Маркировка SMD-компонентов
Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.
Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.
Основная классификация транзисторов, параметры
Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам.
Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на:
- транзисторы малой мощности,
- транзисторы средней мощности,
- транзисторы большой мощности.
По частоте транзисторы делят на:
- низкочастотные,
- среднечастотные,
- высокочастотные,
- сверхвысокочастотные.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы разделяют на:
- германиевые,
- кремниевые.
Основными параметрами биполярных транзисторов являются:
- статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;
- статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или а = в/(1 + в);
- обратный ток коллектора Іко;
- граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.
Основными параметрами полевых транзисторов являются:
- напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
- максимальный ток стока Іс. макс;
- напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
- входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.
Принцип действия транзистора
В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении. Для определённости рассмотрим npn транзистор, все рассуждения повторяются абсолютно аналогично для случая pnp транзистора, с заменой слова «электроны» на «дырки», и наоборот, а также с заменой всех напряжений на противоположные по знаку.
В npn транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере проходят через открытый переход эмиттер-база в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками), часть диффундирует обратно в эмиттер.
Однако, из-за того что базу делают очень тонкой и очень слабо легированной, большая часть электронов, инжектированная из эмиттера диффундирует в область коллектора. Сильное электрическое поле обратно смещённого коллекторного перехода захватывает электроны (напомним, что они неосновные носители в базе, поэтому для них переход открыт), и проносит их в коллектор. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб+Iк).
Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк=α Iэ) называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α 0.9 — 0.999, чем больше коэффициент, тем лучше транзистор. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер.
В широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β=α/(1-α)=(10-1000). Т.о. изменяя малый ток базы можно управлять значительно большим током коллектора.
Биполярный транзистор – электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления, преобразования и генерации электрических сигналов. Вся конструкция выполняется на пластине кремния, либо германия, либо другого полупроводника, в которой созданы три области с различными типами электропроводности.
Будет интересно Как работает диод с барьером Шоттки
Средняя область называется базой, одна из крайних областей – эмиттером, другая – коллектором. Соответственно в транзисторе два p-n-перехода: эмиттерный – между базой и эмиттером и коллекторный – между базой и коллектором.
Область базы должна быть очень тонкой, гораздо тоньше эмиттерной и коллекторной областей (на рисунке это показано непропорционально). От этого зависит условие хорошей работы транзистора. Транзистор работает в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах.
При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном – обратное. В режиме отсечки на оба перехода подано обратное напряжение. Если на эти переходы подать прямое напряжение, то транзистор будет работать в режиме насыщения.
Типы биполярных транзисторов.
BCP51 Datasheet (PDF)
..1. bcp51 bcp52 bcp53 3.pdf Size:50K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D087BCP51; BCP52; BCP53PNP medium power transistors1999 Apr 08Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 08Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BCP51; BCP52; BCP53FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 base Medium power (m
..2. bc636 bcp51 bcx51.pdf Size:136K _philips
BC636; BCP51; BCX5145 V, 1 A PNP medium power transistorsRev. 08 22 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP medium power transistor series.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECBC636 SOT54 SC-43A TO-92 BC635BCP51 SOT223 SC-73 — BCP54BCX51 SOT89 SC-62 TO-243 BCX54 Valid for all available
..3. bcp51.pdf Size:38K _fairchild_semi
