Технические характеристики
В первую очередь возможности транзистора зависят от предельно допустимых характеристик. Их превышение во время работы приведет к выходу устройства из строя. Для КТ837 они равны:
- постоянное напряжение К-Б:
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 80 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 60 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 45 В;
- постоянное напряжение К-Э (RЭБ = 100 Ом):
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 70 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 55 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 40 В;
- постоянное напряжение К-Э (RЭБ = ∞ Ом):
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н – 60 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С – 45 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф – 30 В;
- постоянное напряжение Э-Б:
- КТ837А-К, 2Т837А-В – 15 В;
- КТ837Л-Ф, 2Т837Г-Е – 5 В;
- коллекторный ток:
- КТ837А-Ф – 7,5 А;
- 2Т837А-Е – 8 А;
- ток базы – 1 А;
- мощность:
- без теплоотвода – 1 Вт;
- с теплоотводом – 30 Вт.
Кроме максимальных на возможности и сферу применения КТ837 влияют также и электрические характеристики. Они измерялись при температуре +25°С. Остальные параметры тестирования, способные повлиять на конечный результат, приведены в следующей таблице в отдельной колонке.
| Электрические характеристики транзистора КТ837 (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Режимы тестирования | Тр-р | min | max | Ед. изм |
| Статический к-т усиления в схеме ОЭ | UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА | КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | 10 | 40 | |
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 50 | 150 | |||
| Обратный ток К-Э | UКЭ = UКЭ макс | ВСЕ | 10 | мА | |
| Обратный ток К-Б | UКб = UКб макс | ВСЕ | 0,15 | мА | |
| Обратный ток через Э | UЭБ = 15 В | КТ837А-Г | 0,3 | мкА | |
| UЭБ = 5 В | КТ837Л-Ф | 0,3 | |||
| Напряжение насыщения К-Э | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | КТ837А-В, Л-Н | 2,5 | В | |
| Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | КТ837Г-Е, П-С | 0,9 | |||
| Iк= 2 A, Iб= 0,3 A | КТ837Ж-К, Т-Ф | 0,5 | |||
| Напряжение насыщения Б-Э | Iк= 2 A, Iб= 0,5 A | ВСЕ | 1,5 | В |
Электрические характеристики, при Та=25°C
| Обозн. | Параметр | Режим изм. | Мин. | Макс. | Ед. изм |
|---|---|---|---|---|---|
| Iкэr | Обратный ток коллектор-эмиттер | Uкэ = Uкэ maxпри Rэб =∞ | 10 | мA | |
| Iкэr | Обратный ток коллектор-эмиттер | Uкэ = Uкэ maxпри Rэб= 100 Ом | 10 | мА | |
| Iкбо | Обратный ток коллектор-база | Uкб = Uкб max | 0,15 | мA | |
| Iэбо | Обратный ток эмиттера | Uэб =15 В Uэб =5 В | мА | ||
| КТ837А — К | 0,3 | ||||
| КТ837 Л — Ф | 0,3 | ||||
| h21э | Стат. коэффициент передачи тока | Uкэ =5 B, Iк =2A | |||
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | 10 | 40 | |||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 40 | 150 | |||
| Uкэ нас | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | |||
| КТ837А — В, Л — Н | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | 2,5 | |||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | 0,9 | |||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | 0,5 | |||
| Uбэ нас | Напряжение насыщения база-эмиттер | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | 1,5 | В |
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе типа p-n-p
Рассмотрим движение носителей заряда через структуру транзистора, которые
протекают в выводах эмиттера, базы и коллектора, при условии, что на
ЭП подано прямое напряжение, а на КП — обратное (т.е. транзистор работает
в активном режиме).
Значение токов, протекающих через структуру транзистора, определяется
не только напряжениями, которые подаются на эмиттерный и коллекторный
переходы, но и взаимодействием этих переходов между собой. Взаимодействие
переходов, в свою очередь, зависит от расстояния между ними, т.е. от
ширины области базы — W.
На рисунке 3.3 показаны движение носителей заряда в структуре p-n-p
транзистора и токи, протекающие во внешних выводах.
