБ0, мкА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tрас, мкс
КТ503 А	150	350	25	40	5	350	25	125	85	40…120	5	10	0,6	1	5		20	30		214
КТ503 Б	150	350	25	40	5	350	25	125	85	80…240	5	10	0,6	1	5		20	30		214
КТ503 В	150	350	40	60	5	350	25	125	85	40…120	5	10	0,6	1	5		20	30		214
КТ503 Г	150	350	40	60	5	350	25	125	85	80…240	5	10	0,6	1	5		20	30		214
КТ503 Д	150	350	60	80	5	350	25	125	85	40…120	5	10	0,6	1	5		20	30		214
КТ503 Е	150	350	80	100	5	350	25	125	85	40…120	5	10	0,6	1	5		20	30		214

и еще о …Цоколевка транзистора КТ503Е

Обозначение транзистора КТ503Е на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ503Е обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ503Е

• Структура n-p-n
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150(350) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.35 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-120
• Обратный ток коллектора 
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>350 МГц
• BSS38

Аналоги транзистора КТ503Е

BSS38

И комплементарный транзистор «антипод»:

Цоколевка транзистора КТ502Е

Обозначение транзистора КТ502Е на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ502Е обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора КТ502Е

• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 90 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150(350) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.35 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-120
• Обратный ток коллектора 
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>350 МГц
• BSS68

Аналоги транзистора КТ502Е

BSS68

< Предыдущая

Следующая >

Datasheet Download — Integral

Номер произв
KT815

Описание
NPN Transistor
Производители
Integral
логотип

　

1Page
No Preview Available !
КТ815

n-p-n кремниевый

биполярный транзистор
Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в

ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Зарубежные прототипы

• Прототип КТ815Б — BD135

• Прототип КТ815В — BD137

• Прототип КТ815Г — BD139

Особенности

• Диапазон рабочих температур от — 60 до + 125°C

• Комплиментарная пара – КТ814

Обозначение технических условий

• аАО. 336.185 ТУ / 02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ815А, Б, В, Г

• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ815А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов
Вывод

(корпус КТ-27)

№1

№2

№3

Назначение

(корпус КТ-27)

Эмиттер
Коллектор
База
Вывод

(корпус КТ-89)

№1

№2

№3

КТ-27

КТ-89

Назначение

(корпус КТ-89)

База
Коллектор
Эмиттер

КТ815 (январь 2011г., редакция 1.0)

1
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25 °С

Паpаметpы

Граничное напряжение колл-эмит

КТ815А, А9

КТ815Б, Б9

КТ815В, В9

КТ815Г, Г9

Обратный ток коллектора

КТ815А, А9, Б, Б9

КТ815В, В9, Г, Г9

Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ815А, А9, Б, Б9

КТ815В, В9, Г, Г9

Статический коэффициент передачи тока

КТ815А, А9, Б, Б9, В, В9

КТ815Г, Г9

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Обозна-

чение

Uкэо гp.

Ед. измеp

B

Режимы измеpения

Iэ=50mA,

tи=0,3 — 1 мс

Iкбо

Iкэr

h21э

Uкэ нас

мкА

Uкэ=50 В

Uкэ=65 В

мкА

Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом

Uкэ=65 В, Rбэ≤100 Ом

Uкб=2 B, Iэ=0,15A

В Iк=0,5 A, Iб=50 мA

Min Max
30
45
65
85
50
50
100
100
40 275
30 275
0,6

Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ815

Параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб≤100Ом)

КТ815А, А9

КТ815Б, Б9

КТ815В, В9

КТ815Г, Г9

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение

Uкэ max

Uэб max

Iк max

Iки max

Iб max

Pк max

Tпер

Единица измер.

В
В
А
А
А
Вт
°C
Значение
40
50
70
100
5
1,5
3
0,5
10
150

КТ815 (январь 2011г., редакция 1.0)

2
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

http://www.integral.by

КТ815 (январь 2011г., редакция 1.0)

3
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

Как выбрать аналог транзистора КТ503: основные критерии

При выборе аналога транзистора КТ503 для замены, важно учитывать несколько ключевых критериев. Эти параметры помогут определить совместимость аналогового транзистора с исходным и его пригодность для конкретной схемы или проекта

Во-первых, нужно обратить внимание на тип и максимальное рабочее напряжение используемого транзистора. У транзистора КТ503 тип — полевой транзистор (MOSFET), а максимальное рабочее напряжение составляет 60 В

При выборе аналога важно, чтобы тип был аналогичным, а максимальное рабочее напряжение не превышало или было равно 60 В

