Транзистор КТ829 — DataSheet
|
Цоколевка транзистора КТ829 |
Цоколевка транзистора КТ829(Т-М) |
Описание
Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение |
Ед. изм. |
| Аналог | КТ829А | BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2 | |||
| КТ829Б |
BD267A, BD263, TIP121,
BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2 |
||||
| КТ829В |
BD331, TIP120, BD897A,
BD897, BDW23A, ТIР120 *2 |
||||
| КТ829Г |
BD665, BD675, BD895A,
BD895, BDW23, BDW73, BDW63 *2, BD695 *1 |
||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ829А | — | 60* | Вт |
| КТ829Б | — | 60* | |||
| КТ829В | — | 60* |
КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50
КТ829АП
—
50
КТ829АМ
—
60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ829А
—
≥4
МГц
КТ829Б
—
≥4
КТ829В
—
≥4
КТ829Г
—
≥4
КТ829АТ
—
≥4
КТ829АП
—
≥4
КТ829АМ
—
≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ829А
1к
100*
В
КТ829Б
1к
80*
КТ829В
1к
60*
КТ829Г
1к
45*
КТ829АТ
—
100
КТ829АП
—
160
КТ829АМ
—
240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб.,
КТ829А
—
5
В
КТ829Б
—
5
КТ829В
—
5
КТ829Г
—
5
КТ829АТ
—
5
КТ829АП
—
5
КТ829АМ
—
5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ829А
—
8(12*)
А
КТ829Б
—
8(12*)
КТ829В
—
8(12*)
КТ829Г
—
8(12*)
КТ829АТ
—
5
КТ829АП
—
5
КТ829АМ
—
8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*
КТ829В
60 В
≤1.5*
КТ829Г
60 В
≤1.5*
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э, h*21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*
КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*
КТ829В
3 В; 3 А
≥750*
КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*
КТ829АТ
—
≥1000
КТ829АП
—
≥700
КТ829АМ
—
400…3000
Емкость коллекторного перехода
cк, с*12э
КТ829А
—
≤120
пФ
КТ829Б
—
≤120
КТ829В
—
≤120
КТ829Г
—
≤120
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ
КТ829Б
—
≤0.57
КТ829В
—
≤0.57
КТ829Г
—
≤0.57
КТ829АТ
—
≤0.3
КТ829АП
—
≤0.25
КТ829АМ
—
≤0.66
Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт
КТ829Б
—
—
КТ829В
—
—
КТ829Г
—
—
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)
КТ829А
—
—
пс
КТ829Б
—
—
КТ829В
—
—
КТ829Г
—
—
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
|
Входные характеристики |
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора |
|
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб |
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер |
|
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса |
Область максимальных режимов |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Обзор лучших аналогов транзистора КТ 825
1. Транзистор КТ 315
Транзистор КТ 315 является прямым аналогом КТ 825 и имеет схожие электрические характеристики. Он также широко используется в различных схемах и имеет большую надежность. Такой аналог может использоваться в случаях, когда требуется точная замена транзистора КТ 825.
2. Транзистор КТ 805
Транзистор КТ 805 также является хорошим аналогом транзистора КТ 825. Он имеет аналогичные электрические характеристики, и может быть успешно применен в различных схемах. КТ 805 обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его отличным выбором для замены транзистора КТ 825.
3. Транзистор КТ 827
Транзистор КТ 827 также может быть использован в качестве замены транзистора КТ 825. У них схожие электрические параметры, и оба транзистора используются в различных цепях. КТ 827 обладает высокой надежностью и обеспечивает стабильную работу схемы.
В итоге, выбор аналога транзистора КТ 825 зависит от конкретных требований и условий задачи. Описанные выше аналоги являются надежными и имеют схожие характеристики с транзистором КТ 825, поэтому могут быть успешно применены в качестве его замены.
Транзисторы — купить. или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Характеристики
Максимальные характеристики КТ825Г:
- Uбэоmax — напряжение пробоя база-эмиттер =5 В;
- Iкmax — постоянный максимальный ток коллектора =20 А;
- Iкиmax — импульсный максимальный ток коллектора =40 А;
- Rэкнас — сопротивление насыщения эмиттер-коллектор не более =0,4 Ома
- Uкэmax длительное (при RБЭ = 1000 Ом и UЭБ = 1,5 В) =90 В;
- Iбmax длительно возможный протекающий ток базы =500 mА.
Электрические характеристики
При работе на предельной температуре коэффициент передачи тока максимальный. Предел частоты работы ограничен собственной емкостью pn перехода составного транзистора.
| Значения параметров при температуре pn перехода Тп=25°С | ||
| UэКнас (напряжение насыщения между эмиттером и коллектором транзистора) | В | <2 |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Тк=25°С | 750÷18000; |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Т=Тк макс | 600÷25000 |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Тк=-60°С | 150÷18000 |
| f гp — граничная частота коэффициента передачи тока | МГц | <4 |
| СК — емкость коллекторного перехода UКБ=10В | пФ | min 350 пФ max 600 пФ |
| СЭ — емкость эмиттерного перехода UЭБ=5В | пФ | min 450 пФ max 350 пФ |
| Время включения | мкс | 1 |
| Время выключения | мкс | 4,5 |
| Напряжение насыщения Uкэ | Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА | 2 3 |
| Напряжение насыщения Uбэ | Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА | 3 4 |
Тепловые и другие параметры
Металлостеклянный корпус КТ825Г обеспечивает рассеяние тепловыделения в работе до 3 Вт без радиатора и до 125 Вт с радиатором охлаждения.
| РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. | Вт | 3 |
| РК т max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. | Вт | 125 |
| Т max — максимально допустимая температура окружающей среды. | °С | -40 ÷+100 |
| TП max максимально допустимая температура перехода | °С | 150 |
| fгр граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | МГц | 4 |
| Масса транзистора в металле не более | грамм | 20 |
Комплементарной парой (транзистором сходным по абсолютным значениям параметров, но имеющим другой тип проводимости) для КТ825Г является КТ827Г с npn структурой.