Если ширина базы W меньше диффузионной длины пробега неосновных носителей
заряда в базе (рис.3.3
), то значение тока, протекающего через КП, определяется следующими
причинами:
1) т.к. в этом случае ширина базы гораздо меньше ширины области коллектора,
то и количество неосновных носителей заряда, возникающих при данной
температуре в области базы ( ),
будет гораздо меньше количества неосновных носителей заряда, возникающих
в области коллектора ( ),
и можно считать, что
, где Jko
ток неосновных носителей заряда koп
2) дырки, которые диффузионно переходят из эмиттера в базу над снизившимся
потенциальным барьером эмиттерного перехода, в базе продолжают двигаться
диффузионно в основном в сторону коллекторного перехода. А т.к. ширина
базы меньше их диффузионной длины пробега, то они достигнут коллекторного
перехода в количестве тем больше, чем меньше ширина базы. Однако, вследствие
дисперсии, т.е. беспорядочного теплового движения носителей, какая-то
часть дырок не доходит до КП из-за процесса рекомбинации на поверхности,
у базового вывода или в толще базы, в следствии этого в цепи базы появляется
базовый ток .
Величина, характеризующая долю тока эмиттера, достигающую коллекторного
перехода. называется коэффициентом передачи постоянного тока эмиттера
и обозначается .
Тогда ток коллектора:
Таким образом, ток через КП для случая
(для p-n-p транзистора) является суммой двух составляющих — тока дырок,
инжектированных из эмиттера в базу, и нулевого коллекторного тока .
В толщине базы протекает
и рекомбинационный ток, но в силу того, что процесс рекомбинации в базе
резко уменьшается, рекомбинационная составляющая тока базы тоже мала
.
Соответственно во внешних выводах эмиттера, базы и коллектора будут
протекать токи:
вывод эмиттера ,
вывод коллектора ,
вывод базы
где — является
рекомбинационной составляющей тока базы, величина которой зависит от
величины прямого напряжения, приложенного к ЭП. — ток неосновных
носителей заряда, величина которого от приложенного напряжения почти
не зависит.
Если p-n-p транзистор, работающий как усилитель электрических колебаний,
включен в схему так, как это показано на рис.3.4, то включение последовательно
с источником
переменного напряжения
приведет к появлению переменных составляющих тока эмиттера ,
тока коллектора и
тока базы ,
которые будут накладываться на постоянные составляющие. Так же как и
постоянные токи, протекающие через p-n-p транзистор, переменные токи
являются функциями напряжения. Если на вход подается синусоидальное
напряжение, то оно вызовет синусоидальные изменения плотности дырок
в эмиттерном и коллекторном переходах, т.е. синусоидальные изменения
переменных токов эмиттера, коллектора и базы.
Переменный ток, протекающий через ЭП, равен сумме электронного и дырочного
токов, причем для p-n-p транзистора только дырочная составляющая проходит
последовательно ЭП, обладающий малым сопротивлением и КП, обладающий
большим сопротивлением, т.е. создает условия для усиления электрических
колебаний.
Поэтому на практике для характеристики усилительных свойств транзистора
пользуются коэффициентом передачи тока эмиттера или, как его иначе называют,
коэффициентом усиления по току a, который
является отношением общего коллекторного переменного тока к общему эмиттерному
переменному току в режиме короткого замыкания коллектора на базу по
переменному току.
Аналоги
Транзистор КТ829А можно заменить такими зарубежными аналогами: BD267B, 2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, TIP122, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681. Наиболее мощным из них является TIP122. КТ829А также прекрасно заменяется отечественным аналогом КТ827, который по мощности не уступает рассматриваемому. Еще один способ заменить его, это спаять схему из двух транзисторов КТ817 и КТ819.
Можно также найти данный транзистор в старой аппаратуре, производившейся еще при СССР. Так, он точно есть в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео», «Радиотехника У-101 стерео» и видеомагнитофоне «Электроника ВМ-12». Также данный транзистор использовался в старых советских телевизорах в модуле коррекции растра.
