Irlml0060 - параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet

IRLML0060TRPBF Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number	IRLML0060TRPBF
Description	HEXFET Power MOSFET
Manufacturers	International Rectifier
Logo
There is a preview and IRLML0060TRPBF download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 10 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
PD — 97439
IRLML0060TRPbF

HEXFETPower MOSFET

VDS 60 V

VGS Max

± 16
V
*

RDS(on) max

(@VGS = 10V)

RDS(on) max

(@VGS = 4.5V)

92 mΩ

116 mΩ

6
‘

Micro3TM (SOT-23)

IRLML0060TRPbF
Application(s)

• Load/ System Switch

Features and Benefits
Features
Industry-standard pinout
Compatible with existing Surface Mount Techniques
RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen
MSL1, Industrial qualification
Benefits
results in
⇒
Multi-vendor compatibility
Easier manufacturing
Environmentally friendly
Increased reliability
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter

VDS Drain-Source Voltage

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

IDM Pulsed Drain Current

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation

PD @TA = 70°C

Maximum Power Dissipation

VGS

TJ, TSTG

Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Symbol
Parameter

eRθJA Junction-to-Ambient

fRθJA Junction-to-Ambient (t<10s)

Max.
60
2.7
2.1
11
1.25
0.80
0.01
± 16
-55 to + 150
Typ.
–––
–––
Max.
100
99
ORDERING INFORMATION:
See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet.

Notes through are on page 10

www.irf.com
Units
V
A
W
W/°C
V
°C
Units
°C/W
1
12/02/09

www.DataSheet4U.com
IRLML0060TRPbF
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50 75 100 125
TA , Ambient Temperature (°C)

Fig 9. Maximum Drain Current vs.

Ambient Temperature
150
1000

VDS

VGS

D.U.T.

VGS

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

100
D = 0.50
0.20
10 0.10
0.05
0.02

1 0.01

0.1
0.01
1E-006
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + TA
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
10 100

Fig 11. Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient

www.irf.com
5

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRLML0060TRPBF electronic component.

Information	Total 10 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

IRLML0060 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRLML0060

Маркировка: L*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 2.5
nC

Время нарастания (tr): 6.3
ns

Выходная емкость (Cd): 37
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.092
Ohm

Тип корпуса:

IRLML0060
Datasheet (PDF)

..1. Size:218K international rectifier irlml0060pbf.pdf

PD — 97439AIRLML0060TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS60 VVGS Max 16 VRDS(on) max 92 m(@VGS = 10V)RDS(on) max Micro3TM (SOT-23)116 mIRLML0060TRPbF(@VGS = 4.5V)Application(s)Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques results in Easie

..2. Size:422K huashuo irlml0060.pdf

IRLML0060 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V The IRLML0060 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 80 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 3 A The IRLML0060 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability a

0.1. Size:199K international rectifier irlml0060trpbf.pdf

0.2. Size:199K infineon irlml0060trpbf.pdf

0.3. Size:907K cn vbsemi irlml0060trpbf.pdf

IRLML0060TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23

Другие MOSFET… IRLH5036
, IRLHM620
, IRLHM630
, IRLHS6242
, IRLHS6342
, IRLL024Z
, IRLML0030
, IRLML0040
, IRFP250N
, IRLML0100
, IRLML2030
, IRLML2060
, IRLML6244
, IRLML6246
, IRLML6344
, IRLML6346
, IRLP3034
.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C/I_CM	T_J	f_T	C_ob	h_FE	U_CE(sat)	t_on/ t_s/ t_f	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
КТ8126А1	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	120	5…40	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(TO220)
2Т856А	-/125	950	950	5	10/12	—	—	—	10…60	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(TO3)
Б	750	750
Г	850	850
КТ872А	-/100	700	700	6	8/15	150	7	—	6	≤ 1,0	-/6,7/0,8	КТ-43	(TO218)
КТ878А	2/100	900	900	6	25/30	150	≥ 10	500	12…50	≤ 1,5	-/3,0/-	КТ-9	(TO3)
КТ8107А	-/100	1500	700	5	5/7	150	≥ 7	≤ 75	≥ 2,25	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-43-2	(TO218)
В	1200
КТ8108А/Б/В	-/70	850	850	5	5/7	150	≥ 15	≤ 75	10…50	≤ 1,0	-/3,0/0,3	КТ-9	(TO3)
КТ8114А	-/125	1500	700	6	8/15	150	—	—	≥ 6	≤ 1,0	-/-/0,5	КТ-43-2	(TO218)
Б	1200
КТ8118А	-/50	900	750	5	3/-	150	≥ 15	—	10	—	—	—
КТ8121А	-/75	700	400	5	4/8	150	≥ 4	—	8…60	≤ 1,0	-/3,0/0,4	—
КТ8164А	-/75	700	400	9	4/8	150	≥ 4	110	8…60	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(TO220)

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C/I_CM	T_J	f_T	C_ob	h_FE	U_CE(sat)	t_on/ t_s/ t_f	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	≥ 5	—	8…40	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
BLD137D	-/90	700	400	9	8/-	150	—	—	5…40	≤ 1,5	-/7,0/0,8	TO220/S
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
BUJ105A	-/80	700	400	—	8/16	150	—	—	10…36	≤ 1,0	1,0/2,5/0,5	TO220AB	٭
BUJ106A	-/80	700	400	—	10/20	150	—	—	10…33	≤ 1,0	0,75/3,3/0,75	TO220AB	٭
BUL67	-/100	700	400	9	10/18	150	—	—	10…50	≤ 1,5	-/3,2/0,18	TO220	٭٭
BUL87	-/110	700	400	9	12/24	150	—	—	8…40	≤ 1,5	-/3,4/0,165	TO220	٭٭
FJP3307D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	60	5…40	≤ 3,0	-/3,0/0,7	TO220
MJE13009X7	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
MJE13009X8	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
MJE13009ZJ	2/90	700	400	9	12/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S
PHE13009	-/80	700	400	—	12/24	150	—	—	8…40	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBP5307DO	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	10…40	≤ 3,0	-/3,6-1,6	TO220
SGSF341	-/80	850	400	—	10/-	175	—	—	—	≤ 1,5	1,2/3,5/0,4	TO220	٭
TSC148D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	8…40	≤ 2,0	0,6/1,6/0,3	TO220 TO263