Биполярный транзистор BDW83C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDW83C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора:
BDW83C
Datasheet (PDF)
..1. Size:222K inchange semiconductor bdw83 bdw83a bdw83b bdw83c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW83/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 15ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 6AFE CComplement to Type BDW84/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =
..2. Size:218K inchange semiconductor bdw83c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW83CDESCRIPTIONCollector Current -I = 15ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 6AFE CComplement to Type BDW84CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
9.1. Size:67K st bdw83 bdw84.pdf
BDW83CBDW84CCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONTRANSISTORS BDW83C IS A SGS-THOMSON PREFERREDSALESTYPE COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS 3 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL2EQUIPMENT1DESCRIPTION TO-218The BDW83C is a silicon epitaxial-base NPNpower monolithic Darlington transis
9.2. Size:220K inchange semiconductor bdw83d.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW83DDESCRIPTIONCollector Current -I = 15ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 6AFE CComplement to Type BDW84DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
9.3. Size:123K inchange semiconductor bdw83 83a 83b 83c 83d.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDW83/83A/83B/83C/83D DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified ou
Другие транзисторы… BDW74
, BDW74A
, BDW74B
, BDW74C
, BDW74D
, BDW83
, BDW83A
, BDW83B
, 2SD669
, BDW83D
, BDW84
, BDW84A
, BDW84B
, BDW84C
, BDW84D
, BDW91
, BDW92
.
Цоколевка
КТ826А представляет собой германиевый транзистор с пластмассовым корпусом. Он имеет трехэлементную цоколевку, состоящую из трех выводов, размещенных на одной стороне корпуса. Каждый вывод выполняет свою функцию и имеет свою обозначение:
- База (B) — обозначена символом «B». Этот вывод используется для управления транзистором и подключается к управляющей цепи.
- Эмиттер (E) — обозначен символом «E». Этот вывод является выходом транзистора и подключается к потребителю тока или нагрузке.
- Коллектор (C) — обозначен символом «C». Этот вывод также является выходом транзистора и подключается к потребителю тока или нагрузке.
Следует отметить, что при монтаже транзистора необходимо правильно подключить каждый вывод на печатную плату или в проводниковую систему для обеспечения корректной работы устройства.
Биполярный транзистор: внешний вид, составные элементы, конструкция корпуса — кратко
Сразу стоит определиться, что биполярный транзистор (bipolar transistor) создан для работы в цепях постоянного тока, где и используется. Сократим его название до БТ.
На фотографии ниже показал насколько разнообразные формы он имеет. А ведь этот небольшой ассортимент мной высыпан из одной маленькой коробочки.
Транзисторный корпус может быть изготовлен из пластмассы или металла в виде параллелепипеда, цилиндра, таблетки различной величины. Общими элементами являются три контактных штыря, созданные для подключения к электрической схеме.
Эти выводы необходимо различать в технической документации, правильно подключать при монтаже. Поэтому их назвали:
- Э (E) — эмиттер;
- К (C) — коллектор;
- Б (B) — база.
Буквы в скобках используются в международной документации.
Основной метод соединения БТ в электрических схемах — пайка, хотя допускаются и другие.
Габариты корпуса и контактных выводов зависят от мощности, которую способен коммутировать этот модуль. Чем выше проектная нагрузка, тем большие размеры вынуждены создавать производители для обеспечения надежной работы и отвода опасного тепла.
Общеизвестно, что полупроводниковые переходы не способны выдерживать высокий нагрев — они банально перегорают. Поэтому все мощные корпуса выполняются из металла и снабжаются теплоотводящими радиаторами.
В особо ответственных узлах для них дополнительно создается принудительный обдув струями воздуха. Этим приемом значительно повышается надежность работы системных блоков компьютеров, ноутбуков, сложной электронной техники.
Любой БТ состоит из трех полупроводниковых переходов p и n типа, как обычный диод. Только у диода их меньше: всего два. Он способен пропускать ток всего в одну сторону, а в противоположную — блокирует.
Bipolar transistor создается по одной из двух схем соединения полупроводниковых элементов:
- p-n-p, называемую прямым включением;
- n-p-n — обратным.
При обозначении на схемах их рисуют одинаково, но с небольшими отличиями вывода эмиттера:
- прямое направление: стрелка нацелена на базу;
- обратное — стрелка показывается выходом из базы наружу элемента.
