C5198 transistor characteristics
output characteristics of the C5198 transistor
The figure shows the output characteristics of the C5198 transistor, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.
In a varying base current, the collector current increases at a different level with respect to the collector to emitter voltages.
At the higher base current value, the collector current increases quickly with small variations at voltages.
DC current gain characteristics of the C5198 transistor
The figure shows the DC current gain characteristics of the C5198 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.
At a fixed collector to emitter voltage, the gain value of the transistor increases from a fixed value.
C5198 vs C5200 vs 2SC2581
In the table, we listed the electrical specification comparison of C5198 vs C5200 vs 2SC2581, this is helpful for a better understanding and also for the replacement process.
| Characteristics | C5198 | C5200 | 2SC2581 |
|---|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 140V | 230V | 200V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 140V | 230V | 140V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 5V | 5V | 6V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | 0.3 to 2V | 0.4 to 3V | 2V |
| Collector current (IC) | 10A | 15A | 10A |
| Power dissipation (PD) | 100W | 150W | 100W |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to +150°C | -55 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 30MHZ | 30MHZ | 20MHZ |
| Gain (hFE) | 35 to 160hFE | 35 to 160hFE | 30hFE |
| Package | TO-3P | TO-264 | TO-3P |
Производители
Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.
Voltage specs
The terminal voltage specs of the C5198 transistor are collector to base and collector to emitter voltage value is 140V and emitter to base voltage is 5V, the voltage specs of the transistor shown that these transistors are good at POWER amplifiers.
The collector to emitter saturation voltage value is 0.3V to 2V, it is the region switching speed of the transistor.
The voltage specifications of the C5198 transistor are higher, this is why these transistors are used in POWER amplifier applications.
Current specs
The collector current value is 10A, and the current value of a transistor shows the maximum load capacity of the transistor.
The current value shows that the C5198 transistor is capable of switching applications.
Current gain specs
The current gain value of the C5198 transistor is 33 to 160hFE, it is the amplification capacity of a transistor device.
Transition frequency
The bandwidth transition frequency value of the C5198 transistor is 30MHz, this transistor had a low-frequency range.
BC559 Datasheet (PDF)
..1. Size:107K motorola bc559 bc560.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC559/DLow Noise TransistorsPNP SiliconBC559, B, CBC560CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating S
..2. Size:49K philips bc559 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC559PNP general purpose transistor1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor BC559FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector
..3. Size:43K fairchild semi bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
..4. Size:125K onsemi bc559.pdf
BC559Low Noise TransistorsPNP SiliconMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC559 BC560 Unithttp://onsemi.comCollector-Emitter Voltage VCEO -30 -45 VdcCollector-Base Voltage VCBO -30 -50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current Continuous IC -100 mAdcTotal Device Dissipation @ PD mW1TA = 25C 62523Derate above 25C 5.0 mW/CTotal Device Dissipation @ P
..5. Size:298K cdil bc559 bc560.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC559, B, CBC560, B, CTO-92Plastic PackageLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BC559 BC560 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 30 45 VVCBOCollector Base Voltage 30 50 VVEBOEmit
..6. Size:28K kec bc559 bc560.pdf
SEMICONDUCTOR BC559/560TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW NOISE APPLICATION. B CFEATUREFor Complementary with NPN Type BC549/550.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )C 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27BC559 -30G 0.85VCBOCollector-Base Voltage VH 0.45BC560 -50 _H J 14.00 + 0.50K
0.1. Size:349K onsemi bc556abu bc556ata bc556bta bc556btf bc556btfr bc557ata bc557bta bc557btf bc558bta bc559bta bc559cta bc560cta.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
0.2. Size:80K diotec bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf
BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1711
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
2N1711
Datasheet (PDF)
..1. Size:623K rca 2n1711.pdf
..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit
..3. Size:46K st 2n1711.pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..4. Size:47K st 2n1711 .pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf
http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com
..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE
..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf
9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.