BCP51PNP General Purpose Amplifier4 This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collecor currents to 1.0A. Sourced from process 77. 321SOT-2231. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -45 VVCBO Collector-Base V
..4. bcp51 bcp52 bcp53.pdf Size:140K _siemens
PNP Silicon AF Transistors BCP 51 … BCP 53 For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP 54 BCP 56 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3 4BCP 51 BCP 51 Q62702-C2107 B C E C SOT-223BCP 51-10 BCP 51-10 Q62702-C2109BCP 51-16 BCP 51-16 Q62702-C2110BCP 52
..5. bcp51.pdf Size:42K _diodes
SOT223 PNP SILICON PLANARBCP51MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 3 AUGUST 1995 T i I i C i II V T T EC T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i
..6. bcp51 bcp52 bcp53.pdf Size:206K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BCP51 BCP52 BCP53SOT-223Formed SMD PackageGeneral Purpose Medium Power DC ApplicationsComplementary BCP54 BCP55 and BCP56ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BCP51 BCP52 BCP53 UNITSCollector Base Voltage V
..7. bcp51 bcp52 bcp53.pdf Size:246K _lge
BCP51,52,53SOT-223 Transistor(PNP)SOT-2231. BASE 2. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP54…BCP56 (NPN) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter BCP51 BCP52 BCP53 Units VCBO
..8. bcp51.pdf Size:643K _kexin
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBCP51,BCP52,BCP53(KCP51,KCP52,KCP53)Unit:mmSOT-2236.500.2 Features3.000.1 For AF driver and output stages4 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary to BCP54,BCP55,BCP561 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collecto
0.1. bcp51m bcp52m bcp53m.pdf Size:31K _siemens
BCP 51M … BCP 53MPNP Silicon AF Transistor4 For AF driver and output stages5 High collector current Low collector-emitter saturation voltage3 Complementary types: BCP 54M…BCP 56M(NPN)21VPW05980Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCP 51M AAs Q62702-C2592 1 = B 2 = C 3 = E 4 n.c. 5 = C SCT-595BCP 52M AEs Q62702-C2593 BCP 53M AHs Q62702
Другие транзисторы… BCF92C
, BCF93
, BCF93B
, BCF93C
, BCP28
, BCP29
, BCP48
, BCP49
, 2SD1047
, BCP51-10
, BCP51-16
, BCP51T1
, BCP51T3
, BCP52
, BCP52-10
, BCP52-10T1
, BCP52-10T3
.
bcp52 datasheet (67)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Type | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| BCP52 |
Diodes Incorporated |
PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 | Original |
|
||
| BCP52 |
Diotec |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors | Original |
|
||
| BCP52 |
Fairchild Semiconductor |
PNP General Purpose Amplifier | Original |
|
||
| BCP52 |
Fairchild Semiconductor |
PNP General Purpose Amplifier | Original |
|
||
| BCP52 |
Fairchild Semiconductor |
Transistors (BJT) — Single, Discrete Semiconductor Products, TRANSISTOR PNP 60V 1.2A SOT-223 | Original |
|
||
| BCP52 |
Infineon Technologies |
SOT223 VCEO=60V hFE=40..250 | Original |
|
||
| BCP52 |
Kexin |
PNP Medium Power Transistors | Original |
|
||
| BCP52 |
National Semiconductor |
PNP General Purpose Amplifier | Original |
|
||
| BCP52 |
NXP Semiconductors |
60 V, 1 A PNP medium power transistors | Original |
|
||
| BCP52 |
Philips Semiconductors |
PNP medium power transistors | Original |
|
||
| BCP52 |
Philips Semiconductors |
Silicon Planar Epitaxial Transistor | Original |
|
||
| BCP52 |
Siemens |
PNP Silicon AF Transistor | Original |
|
||
| BCP52 |
Siemens |
Cross Reference Guide 1998 | Original |
|
||
| BCP52 |
Siemens |
RF-Transistors, MMICs, RF-Diodes, AF-Diodes, AF-Schottky Diodes and RF-Schottky Diodes Guide | Original |
|
||
| BCP52 |
Siemens |
PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) | Original |
|
||
| BCP52 |
STMicroelectronics |
MEDIUM POWERR AMPLIFIERS | Original |
|
||
| BCP52 |
TY Semiconductor |
PNP Medium Power Transistors — SOT-223 | Original |
|
||
| BCP52 |
Zetex Semiconductors |
TRANS GP BJT PNP 60V 1A 4SOT223 | Original |
|
||
| BCP52 |
Unknown |
Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Scan |
|
||
| BCP52 |
Unknown |
Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Scan |
|
Previous
1
2
3
4
Next
Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80
Корпус SOD-80, известный также как MELF, представляет из себя маленький стеклянный цилиндр с металлическими выводами. Примеры маркировки диодов.
