Правила безопасной работы
Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.
При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.
Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.
Как проверить МОП транзистор? Оказывается, ничего сложно в проверке МОП транзистора нет. Для этого достаточно вспомнить его внутреннее строение и провести некоторые простые операции. В этой статье мы будем проверять МОП транзистор двумя способами.
Проверяем МОП-транзистор с помощью мультиметра
Первым делом, вбиваем в любой поисковик то, что написано на корпусе транзистора и добавляем слово “цоколевка”, а потом нажимаем на вкладку “картинки”.
Вот мой транзистор:
Итак, я вбил ” IRFZ44N цоколевка” в Яндекс и нажал на вкладку “картинки”. Яндекс мне выдал уйму картинок с цоколевкой этого транзистора:
Следовательно, на моем транзисторе выводы идут в таком порядке:
Вспоминаем внутреннее строение МОПа. В мощных МОП-транзисторах Подложку соединяют с Истоком еще в процессе производства в самом транзисторе, поэтому МОП выглядит примерно так:
Его эквивалентная схема будет выглядеть вот так:
Значит, первым делом мы без проблем можем проверить эквивалентный диод VD2 между Стоком и Истоком.
В схемотехническом обозначении его тоже часто указывают:
Для того, чтобы подготовить наш транзистор к проверке, первым делом… убираем с себя статику! Касаемся голой батареи и только уже потом начинаем трогать транзистор. Или используем антистатический браслет, один конец которого закрепляем к голой батарее, а другой надеваем на запястье.
Alternate Parts for IRF2805
This table gives cross-reference parts and alternative options found for IRF2805. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of IRF2805, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.
Functional Equivalents (10)
Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
---|---|---|---|
AUIRF2805 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | Infineon Technologies AG |
IRF2805 vs AUIRF2805 |
AUIRF2805 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | International Rectifier |
IRF2805 vs AUIRF2805 |
IRF2805PBF |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | International Rectifier |
IRF2805 vs IRF2805PBF |
IRF2805PBF |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Infineon Technologies AG |
IRF2805 vs IRF2805PBF |
Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
---|---|---|---|
SPP80N06S2L-09 |
80A, 55V, 0.0113ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | Rochester Electronics LLC |
IRF2805 vs SPP80N06S2L-09 |
SPB80N03L |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Siemens |
IRF2805 vs SPB80N03L |
IRFS650B |
28A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | Rochester Electronics LLC |
IRF2805 vs IRFS650B |
IRF710R |
2A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | Rochester Electronics LLC |
IRF2805 vs IRF710R |
SSP4N80A |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Samsung Semiconductor |
IRF2805 vs SSP4N80A |
FQPF5N50C |
5A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | Rochester Electronics LLC |
IRF2805 vs FQPF5N50C |
SPB30N03L |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Siemens |
IRF2805 vs SPB30N03L |
FQP17N08 |
16.5A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Rochester Electronics LLC |
IRF2805 vs FQP17N08 |
FQPF18N20V2 |
18A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | Rochester Electronics LLC |
IRF2805 vs FQPF18N20V2 |
FQA65N06 |
72A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | Rochester Electronics LLC |
IRF2805 vs FQA65N06 |
Технические данные транзистора Irf2805
Транзистор Irf2805 представляет собой N-канальный MOSFET устройства, предназначенного для использования в различных схемах и приложениях. Он обладает высокой мощностью и низким сопротивлением, что делает его идеальным выбором для многих электронных устройств и систем.
Ниже приведены основные технические данные для транзистора Irf2805:
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 55 В
- Максимальный ток сток-исток (ID): 75 A
- Максимальная мощность (PD): 180 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Сопротивление затвор-исток (RDS(on)): 8,7 мОм
Транзистор Irf2805 обладает хорошими характеристиками высокой мощности и низким сопротивлением, что позволяет использовать его в различных приложениях, включая источники питания, преобразователи постоянного тока, силовые усилители и другие схемы с высокой потребляемой мощностью.
Описание транзистора Irf2805 и его применение
Транзистор Irf2805 имеет следующие технические характеристики:
- Максимальное напряжение смещения: 55 В;
- Максимальный ток смещения: 75 А;
- Максимальная мощность: 200 Вт;
- Максимальная температура перегрева: 175 °C;
- Сопротивление канала: 0,008 Ом;
- Максимальный коэффициент усиления: 16;
- Тип корпуса: TO-220AB.
Irf2805 обладает низким внутренним сопротивлением канала и высоким током переключения, что позволяет использовать транзистор в различных устройствах, включая источники питания, моторы, конвертеры постоянного тока и другие высокопотребляющие электронные устройства.
Благодаря низким потерям мощности, транзистор Irf2805 обеспечивает эффективное управление высокими токами и позволяет достигать высокой производительности и энергоэффективности в различных приложениях.
Одним из популярных применений транзистора Irf2805 является управление электродвигателями в промышленных и автомобильных приложениях. Он обеспечивает надежное и эффективное управление мощными двигателями, что позволяет повысить их скорость и контролировать их работу.
Также, благодаря своим характеристикам, транзистор Irf2805 может использоваться в схемах силового электронного управления, включая преобразователи постоянного тока, инверторы и другие устройства, требующие работы с высокими напряжениями и токами.
В заключение, транзистор Irf2805 представляет собой мощный компонент, позволяющий эффективно управлять высокими токами и напряжениями в различных электронных устройствах. Его низкое внутреннее сопротивление и высокий ток переключения делают его идеальным выбором для применения в высокопотребляющих устройствах.
Применение Irf2805 транзистора в электронике
Одним из основных применений Irf2805 транзистора является его использование в источниках питания, электроинструменте и промышленных устройствах. Благодаря высокому напряжению стока и большой способности тока, Irf2805 можно использовать для управления мощными моторами, трансформаторами и другими электронными устройствами, требующими высокой мощности.
Транзистор Irf2805 также может использоваться в системах электропривода, таких как робототехника и автоматизированные производственные линии. Благодаря своей способности обрабатывать высокие токи и выдерживать высокие напряжения, он может использоваться для управления двигателями и актуаторами, обеспечивая эффективность и надежность работы системы.
Кроме того, транзистор Irf2805 может быть использован в схемах управления светом, например, в светодиодных прожекторах и автомобильных фарах. Благодаря своей высокой мощности и эффективности, он может обеспечить яркую и стабильную подсветку, а также увеличить срок службы светодиодов.
В целом, транзистор Irf2805 является незаменимым компонентом в электронике, позволяющим эффективно управлять мощными электронными устройствами. Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежности, он может применяться в широком спектре приложений, от промышленных устройств до систем электропривода.