Транзистор КТ8110А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

• КТ834;
• КТ841;
• КТ844;
• КТ847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

• 2 N6288 ;
• BD705 ;
• TIP41 ;
• BD533 .

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

Аналоги

Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC/ICP	TJ	UCE (sat)	UBE (sat)	fT	Cob	hFE	Корпус	Временные параметры: ton / tstg / tf мкс
2SC4106	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
КТ840А	60	900	400	5	6 / 8	150	0,6	1,5	8…15	—	10…100	TO-3	0,2 / 3,5 / 0,6
КТ840Б	750	350	5	—
КТ840В	800	375	5	—
КТ841А	50	600	350	5	10 / 15	150	1,5	2,2	10…25	300	12…45	TO-3	0,08 / 0,8 / 0,5
КТ841Е	800	400
КТ841Д	500	400
КТ854А	60	600	500	5	10 / 15	150	2	—	10	—	20	TO-220AB	—
2Т856А	125	—	950	5	10 / 12	—	1,5	—	—	—	10…60	TO-3	— / — / 0,5
2Т856Б	—	750	—	—	—	—
2Т856В	—	550	—	—	—	—
2Т856Г	—	850	—	—	—	—
КТ858А	60	400	400	6	7 / 10	150	1	1,2	—	—	10	TO-220AB	— / 2,5 / 0,75
КТ859А	40	800	800	10	3 / 4	150	1,5	1,4	—	—	10	TO-220AB	0,35 / 3,5 / 0,35
КТ862В	50	600	400	5	10 / 15	150	1,5	1,6	20…30	250	12…50	TO-3	0,4 / 2 / 0,5
КТ868А	70	900	400	5	6 / 8	150	1,5	—	8	—	10…100	TO-3	—
КТ868Б	750	375	6 / 8	150	—	—	—
КТ8110	60	500	500	7	7 / 14	175	0,8	1,5	—	—	15…30	—	0,7 / 2,5 / 0,7

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC/ICP	TJ	UCE (sat)	UBE (sat)	fT	Cob	hFE	Корпус	Временные параметры: ton / tstg / tf мкс
2SC4106	50	500	400	7	7 / 14	150	0,8	1,5	20	80	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC3158	60	500	400	7	7	—	1	1,2	—	—	20	TO-220F	1 / 2,5 / 1
2SC4055	60	600	450	7	8	180	1	1,5	20	—	100	TO-220	0,5 / 2 / 0,2
2SC4105	40	500	400	7	4 / 8	150	0,8	1,5	20	50	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4107	60	500	400	7	10 / 20	150	0,8	1,5	20	120	10…50	TO-220C	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4108	100	500	400	7	12 / 25	150	0,8	1,5	20	160	10…50	TO-3PB	0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4109	140	500	400	7	16 / 32	150	0,8	1,5	20	230	10…50	TO-3PN	0,5 / 2,5 / 0,3
3DK3039	50	500	400	7	7	175	1	1,5	—	—	25	TO-220 ٭	1 / — / 1
SGSD00020	70	650	400	—	8	175	—	—	—	—	1000	TO-220	—
SGSF341	85	850	400	—	10	175	—	—	—	—	—	TO-220	—
SGSF343	85	1000	450	—	8	175	—	—	—	—	—	TO-220	—
SGSF344	85	1200	600	7	7	175	1,5	1,5	—	—	—	TO-220	1,2 / 3,5 / 0,4
SM2175	60	—	400	—	15	200	—	—	20	—	200	TO-220	—
BUL128	70	700	400	9	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…40	TO-220	— / 3 / 0,4
BUL128B-D	70	700	400	9…18	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…32	TO-220	— / 0,6 / 0,1
BUL128DR7	75	700	400	9	4	150	0,8	1,2	7	—	10…40	TO-220	— / 4 / 0,8
BUL128DR8	75	700	400	9	4	150	0,8	1,2	7	—	10…40	TO-220F	— / 4 / 0,8
BUL128FP	31	700	400	9	4 / 8	150	1,5	1,3	—	—	10…45	TO-220FP	— / 2,9 / 0,4

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами. И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения. КТ819 имеет серьезные минусы:

1. низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;

1. плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги. Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3: MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

• КТ818ГМ — 2N2955
• КТ819ГМ — 2N3055
• 2Т819А — 2N5068

8 thoughts on “ КТ819 параметры ”

Не считаю, что низкий коэффициент передачи тока, данных транзисторов, являлся серьезным минусом, при использовании в выходных каскадах УМЗЧ. Скорее наоборот, особенно в экономичном режиме усиления АБ, когда часть работы выходного каскада брал на себя предварительный. К тому-же, многокаскадность позволяет использовать разнообразные цепи коррекции АЧХ. А для любых биполярных транзисторов, в таком применении, без этого никак не обойтись. А для простых, но мощных УНЧ (мегафонных, сиренных…), да, не очень подходят. Только для схематично-сложных Hi-Fi. Разброс КПТ, при его изначальной малости, тоже довольно мал, так что подобрать пару несложно, не путайте с 825-ми и 827-ми. По настоящему хороши 2Т818ГМ, 2Т819ГМ и их аналоги 2N2955, 2N3055.

Много «дохлых» попадается среди непользованных 818/819, с утечкой, звонящихся между коллектором и эмиттером.

Для пары КТ819 и КТ818 небольшие начальные утечки тока почти норма, и при их прямой замене на зарубежные аналоги, придется провести тщательную перенастройку всех предыдущих каскадов, включенных в обратную связь по току. Паразитная проводимость обязательно учитывается при проектировании схем, и даже в некоторых случаях предотвращает самовозбуждение. И если речь идет о замене транзистора в высококлассном многокаскадном УМЗЧ, то лучше будет после этого сделать настройку с помощью осциллографа и генератора низкой частоты.

Транзисторы с утечкой в выходном каскаде — ни ток покоя, ни ноль на выходе уже не выставишь без плясок с бубном.

Помню времена , когда за пару 818-819 нужно было отвалить чуть-ли не ползарплаты инженера.Зато усилители радовали. Сегодня вытеснила интегральная электроника — дискретную. Но для тренировки ума и рук — очень полезная деталь. Я, кстати, просто как ленивый радиолюбитель рассуждаю.

Ну, те что в железе, действительно, были дороговаты… Правда, у радиоинженера были возможности их просто выписать на складе, сдав взамен сгоревшие, для отчетности ) А те, что пошли попозже и были одеты в пластик, дорого уже не стоили. И не потому, что так уж хуже были по параметрам, а потому, что технология производства гораздо проще и дешевле. Сегодня ситуация не изменилась — один и тот же кристалл одетый в железо стоит на порядок (!) дороже аналогичного в пластике. Это касается и отечественных и зарубежных транзисторов.

Ребята, используйте 2Т819 и никакой 2N3055 вам не понадобится!

Ну. Всё захаили всё советское это не так,это не то,всё гавно -а. забугорное не гавно- это сладость. Как ламповые уселители так и транзисторные. Радиотехника… Бердский радиозавод. и т.д. Что-то все хотели купить 1 класса . и 0 высшего. А кто знает какого параметра была ихняя электроника ?Вы кто-то производил снятия характеристик?Я давно выписываю журнал Радио. И не надо хаить советскую радиопромышленность. Что то сейчас в тренде опять советские ламповые уселители.

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

• первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
• после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
• затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
• ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера. Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора

С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Рис. 7. Графики изменений временных параметров t_on, t_s, t_f при изменении коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания U_CC = 200 В и соотношении токов: I_C = 5I_B1 = -2,5I_B2, (t_stg = t_s).

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса T_c = 25°C. Ограничения:

— по току коллектора для постоянного тока — I_C (режим DC OPERATION), для однократного импульса — I_CP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;

— по напряжению U_CEO = 400 В;

— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).

Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер U_CE(sus) = 500 В.

Характеристика снята при температуре корпуса T_c = 25°C. Величина постоянного тока смещения базы I_B2 = -1,2 А. Величина индуктивности нагрузки L = 100 мкГн (пояснения на поле рисунка).

Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды T_a.

Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).