Примеры использования аналогов
Ниже приведены некоторые примеры транзисторов, которые могут использоваться вместо КТ825:
- КТ315 – довольно распространенный аналог КТ825, который имеет аналогичные рабочие характеристики и может быть использован в большинстве приложений, где применяется КТ825.
- 2N3904 – еще один популярный аналог КТ825, который широко используется в электронике и имеет сходные параметры работы.
- BC547 – транзистор общего назначения, который также может использоваться вместо КТ825.
- BC548 – еще один популярный транзистор схожих характеристик, часто применяемый вместо КТ825.
- 2N2222 – транзистор с более высоким коэффициентом усиления тока, который может быть использован в случаях, когда требуется более высокая мощность.
Все перечисленные транзисторы имеют похожие электрические параметры и могут успешно заменить КТ825 во многих схемах и устройствах.
Транзисторы схожие с КТ825
1. КТ805 — похож по характеристикам на КТ825, имеет такую же питающую схему и конструкцию корпуса.
2. КТ3107 — более доступная и распространенная альтернатива КТ825, имеет схожие параметры и может быть использована в большинстве схем.
3. КТ315 — трехслойный планарный транзистор, имеет рабочий диапазон характеристик, схожий с КТ825.
4. КТ315Г — обновленная версия КТ315, имеющая ниже уровень шума и более высокую рабочую частоту.
5. КТ3102 — имеет схожие параметры и характеристики с КТ825, широко используется в аналогичных схемах.
Важно отметить, что при замене КТ825 на аналог нужно провести дополнительную проверку характеристик и учесть особенности конкретной схемы, чтобы гарантировать правильное функционирование
Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.
Транзисторы
КТ825
Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные
низкочастотные, структуры p-n-p. Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.
КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах.
Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814.
Сама схема выглядит вот таким образом.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока —
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 . У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в. У транзисторов КТ825Е — 25 в. У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в. У транзисторов КТ825Г — 70 в. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.
Максимальный ток коллектора.У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.
Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе) У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт. У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт. Без радиатора — 3 Вт.
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора
10 А и базовом токе 40 мА— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА
— не более 2в.
Максимальная температура перехода: У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия. У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ825
КТ825Г — 2N6051. КТ825Д — 2N6050. КТ825Е — BDX64.КТ825ГM — 2N6052G.2Т825В -2N6285.2Т825Б — 2N6286.2Т825А — TIP147, TIP142
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».
На главную страницу
Подключение транзистора КТ 825 к схеме
Для подключения транзистора КТ 825 к схеме необходимо правильно расположить его выводы и подключить соответствующие элементы.
Схема выводов транзистора КТ 825 следующая:
Вывод 1: база
Вывод 2: коллектор
Вывод 3: эмиттер
Для подключения транзистора КТ 825 к схеме необходимо выполнить следующие действия:
1. Подключение базы: Вывод 1 транзистора КТ 825 следует подключить к управляющему сигналу или управляющему элементу в схеме.
2. Подключение коллектора: Вывод 2 транзистора КТ 825 подключается к силовому источнику схемы или нагрузке.
3. Подключение эмиттера: Вывод 3 транзистора КТ 825 следует подключить к общему заземлению схемы или нулю.
После того, как все выводы транзистора КТ 825 правильно подключены к соответствующим элементам схемы, он будет готов к использованию в схеме.
Важно учитывать, что подключение транзистора КТ 825 к схеме должно быть выполнено согласно его схеме выводов, чтобы избежать повреждения транзистора и неправильного функционирования всей схемы
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Меры безопасности
Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов. Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки
Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд
Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.
Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.
Основные технические характеристики транзистора
Ток коллектора: максимальное значение тока, которое транзистор может выдержать в закрытом состоянии. Для КТ825Д это значение составляет 15 А.
Напряжение коллектора: максимальное значение напряжения, которое может быть подано на коллекторный вывод транзистора. Для КТ825Д это значение составляет 100 В.
Сила тока базы: максимальное значение силы тока, которое может протекать через базовый вывод транзистора. Для КТ825Д это значение составляет 0,1 А.
Мощность перехода: максимальное значение мощности, которое может быть передано через транзистор. Для КТ825Д это значение составляет 40 Вт.
Частота перехода: максимальное значение частоты, на которой транзистор может работать. Для КТ825Д это значение составляет 25 МГц.
Транзистор КТ825Д обладает высокой надежностью и широкими возможностями применения. Он часто используется в усилительных схемах, радиосистемах, устройствах питания и других электронных устройствах требующих возможность передачи большой мощности.
КТ 825 транзистор: особенности и характеристики
Основные характеристики КТ 825:
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
- Максимальный рабочий ток коллектора: 10 А
- Мощность потерь: 75 Вт
- Коэффициент усиления по току: не менее 15
- Корпус: TO-220
КТ 825 обладает высокой степенью стабильности, что делает его незаменимым элементом в схемах, требующих высокой надёжности и длительной безотказной работы.
Выбор замены для КТ 825 должен основываться на сравнении его характеристик с требованиями конкретной схемы. При выборе замены необходимо учитывать такие параметры, как рабочее напряжение, рабочий ток, мощность потерь, коэффициент усиления и корпус.