Назначение контактов
Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.
Графическое обозначение
Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.
Распиновка
Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D 2 PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.
Как проверить работоспособность микросхемы TL431
Микросхема имеет достаточно сложную внутреннюю структуру, поэтому проверить её одним тестером нельзя. В любом случае придется собирать какую-то схему. Если есть регулируемый источник питания, то потребуется три резистора и светодиод.
Напряжение источника питания должно быть не более 36 В. R1 выбирается так, чтобы при максимальном напряжении ток через светодиод не превысил 10-15 мА. Соотношение R1 и R3 должно быть таким, чтобы при максимальном напряжении источника на R3 падало более 2,5 В, а лучше – больше 3. При повышении выходного напряжения от 0 В до достижения на R3 порога светодиод вспыхнет, а значит микросхема исправна. Светодиод можно не устанавливать, а просто замерить напряжение на катоде – оно должно скачкообразно измениться.
Если регулируемого источника нет, а есть блок питания с постоянным напряжением, придется вместо R3 применить потенциометр. При вращении движка в обе стороны, светодиод должен загораться и гаснуть.
Рынок электронных компонентов предлагает очень широкий спектр интегральных стабилизаторов напряжения. Но и область применения очень обширна, поэтому свою нишу на рынке имеют многие типы микросхем. Включая TL431.
Смотрите это видео на YouTube
Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Режимы работы, описание характеристик и назначение выводов микросхемы NE555
Принцип работы и основные характеристики стабилитрона
Что такое компаратор напряжения и для чего он нужен
Как сделать реле времени своими руками?
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1ЭДИ20Н12АФ
ИС драйвера одноканального MOSFET и GaN HEMT
Инфинеон
ПДФ
1EDI60N12AF
ИС драйвера затвора одноканального МОП-транзистора
Инфинеон
ПДФ
2SB1017
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
2SK1282
N-канальный силовой МОП-транзистор на полевых транзисторах
НЭК
ПДФ
2SK1282-Z
N-канальный силовой МОП-транзистор на полевых транзисторах
НЭК
ПДФ
74ACT245
Октальный двунаправленный трансивер
Фэирчайлд Полупроводник
ПДФ
АБС10У
1.
0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС2У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС4У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС6У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС8У
1. 0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АК1573
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ
АК1573Б
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ
АК1573С
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ
Графические данные характеристик
Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.
Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.
Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.
Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.
Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.
Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.
Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.
Модификации транзистора
| Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44N | 83 W | 55 V | 10 V | 4 V | 175 °C | 41 A | 62 nC | 0.024 Ohm | TO-220AB | |
| AUIRFZ44N | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-220AB | |
| AUIRFZ44NL | 94 W | 55 V | 20 V | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-262 | |||
| AUIRFZ44NS | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | D2PAK | |
| IRFZ44NL | 110 W | 55 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 49 A | 42 nC | 0.022 Ohm | TO-262 | |
| IRFZ44NLPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-262 |
| IRFZ44NPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-220AB |
| IRFZ44NS | 110 W | 55 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 49 A | 42 nC | 0.022 Ohm | D2PAK | |
| IRFZ44NSPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-263 |
| LIRFZ44N | 94 W | 55 V | 20 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 0.0175 Ohm | TO-220 |
Примечания:
- Pd — Максимальная рассеиваемая мощность.
- Uds — Предельно допустимое напряжение сток-исток.
- Ugs — Предельно допустимое напряжение затвор-исток.
- Ugs(th) — Пороговое напряжение включения.
- Tj — Максимальная температура канала.
- Cd — Выходная емкость.
- Id — Максимально допустимый постоянный ток стока.
- Qg — Общий заряд затвора.
- Rds — Сопротивление сток-исток открытого транзистора.
Основные характеристики
Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):
- Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
- Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
- Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
- Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт
Максимальные значения
Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.
Тепловые параметры
Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.