Указатель стрелки эмиттера показывает положительное направление тока через полупроводниковый переход.
Транзисторные пары в усилительных каскадах
Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.
Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.
Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.
Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.
Преимущества и недостатки
Транзистор КТ826А обладает рядом преимуществ и недостатков, которые важно учитывать при его использовании:
- Преимущества:
- Широкий диапазон рабочих напряжений, что позволяет использовать транзистор в различных электронных схемах.
- Высокая надежность работы и стабильность параметров в течение длительного времени.
- Относительно низкие затраты на приобретение транзистора.
- Простая цоколевка и удобная компоновка выводов, что облегчает процесс монтажа.
- Недостатки:
- Низкая мощность транзистора, что ограничивает его применение в схемах с большими нагрузками.
- Относительно низкая скорость работы, что может замедлять процесс коммутации сигналов.
- Ограниченный выбор аналогов и совместимых схем для данного транзистора.
- Повышенное тепловыделение при работе на максимальных нагрузках, требующее обеспечения эффективного охлаждения.
При выборе транзистора КТ826А для конкретной схемы или проекта важно учесть данные преимущества и недостатки, а также задачи, которые нужно решить. Только тщательный анализ позволит принять обоснованное решение и достичь желаемых результатов
P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
SOT-23
|
-20 В |
P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23 |
|
|
P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23 |
||
|
-30 В |
P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23 |
|
|
P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23 |
PQFN 2×2 мм, 3×3 мм
|
-20 В |
P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2 |
|
|
-30 В |
||
|
P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33 |
||
|
P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2 |
SO-8 и TSOP-6
|
-30 В |
IRFTS9342TRPBF |
P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6 |
|
P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8 |
PQFN 5×6мм
|
-30 В |
P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6 |
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
| Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 300 | ≥ 1000 | TO-220 | |
| КТ716А/Б | 60 | 100/80 | 100/80 | 5 | 8/10 | 150 | 6 | 150 | от 500 до 750 | TO-220, TO-66 |
| КТ8116А/Б | 65 | 100 | 5 | 4 | — | 1000 | TO-220 | |||
| КТ8116А/Б | 25 | 100 | 3 | 4 | — | 1000 | DPAK | |||
| КТ8141А | 60 | 100 | 100 | 8 | 7 | — | 750 | TO-220 | ||
| КТ8147А/Б | 100 | 700/500 | — | 8 | 10 | 5 | — | 5 | — | |
| КТ8158В | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 5 | — | 2500 | TO-218 |
Зарубежное производство
| Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | ≥ 1000 | TO-220 |
| NTE261 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| NTE263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| RCA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| SE9302 | 70 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| TIP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| TIP132 | 70 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| WW263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 2N6045G | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220AB |
| 2SD498 | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 3DA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 3DA142T | 80 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
| 3DD122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
| BDW93C | 80 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 15000 | TO-220 |
| CFD811 | 65 | 110 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220FP |
| HEPS9151 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| HP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| HP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
| HP142T/TS | 80/70 | 100 | 100 | 5 | 10/8 | 150 | 1000 | TO-220 |
| MJE6045/T | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 TO-220AB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.
Обзор
Основные характеристики транзистора КТ826А:
| Максимальный коллекторный ток (Icмакс) | 100 мА |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэмакс) | 45 В |
| Максимальная мощность потери (Pдоп) | 300 мВт |
| Коэффициент усиления (h21e) | не менее 100 |
Транзистор КТ826А имеет трехэлементную цоколевку типа ТО-92, что обеспечивает удобное подключение к схеме. Он может работать в широком диапазоне температур от -55°С до +150°С.
Основное применение транзистора КТ826А — усиление и коммутация электрических сигналов в радиоэлектронных устройствах, включая радиоприемники, усилители мощности и другие устройства.
В заключение, транзистор КТ826А является надежным и универсальным элементом электроники, который можно применять в различных устройствах. Его высокие характеристики и доступная цена делают его отличным выбором для проектов любого уровня сложности.
Технические параметры
Основные параметры транзистора КТ826А:
- Максимальная коллекторная-базовая напряжение (Uкб): 60 В;
- Максимальная коллекторно-эмиттерная напряжение (Uкэ): 30 В;
- Максимальный континуальный коллекторный ток (Iк): 20 А;
- Максимальный пиковый коллекторный ток (Iкп): 40 А;
- Максимальная мощность потери в кристалле (Pк): 175 Вт;
- Тепловое сопротивление от кристалла до корпуса (Rthjc): 0,33 °C/Вт.