Отечественно производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 100 — 300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| КТ6117А | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-250 | 100 | 6 | — | — | КТ-26 | Тот же TO-92 |
| КТ6127И | 0,6 | — | 160 | 4 | 2 | 150 | ≥ 30 | ≥ 150 | 74 | — | — | КТ-26 | Тот же TO-92 |
| КТ6127К | 0,6 | — | 200 | 4 | 2 | 150 | ≥ 30 | ≥ 150 | 74 | — | — | КТ-26 | Тот же TO-92 |
| КТ683А | 1,2 | 150 | 150 | 7 | 1 | 150 | 40-120 | 50 | 15 | — | — | SOT-32 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 |
| 2N5550 | 0,625 | 160 | 140 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 100-300 | 6 | 10 | 50-200 | TO-92 |
| 2N5175 | 0,2 | 130 | 100 | 5 | 0,025 | 125 | 55 | — | — | — | — | TO-98-1 |
| 2SC6136 | 0,5 | 600 | 285 | 8 | 0,7 | 150 | 60-200 | — | — | — | — | TO-92 |
| 2SD1701 | 0,75 | 1700 | — | 8 | 0,8 | 150 | 10000 | — | — | — | — | TO-92 |
| ECG194 | 0,35 | 180 | 160 | — | 0,6 | 150 | 100 | 100 | — | — | — | TO-92 |
| HEPS0005 | 0,31 | 180 | 160 | — | 0,6 | 150 | 160 | 200 | — | — | — | TO-92 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Технические характеристики 2n5401
Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:
- напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = -160 В;
- напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = -150 В;
- напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = -5 В;
- ток через коллектор Iк max (IC) = 600 мА;
- максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
- для корпуса ТО-92 Pк max (PD) = 0,625 Вт;
- для корпуса SOT-89 Pк max (PD) = 0,5 Вт
- для корпуса SOT-23 Pк max (PD) = 0,35 Вт.
- максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) Pк max (PD) = 1,5 Вт;
- температура рабочая и хранения Tstg = -50 … +150°С;
- предельная температура кристалла Тj = 150°С.
Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров
В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения»
При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C) | |||||
| Параметры | Обозн. | Условия измерения | min | max | Ед. изм |
| Напряжение пробоя К –Э | Uкэ(проб.) | IК=-1,0мA, IБ=0 | -150 | В | |
| Напряжение пробоя К – Б | Uкб(проб.) | IК=-100мкA, IЭ=0 | -160 | В | |
| Напряжение пробоя Э – Б | Uэб(проб.) | IЭ=-10мкA, IК=0 | -5 | В | |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | Uкб=-120В, IЭ=0 | -50 | нА | |
| Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С | -50 | мкА | |||
| Обратный ток эмиттера | Iэбо | Uэб= — 3 В, IК=0 | -50 | нА | |
| Статический к-т передачи тока | h21э | IК=-1 мA, Uкэ=-5В | 50 | 240 | |
| IК=-10мA, Uкэ=-5В | 60 | ||||
| IК=-50мA, Uкэ=-5В | 50 | ||||
| Напряжение насыщения К — Э | Uкэ(нас.) | IК=-10мA, IБ=-1мA | -0,2 | В | |
| IК=-50мA, IБ=-5мA | -0,5 | ||||
| Напряжение насыщения Б — Э | Uбэ(нас.) | IК=-10мA, IБ=-1мA | -1 | В | |
| IК=-50мA, IБ=-5мA | -1 | ||||
| Граничная частота к-та передачи тока | fгр | Uкэ=-10B,IК=-10мA | 100 | 300 | МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода | Cк | Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц | 6 | пФ | |
| К-т шума | Кш | IК=-250мкA, Uкэ=-5В,
RS =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц |
8 | дБ |
Импортные и отечественные аналоги
Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.
Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).
В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.
| Тип | VCEO, В | IC, мA | PC, мВт | hFE | fT, МГц | Цоколевка (слева направо) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC547 | 50 | 100 | 500 | 110-800 | 300 | кбэ |
| Отечественное производство | ||||||
| КТ3102 | 20-50 | 100 | 250 | 100-1000 | от 150 | + (кбэ) |
| Импорт | ||||||
| BC171 | 45 | 100 | 350 | 120-800 | 150 | + (кбэ) |
| BC182 | 50 | 100 | 350 | 120-500 | 100 | + (кбэ) |
| BC237 | 45 | 100 | 500 | 120-460 | 100 | + (кбэ) |
| BC414 | 45 | 100 | 300 | 120-800 | 200 | + (кбэ) |
| BC447 | 80 | 300 | 625 | 50-460 | от 100 | + (кбэ) |
| BC550 | 45 | 200 | 500 | 110-800 | 300 | + (кбэ) |
| 2SC2474 | 30 | 100 | 310 | 20 | 2000 | + (кбэ) |
| 2SC828A | 45 | 100 | 400 | 130-520 | 220 | — (экб) |
| 2SC945 | 50 | 100 | 250 | 150-450 | от 150 | — (экб) |
Примечания:
- У КТ3102 значения VCEO и hFE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
- В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
- Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.