Электрические параметры
Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Datasheet Download — Fairchild Semiconductor
| Номер произв | KSP44 | ||
| Описание | High Voltage Transistor | ||
| Производители | Fairchild Semiconductor | ||
| логотип | |||
|
1Page
KSP44/45 • Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP44: 400V KSP45: 350V • Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW NPN Epitaxial Silicon Transistor 1 TO-92 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted Symbol VCBO Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage VEBO IC PC PC TJ TSTG Emitter-Base Voltage Collector Power Dissipation (Ta=25°C) Collector Power Dissipation (TC=25°C) Junction Temperature °C °C Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted Symbol BVCBO Parameter IC=100µA, IB=0 BVCEO * Collector -Emitter Breakdown Voltage IC=1mA, IB=0 BVEBO ICBO ICES IEBO hFE Emitter-Base Breakdown Voltage VCE (sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage VBE (sat) * Base-Emitter Saturation Voltage Cob Output Capacitance * Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2% IE=100µA, IC=0 VCB=400V, IE=0 VCB=320V, IE=0 VCE=400V, IB=0 VCE=320V, IB=0 VEB=4V, IC=0 VCE=10V, IC=1mA VCE=10V, IC=10mA VCE=10V, IC=50mA VCE=10V, IC=100mA IC=1mA, IB=0.1mA IC=10mA, IB=1mA IC=50mA, IB=5mA IC=10mA, IB=1mA VCB=20V, IE=0, f=1MHz Min. µA µA µA µA µA 0.4
Typical Characteristics
160 -20 VCE=10V 10 100 1000 IC, COLLECTOR CURRENT 10000 VCC=150V IC/IB=10 Ta=25℃ 10 IC, COLLECTOR CURRENT Figure 3. Turn-Off Switching Times Ta=25℃ 0.8 VBE(sat) @IC/IB=10 VBE(on) @VCE=10V 0.2 VCE(sat)@IC/IB=10 0.0 IC, COLLECTOR CURRENT Figure 5. On Voltage =B25℃ a Cib 10 Cob Ta=25℃ f=1MHz VCB, COLLECTOR-BASE VOLTAGE Figure 4. Capacitance IC=1mA 0.4 IC=10mA IC=50mA Ta=25℃ 0.3 IC, COLLECTOR CURRENT 100000
Typical Characteristics (Continued) 100 VCE=10V f=10MHz Ta=25℃ 10 IC, COLLECTOR CURRENT 1000 Valid for Duty Cycle ≤ 10% 1000 Tc=25℃ T =25℃ MSPA44 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE Figure 8. Safe Operating Area |
|||
| Всего страниц | 5 Pages | ||
| Скачать PDF |
Маркировка
Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.
В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.
IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.
Назначение контактов
Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.
Графическое обозначение
Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.
Распиновка
Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение сток-исток | V(BR)DSS | 55 В |
| Температурный коэффициент напряжения пробоя | ∆V(BR)DSS/∆TJ | 0.058 В/°C |
| Сопротивление между стоком и истоком при открытом канале | RDS(on) | 17.5 mΩ |
| Минимальное напряжение необходимое для включения транзистора | VGS(th) | От 2 до 4 В |
| Крутизна передаточной характеристики – отношение ∆I стока к ∆U на затворе | gfs | 19 А/В |
| Ток утечки стока | IDSS | От 25 до 250 мкА |
| Ток утечки затвора | IGSS | От -100 до 100 нА |
| Заряд для затвора необходимый для открытия транзистора | Qg | 63 нКл |
| Заряд емкости затвор-исток | Qgs | 14 нКл |
| Емкость Миллера | Qgd | 23 нКл |
| Время необходимое для открытия транзистора | td(on) | 12 нс |
| Время нарастания импульса для открытия (передний фронт) | tr | 60 нс |
| Время необходимое для закрытия транзистора | td(off) | 44 нс |
| Время спада импульса при закрытии транзистора (задний фронт) | tf | 45 нс |
| Значение индуктивности стока | LD | 4.5 нГн |
| Значение индуктивности истока | LS | 7.5 нГн |
| Входная емкость | Ciss | 1470 пФ |
| Выходная емкость | Coss | 360 пФ |
| Емкость затвор-сток | Crss | 88 пФ |
| Максимальная энергия одного импульса на стоке | EAS | 150 мДж |
Биполярный транзистор KSP44 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSP44
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора:
KSP44
Datasheet (PDF)
..1. Size:73K fairchild semi ksp44 ksp45.pdf
KSP44/45High Voltage Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP44: 400VKSP45: 350V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSP44 500 V : KSP45 400 VVCEO Collector-Emitter
..2. Size:377K onsemi ksp44 ksp45.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
..3. Size:111K kexin ksp44.pdf
DIP Type TransistorsTransistorsNPN Epitaxial Silicon TransistorKSP44/45TO-92Unit: mm+0.254.58 0.15 Features High-Voltage Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KSP44: 400VKSP45: 350V0.46 0.10 Collector Power Dissipation: PC(max) = 625mW+0.101.27TYP 1.27TYP 0.38 0.051 2 3 3.60 0.201. Emitter2. Base(R2.29)3. Collecto
0.1. Size:83K samsung ksp44pfc.pdf
KSP44/45 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP44: 400VKSP45: 350V Collector Dissipation: PC(max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST44 500 V :KST45 400 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST44 500 V :KST45 400 VEmitter-Base Voltage VE
0.2. Size:377K onsemi ksp44bu ksp44ta ksp44tf ksp45ta.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы… KSP2222A
, KSP24
, KSP25
, KSP26
, KSP2907
, KSP2907A
, KSP42
, KSP43
, TIP41
, KSP45
, KSP5172
, KSP55
, KSP56
, KSP62
, KSP63
, KSP64
, KSP6520
.