Также важно отметить некоторые дополнительные характеристики:
- Максимальная рабочая частота (fmax): 30 МГц;
- Усиление по току (hfe): 10-20;
- Температурный диапазон работы: -65…+200 °C;
- Корпус: металлокерамический;
- Масса: не более 15 г.
Технические параметры транзистора КТ826А обеспечивают его широкое применение в различных радиолюбительских и профессиональных устройствах.
Аудио MOSFET транзисторы класса D
Все корпуса
|
Наим-е |
Корпус |
Напряжение пробоя |
Rds(on) тип. (10 В) |
Ток стока (25°C) |
Заряд затвора |
Класс |
| IRFI4024H-117P |
5-pin TO-220 |
55V |
48 mOhm |
11 A |
8.9 nC |
Consumer |
| IRFI4212H-117P |
5-pin TO-220 |
100V |
58 mOhm |
11 A |
12 nC |
Consumer |
| IRFI4019H-117P |
5-pin TO-220 |
150V |
80 mOhm |
8.7 |
13 nC |
Consumer |
| IRFI4020H-117P |
5-pin TO-220 |
200V |
80 mOhm |
9.1 A |
19 nC |
Consumer |
| IRF6665TRPBF |
DirectFET SH |
100V |
53 mOhm |
19 A |
8.7 nC |
Consumer |
| IRF6645TRPBF |
DirectFET SJ |
100V |
28 mOhm |
25 A |
14 nC |
Consumer |
| IRF6644TRPBF |
DirectFET MN |
100V |
10 mOhm |
60 A |
35 nC |
Consumer |
| IRF6775MTRPBF |
DirectFET MZ |
150V |
56 mOhm |
28 A |
25 nC |
Consumer |
| IRF6785MTRPBF |
DirectFET MZ |
200V |
85 mOhm |
15 A |
26 nC |
Consumer |
| IRF6648TRPBF |
DirectFET MN |
60V |
5.5 mOhm |
86 A |
36 nC |
Consumer |
| IRF6668TRPBF |
DirectFET MZ |
80V |
12 mOhm |
55 A |
22 nC |
Consumer |
| IRF6646TRPBF |
DirectFET MN |
80V |
7.6 mOhm |
68 A |
36 nC |
Consumer |
| IRFB4212PBF |
TO-220 |
100V |
72.5 mOhm |
18 A |
15 nC |
Industrial |
| IRFB4019PBF |
TO-220 |
150V |
80 mOhm |
17 A |
13 nC |
Consumer |
| IRFB5615PBF |
TO-220 |
150V |
32 mOhm |
35 A |
26 nC |
Industrial |
| IRFB4228PBF |
TO-220 |
150V |
12 mOhm |
83 A |
72 nC |
Industrial |
| IRFB4020PBF |
TO-220 |
200V |
80 mOhm |
18 A |
18 nC |
Consumer |
| IRFB4227PBF |
TO-220 |
200V |
19.7 mOhm |
65 A |
70 nC |
Industrial |
| IRFB5620PBF |
TO-220 |
200V |
60 mOhm |
25 A |
25 nC |
Industrial |
| IRFP4668PBF |
TO-247 |
200V |
8 mOhm |
130 A |
161 nC |
Industrial |
| IRFB4229PBF |
TO-220 |
250V |
38 mOhm |
46 A |
72 nC |
Industrial |
| IRFP4768PBF |
TO-247 |
250V |
14.5 mOhm |
93 A |
180 nC |
Industrial |
Транзистор
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.
Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.
Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.
Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.
За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.
Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.
Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.
https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0
Графические данные
Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В
Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100
Рис. 4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB.
Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.
Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.
Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.
Области безопасной работы ограничиваются:
- по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
- по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
- по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.
Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815(L) | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 6 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815LT1 | 0,225 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | — | — | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | Маркировка: L6 |
| 2SC1815M (BR3DG1815M) | 0,3 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB |
| 2SC1815 M | 0,3 | 45 | 40 | 5 | 0,1 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | TO-92B | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| C1815T | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR |
| CSC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| FTC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| KSC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | 1 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/L |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: Y/GR |