Маркировка 2Y4 к 75Y (E24 серия) BZV49 1W кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V) Маркировка C2V4 к C75 (E24 серия) BZV55 500mW кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V)
Катодный вывод помечен цветным кольцом.
Маркировка приборов цветными кольцами.
| Вывод катода | Прибор |
| Черный (Black) | BAS32, BAS45, BAV105 LL4148, 50, 51,53, LL4448 BB241,BB249 |
| Черный и кочичневый (Black Brown) | LL4148, LL914 |
| Черный и оранжевый (Black Orange) | LL4150, BB219 |
| Коричневый и зеленый (Brown Green) | LL300 |
| Коричневый и черный (Brown Black) | LL4448 |
| Красный (Red) | BA682 |
| Красный и оранжевый (Red Orange) | BA683 |
| Красный и зеленый (Red Green) | BA423L |
| Красный и белый (Red White) | LL600 |
| Оранжевый и желтый (Orange Yellow) | LL3595 |
| Желтый (Yellow) | BZV55,BZV80,BZV81 series zeners |
| Зеленый (Green) | BAV105, BB240 |
| Зеленый и черный (Green Black) | BAV100 |
| Зеленый и кочичневый (Green Brown) | BAV101 |
| Зеленый и красный (Green Red) | BAV102 |
| Зеленыый и оранжевый (Green Orange) | BAV103 |
| Серый (Gray) | BAS81, 82, 83, 85, 86 |
| Белый (White) | BB219 |
| Белый и зеленый (White Green) | BB215 |
Кроме диодов
На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:
- устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
- стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
- SMD элементы.
Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.
Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.
Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.
Что такое SMD
Прежде всего, что означает «SMD» и откуда такое странное название? Все очень просто: это аббревиатура от английского выражения Surface Mounted Device, означающего прибор, монтируемый на поверхность.
То есть, в отличие от обычной радиодетали, ножки которой вставляются в отверстия в печатной плате и припаиваются с другой ее стороны, smd прибор просто накладывается на контактные площадки, предусмотренные на плате, и с этой же стороны припаивается.
Технология поверхностного монтажа не только позволила уменьшить габариты элементов и плотность элементов на плате, но и существенно упростила сам монтаж, с которым сегодня легко справляются роботы. Автомат прикладывает электронный компонент к нужному месту платы, разогревает это место ИК светом или лазером до температуры плавления нанесенной на площадки паяльной пасты, и монтаж элемента выполнен.
Устаревшие технологии
С развитием технологий электроники, некоторые компоненты постепенно перестают использоваться в новых разработках. Устаревшие технологии могут быть связаны с ограничениями производства, низкой надежностью или устаревшими характеристиками.
Одним из примеров устаревших технологий является транзистор BCP52. Этот транзистор имеет некоторые ограничения, которые делают его неприменимым в некоторых современных разработках. Например, BCP52 имеет низкую максимальную мощность и низкую частоту переключения, что ограничивает его использование в высокочастотных устройствах.
Однако, разработчики всегда ищут альтернативные решения. Существуют множество аналогов для замены транзистора BCP52, которые обладают более современными и улучшенными характеристиками. Некоторые из лучших аналогов включают в себя транзисторы с более высокой максимальной мощностью и частотой переключения, а также улучшенными электрическими параметрами.
При выборе аналога для замены транзистора BCP52, необходимо учитывать требования и спецификации конкретного проекта. Кроме того, необходимо убедиться, что выбранный аналог соответствует требуемым параметрам и характеристикам, чтобы обеспечить оптимальную работу устройства.
В итоге, устаревшие технологии, такие как транзистор BCP52, становятся менее популярными в современных разработках, поскольку существуют более эффективные и современные аналоги. При выборе аналога, рекомендуется обратиться к специалистам, которые помогут подобрать наилучшее решение для конкретной задачи.
