Транзистор КТ339А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Обзор транзистора КТ339А: особенности и применение

Основные особенности транзистора КТ339А:

1. Средняя мощность коллектора составляет 0.625 Вт, что позволяет ему выдерживать значительные нагрузки и работать в сложных условиях.
2. Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер составляет 60 В, что обеспечивает большой диапазон рабочих напряжений.
3. Максимальное значение тока коллектора составляет 0.5 А, что позволяет использовать этот транзистор в схемах с высокими токами.
4. Коэффициент усиления тока в диапазоне от 250 до 800, что обеспечивает эффективное усиление сигнала и его передачу в другие части схемы.

Применение транзистора КТ339А:

Транзистор КТ339А может использоваться в широком спектре электронных устройств, включая усилители низкой частоты, инверторы, стабилизаторы напряжения и другие. Благодаря своим высоким характеристикам он может успешно работать в сложных условиях, обеспечивая стабильную и надежную работу системы. Большая мощность коллектора позволяет использовать транзисторы КТ339А в устройствах с высокой выходной мощностью. Коэффициент усиления тока делает его полезным в усилителях сигнала, где требуется повышение амплитуды сигнала без изменения его формы. Кроме того, транзистор КТ339А обладает высокой надежностью, что делает его предпочтительным выбором для долговечных военных и промышленных устройств.

Преимущества и недостатки

Транзистор КТ 339 имеет ряд преимуществ, которые делают его популярным среди разработчиков и электронщиков:

Тем не менее, у транзистора КТ 339 также есть некоторые недостатки, которые стоит учитывать при его использовании:

• 1. Ограниченная мощность
• 2. Ограниченный диапазон рабочих частот
• 3. Ограниченные параметры для работы в режиме насыщения

Несмотря на эти недостатки, транзистор КТ 339 остается популярным и востребованным элементом в электронике благодаря своим преимуществам и широкому применению в различных областях.

Обзор транзистора КТ 339

Основные характеристики транзистора КТ 339:

• Максимальное постоянное обратное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
• Максимальное постоянное напряжение коллектор-база: 60 В
• Максимальный коллекторный ток: 0,1 А
• Максимальная мощность: 0,6 Вт
• Коэффициент усиления по току: 200-800

Транзистор КТ 339 обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что делает его отличным выбором для различных электронных устройств. Он имеет небольшие габариты и малый вес, что облегчает его установку и интеграцию в схемы.

КТ 339 может использоваться в различных схемах усиления, переключения и стабилизации. Он обеспечивает низкий уровень шума и малую искаженность сигнала, что позволяет получить высокое качество звучания или передачи информации.

Выводы транзистора КТ 339 обладают удобным форматом, что позволяет легко подключать его к другим элементам схемы. Он может работать в широком диапазоне температур и обладает высокой стойкостью к перегрузкам и переменным условиям эксплуатации.

В заключение, транзистор КТ 339 является универсальным и надежным элементом, который может применяться в различных электронных устройствах и схемах. Он обладает высоким коэффициентом усиления, стабильностью работы и хорошим качеством сигнала, что делает его отличным выбором для многих задач.

Электрические параметры

• Ток коллектора (Ic) — максимальный допустимый ток, который может протекать через коллектор транзистора при заданных условиях работы;
• Ток эмиттера (Ie) — максимальный допустимый ток, который может протекать через эмиттер транзистора при заданных условиях работы;
• Ток базы (Ib) — максимальный допустимый ток, который может поступать на базу транзистора при заданных условиях работы;
• Коэффициент усиления по току (hfe) — отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы при заданном рабочем режиме транзистора;
• Максимальное напряжение коллектора (Vceo) — максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора;
• Максимальная мощность потери (Pd) — максимальная мощность, которую можно диссипировать транзистором без перегрева;
• Напряжение смещения базы (Vbe) — напряжение между базой и эмиттером, необходимое для обеспечения нормальной работы транзистора.

Электрические параметры транзистора КТ 339 определяют его характеристики и возможности применения в различных электронных схемах.

Related Datasheets

Почему мы используем транзистор Дарлингтона?

Как известно, для перевода транзистора в режим проводимости требуется небольшой базовый ток в схеме с общим эмиттером. Иногда этого малого тока базы (коэффициент усиления по току) может быть недостаточно, чтобы перевести транзистор в состояние проводимости.

Коэффициент усиления по току или бета транзистора — это отношение тока коллектора к току базы.

Блок питания 0…30 В / 3A
Набор для сборки регулируемого блока питания…

Подробнее

Коэффициент усиления транзистора или коэффициент усиления по току (β) = ток нагрузки или коллектора / входной или базовый ток.

Ток нагрузки = коэффициент усиления по току (β) × базовый ток

Для обычного транзистора значение β составляет примерно 100. Приведенное выше соотношение говорит о том, что ток нагрузки превышает в 100 раз базовый ток транзистора.

Рассмотрим схематичный рисунок, приведенный ниже. Здесь транзистор с переменным резистором, подключенным между источником питания и базой транзистора, используется для изменения яркости лампы.

В этой схеме базовый ток является единственным фактором, который определяет ток, протекающий через коллектор — эмиттер. Таким образом, изменяя сопротивление переменного резистора, можно добиться изменения яркости свечения лампы.

Если значение сопротивления переменного резистора больше, то базовый ток уменьшается — транзистор выключается. Когда сопротивление слишком мало, достаточное количество тока будет протекать через базу, что приведет к увеличению тока коллектор-эмиттер, соответственно лампа будет светить ярче. Это усиление тока в транзисторе.

В приведенном выше примере мы видели управление нагрузкой (лампой) с использованием одного транзистора. Но в некоторых схемах входной базовый ток от источника может быть недостаточным для управления нагрузкой. Мы знаем, что величина тока, протекающего через коллектор-эмиттер, является произведением тока базы и коэффициента усиления транзистора.

Поскольку увеличение тока от источника невозможно, единственный способ увеличить ток нагрузки — это увеличить коэффициент усиления транзистора. Но для каждого транзистора это постоянный коэффициент. Однако мы можем увеличить усиление, используя комбинацию из двух транзисторов. Эта конфигурация называется конфигурацией Дарлингтона.

Транзистор Дарлингтона представляет собой соединение двух транзисторов определенным образом. Пара биполярных транзисторов обеспечивает очень высокое усиление тока по сравнению с одним стандартным транзистором, как упомянуто выше.

Пара этих транзисторов может быть PNP или NP. На рисунке ниже показана конфигурация пары Дарлингтона с NPN, а также с транзисторами PNP.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 250С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Назначение и применение

Благодаря своей универсальности, транзистор КТ 339 может использоваться во многих областях, включая радиоэлектронику, телекоммуникации, автомобильную промышленность, промышленность электронных приборов и промышленность полупроводников.

Он широко применяется в различных схемах усиления звуковых сигналов, управления логическими сигналами, включая цифровую электронику и микропроцессорные системы.

Также транзистор КТ 339 может использоваться в схемах стабилизации напряжения, генерации сигналов и формирования импульсов.

Благодаря своим особым характеристикам, таким как высокая надежность, стабильность работы и устойчивость к окружающим условиям, транзистор КТ 339 является незаменимым компонентом для многих электронных устройств и систем.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы