Цоколевка транзистора П214Г
Транзистор П214Г имеет металлический корпус типа ТО-18 с 3 выводами. Ниже представлена цоколевка транзистора:
- База (B) – вывод для подачи управляющего тока.
- Эмиттер (E) – вывод для отвода носителей тока, имеет обратную полярность по отношению к базе.
- Коллектор (C) – вывод для сбора и отвода основного тока, имеет прямую полярность по отношению к базе.
Цоколевка транзистора П214Г является стандартной и соответствует маркировке «КБЭ». Во избежание ошибок при подключении транзистора необходимо внимательно ориентироваться на маркировку выводов и правильно соединять их с соответствующими контактами схемы.
Зарождение элемента
Германий был обнаружен Клеменсом и Винклером в немецком городе Фрайберг в 1886 году. Существование этого элемента предсказывал Менделеев, установив заранее его атомный вес, равный 71, и плотность 5,5 г/см3.
Вам будет интересно:Как выбирать ЖК-телевизор: описание, характеристики
В начале осени 1885 года шахтер, работавший на серебряном руднике Химмельсфюрст близ Фрайберга, наткнулся на необычную руду. Она была передана Альбину Вейсбаху из близлежащей Горной академии, который подтвердил, что это новый минерал. Он в свою очередь попросил своего коллегу Винклера проанализировать добычу. Винклер обнаружил, что в составе найденного химического элемента находится 75 % серебра, 18 % серы, состав остального 7 %-ного объема находки ученый определить не смог.
Вам будет интересно:Схемы электродвигателя звезда и треугольник: виды подключения, особенности и отличия
К февралю 1886 года он понял, что это новый металлоподобный элемент. Когда были протестированы его свойства, стало ясно, что это недостающий элемент в таблице Менделеева, который располагается ниже кремния. Минерал, из которого он произошел, известен как аргиродит – Ag 8 GeS 6. Спустя несколько десятилетий этот элемент будет выступать основой германиевых транзисторов для звука.
Основные характеристики транзистора П214
Транзистор П214 обладает следующими основными характеристиками:
- Максимальное значение тока коллектора (Ic) составляет 100 мА. Это означает, что транзистор способен выдерживать ток до этого значения без риска повреждения.
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Uce) составляет 40 В. Это значит, что при работе транзистора напряжение на коллектор-эмиттер не должно превышать этого значения.
- Коэффициент усиления по току транзистора (hfe) имеет значение в диапазоне от 80 до 700. Это говорит о том, что транзистор способен усиливать ток в указанном диапазоне значений.
- Максимальная мощность, которую транзистор П214 может передать на нагрузку, составляет 300 мВт. Если превысить это значение, транзистор может перегреться и выйти из строя.
- Максимальная частота переключения транзистора (fT) составляет 150 МГц. Это означает, что транзистор можно использовать для работы с сигналами частотой до 150 МГц.
Благодаря своим характеристикам, транзистор П214 может быть использован в различных схемах усиления и коммутации. Он находит применение в радиоэлектронике, телекоммуникационных системах, силовых блоках и других устройствах, где требуется низкочастотное усиление или коммутация сигналов.
Советская «силиконовая долина»
В советское время, в начале 60-х годов, город Зеленоград стал плацдармом для организации в нем Центра микроэлектроники. Советский инженер Щиголь Ф. А. разрабатывает транзистор 2Т312 и его аналог 2Т319, который в последующем стал главным компонентом гибридных цепей. Именно этот человек заложил основу для выпуска в СССР германиевых транзисторов.
В 1964 году на базе Научно-исследовательского института точных технологий создал первую интегральную микросхему IC-Path с 20 элементами на кристалле, выполняющую задачу совокупности транзисторов с резистивными соединениями. В это же время появилась другая технология: были запущены первые плоские транзисторы «Плоскость».
В 1966 году в Пульсарском научно-исследовательском институте начала действовать первая экспериментальная станция по производству плоских интегральных микросхем. В NIIME группа доктора Валиева начала производство линейных резисторов с логическими интегральными схемами.
В 1968 году Исследовательский институт Пульсар произвел первую часть тонкопленочных гибридных ИС с плоскими транзисторами с открытой рамой типов KD910, KD911, KT318, которые предназначены для связи, телевидения, радиовещания.
Линейные транзисторы с цифровыми ИС массового использования (типа 155) были разработаны в Научно-исследовательском институте МЭ. В 1969 году советский физик Алферов Ж. И. открыл миру теорию по управлению электронными и световыми потоками в гетероструктурах на базе арсенид-галлиевой системы.
Модификации
| Тип | Uds | Ugs | Ugs(th) | Pd | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF840 | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 1500 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO220 |
| HIRF840 | 500 V | 30 V | 74 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO220AB | |
| HIRF840F | 500 V | 30 V | 38 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 0.85 Ohm | TO220FP | ||
| IRF840A | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 1018 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO220 |
| IRF840ALPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 155 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO-262 |
| IRF840APBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 155 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840AS | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 1018 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | D2PAK |
| IRF840ASPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 155 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO-263 |
| IRF840B | 500 V | 30 V | 4 V | 134 W | 150 °C | 145 pf | 8 A | 41 nC | 0.8 Ohm | TO-220 |
| IRF840FI | 500 V | 20 V | 40 W | 150 °C | 1500 pf | 4.5 A | 0.85 Ohm | ISOWATT220 | ||
| IRF840I | 500 V | 20 V | 35 W | 150 °C | 270 pf | 8 A | 45 nC | 0.85 Ohm | TO-220CFM | |
| IRF840LC | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840LCLPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-262 |
| IRF840LCPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840LCSPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-263 |
| IRF840LPBF | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO-262 |
| IRF840PBF | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840S | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | D2PAK | |
| IRF840SPBF | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO-263 |
Транзисторы КТ815
Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 1 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.
Технические характеристики П214Г: параметры, которые стоит учитывать
- Тип корпуса: TO-18
- Максимальное значение обратного напряжения (VCEO): 60 В
- Максимальное значение прямого тока коллектора (IC): 0,1 А
- Максимальное значение прямого напряжения коллектор-эмиттер (VCE): 30 В
- Максимальная мощность рассеяния (P): 0,3 Вт
- Коэффициент усиления тока транзистора (hfe): от 15 до 100
- Максимальная рабочая частота (fT): 300 МГц
- Температурный диапазон работы: от -55 до +150 °C
Кроме того, необходимо учитывать особенности схемы подключения транзистора П214Г к другим элементам схемы. Схема подключения может различаться в зависимости от конкретной задачи, которую необходимо решить с помощью данного транзистора. Рекомендуется ознакомиться с дополнительной документацией и руководством пользователя для правильного подключения и использования П214Г в конкретных условиях.
Особенности транзистора П214Б
1. Малая мощность. Транзистор П214Б разработан для работы с небольшими электрическими сигналами. Его номинальная мощность составляет 300 мВт, что позволяет использовать его в различных маломощных устройствах и схемах.
2. Низкое напряжение переключения. Для активации транзистора П214Б требуется низкое напряжение переключения, которое составляет около 0,6 В. Это позволяет использовать его в низковольтных схемах.
3. Высокая частота переключения. Транзистор П214Б обладает высокой частотой переключения, что позволяет использовать его в усилительных цепях и радиоэлектронных устройствах с высокой пропускной способностью.
4. Надежность. Транзистор П214Б отличается надежностью и долговечностью. Он обладает стабильными рабочими характеристиками при различных условиях эксплуатации, что делает его популярным компонентом во многих электронных устройствах.
5. Цоколевка. Транзистор П214Б имеет стандартную цоколевку TO-92, что обеспечивает его удобное подключение в электрические схемы.
В целом, транзистор П214Б представляет собой надежное и универсальное устройство, которое может быть использовано для усиления и коммутации слабых сигналов в различных электронных схемах и устройствах.
↑ Принципиальная схема
Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.
Схема предельно проста, но имеет несколько изюминок.Первая — измерение при фиксированном токе эмиттера (фактически и коллектора), а не базы (идея из журнала «Радио», взята с датагорского форума). Это позволило поставить транзисторы в одинаковые условия и выбрать режим по току, в котором будут работать эти транзисторы.
Вторая
— регулируемый стабилитрон на TL431 позволяет плавно установить ток, с обычными стабилитронами это невозможно, да и подбор пар «стабилитрон+резистор в цепи эмиттера» вызвал бы проблемы. Третья — двухканальная схема и отдельные панельки для P-N-P и N-P-N транзисторов, что упрощает коммутацию, позволяет моментально сравнивать опытную пару и проверять идентичность, изменяя напряжение питания.