Параметры аналогов КТ837 для подбора
Когда вам нужно заменить транзистор КТ837 на аналогичный, следует обратить внимание на несколько основных параметров. Ниже приведена таблица с параметрами, которые должны быть учтены при подборе аналогов:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимальное значение тока коллектора, Ic | Не менее 1 А |
| Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер, Uce | Не менее 40 В |
| Максимальное значение мощности потерь, Pd | Не менее 0.8 Вт |
| Параметр типа корпуса | TO-92 |
При подборе аналогичного транзистора, убедитесь, что его параметры удовлетворяют вышеуказанным значениям. Также не забывайте учитывать другие требования вашей схемы или прибора, в которых будет использоваться транзистор.
Предельно допустимые значения
Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.
Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.
Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.
| Обозн. | Параметр | Знач. | Ед. изм |
|---|---|---|---|
| Uкб max | Постоянное напряжение коллектор-база | В | |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 80 | ||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||
| Uкэ max | Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 60 | В | |
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||
| Uкэ max | Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 70 | В | |
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||
| Uэб max | Постоянное напряжение эмиттер-база | ||
| КТ837А — К | 15 | В | |
| КТ837Л — Ф | 5 | ||
| Iк max | Постоянный ток коллектора | 7.5 | А |
| Iб max | Максимально допустимый постоянный ток базы | 1 | А |
| Pк max | Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | 1 | Вт |
| Pк max | Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | 30 | Вт |
Параметры транзистора кт837ф
С появлением технологии LCD в продаже стали появляться как стационарные LCD-телевизоры внушительных диагоналей, так и переносные, с небольшим размером экрана. Портативные LCD-телевизоры заслужили популярность у автомобилистов, дачников благодаря своей компактности, малым габаритам, качественному изображению и приёму. Но, несмотря на все перечисленные качества, портативные LCD-телевизоры всё же оказываются на столе ремонта. Причиной неисправности может служить выносной и вольтовый сетевой блок питания. Следует проверить сначала его исправность есть ли напряжение на выходе разъёма.
Поиск данных по Вашему запросу:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Перейти к результатам поиска >>>
Чем отличаются разные транзисторы
На примере простого транзистора мы разобрали его принцип работы, однако их бывает великое множество. Давайте научимся их отличать и узнаем, зачем каждый из них нужен.
Биполярные
Биполярные транзисторы – это самые популярные. В полупроводника в таких транзисторах есть два p-n перехода. Заряд через них переносится дырками и электронами.
Среди них тоже различают несколько подвидов (они зависят от расположения переходов и количества электродов), среди которых:
- составной транзистор pnp тип;
- составной транзистор npn тип;
- более сложные многоэлектродные (может быть сразу 2 эмиттера);
- транзисторы на гетеропереходах.
Лавинные транзисторы
Это поистине интересный вид транзисторов, ведь он работает очень эффективно и при этом очень быстро
Их основные плюсы – это высокие рабочие напряжения и, конечно же, скорость включения, а это очень важно в электронике. Ученые до сих пор ломают голову, как можно использовать эти транзисторы с максимальным КПД, хотя они и сейчас показывают потрясающие результаты
Однопереходные транзисторы
Существуют в мире и такие транзисторы. Тут всего один переход, поэтому и классификация гораздо проще:
- первый тип это с “p” базой;
- а второй это с “n” базой.
Транзисторы с управляющим переходом
Это тоже очень интересный и необычный вид транзисторов, ведь у него, как и следует из названия, управляемый переход, что делает его еще более универсальным, но и приводит его к удорожанию. На подвидах мы останавливаться не будем, так они все примерно такие же, как и у предыдущих.
Транзисторы с изолированным затвором
А это еще что за затвор, могли бы вы подумать. Рассказываю. Как я уже писал выше, транзистор начинает работать, когда на него подают небольшое напряжение. Так вот, тот электрод, на которые напряжение подается и называется затвором. Здесь ничего особенного, просто сам затвор изолируется, что дает больше возможностей для управления транзистором и для некоторых задач это, действительно, очень полезно.
Рекомендуемые списки, связанные с частью
| Исходя из ваших критериев поиска, мы нашли другие таблицы данных, которые могут вас заинтересовать. Эти связанные таблицы содержат дополнительную информацию об аналогичных продуктах и технических характеристиках и могут помочь вам найти идеальное решение для нужд вашего проекта. |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| KT830 | (KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output | Optek Technology |
| KT831 | (KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output | Optek Technology |
| KT832 | (KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output | Optek Technology |
| KT835 | (KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output | Optek Technology |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| TL431 |
100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
| IRF840 |
8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
| LM317 |
Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
Схемы включения
На КТ837 можно построить несложный усилитель звуковой частоты со следующими параметрами:
- Мощность – 30 Вт / 4 Ом (15 Вт / 8 Ом);
- К-т гармоник – 0,01%;
- Входное сопротивление – 47 кОм;
- Выходное сопротивление – 0,03 Ом;
- Уровень шума – -86 дБ.
