Irfbf30 datasheet pdf ( pinout ) - power mosfet ( transistor )

IRFBC30: особенности и преимущества

Основные особенности IRFBC30:

Высокое напряжение сток-исток: IRFBC30 обладает высоким напряжением сток-исток велечиной до 600 вольт. Это позволяет использовать его в различных приложениях, требующих работу с высоким напряжением.
Малая внутренняя емкость: IRFBC30 имеет небольшую внутреннюю емкость, что делает его идеальным для использования в высокоскоростных схемах. Он позволяет достичь быстрых временных характеристик и улучшить производительность электронных устройств.
Высокая теплопроводность: Благодаря конструкции IRFBC30, он обладает высокой теплопроводностью и способен эффективно рассеивать тепло. Это позволяет снизить вероятность перегрева и повысить надежность работы устройств.
Низкая сопротивление сток-исток: IRFBC30 имеет низкое сопротивление сток-исток, что способствует увеличению эффективности работы электронных схем. Он обладает высокой пропускной способностью, что позволяет передавать большие токи без значительных потерь.
Простота подключения: IRFBC30 имеет стандартные выводы для подключения, что облегчает его включение в различные схемы. Благодаря этому, инженеры могут быстро и легко интегрировать его в свои проекты.

В целом, IRFBC30 представляет собой мощный и надежный транзистор, который обладает высокой производительностью и применяется во многих электронных устройствах. Он отличается своими уникальными особенностями, такими как высокое напряжение сток-исток, низкое сопротивление сток-исток и высокая теплопроводность. Благодаря этому, IRFBC30 является правильным выбором для многих приложений, где требуется эффективное использование высокого напряжения и передача больших токов.

Применение транзистора IRFBC30 в электронике

Транзистор IRFBC30 может работать с напряжением питания до 600 Вольт и выдерживает ток до 24 Ампера. Эти характеристики делают его идеальным выбором для приложений, где требуется работа с высоким напряжением и высокими токами. Кроме того, он обладает низким внутренним сопротивлением и хорошей теплопроводностью, что позволяет ему эффективно справляться с выделением тепла.

Одно из основных применений транзистора IRFBC30 — это управление мощными моторами. Он может использоваться в схемах регулирования скорости и направления вращения моторов. Благодаря высокой мощности и надежности, транзистор способен обрабатывать большие нагрузки и эффективно управлять моторами различных типов.

Транзистор IRFBC30 также применяется в схемах источников питания. Благодаря его способности работать с высоким напряжением, он может использоваться для создания источников питания с высокой эффективностью и низким потреблением энергии. Такие источники питания на базе этого транзистора могут быть использованы в различных электронных устройствах, включая компьютеры, телевизоры, мониторы и многие другие.

Кроме того, транзистор IRFBC30 находит применение в цифровой электронике, где требуется управление высокими токами и высокими напряжениями. Он может быть использован в схемах усилителей мощности, а также в цифровых схемах, где требуется управление выходными сигналами с большой амплитудой.

Таким образом, транзистор IRFBC30 является важным элементом в современной электронике. Его высокие характеристики позволяют использовать его в различных приложениях, где требуется работа с высоким напряжением и высокими токами. Благодаря своей высокой мощности и надежности, он является прекрасным выбором для многих устройств и систем.

IRFBF30 Datasheet PDF — Vishay

Part Number	IRFBF30
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	Vishay
Logo
There is a preview and IRFBF30 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 9 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

Power MOSFET
IRFBF30, SiHFBF30
Vishay Siliconix
PRODUCT SUMMARY

VDS (V)

RDS(on) ()

Qg (Max.) (nC)

Qgs (nC)

Qgd (nC)

Configuration
900

VGS = 10 V

78
10
42
Single
3.7
D
TO-220AB
G
S
D
G
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free
SnPb
S
N-Channel MOSFET
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Available
RoHS*
COMPLIANT
DESCRIPTION
Third generation MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The TO-220AB package is universially preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance
and low package cost of the TO-220AB contribute to its
wide acceptance throughout the industry.
TO-220AB
IRFBF30PbF
SiHFBF30-E3
IRFBF30
SiHFBF30