Аналоги
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Hfe | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3055 | 117 W | 100 V | 70 V | 7 V | 15 A | 200 °C | 0,2 MHz | 20 | TO3 |
| 2N5630 | 200 W | 120 V | 120 V | 7 V | 20 A | 200 °C | 1 MHz | 20 | TO3 |
| 2N5671 | 140 W | 120 V | 90 V | 7 V | 30 A | 200 °C | 50 MHz | 20 | TO3 |
| 2N6678 | 175 W | 650 V | 400 V | 8 V | 15 A | 3 MHz | от 8 | TO3 | |
| 2N6254 | 150 W | 100 V | 90 V | 7 V | 15 A | 200 °C | 0,8 MHz | 20 | TO3 |
| 2N6322 | 200 W | 300 V | 200 V | 30 A | 200 °C | 40 | TO3 | ||
| 2SC6011 | 160 W | 200 V | 200 V | 15 A | 20 MHz | 50 | TO3P | ||
| BDY58 | 175 W | 160 V | 125 V | 10 V | 25 A | 200 °C | 10 MHz | 20 | TO3 |
| BDY77 | 150 W | 150 V | 120 V | 7 V | 16 A | 200 °C | 0,8 MHz | 40 | TO3 |
| BD130 | 100 W | 100 V | 60 V | 15 A | 1 MHz | 20…70 | TO3 | ||
| BUR52 | 350 W | 350 V | 250 V | 10 V | 60 A | 200 °C | 10 MHz | 20 | TO3 |
| BUS13 | 175 W | 850 V | 400 V | 9 V | 15 A | 200 °C | 30 | TO3 | |
| BUS14 | 250 W | 850 V | 400 V | 9 V | 30 A | 200 °C | 30 | TO3 | |
| BUS52 | 350 W | 350 V | 200 V | 40 A | 200 °C | 20 | TO3 | ||
| BUV12 | 150 W | 300 V | 250 V | 7 V | 20 A | 200 °C | 8 MHz | 20 | TO3 |
| BUV21 | 150 W | 250 V | 200 V | 7 V | 40 A | 200 °C | 8 MHz | 20 | TO3 |
| BUX10 | 150 W | 160 V | 125 V | 7 V | 25 A | 200 °C | 8 MHz | 20 | TO3 |
| BUX48 | 175 W | 800 V | 400 V | 7 V | 15 A | от 8 | TO3 | ||
| BUX48A | 175 W | 1000 V | 450 V | 7 V | 15 A | 200 °C | 30 | TO3 | |
| BUX92 | 300 W | 500 V | 500 V | 60 A | 200 °C | 5 MHz | 30 | TO3 | |
| MJ10005 | 175 W | 500 V | 400 V | 8 V | 20 A | 200 °C | 40 | TO3 | |
| MJ10016 | 250 W | 700 V | 500 V | 8 V | 60 A | 200 °C | 25 | TO3 | |
| MJ10022 | 250 W | 450 V | 350 V | 8 V | 40 A | 200 °C | 50 | TO3 | |
| MJ10023 | 250 W | 600 V | 400 V | 8 V | 40 A | 200 °C | 50 | TO3 | |
| MJ15026 | 250 W | 200 V | 250 V | 7 V | 16 A | 200 °C | 4 MHz | 25 | TO3 |
| MJL21194 | 200 W | 250 V | 16 A | 4 MHz | 25 | TO3PBL TO264 | |||
| MJL21196 | 200 W | 250 V | 16 A | 4 MHz | 25 | TO3PBL TO264 | |||
| MJL3281A | 200 W | 260 V | 15 A | 30 MHz | 75 | TO3PBL TO264 | |||
| MJL4281A | 230 W | 350 V | 15 A | 35 MHz | 80 | TO3PBL TO264 | |||
| MJ15015 | 180 W | 200 V | 120 V | 7 V | 15 A | 1 MHz | 20…70 | TO3 | |
| MJ15015G | 180 W | 200 V | 120 V | 7 V | 15 A | 1 MHz | 20…70 | TO3 | |
| MJ12022 | 175 W | 850 V | 450 V | 6 V | 15 A | 15 MHz | от 5 | TO3 | |
| NJW0302 | 150 W | 250 V | 15 A | 30 MHz | 75 | TO3P | |||
| NJW1302 | 200 W | 250 V | 15 A | 30 MHz | 75 | TO3P | |||
| NJW21194 | 200 W | 250 V | 15 A | 4 MHz | 20 | TO3P | |||
| SK3260 | 150 W | 160 V | 140 V | 7 V | 30 A | 200 °C | 0,8 MHz | 75 | TO3 |
| SM1258 | 250 W | 400 V | 50 A | 200 °C | 20 MHz | 20 | TO3 |
В качестве отечественного производителя могут подойти транзисторы 2Т808А, КТ819ГМ.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30. У транзисторов КТ815Г — от 20.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: У транзисторов КТ815А — 25 в. У транзисторов КТ815Б — 45 в. У транзисторов КТ815В — 60 в.
80
Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.
Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более 1,2 в.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.
Граничная частота передачи тока — 3 МГц.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
↑ Техническое задание
Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п. Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.
Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.
Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.
Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.
Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.
Практическое применение транзистора П214Г: важные области применения
Важной областью применения транзистора П214Г является электроника. Благодаря своей структуре и возможности управления усилением сигнала, этот транзистор может быть использован в схемах усиления, инверторах, генераторах и других электронных устройствах
Еще одной важной областью применения транзистора П214Г является светодиодная техника. Так как светодиоды требуют определенного тока для своей работы, используется специальная схема подключения, в которую включается транзистор П214Г
Он позволяет регулировать ток, поступающий на светодиоды, и обеспечивает стабильную работу светодиодной техники.
В области автоматизации и робототехники транзистор П214Г также находит применение. Он может быть использован для управления двигателями, реле, соленоидами и другими электромеханическими устройствами. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор обеспечивает эффективное управление и надежную работу устройств.
Также, транзистор П214Г может быть использован в системах управления освещением, зарядных устройствах, источниках питания, аудиоусилителях и других аппаратах, где требуется управление током или усиление сигнала.
В заключение, транзистор П214Г является многофункциональным устройством, которое может быть использовано в различных сферах. Его основные области применения включают электронику, светодиодную технику, автоматизацию и робототехнику, системы управления и другие. Благодаря своим характеристикам и возможностям, этот транзистор отлично справляется со своими задачами и может быть надежным компонентом в различных устройствах и системах.