Во-вторых, стоит обратить внимание на максимальный силовой ток, который может протекать через транзистор. У транзистора КТ503 этот параметр равен 20 А

Для замены важно выбрать аналог с максимальным силовым током, который не будет меньше 20 А. Третий критерий выбора — коэффициент усиления

Он определяет, на сколько раз усиливает сигнал транзистор. Для транзистора КТ503 этот параметр составляет примерно 30-120. При выборе аналога, нужно ориентироваться на аналогичный диапазон коэффициента усиления

Третий критерий выбора — коэффициент усиления. Он определяет, на сколько раз усиливает сигнал транзистор. Для транзистора КТ503 этот параметр составляет примерно 30-120. При выборе аналога, нужно ориентироваться на аналогичный диапазон коэффициента усиления.

Не менее важным параметром является мощность, которую транзистор может выдерживать. У транзистора КТ503 эта величина равна 180 Вт. Аналог должен иметь мощность, равную или большую 180 Вт.

Также стоит обратить внимание на другие параметры, которые могут быть важными для конкретного применения транзистора, например, минимальную рабочую температуру, разъемы и корпус транзистора. При выборе аналога транзистора КТ503 рекомендуется обратиться к производителю или использовать специализированные электронные каталоги, где можно найти подходящие аналоги с указанием всех необходимых параметров

При выборе аналога транзистора КТ503 рекомендуется обратиться к производителю или использовать специализированные электронные каталоги, где можно найти подходящие аналоги с указанием всех необходимых параметров.

Как подобрать аналог варистора

В предыдущей статье, посвящённой варисторам, мы рассказали как именно заменить варистор и маркировку варисторов.

Но очень часто нам задают вопрос, каким варистором заменить сгоревший, как подобрать аналог и у всех-ли варисторов одинаковая маркировка.

Подбирать варисторы для замены логичней не по фирме производителю и не по цвету, а по:

• напряжению
• диаметру.

Диаметр соответствует способности варистора поглотить определённую мощность импульса, поэтому следует заменять на такой же, или больше.

Напряжение срабатывания можно узнать по маркировке — из таблицы и по нему подобрать аналог из имеющихся.

Если маркировка не сохранилась, то подобрать можно по:

• функциональному назначению
• по электронной схеме

К примеру, если он стоит на входе прибора работающего от переменной сети 220 В, то как правило, он рассчитан на классификационное напряжение — 470 В, 560 В реже 430 В.

Это соответствует среднеквадратичному значению переменного напряжения 300 В, 350 В и 275 В соответственно. В подавляющем большинстве случаев ставят на напряжение 470 В, тогда исключаются частые сгорания предохранителя и радиоэлементы платы защищены надёжней.

Как измерить параметры варистора

Если у вас есть варистор со стёртой маркировкой или такой нет в таблице аналогов, то вполне возможно измерить напряжение срабатывания варистора.

Для этого достаточно подключить его к блоку питания, который может обеспечить необходимое напряжение и у которого можно ограничить максимальный ток, чтобы варистор не разрушился (полярность подключения не имеет значения)

У меня к сожалению такого под рукой не оказалось, поэтому я выбрал другой способ. Я подключил варистор к мегомметру, который измеряет сопротивление высоким напряжением, у данного прибора три предела 250 В, 500 В и 1000 В, что оказалось вполне достаточно.

Я проверял два варистора — на 470 В и на 680 В, первый на пределе 500 В, второй 1000 В.

Как видно на фото, параметры вполне укладываются в допуск 10%.

Перед измерением обязательно прочтите инструкцию к прибору и убедитесь, что данная операция не повредит его, а также соблюдайте все требования по технике безопасности при работе с высоким напряжением.

↑ Предыстория

Поиски собственного звука начались для меня достаточно давно и продолжаются ныне. Начинал я с интегральных УНЧ (микросхемы), продолжаю на «рассыпухе». «Рассыпуха» более сложна в повторении и настройке, но она и звучит лучше. Это утверждение касается только тех схем, которые я собрал и отслушал, насчет всех остальных говорить не берусь. Так вот, в поисках звука я пробовал разные варианты как с нашего портала так и из других уголков великой Сети. Мною были попробованы: • 160 Вт УМЗЧ с компенсацией нелинейности. Доработанный усилитель В. Короля • УМЗЧ Холтона на полевых транзисторах • венгерский вариант QUAD 405 • Усилитель на N-канальных полевиках А. Никитина он же Creek 4240