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current

Pulsed Drain Currenta

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energyb

Repetitive Avalanche Currenta

Repetitive Avalanche Energya

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dtc

VGS at 10 V

TC = 25 °C

TC = 100 °C

TC = 25 °C

VDS

VGS

IDM

EAS

IAR

EAR

dV/dt
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
for 10 s

TJ, Tstg

Mounting Torque
6-32 or M3 screw
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 36 mH, Rg = 25 , IAS = 3.6 A (see fig. 12).

c. ISD  3.6 A, dI/dt  70 A/μs, VDD  600, TJ  150 °C.

d. 1.6 mm from case.
LIMITE
900
± 20
3.6
2.3
14
1.0
250
3.6
13
125
1.5
— 55 to + 150

300d

10
1.1
UNIT
V
A
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
lbf · in
N·m
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 91122
S11-0516-Rev. B, 21-Mar-11
www.vishay.com
1
This datasheet is subject to change without notice.

THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

Fig. 9 — Maximum Drain Current vs. Case Temperature
IRFBF30, SiHFBF30
Vishay Siliconix

VDS

VGS

D.U.T.
10 V

Pulse width ≤ 1 µs

Duty factor ≤ 0.1 %

+- VDD

Fig. 10a — Switching Time Test Circuit

VDS

90 %
10 %

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig. 10b — Switching Time Waveforms
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

VDS

Vary tp to obtain

required IAS

10 V

L
D.U.T

IAS

0.01 Ω

— VDD

A
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit

VDS

VDD

IAS

Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
Document Number: 91122
S11-0516-Rev. B, 21-Mar-11
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.

THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRFBF30 electronic component.

Information	Total 9 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Alternate Parts for IRFBF30

This table gives cross-reference parts and alternative options found for IRFBF30. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of IRFBF30, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.

Functional Equivalents (6)

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
IRFBF30PBF	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3	International Rectifier	IRFBF30 vs IRFBF30PBF
IRFBF30	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	Vishay Intertechnologies	IRFBF30 vs IRFBF30
IRFBF30PBF	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN	Vishay Siliconix	IRFBF30 vs IRFBF30PBF
SIHFBF30	TRANSISTOR 3.6 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power	Vishay Siliconix	IRFBF30 vs SIHFBF30
IRFBF30PBF	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3	Vishay Intertechnologies	IRFBF30 vs IRFBF30PBF
IRFBF30	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Vishay Siliconix	IRFBF30 vs IRFBF30

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
IRFBF30PBF	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN	Vishay Siliconix	IRFBF30 vs IRFBF30PBF
SIHFBF30	TRANSISTOR 3.6 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power	Vishay Siliconix	IRFBF30 vs SIHFBF30
IRFBF30	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Vishay Siliconix	IRFBF30 vs IRFBF30
IRFBF30PBF	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3	International Rectifier	IRFBF30 vs IRFBF30PBF
IRFBF30	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,	Vishay Intertechnologies	IRFBF30 vs IRFBF30
IRFBF30PBF	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3	Vishay Intertechnologies	IRFBF30 vs IRFBF30PBF

Схема подключения транзистора IRFBC30

Схема подключения транзистора IRFBC30 проста и состоит из нескольких элементов:

Транзистор IRFBC30
Источник питания (например, аккумулятор или источник постоянного тока)
Резисторы (для ограничения тока базы транзистора и защиты от перегрузки)
Диод (для защиты от обратного тока)
Загрузка (нагрузка, к которой подключается транзистор)

Схема подключения выглядит следующим образом:

Соедините дренаж (D) транзистора IRFBC30 с плюсовым полюсом источника питания (Vcc).
Соедините исток (S) транзистора с отрицательным полюсом источника питания (GND).
Подключите резистор от базы транзистора (G) к плюсовому полюсу источника питания (Vcc).
Соедините выход резистора с базой транзистора (G).
Подключите диод в обратном направлении между дренажем транзистора (D) и плюсовым полюсом источника питания (Vcc) для защиты от обратного тока.
Подключите загрузку между дренажем транзистора (D) и отрицательным полюсом источника питания (GND).

Схема подключения транзистора IRFBC30 может быть применена во множестве силовых устройств и электронных схем для управления высокими токами

Однако перед использованием данного транзистора важно ознакомиться с его документацией и правильно рассчитать соединяемые элементы в соответствии с требованиями вашего проекта