В этом усилителе используются керамические конденсаторы, рассчитанные на напряжение 50 В. Существует два варианта крепления платы.
Во-первых, на теплоотводе транзисторов VT5 и VT6, используя для этого стойки высотой от 15 до 20 мм.
Во-вторых, рядом с теплоотводом оконечного каскада. В этом случае для соединения используется разъем МРН-22, который будет обеспечивать контакт в точках, обозначенных на схеме цифрами от 1 до 5. Для предотвращения перегорания транзистора, при потере контакта в вилке, требуется увеличить сопротивление резисторов R12 и R13 до 43-47 Ом, а по другую сторону розетки установить R121 и R131 (на схеме нарисованы штриховыми линиями) того же номинала (43-47 Ом). Длина проводов, соединяющих плату и транзисторы не должна быть больше 10 см.
Вместо указанного операционного усилителя можно установить К140УД6Б, К140УД7А, К544УД1А, но к-т гармоник при этом возрастёт до 0,3%.
Транзисторы VT3 и VT4 устанавливают на теплоотводе, сделанном из алюминиевой пластины размером 70х35х3 мм.
Закрепить VT5 и VT6 можно двумя способами.
Первый способ – на общем для каждого канала усилителя теплоотводе. Транзистор VT5 крепится там же где и VT3, а VT6 вместе с VT4. В этом случае теплоотвод нужно изолировать от корпуса УНЧ. В этом случае можно использовать транзисторы в пластмассовом корпусе.
Второй способ – на теплоотводе общем для обеих транзисторов оконечного каскада. В этом случае нужно изолировать транзистор с помощью слюдяных прокладок и использовать термопасту для улучшения теплоотдачи. В этом случае рекомендуется устанавливать устройства в металлическом корпусе.
Области применения транзистора КТ837
Главные области применения транзистора КТ837 включают:
| 1. | Аудиоусилители: | транзистор КТ837 обладает высокой линейностью передачи сигнала и низким уровнем искажений, что делает его идеальным для использования в аудиоусилителях. Он может использоваться как выходной, так и входной усилитель для устройств записи и воспроизведения аудиосигналов. |
| 2. | Блоки питания: | транзистор КТ837 обладает высоким значением тока коллектора и хорошей стабильностью работы при высоких нагрузках, поэтому он широко применяется в блоках питания для обеспечения стабильного постоянного тока. |
| 3. | Переключатели и регуляторы: | транзистор КТ837 может использоваться как ключ или регулятор в различных электронных схемах и устройствах для управления подключением или отключением сигналов, регулирования уровня сигнала и управления мощностью. |
| 4. | Телекоммуникационное оборудование: | транзистор КТ837 может использоваться в радиосвязи и телекоммуникационных системах для усиления и передачи сигналов, обработки данных и управления радиочастотными сигналами. |
| 5. | Источники света: | транзистор КТ837 можно применять в светодиодных источниках света для управления подачей электроэнергии к светодиодам и регулирования яркости света. |
| 6. | Источники питания для электронных устройств: | транзистор КТ837 имеет низкое сопротивление насыщения и высокий коэффициент передачи тока, что делает его эффективным элементом в источниках питания для обеспечения стабильного электропитания различных электронных устройств. |
Транзистор КТ837 также может использоваться в других областях, где необходимо усиление, регулирование или коммутация сигналов и электропитания.