Технические характеристики
Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.
Приведём характеристики для IRFZ44N:
- длительный ток стока
- при температуре +25°С Ic max = 49 А;
- при температуре +100°С Ic max = 35 А.
- кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
- мощность Рс max = 94 Вт;
- линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
- напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
- лавинный ток Iл = 25 А;
- пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
- температура кристалла Тj = 175°С;
- рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
- температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
- тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
- тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
- тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.
Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.
| Электрические (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Условия измерения | Обозн. | min | Тип. | max | Ед. изм |
| Напряжение пробоя С — И | Ic = 250мкА, Uзи = 0 | Uси(проб.) | 55 | В | ||
| Температурный к-т напряжения пробоя | Δ Uси(проб.) /ΔTj | Ic=1мА | 0,058 | В/°С | ||
| Сопротивление С — И открытого транзистора | Ic = 25А, Uзи = 10В | Rси(вкл) | 17,5 | мОм | ||
| Пороговое напряжение затвора | Ic = 250мкА, Uси= Uзи | Uзи(пор.) | 2 | 4 | В | |
| Проводимость в прямом направлении | Ic = 25А, Uси = 25В | Gпр. | 19 | S | ||
| Ток утечки сток-исток | Uси = 55В | Ic ут. | 25 | мкА | ||
| Uси = 55В, TJ = 150°C | 250 | нА | ||||
| Ток утечки затвор-исток | Uзи=20В | Iз ут. | 100 | нА | ||
| Ток утечки затвор-исток обратный | Uзи=-20В | Iз ут. | -100 | нА | ||
| Заряд затвора | Ic=28А, Uси=44В, Uзи=10В | 63 | нКл | |||
| Заряд затвор-исток | 14 | нКл | ||||
| Заряд затвор-сток | 23 | нКл | ||||
| Время задержки выключения |
Uс=28В, Ic=25А,
Rз=12ом, Uзи=10В |
12 | нс | |||
| Время нарастания | 60 | нс | ||||
| Время задержки выключения | 44 | нс | ||||
| Время спада | 47 | нс | ||||
| Индуктивность cтока | Lc | 4,5 | нГн | |||
| Индуктивность иcтока | Lи | 7,5 | нГн | |||
| Ёмкость входа | Uзи=0В, Uси=25В, f=1МГц | Свх. | 1470 | пФ | ||
| Ёмкость выхода | Свых. | 360 | ||||
| Обратная ёмкость | Сос | 88 | ||||
| Энергия лавины моноимпульса | I AS =25А, L=0.47мГн | E AS | 530 | 150 | мДж | |
| Исток-сток: | ||||||
| Непрерывный ток истока (диод) | Iи | 49 | А | |||
| Импульсный ток истока (диод) | Iи им | 160 | А | |||
| Прямое напряжение диода |
IC = 25 A, Uзи = 0 В,
TJ = 25°C |
Uид | 1,3 | В | ||
| Время восстановления при переключении в обратном направлении | Iд = 25 А, TJ = 25°C, di/dt =100мкс | tвост. | 95 | нс | ||
| Заряд обратного восстановления | Qобр.вост. | 170 | 260 | нКл |