даташит KT837 PDF ( Datasheet )
| Спецификация KT837 изготовлена «Integral» и имеет функцию, называемую «PNP Transistor». На этой странице представлена подробная информация о характеристиках и технических характеристиках детали. Если вы правильно понимаете эти части, они могут помочь вам завершить ваши проекты и отремонтировать детали. |
Номер произв
KT837
Описание
PNP Transistor
Производители
Integral
логотип
1Page
No Preview Available !Назначение
КТ837
биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей,
преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой
для народного хозяйства
Номер технических условий
• аАО.336.403 ТУ / 03
Особенности
• диапазон рабочих температур от — 60 до + 100 °С
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод
№1
№2
№3
Назначение
Эмиттер
Коллектор
База
КТ837 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 °С
Паpаметpы
Обратный ток коллектор-эмиттер
Обратный ток коллектор-эмиттер
Обратный ток коллектор-база
Обозн.
Iкэr
Iкэr
Iкбо
Ед. Режимы измеpения
изм.
мA Uкэ = Uкэ max
при Rэб =∞
мА Uкэ = Uкэ max
при Rэб= 100 Ом
мA Uкб = Uкб max
Обратный ток эмиттера
Iэбо мА Uэб =15 В
КТ837А — К
Uэб =5 В
КТ837 Л — Ф
Стат. коэффициент передачи тока
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
h21э Uкэ =5 B, Iк =2A
КТ837Б, М, Д, Р, И, У
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ837А — В, Л — Н
Uкэ нас В Iк= 3 A, Iб= 0,37 A
КТ837Г — Е, П — С
Iк= 3 A, Iб= 0,37 A
КТ837Ж — К, Т — Ф
Iк= 2 А, Iб= 0,3 A
Напряжение насыщения база-эмиттер
Uбэ нас В Iк= 2 A, Iб=0,5 A
Min Max
10
10
0,15
0,3
0,3
10 40
20 80
50 150
2,5
0,9
0,5
1,5
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ837
Параметры
Постоянное напpяжение коллектоp-база
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф
Постоянное напряжение эмиттер-база
КТ837А — К
КТ837Л — ф
Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
Обознач.
Uкб max
Uкэ max
Uкэ max
Uэб max
Iк max
Iб max
Pк max
Pк max
Ед. измер.
В
В
В
В
А
А
Вт
Pк max
Знач.
80
60
45
60
45
30
70
55
40
15
5
7.5
1
30
1
КТ837 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г
Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции иили технологии
Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте
http://www.integral.by
КТ837 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF
Виды транзисторов
В первых транзисторах применялся германий, который работал не совсем стабильно. Со временем от него отказалось в пользу других материалов: кремния (самый распространённый) и арсенида галлия. Но все это традиционные полупроводники.
В настоящее время начинают набирать популярность триоды на основе органических материалов и даже веществ биологического происхождения: протеинов, пептидов, молекул хлорофилла и целых вирусов. Биотранзисторы используются в медицине и биотехнике.
Другие классификации транзисторов:
- По мощности подразделяются на маломощные (до 0,1 Вт), средней мощности (от 0,1 до 1 Вт) и просто мощные (свыше 1 Вт).
- Также разделяются по материалу корпуса (металл или пластмасса), типу исполнения (в корпусе, бескорпусные, в составе интегральных схем).
- Нередко их объединяют друг с другом для улучшения характеристик. Такие транзисторы называются составными или комбинированными и могут состоять из двух и более полупроводниковых приборов. Строение и у них простое: эмиттер первого является базой для второго и так далее до необходимого количества триодов. Бывает нескольких типов: Дарлинга (все составляющие с одинаковым типом проводимости), Шиклаи (тип проводимости разный), каскодный усилитель (два прибора, работающие как один с подключением по схеме с общим эмиттером).
- К составным относится также и IGBT-транзистор, представляющий собой биполярный, который управляется при помощи полярного триода с изолированным затвором. Такой тип полупроводниковых приборов применяется в основном там, где нужно управлять большим током (сварочные аппараты, городские электросети) или электромеханическими приводами (электротранспорт).
- В качестве управления может применяться не ток, а другое электромагнитное воздействие. К примеру, в фототранзисторах в качестве базы используется чувствительный фотоэлемент, а в магнитотранзисторах – материал, индуцирующий ток при воздействии на него магнитного поля.
Технологический предел для транзисторов еще не достигнут. Их размеры уменьшаются с каждым голом, а различные научно-исследовательские институты ведут поиск новых материалов для использования в качестве полупроводника. Можно сказать, что эти полупроводниковые приборы еще не сказали миру своего последнего слова.
